JPH04355964A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents

固体撮像装置及びその製造方法

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JPH04355964A
JPH04355964A JP3255773A JP25577391A JPH04355964A JP H04355964 A JPH04355964 A JP H04355964A JP 3255773 A JP3255773 A JP 3255773A JP 25577391 A JP25577391 A JP 25577391A JP H04355964 A JPH04355964 A JP H04355964A
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semiconductor layer
solid
region
impurity diffusion
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JP3255773A
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Shigeto Maekawa
繁登 前川
▲榊▼原　清彦
Kiyohiko Sakakibara
Hidekazu Yamamoto
秀和 山本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は固体撮像装置及びその
製造方法に関し、特にその構成要素である光検出器の構
造と製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えばＩＥＤＭ（Ｉｎｔｅｒｎａ
ｔｉｏｎａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｍ
ｅｅｔｉｎｇ）　８２年のＰ．３２４に示された、従来
の固体撮像装置の断面構造を示す図である。図において
、１はＮ型シリコン基板、２はその中に作られた第１の
Ｐ型導電領域であり、その中に電荷結合素子（ＣＣＤ）
のチャネルとなる第１のＮ型導電領域４，光検出を行う
第２のＮ型導電領域５，チャネルストッパとして働く第
２のＰ型導電領域３が形成されている。上記第２のＮ型
導電領域５の中には、さらにＳｉ−ＳｉＯ２　界面での
暗電流発生を抑制するため第３のＰ型導電領域６が形成
されている。８はＣＣＤの転送電極であるポリシリコン
膜である。
【０００３】図４は図３のＢ−Ｂ′での不純物濃度分布
を示したものであり、表面からＰ，Ｎ，Ｐ，Ｎと順に形
成されている。
【０００４】次に動作について説明する。上部から入射
した光によって第２のＮ型導電領域５と第１のＰ型導電
領域２，第３のＰ型導電領域６との間にできるＰＮ接合
の空乏層内に光電子が発生し、第２のＮ型導電領域５内
に蓄積される。所定の蓄積時間後、転送電極のポリシリ
コン膜８にハイレベル電圧を印加すると光電子はＣＣＤ
のチャネル４に移されさらに外部へ出力される。
【０００５】図７は図３のＢ−Ｂ′線に沿った電位分布
図である。この図を用いて第３のＰ型導電領域６の役割
を詳細に説明する。
【０００６】第２のＮ型導電領域５は、光電子をＣＣＤ
のチャネル４へ転送する際に完全空乏化するように設定
されている。そうしなければ残留する電子が熱拡散過程
によって残像現象をもたらしてしまう。しかし第３のＰ
型導電領域６がない場合、上述のように第２のＮ型導電
領域５が完全空乏化してしまうと、表面のシリコン酸化
膜７との界面まで空乏化することになる。界面には周知
のとおり、シリコンのバンドギャップに準位を作る欠陥
１６が存在するため、それが生成中心の核となり暗電流
を発生する。従って表面に第３のＰ型導電領域６を設け
て、正孔の蓄積状態にすることで表面の欠陥による暗電
流を抑制することができる。
【０００７】このような構造は図５に示す工程で製造さ
れる。まずＮ型シリコン基板１にボロンイオンを注入し
て拡散させることにより、第１のＰ型導電領域２を形成
した後、リンやボロンをレジストマスクに選択的に注入
し、それぞれを熱処理工程を加え拡散させることで第２
のＰ型導電領域３，第１のＮ型導電領域４，第２のＮ型
導電領域５を形成する（図５（ａ）　）。
