JPH04355984A - 超伝導スイッチ素子 - Google Patents
超伝導スイッチ素子Info
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- JPH04355984A JPH04355984A JP3145627A JP14562791A JPH04355984A JP H04355984 A JPH04355984 A JP H04355984A JP 3145627 A JP3145627 A JP 3145627A JP 14562791 A JP14562791 A JP 14562791A JP H04355984 A JPH04355984 A JP H04355984A
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- semiconductor
- superconductor
- film
- superconducting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、超伝導体と半導体を接合させ、
前記超伝導体には金属系から最近のＹ系酸化物系にいた
る広範囲の超伝導体を用いたスイッチ素子に関するもの
である。
前記超伝導体には金属系から最近のＹ系酸化物系にいた
る広範囲の超伝導体を用いたスイッチ素子に関するもの
である。
【０００２】
【従来技術】超伝導体と半導体を結合させた場合、超伝
導電流は半導体中に流れだす近接効果がおこる。半導体
を超伝導体で挟んだ場合、半導体を介して超伝導電流が
一方から他方へ流れるようになる。最近、この効果を利
用したスイッチ素子、トランジスタ（三端子素子）が考
案され、実際にそれら素子の試作に成功している（例え
ば、Ｔ．ＮＩＳＨＩＮＯ，Ｅ．ＹＡＭＡＤＡ，Ｕ．ＫＡ
ＷＡＢＥ：Ｐｈｓ．Ｒｅｖ．Ｂ３４．１９８６．４８５
７とＨ．ＴＡＫＡＹＡＮＡＧＩ，Ｔ．ＫＡＷＡＫＡＭＩ
：Ｐｈｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．５４．１９８５．２４４
９参照。）。しかし、これらはまだ、従来からある極低
温で超伝導を示すＰｂ金属、Ｎｂ金属を用いた場合にし
か成功していない。この場合の半導体としては、Ｓｉ，
ＩｎＡｓである。さらに、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏに代表さ
れる酸化物超伝導体に展開して行く動きはあるが、その
成功例は皆無である。酸化物超伝導体に応用する場合、
固有のコヒーレンス長は数ｎｍと非常に短かいが、これ
を半導体と接合させると半導体中に流れる超伝導電流の
コヒーレンス長は長くなる。しかし、この長さは温度が
高くなると逆に短くなり液体ヘリウム温度で動作させて
いたものを、液体窒素温度で行なうとコヒーレンス長は
当然短かくなる。従って、素子構成に工夫が必要である
。また、超伝導体と半導体の界面に超伝導相と半導体の
混合相が存在しないこと及び元素の相互拡散がないこと
が要求される。
導電流は半導体中に流れだす近接効果がおこる。半導体
を超伝導体で挟んだ場合、半導体を介して超伝導電流が
一方から他方へ流れるようになる。最近、この効果を利
用したスイッチ素子、トランジスタ（三端子素子）が考
案され、実際にそれら素子の試作に成功している（例え
ば、Ｔ．ＮＩＳＨＩＮＯ，Ｅ．ＹＡＭＡＤＡ，Ｕ．ＫＡ
ＷＡＢＥ：Ｐｈｓ．Ｒｅｖ．Ｂ３４．１９８６．４８５
７とＨ．ＴＡＫＡＹＡＮＡＧＩ，Ｔ．ＫＡＷＡＫＡＭＩ
：Ｐｈｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．５４．１９８５．２４４
９参照。）。しかし、これらはまだ、従来からある極低
温で超伝導を示すＰｂ金属、Ｎｂ金属を用いた場合にし
か成功していない。この場合の半導体としては、Ｓｉ，
