JPH04357451A - 電気化学素子とその製法 - Google Patents
電気化学素子とその製法Info
- Publication number
- JPH04357451A JPH04357451A JP2340444A JP34044490A JPH04357451A JP H04357451 A JPH04357451 A JP H04357451A JP 2340444 A JP2340444 A JP 2340444A JP 34044490 A JP34044490 A JP 34044490A JP H04357451 A JPH04357451 A JP H04357451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolyte layer
- solid electrolyte
- electrode
- electrochemical
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 abstract description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N bromomethane Chemical compound BrC GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229940102396 methyl bromide Drugs 0.000 abstract description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 4
- UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N fluorosulfonic acid Chemical compound OS(F)(=O)=O UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910018540 Si C Chemical group 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Chemical group 0.000 description 3
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000010416 ion conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- FIRXZHKWFHIBOF-UHFFFAOYSA-N n-(dimethylamino-ethenyl-methylsilyl)-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C=C)N(C)C FIRXZHKWFHIBOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 2
- 206010063836 Atrioventricular septal defect Diseases 0.000 description 1
- 229910000873 Beta-alumina solid electrolyte Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 description 1
- ABDBNWQRPYOPDF-UHFFFAOYSA-N carbonofluoridic acid Chemical compound OC(F)=O ABDBNWQRPYOPDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229940023913 cation exchange resins Drugs 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001211 electron capture detection Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電気化学素子に関し、詳しくは、電気化学
反応を利用して、大気中のガスを検知したり、情報を表
示したりする等の機能を発揮させる電気化学素子に関す
るものである。
反応を利用して、大気中のガスを検知したり、情報を表
示したりする等の機能を発揮させる電気化学素子に関す