【０００８】次にシリコン基板１の表面に熱酸化法でシ
リコン酸化膜７を形成し、さらにＣＶＤ法でポリシリコ
ン膜８を堆積したあと、そのポリシリコン膜８を所定の
パターンに加工する（図５（ｂ）　）。
【０００９】次にポリシリコン膜８を通過しないがシリ
コン酸化膜７は通過するエネルギーで、全面にボロンイ
オン１０を注入し、熱処理で活性化して第３のＰ型導電
領域６を形成する（図５（ｃ）　）。
【００１０】なお第３のＰ型導電領域６を形成するため
のボロンイオン１０をＣＣＤの転送電極となるポリシリ
コン膜８をパターニングした後に注入するのは、拡散係
数の大きいボロンの広がりをおさえるためである。すな
わちボロンが大きく広がり、第３のＰ型導電領域６がＮ
型導電領域５の深部まで形成されると、光電子を蓄積す
るＮ型導電領域５の実効不純物濃度が薄くなり蓄積能力
が低下してしまうためである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像装置は
以上のように構成されており以下に述べる２つの問題点
があった。すなわち第１に、前述のように第３のＰ型導
電領域６はできるだけ拡がらないように後工程で形成さ
れるが、それでも形成後の熱処理をさけることができず
、例えばポリシリコン膜８上の平坦化膜を形成する際の
リフロー処理等は９００℃程度の高温になる。従って図
５（ｃ）の工程で注入されたボロンは、どうしても後工
程で拡散してしまい、フォトダイオードの全蓄積電荷量
を決める第２のＮ型導電領域５の実効的な不純物濃度を
減少させる。またＰＮ接合が深くなるため表面付近で主
に吸収される青色の感度が劣化してしまう。
【００１２】また第２に、図７に示す第２のＮ型導電領
域５の空乏化したときの電子ポテンシャルψＰＤと最大
蓄積電荷量ＱＰＤは、Ｎ型導電領域５の不純物濃度に対
して図８のように変化する。しかし最大蓄積電荷量ＱＰ
Ｄはある値以上（図中上矢印で示す）必要なのに対し、
電子ポテンシャルψＰＤはＣＣＤの転送電極に印加する
電圧で決まるポテンシャル以下（図中下矢印で示す）で
なければならない。最大蓄積電荷量ＱＰＤと電子ポテン
シャルψＰＤの関係はＰＮ接合に広がる空乏層の容量を
ＣＰＤとすると、ＱＰＤ＝ＣＰＤ×ψＰＤと表せる。従
って上の２つの要求を満たすためには、空乏層の容量Ｃ
ＰＤを大きくすることによって同じ電子ポテンシャルψ
ＰＤでも最大蓄積電荷量ＱＰＤが大きくなるようにすれ
ばよい。空乏層の容量ＣＰＤを大きくするということは
第２のＮ型導電領域５の両側の空乏層を短くするという
ことである。
【００１３】ところが入射した光は空乏層中で光電変換
されるため、入射光量に対して発生する電子の数は空乏
層の幅に依存する。従って空乏層の容量ＣＰＤを大きく
するために第２のＮ型導電領域５の両側に広がる空乏層
を短くすると感度が劣化するという問題が発生する。
【００１４】このように従来の固体撮像装置は、フォト
ダイオードの表面の暗電流低減のためのＰ型導電領域６
を浅く濃く形成するのが困難であった。またフォトダイ
オードの電子ポテンシャルと良好な感度を保ために必要
な最大蓄積電荷量の要求を同時に満たすのが困難であっ
た。
【００１５】本発明は上記の問題点を解消するためにな
されたもので、青色感度がよく、またあるポテンシャル
値に対する最大蓄積電荷量を感度を劣化させることなく
大きくすることができる固体撮像装置及びその製造方法
を得ることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る固体撮像
装置は、第１導電型の半導体層上に第２導電型の半導体
層を形成し、該半導体層表面領域に第１導電型不純物拡
散層を形成してなる固体撮像装置の光検出器を、上記第
２導電型の半導体層を濃度の異なる複数の第２導電型不
純物拡散層から構成し、かつ上記第１導電型不純物拡散
層と接する上記第２導電型不純物拡散層を他の第２導電
型不純物拡散層よりも高い不純物濃度を有するものとし
たものである。
【００１７】またこの発明に係る固体撮像装置の製造方
法は、第１導電型の半導体層上に第２導電型不純物拡散
領域を選択的に形成し、その後電荷転送用電極をその一
端が上記第２導電型不純物拡散領域とほぼ一致するよう
に形成する第１の工程と、上記第２導電型不純物拡散領
域表面に上記電荷転送用電極をマスクとして不純物を注
入し、該領域よりも濃度が高く、かつ接合の浅い第２導
電型高濃度領域を設け第２導電型の半導体層を形成する
