JPH04355238A - 光磁気記録膜の情報再生方法 - Google Patents
光磁気記録膜の情報再生方法Info
- Publication number
- JPH04355238A JPH04355238A JP15538491A JP15538491A JPH04355238A JP H04355238 A JPH04355238 A JP H04355238A JP 15538491 A JP15538491 A JP 15538491A JP 15538491 A JP15538491 A JP 15538491A JP H04355238 A JPH04355238 A JP H04355238A
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- JP
- Japan
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- layer
- magnetic field
- magnetization
- recording film
- bias magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録膜の情報再生
方法の改良に関する。
方法の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】光磁気記録は垂直磁気記録の一種であり
、通常の長手方向の磁気記録より原理的に高密度記録が
可能な情報記録方法として注目され、現在実用化されて
いる。光磁気記録膜への情報書き込みには、例えばレン
ズで集束したレーザー光を照射して記録膜の温度を上昇
させ、記録膜の保磁力が書き込み時のバイアス磁界HW
以下になった部分だけ磁化方向をHW と同方向に向
けて情報を記録する。一般にレンズで集束されたレーザ
ー光の強度は、中心部が高く周辺で低いガウス分布を示
し、また記録膜の熱伝導度によって記録膜の温度も同様
な分布をもっている。この記録膜に生じる温度分布を利
用し、レーザー光の中心部のみを記録膜のキュリー温度
以上にし、周辺部をそれ以下とすることで、集束された
レーザー光の直径よりもさらに小さいピットを記録でき
ることが知られている(例えば、Journal o
f Magnetism and Magnet
icMaterials 88( ’90)p.17
7−182 North−Holland参照)。
、通常の長手方向の磁気記録より原理的に高密度記録が
可能な情報記録方法として注目され、現在実用化されて
いる。光磁気記録膜への情報書き込みには、例えばレン
ズで集束したレーザー光を照射して記録膜の温度を上昇
させ、記録膜の保磁力が書き込み時のバイアス磁界HW
以下になった部分だけ磁化方向をHW と同方向に向
けて情報を記録する。一般にレンズで集束されたレーザ
ー光の強度は、中心部が高く周辺で低いガウス分布を示
し、また記録膜の熱伝導度によって記録膜の温度も同様
な分布をもっている。この記録膜に生じる温度分布を利
用し、レーザー光の中心部のみを記録膜のキュリー温度
以上にし、周辺部をそれ以下とすることで、集束された
レーザー光の直径よりもさらに小さいピットを記録でき
ることが知られている(例えば、Journal o
f Magnetism and Magnet
icMaterials 88( ’90)p.17
7−182 North−Holland参照)。
【0003】現在実用化されているのは、図2に示すよ
うに、記録膜1上に集束照射されたレーザー光2の直径
より大きい記録ピット3を再生する装置である。この装
置でより小さい記録ピットを再生しようとすると、図3
(a)に示すように、レーザー光2の直径の中に複数の
小さい記録ピット4が入るため、再生を目的とするピッ
ト以外の記録ピットからの信号がノイズとなり、十分な
CN比を維持することができない。
うに、記録膜1上に集束照射されたレーザー光2の直径
より大きい記録ピット3を再生する装置である。この装
置でより小さい記録ピットを再生しようとすると、図3
(a)に示すように、レーザー光2の直径の中に複数の
小さい記録ピット4が入るため、再生を目的とするピッ
ト以外の記録ピットからの信号がノイズとなり、十分な
CN比を維持することができない。
【0004】また図3(b)に示すように、書き込み層
と読み出し層からなる、二層あるいは三層構造の記録膜
5を用い、レーザー光2を照射して読み出し層の温度を
上昇させ、レーザー光2が通過したあとの部分に記録さ
れたピットを一定方向に磁化させ、不必要な記録ピット