るものである。
電気化学素子には、エレクトロクロミックデイスプレイ
(ECD)等の情報表示機能を有するものや、イオンセ
ンサ、ガスセンサ等のセンサ機能を有するもの等、様々
な機能を有するものがある。これらの電気化学素子の基
本的な構造としては、複数の電極をイオン伝導体すなわ
ち電解質層でつないで電気化学的な反応を起こさせるよ
うになっている。
(ECD)等の情報表示機能を有するものや、イオンセ
ンサ、ガスセンサ等のセンサ機能を有するもの等、様々
な機能を有するものがある。これらの電気化学素子の基
本的な構造としては、複数の電極をイオン伝導体すなわ
ち電解質層でつないで電気化学的な反応を起こさせるよ
うになっている。
イオン伝導体の材料としては、従来、液体電解質または
ゲル状電解質を用いていたが、液漏れや溶媒蒸発が生じ
るために、電気化学素子の耐久性や信頼性に劣るという
問題があった。このような問題を解決するため、固体電
解質を用いる電気化学素子の開発が進められた。
ゲル状電解質を用いていたが、液漏れや溶媒蒸発が生じ
るために、電気化学素子の耐久性や信頼性に劣るという
問題があった。このような問題を解決するため、固体電
解質を用いる電気化学素子の開発が進められた。
個体電解質としては、各種の有機物および無機物が知ら
れている。無機物としては、β−アルミナ、ナシコン、
リシコン、安定化ジルコニア等がある。しかし、これら
無機物からなる固体電解質は単結晶もしくは多結晶の形
で得られるため、絶縁基板の表面に形成された電極の上
を固体電解質層で覆って構成した電気化学素子において
は、電極の上を前記結晶体からなる固体電解質で覆うの
は困難である等、多くの問題があり実用性に乏しい。有
機物としては、ポリスチレンスルホネート、ポリビニル
スルホネート、パーフルオロスルホネートポリマー、パ
ーフルオロカルボキシレートポリマー等のカチオン交換
樹脂に属するポリマーがあり、このうち、パーフルオロ
スルホネートポリマーが実用に最も適したものとして広
く使用されており、例えば、ナフィオン(商標、デュポ
ン社製)とよばれるものがある。上記有機物の固体電解
質は溶媒に可溶であるため、溶液をキャスティングする
ことによって、絶縁基板の表面の電極上に簡単に形成す
ることができるという利点もある。
れている。無機物としては、β−アルミナ、ナシコン、
リシコン、安定化ジルコニア等がある。しかし、これら
無機物からなる固体電解質は単結晶もしくは多結晶の形
で得られるため、絶縁基板の表面に形成された電極の上
を固体電解質層で覆って構成した電気化学素子において
は、電極の上を前記結晶体からなる固体電解質で覆うの
は困難である等、多くの問題があり実用性に乏しい。有
機物としては、ポリスチレンスルホネート、ポリビニル
スルホネート、パーフルオロスルホネートポリマー、パ
ーフルオロカルボキシレートポリマー等のカチオン交換
樹脂に属するポリマーがあり、このうち、パーフルオロ
スルホネートポリマーが実用に最も適したものとして広
く使用されており、例えば、ナフィオン(商標、デュポ
ン社製)とよばれるものがある。上記有機物の固体電解
質は溶媒に可溶であるため、溶液をキャスティングする
ことによって、絶縁基板の表面の電極上に簡単に形成す
ることができるという利点もある。
ところが、上記した高分子からなる固体電解質層には、
絶縁基板もしくは電極との密着性が劣り、使用している
うちに、固体電解質層が絶縁基板または電極から剥がれ
てしまって、電気化学素子としての機能が発揮できずに
破壊されてしまったりする問題があり、素子の寿命が短
く、また、微細な凹凸構造を持つ電極上に被覆性良く成
膜することが非常に困難であるという欠点があった。
絶縁基板もしくは電極との密着性が劣り、使用している
うちに、固体電解質層が絶縁基板または電極から剥がれ
てしまって、電気化学素子としての機能が発揮できずに
破壊されてしまったりする問題があり、素子の寿命が短
く、また、微細な凹凸構造を持つ電極上に被覆性良く成
膜することが非常に困難であるという欠点があった。
従来の高分子からなる固体電解質層と電極等との密着性
が悪い原因は、高分子溶液を電極上にキャスティングし
、これを乾燥させて固体電解質層を形成するために、乾
燥の際に、電極等と固体電解質層との界面部分に溶媒が
残留し、これが膜の密着性を悪くしているのである。ま
た、乾燥過程における寸法変化が大きいために、乾燥後
に、固体電解質層にかなりの内部歪が残ってしまったり
、著しく不均一な成膜状態になったりしてしまう。又電