第２の工程と、上記第２導電型高濃度領域表面に上記転
送用電極をマスクとして不純物注入を行い上記第２導電
型高濃度領域よりも接合の浅い第１導電型不純物拡散層
を形成する第３の工程とを備えたものである。
【００１８】
【作用】この発明においては、固体撮像装置の光検出器
を、上方の第１導電型不純物拡散層及び下方の第１導電
型の半導体層とその間に挟まれた第２導電型の半導体層
の３層から構成し、しかも上記第２導電型の半導体層を
濃度分布の異なる少なくとも２つの層を用いて構成し、
さらに上記第１導電型不純物拡散層と接する層を他の層
よりも高い不純物濃度を有するものとしたから、この濃
度の高い層が存在するため、第２導電型の半導体層とそ
の周りの第１導電型拡散層及び第１導電型の半導体層と
の接合容量が大きくなり、従って同じ電子ポテンシャル
で、第１導電型不純物拡散層が空乏化したときの最大蓄
積電荷量が大きくなり、また第２導電型の半導体層を、
濃度が薄くかつ接合深さの深いものとすることができる
ので、深さ方向に空乏層が伸び感度が劣化することがな
い。
【００１９】また、第２導電型の半導体層上方に該領域
よりも不純物濃度が高い第２導電型高濃度領域を形成し
、この第２導電型高濃度領域表面に第１導電型不純物を
導入した後熱処理を加えて第１導電型不純物拡散層を形
成するようにしたから、後の熱処理工程時に、第２導電
型高濃度領域が存在することで、第１導電型不純物の実
効的なプロファイルが下方へ拡がらず、ＰＮ接合の位置
が深くならず、従って最大蓄積電荷量が減少せず、また
青色の感度もよい。
【００２０】
【実施例】図１は本発明の一実施例による固体撮像装置
の断面構造を示す図であり、図３と同一符号は同一また
は相当部分を示し、５′は第２のＮ型導電領域であり、
従来のものよりも不純物注入時のイオン注入量を少なく
し、熱処理による拡散を増やすことによって、従来と同
じかさらに深い接合で不純物濃度の薄い導電領域となっ
ている。９は第３のＰ型導電領域６と第２のＮ型導電領
域５′との間に設けられた第３のＮ型導電領域であり、
第２のＮ型導電領域５′よりも濃い不純物濃度を有する
もの（第２導電型高濃度領域）である。また図２は図１
のＡ−Ａ′線での不純物分布図であり、図９は光検出器
付近の等価回路図を示す。
【００２１】次に作用効果について説明する。上述のよ
うに第３のＮ型導電領域９は第２のＮ型導電領域５′よ
り濃い不純物濃度をもつ。従って図９において、第３の
Ｐ型導電領域６との接合容量Ｃ１　は、空乏層が広がら
ないため大きい。なぜなら接合容量Ｃ１　と空乏層Ｗの
関係は、Ｃ１　＝ε０　ε　Ｓ／Ｗであり、空乏層幅Ｗ
は、
【００２２】
【数１】
【００２３】と表され、第３のＮ型領域９の不純物濃度
ＮＤ　が大きくなれば、空乏層幅Ｗが小さくなり接合容
量Ｃ１　は大きくなる関係にあるからである。ここで（
εＳ　ε０　）はシリコンの誘電率、ｑは電荷素量、ψ
ＰＤは第２，第３のＮ型領域９が空乏化したときのポテ
ンシャル、ＮＡ　は第３のＰ型導電領域の不純物濃度で
ある。
【００２４】また第２のＮ型領域５′は、図２に示すよ
うに、従来のものに比べて薄い不純物濃度で接合深さが
深いため、第１のＰ型導電領域２との接合の両側に広が
る空乏層は従来より大きくなる。従って入射した光の光
電変換能力が大きくなり感度が向上する。つまり図９の
等価回路図において、第２のＮ型領域５′と第１のＰ型
領域２との間の接合領域は感度をあげるため空乏層が大
きく接合容量Ｃ２　が小さいものとなっているが、接合
容量Ｃ１　を大きく設定してやることで全接合容量ＣＰ
Ｄ（＝Ｃ１　＋Ｃ２）はむしろ大きな値にすることがで
きる。従って第２のＮ型導電領域５′の最大蓄積電荷量
ＱＰＤはおおよそＱＰＤ＝ＣＰＤψＰＤであるから、あ
る決められた第２のＮ型導電領域のポテンシャル値ψＰ
Ｄに対する最大蓄積電荷量ＱＰＤは、感度を犠牲にせず
とも大きな値を得ることができる。
【００２５】次にこの固体撮像素子の製造方法について
図６を用い図５を参照しつつ述べる。図５（ｂ）　まで
は従来の製造方法と同じであるが、第２のＮ型導電領域
５′の形成において、Ｎ型不純物のイオン注入量を従来
より少なくし、熱処理による拡散を増やすことによって
、従来と同じかさらに深い接合で不純物濃度の薄い導電
領域となっている。
【００２６】続いて図６（ａ）　に示すようにフォトレ
ジスト膜１２を写真製版工程によってパターニングし、
