JPH04357650A - イオン化方法 - Google Patents
イオン化方法Info
- Publication number
- JPH04357650A JPH04357650A JP3023961A JP2396191A JPH04357650A JP H04357650 A JPH04357650 A JP H04357650A JP 3023961 A JP3023961 A JP 3023961A JP 2396191 A JP2396191 A JP 2396191A JP H04357650 A JPH04357650 A JP H04357650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrons
- solid
- atoms
- molecules
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気体中の原子や分子をイ
オン化する方法に関する。
オン化する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来方法には、タングステン，タンタル
等の単一金属陰極，基体金属の表面に他の金属原子を単
原子状態で付着させた，例えばタングステンの表面にト
リウムの単原子層を付着させた単原子層陰極、バリウム
及びストロンチウムの酸化物を混合したものを，ニッケ
ルあるいはニッケル合金などの上に塗布して活性化によ
り得られる酸化物陰極等の金属陰極，または酸化バリウ
ム，酸化ストロンチウム等の酸化物半導体陰極を電子源
とし、当該陰極を加熱してこれより陽極に向かって放出
される熱電子を利用する方法，陰極と陽極間に高電圧を
印加して陰極より放出される電子を利用する方法及び陰
極より放出される励起電子（１次電子）を固体表面に衝
突させることにより固体表面より放出する２次電子を利
用する方法がある。
等の単一金属陰極，基体金属の表面に他の金属原子を単
原子状態で付着させた，例えばタングステンの表面にト
リウムの単原子層を付着させた単原子層陰極、バリウム
及びストロンチウムの酸化物を混合したものを，ニッケ
ルあるいはニッケル合金などの上に塗布して活性化によ
り得られる酸化物陰極等の金属陰極，または酸化バリウ
ム，酸化ストロンチウム等の酸化物半導体陰極を電子源
とし、当該陰極を加熱してこれより陽極に向かって放出
される熱電子を利用する方法，陰極と陽極間に高電圧を
印加して陰極より放出される電子を利用する方法及び陰
極より放出される励起電子（１次電子）を固体表面に衝
突させることにより固体表面より放出する２次電子を利
用する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】熱電子を利用して気体
中の原子，分子をイオン化する従来方法にあっては、熱
フィラメントを使用することによる，フィラメント断線
故障，フィラメントの表面状態の変化による電子放出特
性の変化，ノイズの発生，ガス放出等の課題がある。
中の原子，分子をイオン化する従来方法にあっては、熱
フィラメントを使用することによる，フィラメント断線
故障，フィラメントの表面状態の変化による電子放出特
性の変化，ノイズの発生，ガス放出等の課題がある。
【０００４】陰極と陽極間に高電圧を印加して陰極より
電界放出される電子を利用して気体中の原子，分子をイ
オン化する従来方法にあっては、１０９ Ｖ／ｍ程度の
高電界、延ては高電圧の電源が必要であるという課題が
ある。
電界放出される電子を利用して気体中の原子，分子をイ
オン化する従来方法にあっては、１０９ Ｖ／ｍ程度の
高電界、延ては高電圧の電源が必要であるという課題が
ある。
【０００５】また、陰極より放出される励起電子を固定
表面に衝突させることにより固体表面より放出する２次
電子を利用して気体中の原子，分子をイオン化する従来
方法では効率が低いという課題がある。
表面に衝突させることにより固体表面より放出する２次
電子を利用して気体中の原子，分子をイオン化する従来
方法では効率が低いという課題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明方法は上記の課題
を解決するため、図１に示すように電子源より放出され
る励起電子ｅ１を金属基板３０上に第１，第２薄膜１０
，２０を積層してなる固体１に照射してこの固体１内の
原子， 分子に衝突させることにより当該固体１よりマ
ルタ効果による電子ｅ２を放出させて加速電極４０によ
り電子ｅ２を加速し気体中の原子， 分子と衝突させイ
オン化することを特徴とする。
を解決するため、図１に示すように電子源より放出され
る励起電子ｅ１を金属基板３０上に第１，第２薄膜１０
，２０を積層してなる固体１に照射してこの固体１内の
原子， 分子に衝突させることにより当該固体１よりマ
ルタ効果による電子ｅ２を放出させて加速電極４０によ
り電子ｅ２を加速し気体中の原子， 分子と衝突させイ
オン化することを特徴とする。
【０００７】
【作用】電子源より放出される励起電子ｅ１を，金属基
板３０上に第１，第２薄膜１０，２０を積層してなる固
体１の第１薄膜１０側からこの積層に照射すると、マル
タ効果により２ 次電子放出より遙かに多い電子ｅ２が
放出されることになる。
板３０上に第１，第２薄膜１０，２０を積層してなる固
体１の第１薄膜１０側からこの積層に照射すると、マル
タ効果により２ 次電子放出より遙かに多い電子ｅ２が
放出されることになる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明方法の一実施例の構成を示す説
明図である。本発明実施方法は電子源より放出される励
起電子ｅ１を例えばアルミニウムの金属基板３０上に例
えば酸化セシウム，酸化アルミニウムの第１，第２薄膜
１０，２０を積層してなる固体１の第１薄膜１０側から
積層に照射して、この固体１内の原子， 分子に衝突さ
せることにより当該固体１よりマルタ効果による電子ｅ
２を放出させて加速電極４０と金属基板３０の間に電子
加速用電源５０により加えられている加速電圧により電
子ｅ２を加速し気体中の原子， 分子と衝突させイオン
化する方法である。
明図である。本発明実施方法は電子源より放出される励
起電子ｅ１を例えばアルミニウムの金属基板３０上に例
えば酸化セシウム，酸化アルミニウムの第１，第２薄膜
１０，２０を積層してなる固体１の第１薄膜１０側から
積層に照射して、この固体１内の原子， 分子に衝突さ