気化学素子は固体電解質層に水分を含めてプロトン伝導
性を与えて使用するものであるが、この水分の含有量は
周りの環境特に湿度によって大きく変化し、その結果、
固体電解質層の寸法が大きく変化してしまうという問題
を生じるのである。
が悪い原因は、高分子溶液を電極上にキャスティングし
、これを乾燥させて固体電解質層を形成するために、乾
燥の際に、電極等と固体電解質層との界面部分に溶媒が
残留し、これが膜の密着性を悪くしているのである。ま
た、乾燥過程における寸法変化が大きいために、乾燥後
に、固体電解質層にかなりの内部歪が残ってしまったり
、著しく不均一な成膜状態になったりしてしまう。又電
気化学素子は固体電解質層に水分を含めてプロトン伝導
性を与えて使用するものであるが、この水分の含有量は
周りの環境特に湿度によって大きく変化し、その結果、
固体電解質層の寸法が大きく変化してしまうという問題
を生じるのである。
そこで、この発明の課題は、固体電解質層の電極等への
密着性および被覆性を高め、素子寿命を向上させること
のできる電気化学素子を提供することにある。
密着性および被覆性を高め、素子寿命を向上させること
のできる電気化学素子を提供することにある。
上記課題を解決するこの発明のうち請求項第1項記載の
発明にかかる電気化学素子は、絶縁基板の表面に複数の
電極が設けられ、その上を固体電解質層で覆ってなる電
気化学素子において、固体電解質層が高分子のプラズマ
重合体から構成されている点を特徴とするものである。
発明にかかる電気化学素子は、絶縁基板の表面に複数の
電極が設けられ、その上を固体電解質層で覆ってなる電
気化学素子において、固体電解質層が高分子のプラズマ
重合体から構成されている点を特徴とするものである。
請求項第2項記載の発明にかかる電気化学素子は、請求
項1記載の発明の実施に際し、上記固体電解質層がアニ
オン交換基を有する高分子のプラズマ重合体からなる構
成されている点を特徴とするものである。
項1記載の発明の実施に際し、上記固体電解質層がアニ
オン交換基を有する高分子のプラズマ重合体からなる構
成されている点を特徴とするものである。
請求項第2項記載の発明にかかる電気化学素子また、固
体電解質層にはカチオン交換能を有するものとアニオン
交換能を有するものの2種がある。カチオン交換能を有
するためには層内にスルホン基やカルボン酸基等を導入
する必要があり、アニオン交換能を有するためにはアミ
ノ基等を導入する必要がある。ところが、プラズマ重合
により固体電解質層を成膜する場合、プラズマ中におい
はスルホン基やカルボン酸基のような含酸素基は非常に
分解されやすく、その導入が非常に困難である。一方、
アミノ基は分解されにくいので層中に比較的容易に導入
することが可能となるのである。
体電解質層にはカチオン交換能を有するものとアニオン
交換能を有するものの2種がある。カチオン交換能を有
するためには層内にスルホン基やカルボン酸基等を導入
する必要があり、アニオン交換能を有するためにはアミ
ノ基等を導入する必要がある。ところが、プラズマ重合
により固体電解質層を成膜する場合、プラズマ中におい
はスルホン基やカルボン酸基のような含酸素基は非常に
分解されやすく、その導入が非常に困難である。一方、
アミノ基は分解されにくいので層中に比較的容易に導入
することが可能となるのである。
ついで、この発明の実施例を示す図面を参照にしながら
、以下に詳しく説明する。
、以下に詳しく説明する。
第1図および第2図は、代表的な電気化学素子である電
気化学式センサの構造の一例を示している。シリコンや
合成樹脂、セラミックその他の材料からなる絶縁基板1
0の表面に、白金や金その他の電極材料からなる作用極
20、対極30および参照極40の3本の電極が形成さ
れ、各極の上を覆って、プラズマ重合体からなる固体電
解質層50が形成されている。各電極20、30、40
の一端は、固体電解質層50の外まで延長されて露出し
ており、外部回路への接続用端子部22、32、42と
なっている。
気化学式センサの構造の一例を示している。シリコンや
合成樹脂、セラミックその他の材料からなる絶縁基板1
0の表面に、白金や金その他の電極材料からなる作用極
20、対極30および参照極40の3本の電極が形成さ
れ、各極の上を覆って、プラズマ重合体からなる固体電
解質層50が形成されている。各電極20、30、40
の一端は、固体電解質層50の外まで延長されて露出し
ており、外部回路への接続用端子部22、32、42と
なっている。
センサとしての作用を簡単に説明すると、固体電解質層