6をマスキングしながら、情報を再生する方法が提案さ
れている。この方法によると、集束されたレーザー光2
の直径より小さい記録ピットを、従来の装置より大きな
CN比を保って再生することができる。
と読み出し層からなる、二層あるいは三層構造の記録膜
5を用い、レーザー光2を照射して読み出し層の温度を
上昇させ、レーザー光2が通過したあとの部分に記録さ
れたピットを一定方向に磁化させ、不必要な記録ピット
6をマスキングしながら、情報を再生する方法が提案さ
れている。この方法によると、集束されたレーザー光2
の直径より小さい記録ピットを、従来の装置より大きな
CN比を保って再生することができる。
【0005】しかしこの方法では、レーザー光の下を通
り過ぎて温度が上昇している記録ピット6はマスキング
されるが、まだレーザー光が照射するにいたっていない
手前の記録ピットはマスキングされない。そのため、レ
ーザー光2が通過する手前のマスキングされていない記
録ピットが再生信号に影響を与え、CN比を低下させる
原因になる。集束されたレーザー光ビームの範囲内にあ
る、再生する目的のピット以外のすべての記録ピットを
マスキングし、それらの記録ピットが再生信号に与える
影響を排除することができれば、より大きなCN比を得
ることができる。
り過ぎて温度が上昇している記録ピット6はマスキング
されるが、まだレーザー光が照射するにいたっていない
手前の記録ピットはマスキングされない。そのため、レ
ーザー光2が通過する手前のマスキングされていない記
録ピットが再生信号に影響を与え、CN比を低下させる
原因になる。集束されたレーザー光ビームの範囲内にあ
る、再生する目的のピット以外のすべての記録ピットを
マスキングし、それらの記録ピットが再生信号に与える
影響を排除することができれば、より大きなCN比を得
ることができる。
【0006】再生する目的の記録ピット以外のすべての
ピットをマスキングする方法についても提案されている
。すなわち図4(a),(b)に示すように、ここで用
いられる記録膜は、書き込み層7と読み出し層8の二層
構造からなり、読み出し層8の保磁力を書き込み層7よ
り小さく、さらにキュリー温度も書き込み層7より低く
する。情報再生の手順は以下のとおりである。まず書き
込み層7の保磁力より小さく、読み出し層8の保磁力よ
り大きな、初期化磁界(バイアス磁界HR )を加え、
読み出し層8の磁化方向を初期化磁界HR と同方向に
向ける。次に初期化磁界HR を除き、レーザー光2を
照射し、読み出し層8の温度をキュリー温度近傍まで上
昇させて保磁力を小さくし、交換結合力により書き込み
層7の磁化方向を読み出し層8に転写し、転写された読
み出し層8の磁化方向により情報を再生する。
ピットをマスキングする方法についても提案されている
。すなわち図4(a),(b)に示すように、ここで用
いられる記録膜は、書き込み層7と読み出し層8の二層
構造からなり、読み出し層8の保磁力を書き込み層7よ
り小さく、さらにキュリー温度も書き込み層7より低く
する。情報再生の手順は以下のとおりである。まず書き
込み層7の保磁力より小さく、読み出し層8の保磁力よ
り大きな、初期化磁界(バイアス磁界HR )を加え、
読み出し層8の磁化方向を初期化磁界HR と同方向に
向ける。次に初期化磁界HR を除き、レーザー光2を
照射し、読み出し層8の温度をキュリー温度近傍まで上
昇させて保磁力を小さくし、交換結合力により書き込み
層7の磁化方向を読み出し層8に転写し、転写された読
み出し層8の磁化方向により情報を再生する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この方法では、■
読み出し層8をキュリー温度近傍まで加熱した状態で情
報を再生するため、再生時のカー回転角が小さい。■
読み出し層8の磁化方向を安定させるために、読み出
し層8に十分な保磁力が必要となり、加える初期化磁界
HR を大きくする必要がある。■ 読み出し層8と
書き込み層7の磁化方向を、外部磁界がない状態でそれ
ぞれ独立に安定させるために、読み出し層8を十分厚く
する必要がある、■ 再生光2の照射により、読み出
す目的のピットが存在する読み出し層の一部分の温度の
みを、キュリー温度以上に加熱する必要があるため、記
録膜の温度分布をなるべくシャープにすることが望まし
く、そのためには記録膜を薄くして熱容量を小さくする
必要があるが、■の理由から記録膜を薄くするには限界
があり、■と■とはトレードオフの関係にある。■
読み出し層8のキュリー温度と再生時の書き込み層7の
温度を、精度良く一致させる必要があり、光学ヘッド(
