JPH04357694A - 有機薄膜el素子 - Google Patents
有機薄膜el素子Info
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- JPH04357694A JPH04357694A JP3157391A JP15739191A JPH04357694A JP H04357694 A JPH04357694 A JP H04357694A JP 3157391 A JP3157391 A JP 3157391A JP 15739191 A JP15739191 A JP 15739191A JP H04357694 A JPH04357694 A JP H04357694A
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- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 144
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- RUPUGBUDKVBYIP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-diphenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RUPUGBUDKVBYIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAIASDHEWOTKFL-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C)C=CC=1)C1=CC=CC=C1 OAIASDHEWOTKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000012050 conventional carrier Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気的な発光、即ちEL
(エレクトロルミネセンス)を用いたEL素子に関し、
更に詳しくは二つの電極間に有機化合物層を設けたEL
素子の各層の層間に成分が濃度勾配を有する傾斜構造層
を少なくとも一つ設け、低電圧駆動と耐久性の向上を実
現した有機薄膜EL素子に関するものである。
(エレクトロルミネセンス)を用いたEL素子に関し、
更に詳しくは二つの電極間に有機化合物層を設けたEL
素子の各層の層間に成分が濃度勾配を有する傾斜構造層
を少なくとも一つ設け、低電圧駆動と耐久性の向上を実
現した有機薄膜EL素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】EL素子はその発光機構の違いから (
1)発光層内での電子や正孔の局所的な移動により発光
体を励起し、交流電界でのみ発光する真性EL型発光素
子と、 (2)電極からの電子と正孔の注入とその発光
層内での再結合により発光体を励起し発光するキャリヤ
注入型EL発光素子の2つに分けられる。 (1)の真
性EL型発光素子は一般に無機化合物を発光体とするも
のであるが、駆動に100V以上の高い交流電界を必要
とすること、製造コストが高いこと、輝度や耐久性も不
十分である等多くの問題点を有している。(2)のキャ
リヤ注入型EL発光素子は、発光層として薄膜状有機化
合物を用いる技術が開発されてから低電圧駆動で高輝度
の発光素子が得られるようになった。これらEL素子は
、例えば、特開昭 59−194393号公報、米国特
許明細書4,720,43号、Jpn.Journal
of Physics,vol. 27, p713
〜715 に開示されており、通常、正孔注入輸送層や
電子注入層が発光層の片側あるいは両側に設けられた素
子であり50V 以下の直流電界で高輝度に発光する。 しかしながら、従来のキャリヤ注入型EL発光素子は、
多層構造の各層を積層して形成させるため、層間の物理
的及び電気的接合性が悪く駆動電圧の上昇や耐久性が劣
る問題があった。(図2のA、B)
1)発光層内での電子や正孔の局所的な移動により発光
体を励起し、交流電界でのみ発光する真性EL型発光素
子と、 (2)電極からの電子と正孔の注入とその発光
層内での再結合により発光体を励起し発光するキャリヤ
注入型EL発光素子の2つに分けられる。 (1)の真
性EL型発光素子は一般に無機化合物を発光体とするも
のであるが、駆動に100V以上の高い交流電界を必要
とすること、製造コストが高いこと、輝度や耐久性も不
十分である等多くの問題点を有している。(2)のキャ
リヤ注入型EL発光素子は、発光層として薄膜状有機化
合物を用いる技術が開発されてから低電圧駆動で高輝度
の発光素子が得られるようになった。これらEL素子は
、例えば、特開昭 59−194393号公報、米国特
許明細書4,720,43号、Jpn.Journal
of Physics,vol. 27, p713
〜715 に開示されており、通常、正孔注入輸送層や
電子注入層が発光層の片側あるいは両側に設けられた素
子であり50V 以下の直流電界で高輝度に発光する。 しかしながら、従来のキャリヤ注入型EL発光素子は、
多層構造の各層を積層して形成させるため、層間の物理
的及び電気的接合性が悪く駆動電圧の上昇や耐久性が劣
る問題があった。(図2のA、B)
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実情に鑑みて成されたものであり、その目的は駆動電
圧の低下と耐久性に優れた有機薄膜EL素子を提供する
ことにある。本発明者らは、上記目的を解決するために
層間の構造を鋭意検討した結果、層間を形成する各々の
成分が濃度勾配を持ち、層と層を簡単に積層したごとき
明瞭な界面を持たない、いわゆる傾斜構造とした場合に
上記課題が解決できることを見い出し、本発明を完成す
るに至った。
の実情に鑑みて成されたものであり、その目的は駆動電
圧の低下と耐久性に優れた有機薄膜EL素子を提供する
ことにある。本発明者らは、上記目的を解決するために
層間の構造を鋭意検討した結果、層間を形成する各々の
成分が濃度勾配を持ち、層と層を簡単に積層したごとき
明瞭な界面を持たない、いわゆる傾斜構造とした場合に
上記課題が解決できることを見い出し、本発明を完成す
るに至った。
【0004】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、1
.少なくとも一方が金属電極である二つの電極間に正孔
輸送能を有する化合物層及び発光機能を有する電子輸送
性有機化合物層を積層した有機薄膜EL素子において、
前記EL素子を構成する各層間の少なくとも一つに該層
間を形成する各々の成分で濃度勾配を設けた傾斜構造層
を形成してなることを特徴とする有機薄膜EL素子2.