50を通過したガス成分等が、作用極20で電気化学的
反応を起こし、対極30ではこれと対になる反応を起こ
すことによって、作用極20と対極30との間に検知電
流が流れて、ガス成分等の検知および検量ができるもの
である。固体電解質層50は、作用極20と対極30と
の間のイオン伝導を行う。また、参照極40は、作用極
20の設定電極電位を一定に維持するための基準として
の機能を果たす。
50を通過したガス成分等が、作用極20で電気化学的
反応を起こし、対極30ではこれと対になる反応を起こ
すことによって、作用極20と対極30との間に検知電
流が流れて、ガス成分等の検知および検量ができるもの
である。固体電解質層50は、作用極20と対極30と
の間のイオン伝導を行う。また、参照極40は、作用極
20の設定電極電位を一定に維持するための基準として
の機能を果たす。
絶縁基板10や電極20、30、40の構成については
、通常の電気化学式センサと同様の構成である。この発
明の特徴である固体電解質層50について説明する。プ
ラズマ重合体からなる固体電解質層50を形成するには
、プラズマ重合体がイオン交換基を持つ必要がある。イ
オン交換基には、アニオン交換基とカチオン交換基の2
種がある。カチオン交換基としてはスルホン基やカルボ
ン酸基を挙げることができるが、プラズマ中では含酸素
基はとくに分解しやすく、これらの官能基の導入は非常
に困難である。アニオン交換基としては通常4級アンモ
ニウム基が用いられるが、これをプラズマ重合体の中へ
導入するために、まずアミノ基のプラズマ重合体中への
固定を行う。このためには、アミノ基の低温プラズマ中
での分解を抑えるため、プラズマ中でより分解・重合し
やすいビニル基やSi−C結合を持つアミノ化合物をモ
ノマーとして用い、プラズマ重合体中にアミノ基を導入
する。次にその重合体を臭化メチルの蒸気中で処理し4
級化する。プラズマ重合の具体的な方法は、通常のプラ
ズマ重合と同様の方法で実施でき、処理条件は、使用す
る材料や電気化学素子の用途、構造等によって適当に設
定される。
、通常の電気化学式センサと同様の構成である。この発
明の特徴である固体電解質層50について説明する。プ
ラズマ重合体からなる固体電解質層50を形成するには
、プラズマ重合体がイオン交換基を持つ必要がある。イ
オン交換基には、アニオン交換基とカチオン交換基の2
種がある。カチオン交換基としてはスルホン基やカルボ
ン酸基を挙げることができるが、プラズマ中では含酸素
基はとくに分解しやすく、これらの官能基の導入は非常
に困難である。アニオン交換基としては通常4級アンモ
ニウム基が用いられるが、これをプラズマ重合体の中へ
導入するために、まずアミノ基のプラズマ重合体中への
固定を行う。このためには、アミノ基の低温プラズマ中
での分解を抑えるため、プラズマ中でより分解・重合し
やすいビニル基やSi−C結合を持つアミノ化合物をモ
ノマーとして用い、プラズマ重合体中にアミノ基を導入
する。次にその重合体を臭化メチルの蒸気中で処理し4
級化する。プラズマ重合の具体的な方法は、通常のプラ
ズマ重合と同様の方法で実施でき、処理条件は、使用す
る材料や電気化学素子の用途、構造等によって適当に設
定される。
上記の説明は、電気化学式ガスセンサを例にして説明し
たが、この発明にかかる電気化学素子としては、温度セ
ンサの各種のセンサやECDなどに適用することができ
る。
たが、この発明にかかる電気化学素子としては、温度セ
ンサの各種のセンサやECDなどに適用することができ
る。
ついで、この発明にかかる電気化学素子とその性能試験
を行った具体的実施例について説明する。
を行った具体的実施例について説明する。
(実施例1)
第1実施例で作成した電気化学素子としては、前記した
第1図、第2図に示すようなフラットな電極構造を有す
る電気化学式ガスセンサを作製した。
第1図、第2図に示すようなフラットな電極構造を有す
る電気化学式ガスセンサを作製した。
シリコン基板からなる絶縁基板10の表面に、白金から
なる3本の電極20、30、40を形成した後、絶縁基
板10および電極20、30、40の表面に付着した水
分を除去するために、上記表面をアルゴンプラズマに1
0分間さらした。
なる3本の電極20、30、40を形成した後、絶縁基
板10および電極20、30、40の表面に付着した水
分を除去するために、上記表面をアルゴンプラズマに1
0分間さらした。
つぎに、Si−C結合を有するトリメチルシリルジメチ
ルアミンをプラズマ重合して、絶縁基板10および電極