図示しない)の性能や記録膜のばらつきを小さくしなけ
ればならない等、再生装置の余裕が少なくなる点に問題
がある。
読み出し層8をキュリー温度近傍まで加熱した状態で情
報を再生するため、再生時のカー回転角が小さい。■
読み出し層8の磁化方向を安定させるために、読み出
し層8に十分な保磁力が必要となり、加える初期化磁界
HR を大きくする必要がある。■ 読み出し層8と
書き込み層7の磁化方向を、外部磁界がない状態でそれ
ぞれ独立に安定させるために、読み出し層8を十分厚く
する必要がある、■ 再生光2の照射により、読み出
す目的のピットが存在する読み出し層の一部分の温度の
みを、キュリー温度以上に加熱する必要があるため、記
録膜の温度分布をなるべくシャープにすることが望まし
く、そのためには記録膜を薄くして熱容量を小さくする
必要があるが、■の理由から記録膜を薄くするには限界
があり、■と■とはトレードオフの関係にある。■
読み出し層8のキュリー温度と再生時の書き込み層7の
温度を、精度良く一致させる必要があり、光学ヘッド(
図示しない)の性能や記録膜のばらつきを小さくしなけ
ればならない等、再生装置の余裕が少なくなる点に問題
がある。
【0008】重希土と鉄族の合金膜の場合、図5に示す
ように、各層の内部では希土類と鉄族のそれぞれの磁気
モーメント9、10の方向は、たがいに反対方向を向き
、各磁気モーメントの差が全体の磁化量11となること
が知られている。また、組成の異なる二層膜を作製する
と、図6に示すように、上下の層の界面で交換結合力が
働き、一般にバイアス磁界がない場合には、第一層と第
二層の希土類、鉄族それぞれの磁気モーメント9、10
の向きが揃うようになるが、交換結合力を打ち破るよう
な大きなバイアス磁界HR が加えられたときは、各層
の磁気モーメント9、10の向きにかかわらず、全体の
磁化の方向がバイアス磁界HR の向きと同じになるよ
うに、揃えられることが知られている。
ように、各層の内部では希土類と鉄族のそれぞれの磁気
モーメント9、10の方向は、たがいに反対方向を向き
、各磁気モーメントの差が全体の磁化量11となること
が知られている。また、組成の異なる二層膜を作製する
と、図6に示すように、上下の層の界面で交換結合力が
働き、一般にバイアス磁界がない場合には、第一層と第
二層の希土類、鉄族それぞれの磁気モーメント9、10
の向きが揃うようになるが、交換結合力を打ち破るよう
な大きなバイアス磁界HR が加えられたときは、各層
の磁気モーメント9、10の向きにかかわらず、全体の
磁化の方向がバイアス磁界HR の向きと同じになるよ
うに、揃えられることが知られている。
【0009】本発明者らはこの現象を利用し、第一層の
補償温度が室温以上にあるような、二層構造の交換結合
二層膜を記録膜として用い、再生時にバイアス磁界を印
加して、第一層の磁化方向を第二層の磁化とは無関係に
、バイアス磁界と同じ方向に向け、同時に第一層を補償
温度付近まで加熱することにより磁化量を減少させ、そ
れによって交換結合力をバイアス磁界の影響より大きく
することにより、加熱された部分のみの鉄族イオンの磁
気モーメントの方向を、第二層の鉄族イオンの磁気モー
メントと同方向に向け、前記の情報再生方法の欠点を補
う方法を提案した。しかし、希土類−鉄族合金における
補償温度は、希土類と鉄族の組成比で決定され、組成の
微小な変化によって、磁気特性は影響を受けるため、同
じ特性の記録膜を安定して作製するのは製造上困難であ
る。
補償温度が室温以上にあるような、二層構造の交換結合
二層膜を記録膜として用い、再生時にバイアス磁界を印
加して、第一層の磁化方向を第二層の磁化とは無関係に
、バイアス磁界と同じ方向に向け、同時に第一層を補償
温度付近まで加熱することにより磁化量を減少させ、そ
れによって交換結合力をバイアス磁界の影響より大きく
することにより、加熱された部分のみの鉄族イオンの磁
気モーメントの方向を、第二層の鉄族イオンの磁気モー
メントと同方向に向け、前記の情報再生方法の欠点を補
う方法を提案した。しかし、希土類−鉄族合金における
補償温度は、希土類と鉄族の組成比で決定され、組成の
微小な変化によって、磁気特性は影響を受けるため、同
じ特性の記録膜を安定して作製するのは製造上困難であ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決する再生方法を検討した結果本発明に到達したの
であって、これは記録膜が二層構造の交換結合膜で構成
され、情報再生時に照射される再生光によって加熱され
る最高の温度で、情報再生時に印加されるバイアス磁界