ＩｎＡｓである。さらに、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏに代表さ
れる酸化物超伝導体に展開して行く動きはあるが、その
成功例は皆無である。酸化物超伝導体に応用する場合、
固有のコヒーレンス長は数ｎｍと非常に短かいが、これ
を半導体と接合させると半導体中に流れる超伝導電流の
コヒーレンス長は長くなる。しかし、この長さは温度が
高くなると逆に短くなり液体ヘリウム温度で動作させて
いたものを、液体窒素温度で行なうとコヒーレンス長は
当然短かくなる。従って、素子構成に工夫が必要である
。また、超伝導体と半導体の界面に超伝導相と半導体の
混合相が存在しないこと及び元素の相互拡散がないこと
が要求される。
【０００３】
【目 的】本発明の目的は、上記従来技術で述べ
たように半導体と超伝導体の積層構造を基本とし新しい
機能を持った、酸化物超伝導体にも応用できるスイッチ
素子を提供することにある。
たように半導体と超伝導体の積層構造を基本とし新しい
機能を持った、酸化物超伝導体にも応用できるスイッチ
素子を提供することにある。
【０００４】
【構 成】本発明は、絶縁基板上に、超伝導体薄
膜を設け、さらにその上に半導体薄膜、超伝導体薄膜の
順で重ねた基本構成単位を１層以上積層してなることを
特徴とする超伝導スイッチ素子に関する。
膜を設け、さらにその上に半導体薄膜、超伝導体薄膜の
順で重ねた基本構成単位を１層以上積層してなることを
特徴とする超伝導スイッチ素子に関する。
【０００５】本発明は、（ａ）超伝導体と半導体の薄膜
がともに１００Åオーダーの非常に薄い膜（超薄膜）が
積層された構造であり、（ｂ）半導体膜は、ｎ型半導体
を用いる。従来技術では（ａ），（ｂ）の組み合わせを
持つ構成はない。そしてこの構成にすることで、超伝導
電流の共鳴トンネル効果が起き、従来の超伝導体−半導
体−超伝導体接合に比べて大きな電流が取り出せる。
がともに１００Åオーダーの非常に薄い膜（超薄膜）が
積層された構造であり、（ｂ）半導体膜は、ｎ型半導体
を用いる。従来技術では（ａ），（ｂ）の組み合わせを
持つ構成はない。そしてこの構成にすることで、超伝導
電流の共鳴トンネル効果が起き、従来の超伝導体−半導
体−超伝導体接合に比べて大きな電流が取り出せる。
【０００６】本発明のスイッチ素子は使用に当り、絶縁
基板のすぐ上にある超伝導体薄膜と一番最上層にある超
伝導体薄膜とに電極を接続して使用する。電極の構成材
料としては超伝導体を使用することが好ましい。
基板のすぐ上にある超伝導体薄膜と一番最上層にある超
伝導体薄膜とに電極を接続して使用する。電極の構成材
料としては超伝導体を使用することが好ましい。
【０００７】スイッチ機能としては、超伝導体と半導体
を接合させたとき、界面にできるショットキー障壁を利
用し、超伝導体側からこの障壁をトンネルして半導体中
へ流れる超伝導電流（電子対）がもう一方の超伝導体へ
流れる。この際、超伝導体−半導体−超伝導体という接
合にした場合、超伝導体間にバイアス電圧を印加し、半
導体が超薄膜であったときは超伝導電流（電子対）が流
れやすくなり、しかも半導体中の電子対のエネルギーと
超伝導体中の電子対のエネルギーが同じになると障壁に
囲まれた半導体中の電子対の反射波と入射波が干渉し、
共鳴し合うようになり高い確率で一方の超伝導体へ超伝
導電流が流れる。バイアス電圧を変えることでこの電流
値が変化し、これをスイッチ動作に用いる。
を接合させたとき、界面にできるショットキー障壁を利
用し、超伝導体側からこの障壁をトンネルして半導体中
へ流れる超伝導電流（電子対）がもう一方の超伝導体へ
流れる。この際、超伝導体−半導体−超伝導体という接
合にした場合、超伝導体間にバイアス電圧を印加し、半
導体が超薄膜であったときは超伝導電流（電子対）が流
れやすくなり、しかも半導体中の電子対のエネルギーと
超伝導体中の電子対のエネルギーが同じになると障壁に