レジストの開孔部１３よりＮ型不純物であるリンイオン
１１を注入する。このとき開孔部１３はＣＣＤの転送電
極であるポリシリコン膜８の端を含むようにすることに
より、リン注入領域のＣＣＤ側の端はポリシリコン膜８
端と自己整合的に形成する。
【００２７】次に図６（ｂ）　に示すように、フォトレ
ジスト膜１２を除去し、全面にＰ型不純物であるボロン
イオン１０を注入する。そして熱処理によりこれらの注
入したリンやボロンを活性化し、所定の深さの導電領域
を形成する。所定の深さとは図１に示すように、第３の
Ｎ型導電領域９が第２のＮ型導電領域５′より浅く、第
３のＰ型導電領域６よりも深いような関係をいう。この
構造を実現するため、図６（ｂ）　の工程でのボロン注
入のエネルギーはできるだけ小さく、かつ図６（ａ）　
の工程でのリン注入のエネルギーはボロンより大きく、
イオンがポリシリコン膜８を通過するのに必要なエネル
ギーよりは小さいように設定する。
【００２８】上記図の構成において、強い光が入射した
場合のブルーミング現象を抑制するため、光検出器下の
第１のＰ型導電領域２は常に完全空乏化して過剰な電子
をＮ型シリコン基板１へ引き抜く役割を果たしており、
従って第２のＮ型導電領域５′の深さやその下の第１の
Ｐ型導電領域２の濃度や深さは上記過剰な電子を基板側
に引き抜く動作が可能な範囲に限定される。しかし第３
のＮ型導電領域９の深さはその引き抜き動作に関与しな
いので浅くてもよい。例えば第１のＰ型導電領域２の深
さが３〜４μｍであれば、第２のＮ型導電領域５′の深
さは１〜２μｍは必要である。しかし第３のＮ型導電領
域９の深さは０．５μｍ以下でもよい。
【００２９】このように本実施例によれば、固体撮像素
子の光検出器を、第３のＰ型導電領域６及び第１のＰ型
導電領域２の２つの第１の導電領域とその間にはさまれ
た、第２のＮ型導電領域５′及び第３のＮ型導電領域９
からなる第２導電型領域とから構成し、しかも上記第２
導電型領域を構成する第３のＮ型導電領域９の不純物濃
度を第２のＮ型導電領域５′よりも濃いものとしたから
、この濃度の濃い領域が存在するため、第２導電型領域
とその周りの第３のＰ型導電領域６及び第１のＰ型導電
領域２との接合容量が大きくなり、従って同じ電子ポテ
ンシャルで空乏化したときの最大蓄積電荷量ＱＰＤを大
きくできるとともに、第２導電型領域を、その濃度を薄
くかつ接合深さを深く形成することで、深さ方向に空乏
層が伸び感度が劣化することがない。
【００３０】また、第２導電型領域を第２のＮ型導電領
域５′と該領域よりも不純物濃度が高い第３のＮ型導電
領域９とから構成したから、この第３のＮ型導電領域９
表面にボロン等のＰ型不純物を用いてイオン注入を行な
い、熱処理を加えて第３のＰ型導電領域９を形成する際
や、その後の平坦化膜形成時のリフロー時の熱処理にお
いても、この第３のＰ型導電領域９の実効的なプロファ
イルが下方へ拡がらず、ＰＮ接合の位置が深くならず、
従って最大蓄積電荷量が減少せず、また青色の感度もよ
い。この構造を第２の実施例として図１２に示す。
【００３１】なお上記実施例では第２のＮ型導電領域５
′，第３のＮ型導電領域９，第３のＰ型導電領域６のそ
れぞれの端部が左端でほぼ一致しているものを示したが
、図１２に示すように、上層から下層に向けて順次内側
にずれてもよく、要は第３のＰ型導電領域６がチャネル
ストッパである第２のＰ型導電領域３と接していればよ
い。
【００３２】また本実施例ではリンを注入してからボロ
ンを注入したが、逆の順序で行ってもよい。
【００３３】またリン注入の後に熱処理を行ない拡散を
行ってからボロンを注入してもよい。但しこの場合はポ
リシリコン膜８との自己整合関係がくずれ、重り部にポ
テンシャルの窪みができて信号の読み出しに問題が生ず
る場合がある。
【００３４】また上記実施例では、Ｎ型不純物としてリ
ンを用いたが、砒素を用いてもよい。
【００３５】また素子分離として働く第２のＰ型導電領
域３が第３のＮ型導電領域９に比べて十分濃い濃度をも
つ場合は、図６（ａ）　のリン注入はフォトレジスト膜
１２を用いずに全面に行ってもよい。
【００３６】次に第３の実施例について説明する。図５
（ｂ）　でポリシリコン膜８のパターニングの際に用い
たレジスト（第２のフォトレジスト膜１７）を図１０（
ａ）　示すように残存させておき、図６（ａ）　に対応
する工程において、図１０（ｂ）　に示すように、第２