による磁化反転力より、第一層と第二層との交換結合力
の方が大きく、かつ室温と前記最高温度との間で、前記
バイアス磁界による第一層の磁化反転力が、第一層と第
二層との交換結合力より大きくなり、かつ第二層の保磁
力が、室温と前記最高温度との間で、前記バイアス磁界
より十分大である光磁気記録膜を用い、第二層の保磁力
より小さく、第一層の磁化方向を反転させるに十分なバ
イアス磁界を、情報を記録した方向と逆向きに印加した
状態で、再生光を照射し、再生する記録ピットの位置付
近の第一層と第二層の磁気モーメントを、両層の交換結
合作用によって同方向に向けることを特徴とする光磁気
記録膜の情報再生方法を要旨とするものである。ピット
の書き込みには、記録レーザー光の変調周波数を高くす
ることで、通常行われているのと同じような方法により
、集束されたレーザースポット径より小さい記録ピット
を形成することができる。
を解決する再生方法を検討した結果本発明に到達したの
であって、これは記録膜が二層構造の交換結合膜で構成
され、情報再生時に照射される再生光によって加熱され
る最高の温度で、情報再生時に印加されるバイアス磁界
による磁化反転力より、第一層と第二層との交換結合力
の方が大きく、かつ室温と前記最高温度との間で、前記
バイアス磁界による第一層の磁化反転力が、第一層と第
二層との交換結合力より大きくなり、かつ第二層の保磁
力が、室温と前記最高温度との間で、前記バイアス磁界
より十分大である光磁気記録膜を用い、第二層の保磁力
より小さく、第一層の磁化方向を反転させるに十分なバ
イアス磁界を、情報を記録した方向と逆向きに印加した
状態で、再生光を照射し、再生する記録ピットの位置付
近の第一層と第二層の磁気モーメントを、両層の交換結
合作用によって同方向に向けることを特徴とする光磁気
記録膜の情報再生方法を要旨とするものである。ピット
の書き込みには、記録レーザー光の変調周波数を高くす
ることで、通常行われているのと同じような方法により
、集束されたレーザースポット径より小さい記録ピット
を形成することができる。
【0011】以下本発明の情報再生方法を図 1(a)
,(b),(c)により説明すると、再生する記録ピッ
トの周辺にバイアス磁界HR を印加しながら、同時に
再生光2を照射し、光スポット中の最も高温になる記録
膜の部分の温度を、第一層21のバイアス磁界HR に
よって磁化方向を制限される力(磁化反転力)が、第二
層22と第一層21との交換結合力より小さくなる温度
TR まで上昇させる。バイアス磁界HR を加え、記
録ピット付近の第一層21の磁化方向はバイアス磁界H
Rと同方向を向くが、再生光2でTR まで加熱された
部分のみは、磁化量が減少し磁化反転力が小さくなる。 その結果磁化反転力に対し、第二層22からの交換結合
力が勝る温度になった部分では、第一層21の鉄族イオ
ンの磁気モーメント23は、第二層22からの交換結合
力によって、第二層22と同方向を向くようになる。そ
のため、再生される目的の記録ピットの部分においてだ
け、第二層22の鉄族イオンの磁気モーメント23が第
一層21に転写され、その他の記録ピット付近の第一層
21は、バイアス磁界HR と同方向に向き続けるので
、再生光2のビーム径の中に複数の記録ピットが含まれ
るような小さい記録ピットでも、他の記録ピットが信号
のノイズ源にはならず、一部分のみを抽出して再生する
ことができる。
,(b),(c)により説明すると、再生する記録ピッ
トの周辺にバイアス磁界HR を印加しながら、同時に
再生光2を照射し、光スポット中の最も高温になる記録
膜の部分の温度を、第一層21のバイアス磁界HR に
よって磁化方向を制限される力(磁化反転力)が、第二
層22と第一層21との交換結合力より小さくなる温度
TR まで上昇させる。バイアス磁界HR を加え、記
録ピット付近の第一層21の磁化方向はバイアス磁界H
Rと同方向を向くが、再生光2でTR まで加熱された
部分のみは、磁化量が減少し磁化反転力が小さくなる。 その結果磁化反転力に対し、第二層22からの交換結合
力が勝る温度になった部分では、第一層21の鉄族イオ
ンの磁気モーメント23は、第二層22からの交換結合
力によって、第二層22と同方向を向くようになる。そ
のため、再生される目的の記録ピットの部分においてだ
け、第二層22の鉄族イオンの磁気モーメント23が第
一層21に転写され、その他の記録ピット付近の第一層
21は、バイアス磁界HR と同方向に向き続けるので
、再生光2のビーム径の中に複数の記録ピットが含まれ
るような小さい記録ピットでも、他の記録ピットが信号