少なくとも一方が金属電極である二つの電極間に正孔輸
送能を有する化合物層、発光機能を有する有機化合物層
及び電子輸送能を有する有機化合物層を積層した有機薄
膜EL素子において、前記EL素子を構成する各層間の
少なくとも一つに該層間を形成する各々の成分で濃度勾
配を設けた傾斜構造層を形成してなることを特徴とする
有機薄膜EL素子である。
.少なくとも一方が金属電極である二つの電極間に正孔
輸送能を有する化合物層及び発光機能を有する電子輸送
性有機化合物層を積層した有機薄膜EL素子において、
前記EL素子を構成する各層間の少なくとも一つに該層
間を形成する各々の成分で濃度勾配を設けた傾斜構造層
を形成してなることを特徴とする有機薄膜EL素子2.
少なくとも一方が金属電極である二つの電極間に正孔輸
送能を有する化合物層、発光機能を有する有機化合物層
及び電子輸送能を有する有機化合物層を積層した有機薄
膜EL素子において、前記EL素子を構成する各層間の
少なくとも一つに該層間を形成する各々の成分で濃度勾
配を設けた傾斜構造層を形成してなることを特徴とする
有機薄膜EL素子である。
【0005】そして本発明の傾斜構造層は、前記素子の
各有機化合物層および電極層を積層する際に、各々独立
した電源回路を持つ蒸発用ボートを有する真空蒸着装置
で蒸発速度を調整することにより、有機化合物層の各層
間及び有機化合物層と金属電極との層間を傾斜構造層に
したことを特徴とする有機薄膜EL素子が提供される。 本発明の有機薄膜EL素子は、以下に示す構成を有する
素子において、該層間に各々の成分で濃度に勾配を設け
た傾斜構造層を少なくとも一層積層したものであり、例
えば (1)陽極/正孔輸送能を有する化合物層/発光機能を
有する電子輸送性有機化合物層/陰極 (2)陽極/正孔輸送能を有する化合物層/発光機能を
有する有機化合物層/電子輸送能を有する有機化合物層
/陰極 が挙げられる。
各有機化合物層および電極層を積層する際に、各々独立
した電源回路を持つ蒸発用ボートを有する真空蒸着装置
で蒸発速度を調整することにより、有機化合物層の各層
間及び有機化合物層と金属電極との層間を傾斜構造層に
したことを特徴とする有機薄膜EL素子が提供される。 本発明の有機薄膜EL素子は、以下に示す構成を有する
素子において、該層間に各々の成分で濃度に勾配を設け
た傾斜構造層を少なくとも一層積層したものであり、例
えば (1)陽極/正孔輸送能を有する化合物層/発光機能を
有する電子輸送性有機化合物層/陰極 (2)陽極/正孔輸送能を有する化合物層/発光機能を
有する有機化合物層/電子輸送能を有する有機化合物層
/陰極 が挙げられる。
【0006】さらに以下、図面に沿って本発明を詳細に
説明する。図1のA及びCは、本発明の有機薄膜EL素
子の断面図である。1はガラス基板であり、2は基板上
に形成された透明な陽極である。透明な陽極2は金、白
金、パラジウム等の金属の蒸着薄膜又はスズ、インジウ
ム−スズ等の酸化膜であり、発光を取り出すために可視
光線に対して透明であることが望ましい。3は正孔輸送
能を有する化合物層であり、4は発光機能を有する電子
輸送性有機化合物層である。8は層3の成分と層4の成
分が連続して変化する濃度勾配が設けられている、いわ
ゆる傾斜構造層の部分である。また7は陰極であり、金
属の真空蒸着により形成される。陰極7に用いられる金
属は、真空蒸着可能な固体の金属であればあらゆる金属
が使用され得るが、特に仕事関数の小さな金属又は仕事
関数の小さな金属と安定な金属との共蒸着が望ましい。 9は層4の成分と層7の成分との傾斜構造層の部分であ
る。また図1のBおよびDは、本発明の他の有機薄膜E
L素子の断面図であり、形成する層の1〜3は、前記A
及びCに示すものと同様である。5は発光機能を有する
有機化合物層であり、10は層3の成分と層5の成分と
の傾斜構造層の部分である。6は電子輸送能を有する有
機化合物層であり、11は層5の成分と層6の成分との
傾斜構造層の部分である。7は陰極であり、前記A及び
Cと同様の金属で構成され、12は層6の成分と層7の
成分との傾斜構造層の部分である。尚本発明のEL素子
は、いっそうの正孔輸送効率を向上させるためにはEL
素子陽極2と正孔輸送能を有する化合物層3の層間に傾
斜構造層を設けてもよい。