囲まれた半導体中の電子対の反射波と入射波が干渉し、
共鳴し合うようになり高い確率で一方の超伝導体へ超伝
導電流が流れる。バイアス電圧を変えることでこの電流
値が変化し、これをスイッチ動作に用いる。
【０００８】以下に、実施例を示しながら詳細に説明す
る。図１は素子構成図（断面図）である。セラミックス
基板１としてはＳｒＴｉＯ３単結晶基板、ＭｇＯ単結晶
基板のほか、ＬａＡｌＯ３単結晶基板などがある。これ
らは主に酸化物超伝導体用であるが、金属、合金系超伝
導体に対してはＳｉ基板を用いても良い。ＳｒＴｉＯ３
基板の場合には（１００）（１１０）、ＭｇＯ基板の場
合は（１００）が良い。超伝導膜２は酸化物超伝導体と
してのＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｎ〔ｎ＝７−ｘ（０＜ｘ＜１
）〕、Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１Ｃｕ２Ｏ８、Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃ
ａ２Ｃｕ３Ｏ１０等が、金属・合金系超伝導体としては
Ｐｂ、Ｎｂ、Ｎｂ３Ｓｎ等がある。半導体膜３は不純物
をドープしたｎ型Ｓｉ、ｎ型ＺｎＴｅなどのＩＩ−ＶＩ
族半導体、ｎ型のＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓなどのＩ
ＩＩ−Ｖ族半導体を用いる。これらのうちｎ型ＩｎＡｓ
半導体がより好ましい。超伝導膜と半導体膜は、超薄膜
を作製するために反応ガス導入しながら多元素を同時に
蒸着する蒸着法、ＭＢＥ法による作製法が望ましい。超
伝導超薄膜は例えばＹ系の場合、Ｙ，Ｂａ，Ｃｕ各金属
を三台の電子銃を用いて同時に蒸発させる。導入ガスは
酸素ガスあるいはオゾンと酸素の混合ガスを用い、ガス
圧１×１０−４ｔｏｒｒにしてガスを基板に吹き付ける
ように行なった。基板温度は４５０〜５５０℃にして成
膜後は数１０〜数１００ｔｏｒｒの圧力にし基板温度が
室温近くなるまで徐冷する。この時基板にはＳｒＴｉＯ
３（１１０）を用いる。一方、半導体超薄膜の作製法と
しては、超伝導体と同様ＭＢＥ法、蒸着法で行なう。例
えばＧａＡｓ超薄膜はＧａ、Ａｓ金属をＫ−ｃｅｌｌを
用いて作製する。また、ＩｎＡｓ超薄膜の場合はＩｎ、
Ａｓ金属をＫ−ｃｅｌｌを用いて作製する。これら超薄
膜形成の真空度は１×１０−６ｔｏｒｒ以下で基板加熱
温度は５００〜５８０℃にして行なう。これらの方法に
より、蒸発速度０．１〜２Å／ｓで超伝導膜の場合は膜
厚が基板直上では２０００Å以下、半導体膜上では１０
０Å以下にし半導体膜は５０〜１００Åにする。ＧａＡ
ｓまたはＩｎＡｓに不純物としてＳｎを約１×１０１８
／ｃｍ２ドープしｎ型ＧａＡｓ膜またはＩｎＡｓ膜が形
成される。超伝導膜と半導体膜はそれぞれＣ軸配向して
おり超伝導膜−半導体膜の順に個々の膜の層数は半導体
がＧａＡＳ膜の場合は高々５層であり、ＩｎＡｓ膜の場
合は１０層以下である。さらにバイアス電圧用、電流印
加用電極４、５を作製する。電極としてはＡｕ、Ｐｔあ
るいは超伝導体を用いる。この例の場合、電極はＹ系超
伝導体電極を先と同様の方法で作製する。電極の厚さは
約０．１〜０．５μｍ程度とする。図２は基本構成（三
層構成）にしたときの超伝導体と半導体の界面のバンド
図である。
る。図１は素子構成図（断面図）である。セラミックス
基板１としてはＳｒＴｉＯ３単結晶基板、ＭｇＯ単結晶
基板のほか、ＬａＡｌＯ３単結晶基板などがある。これ
らは主に酸化物超伝導体用であるが、金属、合金系超伝
導体に対してはＳｉ基板を用いても良い。ＳｒＴｉＯ３
基板の場合には（１００）（１１０）、ＭｇＯ基板の場
合は（１００）が良い。超伝導膜２は酸化物超伝導体と
してのＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｎ〔ｎ＝７−ｘ（０＜ｘ＜１