のノイズ源にはならず、一部分のみを抽出して再生する
ことができる。
【0012】バイアス磁界の大きさは実用上500エル
ステッド以下であることが望ましいが、必要なバイアス
磁界の大きさを決定するのは、第一、第二層間の交換結
合力と第一層の磁化反転力の大きさである。交換結合力
は主に層境界面の面積で決定されるため、この大きさを
制御することは困難である。一方、磁化反転力は第一層
の磁化量と膜厚で決定されるので、バイアス磁界の大き
さが500エルステッド以下となるように第一層の磁化
量と膜厚を設定することが望ましい。
ステッド以下であることが望ましいが、必要なバイアス
磁界の大きさを決定するのは、第一、第二層間の交換結
合力と第一層の磁化反転力の大きさである。交換結合力
は主に層境界面の面積で決定されるため、この大きさを
制御することは困難である。一方、磁化反転力は第一層
の磁化量と膜厚で決定されるので、バイアス磁界の大き
さが500エルステッド以下となるように第一層の磁化
量と膜厚を設定することが望ましい。
【0013】第一層21は室温では情報再生時に印加さ
れるバイアス磁界HR によって同じ方向に磁化され、
再生光2の照射により加熱された条件下では磁化量が減
少し、バイアス磁界の影響が低減され、第二層22との
交換結合により鉄族の磁気モーメント23が、第二層2
2と同じ方向に揃うような磁化膜が用いられる。これに
は磁化量がある程度大きく、保磁力の小さい材料が望ま
しく、例えば、Gd,Fe,Coを主成分とした、希土
類と鉄族の非晶質合金等が好ましく使用される。 ま
た第二層22には、保磁力HC2がバイアス磁界HR
より大きい、通常の光磁気記録膜が使用でき、例えば非
晶質のTbFeCo合金が用いられる。
れるバイアス磁界HR によって同じ方向に磁化され、
再生光2の照射により加熱された条件下では磁化量が減
少し、バイアス磁界の影響が低減され、第二層22との
交換結合により鉄族の磁気モーメント23が、第二層2
2と同じ方向に揃うような磁化膜が用いられる。これに
は磁化量がある程度大きく、保磁力の小さい材料が望ま
しく、例えば、Gd,Fe,Coを主成分とした、希土
類と鉄族の非晶質合金等が好ましく使用される。 ま
た第二層22には、保磁力HC2がバイアス磁界HR
より大きい、通常の光磁気記録膜が使用でき、例えば非
晶質のTbFeCo合金が用いられる。
【0014】
【発明の効果】従来の装置では、照射されるレーザー光
のスポット径より小さい記録ピットの再生は困難である
が、本発明の情報再生方法を用いると、CN比を低下さ
せることなく小さな記録ピットの再生ができる。第二層
の鉄族イオンの磁気モーメントの第一層への転写は、第
一、第二層間の交換結合力と、バイアス磁界による第一
層の磁化反転力の間の力関係で決定され、比較的低い温
度でも情報の再生ができるため、再生時のレーザー出力
が低減され、また温度上昇による記録膜のカー回転角の
減少を少なくすることができる。さらに情報再生時の記
録膜の温度範囲は、バイアス磁界による第一層の磁化反
転力が、第二層との交換結合力より弱くなればよく、記
録膜の温度特性と磁気特性および再生系の製品のばらつ
き等に対して、マージンを大きくとることができる。
のスポット径より小さい記録ピットの再生は困難である
が、本発明の情報再生方法を用いると、CN比を低下さ
せることなく小さな記録ピットの再生ができる。第二層
の鉄族イオンの磁気モーメントの第一層への転写は、第
一、第二層間の交換結合力と、バイアス磁界による第一
層の磁化反転力の間の力関係で決定され、比較的低い温
度でも情報の再生ができるため、再生時のレーザー出力
が低減され、また温度上昇による記録膜のカー回転角の
減少を少なくすることができる。さらに情報再生時の記
録膜の温度範囲は、バイアス磁界による第一層の磁化反
転力が、第二層との交換結合力より弱くなればよく、記
録膜の温度特性と磁気特性および再生系の製品のばらつ
き等に対して、マージンを大きくとることができる。
【図1】(a)はレーザー光照射前の本発明の記録膜の
磁化状況の説明図、(b),(c)はレーザー光照射中
の本発明の記録膜の磁化状況の説明図である。
磁化状況の説明図、(b),(c)はレーザー光照射中
の本発明の記録膜の磁化状況の説明図である。
【図2】従来の光磁気記録膜の説明図である。
【図3】(a),(b)は従来の光磁気記録膜の説明図
である。
である。
【図4】(a),(b)は従来の光磁気記録膜の説明図
である。
である。
【図5】記録膜における希土類と鉄族イオンの磁気モー
メントの説明図である。
メントの説明図である。