20、30、40の表面に析出させた。プラズマ重合は
通常の方法で行われ、その処理条件は以下の通り設定し
た。
ルアミンをプラズマ重合して、絶縁基板10および電極
20、30、40の表面に析出させた。プラズマ重合は
通常の方法で行われ、その処理条件は以下の通り設定し
た。
ラジオ周波数の出カ:25W
トリメチルシリルジメチルアミン流量:3.4cm3/
min チャンバー内圧カ:1.7Pa 以上のような条件でプラズマ重合を行って、アミノ基を
有する固体電解質層50を形成し、第1図および第2図
に示すような電気化学式センサを作製した。
min チャンバー内圧カ:1.7Pa 以上のような条件でプラズマ重合を行って、アミノ基を
有する固体電解質層50を形成し、第1図および第2図
に示すような電気化学式センサを作製した。
このようにして製造された電気化学式センサに対して、
固体電解質層50の密着性を評価するために水中浸積試
験を行った。比較のために、従来のキャスティング法に
よってパーフルオロスルホネートポリマーからなる固体
電解質層を形成した電気化学式センサも製造して試験を
行った。
固体電解質層50の密着性を評価するために水中浸積試
験を行った。比較のために、従来のキャスティング法に
よってパーフルオロスルホネートポリマーからなる固体
電解質層を形成した電気化学式センサも製造して試験を
行った。
水中浸積試験は、電気化学式センサを70℃の水中に1
時間放置した後、固体電解質層の剥離を目視で観察して
評価した。その結果、従来のキャスティング法によるパ
ーフルオロスルホネートポリマーからなる固体電解質層
の場合には剥離が生じたのに対し、この発明の実施例で
あるプラズマ重合体からなる固体電解質層の場合には剥
離は起こらなかった。
時間放置した後、固体電解質層の剥離を目視で観察して
評価した。その結果、従来のキャスティング法によるパ
ーフルオロスルホネートポリマーからなる固体電解質層
の場合には剥離が生じたのに対し、この発明の実施例で
あるプラズマ重合体からなる固体電解質層の場合には剥
離は起こらなかった。
次に、上記実施例の電気化学式センサのガスセンサとし
ての機能を確認するために、COガスに対するガス感度
を測定した。試験装置は、第4図に示すようなもので実
施した。測定用チャンバー60内に電気化学式センサを
置き、各電極20、30、40の端子部22、32、4
2をリード線61でポテンショスタット62に接続し、
ポテンショスタット62にはレコーダ63を接続した。
ての機能を確認するために、COガスに対するガス感度
を測定した。試験装置は、第4図に示すようなもので実
施した。測定用チャンバー60内に電気化学式センサを
置き、各電極20、30、40の端子部22、32、4
2をリード線61でポテンショスタット62に接続し、
ポテンショスタット62にはレコーダ63を接続した。
上記のような構成の試験装置で、作用極20と参照極4
0の間の印可電圧を0.4Vにして、チャンバー内の雰
囲気を、空気のみの状態からCOガスを100ppm含
んだ空気に置き換えた時に作用極20と対極30の間に
流れる出力電流の変化を測定した。
0の間の印可電圧を0.4Vにして、チャンバー内の雰
囲気を、空気のみの状態からCOガスを100ppm含
んだ空気に置き換えた時に作用極20と対極30の間に
流れる出力電流の変化を測定した。
第5図には、上記試験の結果を示しており、図中の出力
電流の変化はCOガスに対するセンサ感度を示すもので
図から明らかのように、高いセンサ感度を示しており、
COセンサとして充分な機能を発揮できることが実証さ
れた。
電流の変化はCOガスに対するセンサ感度を示すもので
図から明らかのように、高いセンサ感度を示しており、
COセンサとして充分な機能を発揮できることが実証さ
れた。
(実施例2)
電気化学素子としては、第3図に示すように電極の有効
面積を増大させるため電極を凹凸係止にした構造を有す
る電気化学式ガスセンサを製造しシリコン基板からなる
絶縁基板10の表面上の電極作成部分に異方生エッチン
グを用いて幅5μm深さ40μmの凹凸付け、白金をス
パッタリングで蒸着して3本の電極20、30、40を
形成した。その後、絶縁基板10および電極20、30
、40の表面に付着した水分を除去するために、上記表
面をアルゴンプラズマに10分間さらした。
面積を増大させるため電極を凹凸係止にした構造を有す
る電気化学式ガスセンサを製造しシリコン基板からなる
絶縁基板10の表面上の電極作成部分に異方生エッチン
グを用いて幅5μm深さ40μmの凹凸付け、白金をス