）〕、Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１Ｃｕ２Ｏ８、Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃ
ａ２Ｃｕ３Ｏ１０等が、金属・合金系超伝導体としては
Ｐｂ、Ｎｂ、Ｎｂ３Ｓｎ等がある。半導体膜３は不純物
をドープしたｎ型Ｓｉ、ｎ型ＺｎＴｅなどのＩＩ−ＶＩ
族半導体、ｎ型のＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓなどのＩ
ＩＩ−Ｖ族半導体を用いる。これらのうちｎ型ＩｎＡｓ
半導体がより好ましい。超伝導膜と半導体膜は、超薄膜
を作製するために反応ガス導入しながら多元素を同時に
蒸着する蒸着法、ＭＢＥ法による作製法が望ましい。超
伝導超薄膜は例えばＹ系の場合、Ｙ，Ｂａ，Ｃｕ各金属
を三台の電子銃を用いて同時に蒸発させる。導入ガスは
酸素ガスあるいはオゾンと酸素の混合ガスを用い、ガス
圧１×１０−４ｔｏｒｒにしてガスを基板に吹き付ける
ように行なった。基板温度は４５０〜５５０℃にして成
膜後は数１０〜数１００ｔｏｒｒの圧力にし基板温度が
室温近くなるまで徐冷する。この時基板にはＳｒＴｉＯ
３（１１０）を用いる。一方、半導体超薄膜の作製法と
しては、超伝導体と同様ＭＢＥ法、蒸着法で行なう。例
えばＧａＡｓ超薄膜はＧａ、Ａｓ金属をＫ−ｃｅｌｌを
用いて作製する。また、ＩｎＡｓ超薄膜の場合はＩｎ、
Ａｓ金属をＫ−ｃｅｌｌを用いて作製する。これら超薄
膜形成の真空度は１×１０−６ｔｏｒｒ以下で基板加熱
温度は５００〜５８０℃にして行なう。これらの方法に
より、蒸発速度０．１〜２Å／ｓで超伝導膜の場合は膜
厚が基板直上では２０００Å以下、半導体膜上では１０
０Å以下にし半導体膜は５０〜１００Åにする。ＧａＡ
ｓまたはＩｎＡｓに不純物としてＳｎを約１×１０１８
／ｃｍ２ドープしｎ型ＧａＡｓ膜またはＩｎＡｓ膜が形
成される。超伝導膜と半導体膜はそれぞれＣ軸配向して
おり超伝導膜−半導体膜の順に個々の膜の層数は半導体
がＧａＡＳ膜の場合は高々５層であり、ＩｎＡｓ膜の場
合は１０層以下である。さらにバイアス電圧用、電流印
加用電極４、５を作製する。電極としてはＡｕ、Ｐｔあ
るいは超伝導体を用いる。この例の場合、電極はＹ系超
伝導体電極を先と同様の方法で作製する。電極の厚さは
約０．１〜０．５μｍ程度とする。図２は基本構成（三
層構成）にしたときの超伝導体と半導体の界面のバンド
図である。
【０００９】縦軸が電子のエネルギー、横軸が位置であ
り、図中のＶは価電子帯、Ｃは伝導帯である。図２の１
１は、超伝導体側、１２は接合部、１３は半導体側であ
る。斜線部は電子が詰まっており、その上のＣは、電子
が存在可能な領域で、エネルギーを受けとらないとここ
には移動できない。フェルミ準位とは、ここまで電子が
満たされる最高のエネルギーレベルを意味する。縦の点
線２本は半導体と接合部の境界を意味する。また、１２
の領域はショットキー障壁の幅を示す。障壁の超伝導体
側ではｐ型に反転している。一点鎖線はフェルミ準位、
斜線部は価電子帯（ｖ）、それより上は伝導帯である。
り、図中のＶは価電子帯、Ｃは伝導帯である。図２の１
１は、超伝導体側、１２は接合部、１３は半導体側であ
る。斜線部は電子が詰まっており、その上のＣは、電子
が存在可能な領域で、エネルギーを受けとらないとここ
には移動できない。フェルミ準位とは、ここまで電子が
満たされる最高のエネルギーレベルを意味する。縦の点
線２本は半導体と接合部の境界を意味する。また、１２
の領域はショットキー障壁の幅を示す。障壁の超伝導体
側ではｐ型に反転している。一点鎖線はフェルミ準位、
斜線部は価電子帯（ｖ）、それより上は伝導帯である。
【００１０】今、電極からバイアス電圧を２Ｖ印加する
と図３の様になり伝導帯と価電子帯の高さが変化する。 電流を１ｍＡ流すとトンネル効果により図の左から右へ