せることにより当該固体１よりマルタ効果による電子ｅ
２を放出させて加速電極４０と金属基板３０の間に電子
加速用電源５０により加えられている加速電圧により電
子ｅ２を加速し気体中の原子， 分子と衝突させイオン
化する方法である。
【０００９】電子源より放出される励起電子ｅ１を，基
体金属３０上に第１，第２薄膜１０，２０を積層してな
る固体１の第１薄膜１０側からこの積層に照射すると、
マルタ効果により２次電子放出より遙かに多い電子ｅ２
が放出されることになる。このマルタ効果による多量の
電子ｅ２の放出は２次電子放出と表面作用による電界放
出が同時に起きていると考えられる。これを冷陰極の電
子源として使用することにより分子，原子を安定に多量
にイオン化することができることになる。
体金属３０上に第１，第２薄膜１０，２０を積層してな
る固体１の第１薄膜１０側からこの積層に照射すると、
マルタ効果により２次電子放出より遙かに多い電子ｅ２
が放出されることになる。このマルタ効果による多量の
電子ｅ２の放出は２次電子放出と表面作用による電界放
出が同時に起きていると考えられる。これを冷陰極の電
子源として使用することにより分子，原子を安定に多量
にイオン化することができることになる。
【００１０】極高真空用の真空計や質量分析計のイオン
化に応用することにより、測定系からのノイズ発生やガ
ス放出が低く抑えられ、高精度の測定が可能となる。
化に応用することにより、測定系からのノイズ発生やガ
ス放出が低く抑えられ、高精度の測定が可能となる。
【００１１】また、マルタ効果による多量の電子ｅ２放
出を電子源とし、その放出電子ｅ２によりガスをイオン
化し、ガス分析を行うガス分析器のイオン源として利用
できる。
出を電子源とし、その放出電子ｅ２によりガスをイオン
化し、ガス分析を行うガス分析器のイオン源として利用
できる。
【００１２】本発明における金属基板３０はアルミニウ
ム，ニッケル等であり、第１，第２薄膜１０，２０はア
ルミニウム，セシウム，マグネシウム，ニッケル等の単
体またはその酸化物あるいは合金である。
ム，ニッケル等であり、第１，第２薄膜１０，２０はア
ルミニウム，セシウム，マグネシウム，ニッケル等の単
体またはその酸化物あるいは合金である。
【００１３】
【発明の効果】上述のように本発明方法は電子源より放
出される励起電子ｅ１を金属基板３０上に第１，第２薄
膜１０，２０を積層してなる固体１に照射してこの固体
１内の原子，分子に衝突させることにより当該固体１よ
りマルタ効果による電子ｅ２を放出させて加速電極４０
により電子ｅ２を加速し気体中の原子，分子と衝突させ
イオン化することを特徴とするので、マルタ効果による
多量の電子ｅ２を放出できることになり、その結果分子
， 原子を安定に多量に効率よくイオン化することがで
き、ノイズの発生レベルを低く抑えることができるため
、極高真空用の真空計や質量分析計のイオン化に応用す
ることができ、測定系からのノイズ発生やガス放出を低
く抑えて高精度の測定ができるばかりでなくガス分析計
のイオン源として利用できるなどの効果を奏する。
出される励起電子ｅ１を金属基板３０上に第１，第２薄
膜１０，２０を積層してなる固体１に照射してこの固体
１内の原子，分子に衝突させることにより当該固体１よ
りマルタ効果による電子ｅ２を放出させて加速電極４０
により電子ｅ２を加速し気体中の原子，分子と衝突させ
イオン化することを特徴とするので、マルタ効果による
多量の電子ｅ２を放出できることになり、その結果分子
， 原子を安定に多量に効率よくイオン化することがで
き、ノイズの発生レベルを低く抑えることができるため
、極高真空用の真空計や質量分析計のイオン化に応用す
ることができ、測定系からのノイズ発生やガス放出を低
く抑えて高精度の測定ができるばかりでなくガス分析計
のイオン源として利用できるなどの効果を奏する。
【図１】本発明方法の１実施例の構成を示す説明図であ
る。
る。
１ 固体
ｅ１ 励起電子
ｅ２ マルタ効果による電子
１０ 第１薄膜
２０ 第２薄膜
３０ 金属基板
４０ 加速電極
５０ 電子加速用電源
Claims (2)
- 【請求項１】 電子源より放出される励起電子（ｅ１
）を金属基板（３０）上に第１，第２薄膜（１０，２０
）を積層してなる固体（１）に照射してこの固体（１）
内の原子， 分子に衝突させることにより当該固体（１
）よりマルタ効果による電子（ｅ２）を放出させて加速
電極（４０）により電子（ｅ２）を加速し気体中に存在
する原子， 分子と衝突させイオン化することを特徴と
するイオン化方法。 - 【請求項２】 金属基板（３０）はアルミニウム，
ニッケル等の金属であり、第１，第２薄膜（１０，２０
）はアルミニウム，セシウム，マグネシウム，ニッケル
等の単体またはその酸化物あるいは合金である請求項１
のイオン化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023961A JPH04357650A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | イオン化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023961A JPH04357650A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | イオン化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357650A true JPH04357650A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=12125148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3023961A Pending JPH04357650A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | イオン化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357650A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010012354A1 (en) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | Unitec Holding Ag | Apparatus and related methods for weather modification by electrical processes in the atmosphere |