パッタリングで蒸着して3本の電極20、30、40を
形成した。その後、絶縁基板10および電極20、30
、40の表面に付着した水分を除去するために、上記表
面をアルゴンプラズマに10分間さらした。
つぎに、Si−C結合を有するトリメチルシリルジメチ
ルアミンをプラズマ重合して、絶縁基板10および電極
20、30、40の表面に析出させた。プラズマ重合は
実施例1と同じ方法で行い、その処理条件も実施例1と
同じ条件で行い、アミノ基を有する固体電解質層50を
形成し、第3図および第4図に示すような電気化学式セ
ンサを作製した。
ルアミンをプラズマ重合して、絶縁基板10および電極
20、30、40の表面に析出させた。プラズマ重合は
実施例1と同じ方法で行い、その処理条件も実施例1と
同じ条件で行い、アミノ基を有する固体電解質層50を
形成し、第3図および第4図に示すような電気化学式セ
ンサを作製した。
実施例1と同様の水中浸積試験を行ったところ、この発
明の実施例であるプラズマ重合体からなる固体電解質層
の場合には剥離は起こらずガスセンサとしての機能を発
揮できることが実証された。
明の実施例であるプラズマ重合体からなる固体電解質層
の場合には剥離は起こらずガスセンサとしての機能を発
揮できることが実証された。
(実施例3)
電気化学素子としては、前記実施例1と同様に、第1図
〜第2図に示すようなフラットな電極構造を有する電気
化学式ガスセンサを製造した。実施例1と異なるのは、
Si−C結合の他にビニル基を有するビス(ジメチルア
ミノ)メチルビニルシランをプラズマ重合して、絶縁基
板10および電極20、30、40の表面に析出させた
。プラズマ重合は実施例1と同じ方法で行い、その処理
条件も実施例1と同じ条件で行い、アミノ基を有する固
体電解質層50を形成し、第1図および第2図に示すよ
うな電気化学式センサを製造した。
〜第2図に示すようなフラットな電極構造を有する電気
化学式ガスセンサを製造した。実施例1と異なるのは、
Si−C結合の他にビニル基を有するビス(ジメチルア
ミノ)メチルビニルシランをプラズマ重合して、絶縁基
板10および電極20、30、40の表面に析出させた
。プラズマ重合は実施例1と同じ方法で行い、その処理
条件も実施例1と同じ条件で行い、アミノ基を有する固
体電解質層50を形成し、第1図および第2図に示すよ
うな電気化学式センサを製造した。
実施例1と同様の水中浸積試験を行ったところ、この発
明の実施例であるプラズマ重合体からなる固体電解質層
の場合には剥離は起こらず、センサとしての機能が発揮
できることが実証された。
明の実施例であるプラズマ重合体からなる固体電解質層
の場合には剥離は起こらず、センサとしての機能が発揮
できることが実証された。
(実施例4)
電気化学素子としては、前記実施例2と同様に、第3図
に示すような電極の有効面積を増大させるため電極を凹
凸形状にした構造を有する電気化学式ガスセンサを製造
した。実施例2と異なるのは、Si−C結合の他にビニ
ル基有するビス(ジメチルアミノ)メチルビニルシラン
をプラズマ重合して、絶縁基板10および電極20、3
0、40の表面に析出させた。プラズマ重合は実施例1
と同じ方法で行い、その処理条件も実施例1と同じ条件
で行い、アミノ基を有する固体電解質層50を形成し、
第3図に示す様な電気化学式センサを作製した。
に示すような電極の有効面積を増大させるため電極を凹
凸形状にした構造を有する電気化学式ガスセンサを製造
した。実施例2と異なるのは、Si−C結合の他にビニ
ル基有するビス(ジメチルアミノ)メチルビニルシラン
をプラズマ重合して、絶縁基板10および電極20、3
0、40の表面に析出させた。プラズマ重合は実施例1
と同じ方法で行い、その処理条件も実施例1と同じ条件
で行い、アミノ基を有する固体電解質層50を形成し、
第3図に示す様な電気化学式センサを作製した。
第1実施例と同様の水中浸積試験を行ったところ、この
発明の実施例であるプラズマ重合体からなる固体電解質
層の場合には剥離は起こらず、センサとして機能が発揮
できることが実証された。
発明の実施例であるプラズマ重合体からなる固体電解質
層の場合には剥離は起こらず、センサとして機能が発揮
できることが実証された。
(実施例5)
電気化学素子としては、前記実施例1と同様に、第1図
〜第2図に示すようなフラットな電極構造を有する電気
化学式ガスセンサを製造した。実施例1と異なるのは、
Si−C結合を有するトリメチルシリルジメチルアミン
の他にテトラフルオロエチレンを加えてプラズマ重合し