【図6】バイアス磁界があるときとないときの記録膜に
おける希土類と鉄族イオンの磁気モーメントの説明図で
ある。
おける希土類と鉄族イオンの磁気モーメントの説明図で
ある。
1 記録膜
9 希土類イオンの磁気モーメント 2 レーザー光(再生光) 10 鉄族
イオンの磁気モーメント 3 大きな記録ピット 11
全体の磁化量4 小さな記録ピット
21 第一層5 記録膜
22 第二層6 不必要な記
録ピット 23 鉄族イオンの磁気モ
ーメント 7 書き込み層 2
4 希土類イオンの磁気モーメント 8 読み出し層 2
5 再生される記録ピット
9 希土類イオンの磁気モーメント 2 レーザー光(再生光) 10 鉄族
イオンの磁気モーメント 3 大きな記録ピット 11
全体の磁化量4 小さな記録ピット
21 第一層5 記録膜
22 第二層6 不必要な記
録ピット 23 鉄族イオンの磁気モ
ーメント 7 書き込み層 2
4 希土類イオンの磁気モーメント 8 読み出し層 2
5 再生される記録ピット
Claims (4)
- 【請求項1】 記録膜が二層構造の交換結合膜で構成
され、情報再生時に照射される再生光によって加熱され
る最高の温度で、情報再生時に印加されるバイアス磁界
による磁化反転力より、第一層と第二層との交換結合力
の方が大きく、かつ室温と前記最高温度との間で、前記
バイアス磁界による第一層の磁化反転力が、第一層と第
二層との交換結合力より大きくなり、かつ第二層の保磁
力が、室温と前記最高温度との間で、前記バイアス磁界
より十分大である光磁気記録膜を用い、第二層の保磁力
より小さく、第一層の磁化方向を反転させるに十分なバ
イアス磁界を、情報を記録した方向と逆向きに印加した
状態で、再生光を照射し、再生する記録ピットの位置付
近の第一層と第二層の磁気モーメントを、両層の交換結
合作用によって同方向に向けることを特徴とする光磁気
記録膜の情報再生方法。 - 【請求項2】 第一層に加えるバイアス磁界の大きさ
が500エルステッド以下となるよう、記録膜の第一層
の厚さおよび磁化量が設定されてなる請求項1に記載の
情報再生方法。 - 【請求項3】 第一層はGd,Fe,Coを含む非晶
質合金で形成されている請求項1に記載の情報再生方法
。 - 【請求項4】 第二層はTb,Fe,Coを含む非晶
質合金で形成されている請求項1に記載の情報再生方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15538491A JPH04355238A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 光磁気記録膜の情報再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15538491A JPH04355238A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 光磁気記録膜の情報再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355238A true JPH04355238A (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=15604774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15538491A Pending JPH04355238A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 光磁気記録膜の情報再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04355238A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993023850A1 (fr) * | 1992-05-19 | 1993-11-25 | Nikon Corporation | Disque optomagnetique a lecture seulement, et procede et equipement de reproduction |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP15538491A patent/JPH04355238A/ja active Pending
Cited By (2)
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