超伝導電流が流れるが、右側の障壁でさらにトンネルし
流れるものと、反射する電子対がある。この時、超伝導
電流のエネルギーと半導体中の超伝導電流のエネルギー
準位がほぼ一致すると、半導体領域内で入射電子対と反
射電子対が干渉することで電子対が共鳴しあうようにな
り、共鳴トンネル効果を生ずる。この現象が起きる条件
はエネルギーとバイアス電圧の大きさと超薄膜でなけれ
ばならないことであるが、超薄膜になると量子効果が顕
著になり、共鳴現象となる。さらに重要なことは、半導
体中における超伝導電流のコヒーレンス長である。酸化
物超伝導体の場合、この長さは２０〜３０Åであるが、
半導体中においては半導体中のコヒーレンス長に従う。 コヒーレンス長ξは
と図３の様になり伝導帯と価電子帯の高さが変化する。 電流を１ｍＡ流すとトンネル効果により図の左から右へ
超伝導電流が流れるが、右側の障壁でさらにトンネルし
流れるものと、反射する電子対がある。この時、超伝導
電流のエネルギーと半導体中の超伝導電流のエネルギー
準位がほぼ一致すると、半導体領域内で入射電子対と反
射電子対が干渉することで電子対が共鳴しあうようにな
り、共鳴トンネル効果を生ずる。この現象が起きる条件
はエネルギーとバイアス電圧の大きさと超薄膜でなけれ
ばならないことであるが、超薄膜になると量子効果が顕
著になり、共鳴現象となる。さらに重要なことは、半導
体中における超伝導電流のコヒーレンス長である。酸化
物超伝導体の場合、この長さは２０〜３０Åであるが、
半導体中においては半導体中のコヒーレンス長に従う。 コヒーレンス長ξは
【化１】
となる。ここでμは易動度、ｍとｅは有効質量と素電荷
、Ｎはキャリア濃度である。高温超伝導体の場合は臨界
温度に比例して高い温度で動作させるためにξは短くな
るが、超伝導体と比べると長いが、先に述べた共鳴現象
が起きるためには、領域３の幅ＬはＬ〜２ξである必要
がある。ショットキー障壁が２０Åとし、Ｌが５０Åと
すると半導体の膜厚は１００Å程度になる。ＩｎＡｓは
μが他の化合物半導体に比べて大きいため、コヒーレン
ス長が数倍大きくなる。たとえば、ＩｎＡｓをＩｎＰと
比べた場合、ＩｎＡｓは電子易動度μが３００Ｋの温度
で３．０ｍ２／ｖ．ｓ、ＩｎＰはμ＝０．４５であり、
ξが√μに比例するので、ＩｎＡｓのξはＩｎＰと較べ
て約２．６倍となる。
、Ｎはキャリア濃度である。高温超伝導体の場合は臨界
温度に比例して高い温度で動作させるためにξは短くな
るが、超伝導体と比べると長いが、先に述べた共鳴現象
が起きるためには、領域３の幅ＬはＬ〜２ξである必要
がある。ショットキー障壁が２０Åとし、Ｌが５０Åと
すると半導体の膜厚は１００Å程度になる。ＩｎＡｓは
μが他の化合物半導体に比べて大きいため、コヒーレン
ス長が数倍大きくなる。たとえば、ＩｎＡｓをＩｎＰと
比べた場合、ＩｎＡｓは電子易動度μが３００Ｋの温度
で３．０ｍ２／ｖ．ｓ、ＩｎＰはμ＝０．４５であり、
ξが√μに比例するので、ＩｎＡｓのξはＩｎＰと較べ
て約２．６倍となる。
【００１１】図４は半導体がＧａＡｓ膜の場合、図５は
半導体がＩｎＡｓの場合の電流電圧特性である。素子に
１ｍＡの電流を流したとき、印加電圧０の時、超伝導電
流はわずかに流れるが電圧が増すにつれて超伝導電流が
増加し（ａの部分）、図４の場合には２〜３Ｖの付近で
最大値に達し、図５の場合には１〜２Ｖの付近で最大値
に達する。いずれの場合もそれよりさらに電圧が増すと
電流値が下がり始める（ｂの部分）。このａとｂの部分
を“１”、“０”としてスイッチ動作させるものである
。
半導体がＩｎＡｓの場合の電流電圧特性である。素子に
１ｍＡの電流を流したとき、印加電圧０の時、超伝導電
流はわずかに流れるが電圧が増すにつれて超伝導電流が
増加し（ａの部分）、図４の場合には２〜３Ｖの付近で
最大値に達し、図５の場合には１〜２Ｖの付近で最大値
に達する。いずれの場合もそれよりさらに電圧が増すと
電流値が下がり始める（ｂの部分）。このａとｂの部分