て、絶縁基板10および電極20、30、40の表面に
析出させた。プラズマ重合は実施例1と同じ方法で行い
、その処理条件は以下に示す通りである。
〜第2図に示すようなフラットな電極構造を有する電気
化学式ガスセンサを製造した。実施例1と異なるのは、
Si−C結合を有するトリメチルシリルジメチルアミン
の他にテトラフルオロエチレンを加えてプラズマ重合し
て、絶縁基板10および電極20、30、40の表面に
析出させた。プラズマ重合は実施例1と同じ方法で行い
、その処理条件は以下に示す通りである。
ラジオ周波数の出力:25W
トリメチルシリルジメチルアミン流量:3.4cm3/
min テトラフルオロエチレン流量:1.0 cm3/min チャンバー内圧力:1.7Pa 以上のような条件でプラズマ重合を行って、テトラフル
オロエチレン、トリメチルシリルジメチルアミンのプラ
ズマ重合体からなる固体電解質層50を形成し、第1図
および第2図に示すような電気化学式センサを作製した
。
min テトラフルオロエチレン流量:1.0 cm3/min チャンバー内圧力:1.7Pa 以上のような条件でプラズマ重合を行って、テトラフル
オロエチレン、トリメチルシリルジメチルアミンのプラ
ズマ重合体からなる固体電解質層50を形成し、第1図
および第2図に示すような電気化学式センサを作製した
。
実施例1と同様の水中浸積試験を行ったところ、この発
明の実施例であるプラズマ重合体からなる固体電解質層
の場合には剥離は起こらず、センサとして十分に発揮で
きることが実証された。
明の実施例であるプラズマ重合体からなる固体電解質層
の場合には剥離は起こらず、センサとして十分に発揮で
きることが実証された。
以上に説明した、この発明にかかる電気化学素子によれ
ば、固体電解質層としてプラズマ重合によるプラズマ重
合体を用いているので、固体電解質層と絶縁基板および
電極との密着性を非常に高めることができるとともに、
微細な構造を有する電極上に被覆性良く成膜されるもの
である。そのため、従来のキャスティング法によって形
成された固体電解質層に比べて、素子寿命を大幅に伸ば
すことができる。
ば、固体電解質層としてプラズマ重合によるプラズマ重
合体を用いているので、固体電解質層と絶縁基板および
電極との密着性を非常に高めることができるとともに、
微細な構造を有する電極上に被覆性良く成膜されるもの
である。そのため、従来のキャスティング法によって形
成された固体電解質層に比べて、素子寿命を大幅に伸ば
すことができる。
さらに、プラズマ重合体からなる固体電解質層の交換基
をアニオン交換基にすることにより、プラズマ重合体の
作成を容易にすることができる。
をアニオン交換基にすることにより、プラズマ重合体の
作成を容易にすることができる。
第1図はこの発明の実施例に係る電気化学素子の平面図
、第2図は断面図、第3図は別の実施例を示す要部の断
面図、第4図はガス感度試験装置の概略構成図、第5図
はガス感度試験の結果を示すグラフである。 10…絶縁基板、20、30、40…電極、50…プラ
ズマ重合体からなる固体電解質層特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 佐藤成示 (ほか1名)
、第2図は断面図、第3図は別の実施例を示す要部の断
面図、第4図はガス感度試験装置の概略構成図、第5図
はガス感度試験の結果を示すグラフである。 10…絶縁基板、20、30、40…電極、50…プラ
ズマ重合体からなる固体電解質層特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 佐藤成示 (ほか1名)
Claims (3)
- 【請求項1】絶縁基板の表面に複数の電極が設けられ、
その上を固体電解質層で覆ってなる電気化学素子におい
て、固体電解質層がプラズマ重合体からなることを特徴
とする電気化学素子。 - 【請求項2】上記固体電解質層がアニオン交換基を有す
るプラズマ重合体であることを特徴とする請求項1記載
の電気化学素子。 - 【請求項3】絶縁基板の表面に複数の電極が設けられ、
その上を有機物の高分子から成る固体電解質層で覆って
なる電気化学素子の製法において、モノマーのプラズマ
重合によって上記固体電解質層を形成することを特徴と