のフォトレジスト膜１７を残した状態でフォトレジスト
膜１２を形成，パターニングし、開孔部１３内に突出し
たポリシリコン膜８の上に第２のフォトレジスト膜１７
が重なっているようにする。このようにすることでその
後の第３のＮ型導電領域９を形成するためのリンイオン
１１注入のエネルギーの選択幅はその上限を高くするこ
とができる。フォトレジスト膜１７厚で決まり、なぜな
ら例えば第１の実施例において、ポリシリコン膜８の厚
さが５０００オングストロームとした場合、リン注入エ
ネルギーの上限は約１７０ＫｅＶであるのに対し、この
実施例では、例えばフォトレジスト膜１７の厚さを２μ
ｍに設定すれば、リン注入エネルギーの上限は約６５０
ＫｅＶまで広がり、第３のＮ型導電領域９形成時の自由
度が増す。
【００３７】次に第４の実施例について述べる。上記第
１，第２の実施例では図２に示すような２段の分布を持
つＮ型導電領域（５′，９）を形成するために、一種類
のＮ型不純物を熱処理工程をはさんで２回に注入し分け
る方法を用いたが、第２のＮ型導電領域５′の形成工程
で拡散係数の異なる２種のＮ型不純物を用いてもよい。 つまり図１１（ａ）　に示すように、熱処理工程をはさ
まずにリンと砒素イオンを注入してリン−砒素注入層１
８を形成する。次に熱処理によってこれら不純物を拡散
させると、砒素はリンより拡散係数が１桁以上小さいた
め、図１１（ｂ）　に示すように砒素の拡散層１９とリ
ンの拡散層２０の２段の濃度分布が得られる。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る固体撮像
装置によれば、固体撮像装置の光検出器を、上方の第１
導電型不純物拡散層及び下方の第１導電型の半導体層と
その間に挟まれた第２導電型の半導体層の３層から構成
し、しかも上記第２導電型の半導体層を濃度分布の異な
る少なくとも２つの層を用いて構成し、さらに上記第１
導電型不純物拡散層と接する層を他の層よりも高い不純
物濃度を有するものとしたので、高い感度を持ちかつ最
大蓄積電荷量の大きな固体撮像装置を得ることができる
という効果がある。
【００３９】また、この発明に係る固体撮像装置の製造
方法によれば、光検出器を構成する第２導電型の半導体
層上方に該領域よりも不純物濃度が高い第２導電型高濃
度領域を形成し、この第２導電型高濃度領域表面に第１
導電型不純物を導入した後熱処理を加えて第１導電型不
純物拡散層を形成するようにしたから、熱処理工程が加
わっても上記第１導電型不純物が第２の導電型半導体層
側に拡散せず、第１導電型不純物拡散層を高濃度かつ浅
く形成でき、従って基板と第２の導電型半導体層との間
の第１導電型の半導体層が完全空乏化することがなく暗
電流を抑制できるとともに青色感度の劣化も防ぐことが
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例による固体撮像装置を示す
断面側面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′線に沿った不純物濃度分布図で
ある。
【図３】従来の固体撮像装置を示す断面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ′線に沿った不純物濃度分布図で
ある。
【図５】従来の固体撮像装置の製造方法を示す断面図で
ある。
【図６】図１の固体撮像装置の製造方法を示す工程断面
図である。
【図７】図３のＢ−Ｂ′線に沿った固体撮像装置の光検
出器部分のエネルギーバンド図である。
【図８】第２のＮ型導電領域のポテンシャルと最大蓄積
電荷量の不純物濃度依存性を説明するための図である。
【図９】固体撮像装置の光検出器周辺の等価回路図であ
る。
【図１０】この発明の第３の実施例による固体撮像装置
の製造方法を示す図である。
【図１１】この発明の第４の実施例による固体撮像装置
の製造方法による不純物分布を説明するための図である
。
【図１２】この発明の第２の実施例による固体撮像装置
の断面図である。
【符号の説明】
１　　　　シリコン基板 ２　　　　第１のＰ型導電領域 ３　　　　第２のＰ型導電領域 ４　　　　第１のＮ型導電領域 ５　　　　第２のＮ型導電領域 ５′　　第２のＮ型導電領域 ６　　　　第３のＰ型導電領域 ７　　　　シリコン酸化膜 ８　　　　ポリシリコン膜 ９　　　　第３のＮ型導電領域 １０　　ボロンイオン １１　　リンイオン １２　　フォトレジスト膜 １３　　開孔部 １４　　シリコンの伝導帯の下端 １５　　シリコンの価電子帯の上端 １６　　シリコンとシリコン酸化膜界面の界面欠陥１７