を“１”、“０”としてスイッチ動作させるものである
。
【００１２】
【効 果】本発明により、より大きな電流を信号
として取り出せる素子構成となり、酸化物超伝導体にも
応用できる高速で動作するスイッチ素子が提供できる。
として取り出せる素子構成となり、酸化物超伝導体にも
応用できる高速で動作するスイッチ素子が提供できる。
【図１】本発明の超伝導スイッチ素子のモデル断面図で
あ
あ
【図２】電流・電圧を共にＯとした場合の基板−超伝導
体薄膜−半導体薄膜−超伝導薄膜よりなるスイッチ素子
の超伝導体と半導体の界面バンド図であ
体薄膜−半導体薄膜−超伝導薄膜よりなるスイッチ素子
の超伝導体と半導体の界面バンド図であ
【図３】電圧を
印加した場合のバンド図
印加した場合のバンド図
【図４】半導体にＧａＡｓ膜を
用いた本素子の電流電圧特性を示す。
用いた本素子の電流電圧特性を示す。
【図５】半導体にＩｎＡｓ膜を用いた本素子の電流電圧
特性を示す。
特性を示す。
１…セラミックス基板
２…超伝導膜
３…半導体膜
４…電流印加用電極
５…電圧印加用電
１１…超伝導体側
１２…接合部
１３…半導体側
Ｃ…伝導帯
Ｖ…価電子帯
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板上に、超伝導体薄膜を設け、
さらにその上に半導体薄膜、超伝導体薄膜の順で重ねた
基本構成単位を１層以上積層してなることを特徴とする
超伝導スイッチ素子。 - 【請求項２】 超伝導体としてはＮｂ，Ｐｂ，Ｙ１Ｂ
ａ２Ｃｕ３Ｏｎ〔ｎ＝７−ｘ（０＜ｘ＜１）〕，Ｂｉ２
Ｓｒ２Ｃａ１Ｃｕ２Ｏ８またはＢｉ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ
３Ｏ１０を用い、半導体としてｎ型のＳｉ半導体、ＩＩ
−ＶＩ族半導体またはＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いる請求
項１記載の超伝導スイッチ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145627A JPH04355984A (ja) | 1990-09-10 | 1991-05-21 | 超伝導スイッチ素子 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-239693 | 1990-09-10 | ||
| JP23969390 | 1990-09-10 | ||
| JP8620391 | 1991-03-26 | ||
| JP3-86203 | 1991-03-26 | ||
| JP3145627A JPH04355984A (ja) | 1990-09-10 | 1991-05-21 | 超伝導スイッチ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355984A true JPH04355984A (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=27305121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3145627A Pending JPH04355984A (ja) | 1990-09-10 | 1991-05-21 | 超伝導スイッチ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04355984A (ja) |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3145627A patent/JPH04355984A/ja active Pending
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