する電気化学素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340444A JPH04357451A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 電気化学素子とその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340444A JPH04357451A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 電気化学素子とその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357451A true JPH04357451A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=18337022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2340444A Pending JPH04357451A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 電気化学素子とその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357451A (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2340444A patent/JPH04357451A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5252292A (en) | Ammonia sensor | |
| EP0185941B1 (en) | Polymer-based microelectronic pH-sensor | |
| US4721601A (en) | Molecule-based microelectronic devices | |
| US5034192A (en) | Molecule-based microelectronic devices | |
| EP0299779B1 (en) | Fast response time microsensors for gaseous and vaporous species | |
| EP0299778A2 (en) | Microelectrochemical sensor and sensor array | |
| US4895705A (en) | Molecule-based microelectronic devices | |
| US4929313A (en) | Amperometric electrochemical ion sensors and method for determining ion concentration | |
| JP2010503856A (ja) | 櫛型微小電極と導電性ポリマーとを有する電気化学的センサ | |
| US3900382A (en) | Miniature probe containing multifunctional electrochemical electrodes | |
| CN107112495A (zh) | 聚合物电极膜 | |
| Shim et al. | Humidity sensor using chemically synthesized poly (1, 5‐diaminonaphthalene) doped with carbon | |
| JPS6097250A (ja) | 特定の酵素/イオン発生団対を使用する診断用電極膜 | |
| JPH04357451A (ja) | 電気化学素子とその製法 | |
| JPH0389156A (ja) | ガスセンサ素子 | |
| JP2000235012A (ja) | 炭酸ガスセンサ | |
| JPS61251764A (ja) | ↓pHセンサ− | |
| JPH02196957A (ja) | 電気化学素子 | |
| JP2988040B2 (ja) | 電気化学式ガスセンサ | |
| JPH02221851A (ja) | 化学的センサ素子および生化学的分析用素子 | |
| JPS6364740B2 (ja) | ||
| JPH05273176A (ja) | 電気化学素子の製法 | |
| CA1260159A (en) | Molecule-based microelectronic devices | |
| JPH02171651A (ja) | 電気化学素子 | |
| JPS6221055A (ja) | ナトリウムイオンセンサ− |