| JP2014139889A (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | マイクロ波イオン源及びプラズマ室 |
| CN104705136A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-06-17 | 华中科技大学 | 一种人工催化降雨雪的装置 |
-
1991
- 1991-01-23 JP JP3023961A patent/JPH04357650A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010012354A1 (en) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | Unitec Holding Ag | Apparatus and related methods for weather modification by electrical processes in the atmosphere |
| JP2011529332A (ja) * | 2008-07-31 | 2011-12-08 | メテオ・システムズ・インターナショナル・アーゲー | 大気中での電気的過程による気象調節のための装置および関連方法 |
| JP2014139889A (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | マイクロ波イオン源及びプラズマ室 |
| CN104705136A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-06-17 | 华中科技大学 | 一种人工催化降雨雪的装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Thomas et al. | Thermionic sources for high-brightness electron beams | |
| Compton et al. | Electrical discharges in gases. Part I. Survey of fundamental processes | |
| JP5762749B2 (ja) | 冷電子増倍放出源を備える電離真空計 | |
| Lim et al. | Work function of MgO single crystals from ion-induced secondary electron emission coefficient | |
| Liu et al. | Study on the emission properties of the impregnated cathode with nanoparticle films | |
| JPS5914218B2 (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| Young | Deterioration of luminescent phosphors under positive ion bombardment | |
| JPH04357650A (ja) | イオン化方法 | |
| JPH04277500A (ja) | 高速原子線源 | |
| Gaertner et al. | Vacuum electron sources and their materials and technologies | |
| EP0469631B1 (en) | Ion pump and vacuum pumping unit using the same | |
| JPH03104881A (ja) | 鉄‐窒化鉄薄膜形成方法 | |
| JPH1140069A (ja) | マイクロチャネルプレートを用いたイオン源 | |
| Sinclair et al. | Dramatic reduction of DC field emission from large area electrodes by plasma-source ion implantation | |
| US3551727A (en) | Thermionic converter having a low work function collector electrode | |
| JP2001006523A (ja) | 電子素子 | |
| JPS61208799A (ja) | 高速原子線源装置 | |
| JP2952354B1 (ja) | 電子線発生装置 | |
| Kiser | Studies of the Shapes of Ionization‐Efficiency Curves of Multiply Charged Monatomic Ions. I. Instrumentation and Relative Electronic‐Transition Probabilities for Krypton and Xenon Ions | |
| Schagen | Alternatives to thermionic emission | |
| JP2693918B2 (ja) | 熱電子放射高電流フィラメントイオンソース | |
| Takeuchi et al. | Metal-free and gasless space charge compensation of low energy ion beam by using surface-carbonized silicon field emitter array | |
| Giunji et al. | Micro capillary glass plates as a gaseous detector of photons and particles | |
| JPH01161699A (ja) | 高速原子線源 | |
| Hiraoka et al. | Time‐of‐flight studies of secondary ions produced by 400 eV He+ ion impact on Ar, Kr, and Xe thin films at 8 K |