　　第２のフォトレジスト膜 １８　　リンと砒素の注入層 １９　　砒素の拡散層 ２０　　リンの拡散層

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　第１導電型の半導体層上に第２導電型
    の半導体層を形成し、さらに該第２導電型の半導体層上
    に第１導電型不純物拡散層を形成してなる光検出器を有
    し、該光検出器の第２導電型の半導体層に蓄積された信
    号電荷を光信号として読み出す固体撮像装置において、
    上記第２導電型の半導体層を濃度の異なる複数の第２導
    電型不純物拡散層から構成し、上記複数の第２導電型不
    純物拡散層のうち上記第１導電型不純物拡散層と接する
    層は他の層よりも高い不純物濃度を有することを特徴と
    する固体撮像装置。
  2. 【請求項２】　　請求項１記載の固体撮像素子において
    、その上に第１及び第２導電型の半導体層が形成された
    基板上に形成された転送電極と、上記第１導電型の半導
    体層上に形成された第２導電型のチャネル層とを備え、
    上記光検出器の第２導電型の半導体層に蓄積された信号
    電荷を上記転送電極に所定の電圧を印加して上記チャネ
    ル層に転送して読み出すことを特徴とする固体撮像素子
    。
  3. 【請求項３】　　第１導電型の半導体層上に第２導電型
    の半導体層を形成し、さらにその上に第１導電型不純物
    拡散層を形成して光検出器を形成する工程を有する固体
    撮像装置の製造方法において、第１導電型の半導体層上
    に第２導電型不純物拡散領域を選択的に形成し、その後
    電荷転送用電極をその一端が上記第２導電型不純物拡散
    領域とほぼ一致するよう形成する第１の工程と、上記第
    ２導電型不純物拡散領域表面に上記転送用電極をマスク
    として第２導電型不純物を注入して該領域よりも濃度が
    高く、かつ接合の浅い第２導電型高濃度領域を設け、第
    ２導電型の半導体層を形成する第２の工程と、上記第２
    導電型高濃度領域表面に上記転送用電極をマスクとして
    第１導電型不純物を注入して上記第２導電型高濃度領域
    よりも接合の浅い第１導電型不純物拡散層を形成する第
    ３の工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造
    方法。
  4. 【請求項４】　　第１導電型の半導体層上に第２導電型
    の半導体層を形成し、さらにその上に第１導電型不純物
    拡散層を形成して光検出器を形成する工程を有する固体
    撮像装置の製造方法において、第１導電型の半導体層表
    面の所定領域に拡散係数の異なる２種類の第２導電型の
    不純物を注入し、熱拡散を行って、上記第２導電型不純
    物拡散領域及び該領域よりも接合の浅い第２導電型高濃
    度領域を同時に形成し、その後電荷転送用電極をその一
    端が上記第２導電型不純物拡散領域とほぼ一致するよう
    形成する第１の工程と、上記第２導電型高濃度領域表面
    に上記転送用電極をマスクとして第１導電型不純物を注
    入して上記第２導電型高濃度領域よりも接合の浅い第１
    導電型不純物拡散層を形成する第２の工程とを含むこと
    を特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  5. 【請求項５】　　請求項３記載の固体撮像素子の製造方
    法において、上記第１導電型の半導体層表面の上記光検
    出器近傍に第２導電型の不純物を注入してチャネル層を
    形成する工程をさらに含むことを特徴とする固体撮像素
    子の製造方法。
  6. 【請求項６】　　請求項４記載の固体撮像素子の製造方
    法において、上記第１導電型の半導体層表面の上記光検
    出器近傍に第２導電型の不純物を注入してチャネル層を
    形成する工程をさらに含むことを特徴とする固体撮像素
    子の製造方法。
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