説明する。図1のA及びCは、本発明の有機薄膜EL素
子の断面図である。1はガラス基板であり、2は基板上
に形成された透明な陽極である。透明な陽極2は金、白
金、パラジウム等の金属の蒸着薄膜又はスズ、インジウ
ム−スズ等の酸化膜であり、発光を取り出すために可視
光線に対して透明であることが望ましい。3は正孔輸送
能を有する化合物層であり、4は発光機能を有する電子
輸送性有機化合物層である。8は層3の成分と層4の成
分が連続して変化する濃度勾配が設けられている、いわ
ゆる傾斜構造層の部分である。また7は陰極であり、金
属の真空蒸着により形成される。陰極7に用いられる金
属は、真空蒸着可能な固体の金属であればあらゆる金属
が使用され得るが、特に仕事関数の小さな金属又は仕事
関数の小さな金属と安定な金属との共蒸着が望ましい。 9は層4の成分と層7の成分との傾斜構造層の部分であ
る。また図1のBおよびDは、本発明の他の有機薄膜E
L素子の断面図であり、形成する層の1〜3は、前記A
及びCに示すものと同様である。5は発光機能を有する
有機化合物層であり、10は層3の成分と層5の成分と
の傾斜構造層の部分である。6は電子輸送能を有する有
機化合物層であり、11は層5の成分と層6の成分との
傾斜構造層の部分である。7は陰極であり、前記A及び
Cと同様の金属で構成され、12は層6の成分と層7の
成分との傾斜構造層の部分である。尚本発明のEL素子
は、いっそうの正孔輸送効率を向上させるためにはEL
素子陽極2と正孔輸送能を有する化合物層3の層間に傾
斜構造層を設けてもよい。
【0007】本発明に使用する正孔輸送能を有する化合
物としては、真空蒸着可能なポリビニルカルバゾールの
オリゴマーやN,N−ジフェニルトルイジンとケトン類
の縮合物等のような正孔輸送能の優れた物質が挙げられ
る。 さらに単一有機化合物の例としては、トリフェニルアミ
ン誘導体、スチルベン誘導体類、オキサジアゾール誘導
体類等が挙げられるが、本発明に使用する有機化合物は
、これらに限定するものではない。更に、有機化合物は
、正孔輸送能や結晶化防止、安定性を改良する目的で混
合して使用しても良い。
物としては、真空蒸着可能なポリビニルカルバゾールの
オリゴマーやN,N−ジフェニルトルイジンとケトン類
の縮合物等のような正孔輸送能の優れた物質が挙げられ
る。 さらに単一有機化合物の例としては、トリフェニルアミ
ン誘導体、スチルベン誘導体類、オキサジアゾール誘導
体類等が挙げられるが、本発明に使用する有機化合物は
、これらに限定するものではない。更に、有機化合物は
、正孔輸送能や結晶化防止、安定性を改良する目的で混
合して使用しても良い。
【0008】一方、本発明に用いる発光機能を有する有
機化合物としては、例えばオキシン金属錯体やペリレン
誘導体、ポリフェニルシクロペンタジエン、フタロペリ
ノン誘導体及びトリフェニルアミン誘導体等があり、そ
の他多くの有機化合物が挙げられるが、本発明はこれら
に限定するものではない。
機化合物としては、例えばオキシン金属錯体やペリレン
誘導体、ポリフェニルシクロペンタジエン、フタロペリ
ノン誘導体及びトリフェニルアミン誘導体等があり、そ
の他多くの有機化合物が挙げられるが、本発明はこれら
に限定するものではない。
【0009】上述した正孔輸送能を有する化合物層3単
独の厚さは、1000Å未満、好ましくは10Å〜50
0 Åであり、1000Åを越えると著しく駆動電圧が
高くなり、本発明の目的に反する。また正孔輸送能を有
する化合物層3と発光機能を有する電子輸送性有機化合
物層4の層間で形成される傾斜構造層8、又は正孔輸送
を有する化合物層3と発光機能を有する有機化合物層5
の層間で形成される傾斜構造層10部分の厚さは、5Å
〜1000Å、好ましくは10Å〜500 Åである。 厚さが5Å未満では物理的強度が乏しく、1000Åを
越えると著しく駆動電圧が高くなり、本発明の目的に反
する。
独の厚さは、1000Å未満、好ましくは10Å〜50
0 Åであり、1000Åを越えると著しく駆動電圧が
高くなり、本発明の目的に反する。また正孔輸送能を有
する化合物層3と発光機能を有する電子輸送性有機化合
物層4の層間で形成される傾斜構造層8、又は正孔輸送
を有する化合物層3と発光機能を有する有機化合物層5
の層間で形成される傾斜構造層10部分の厚さは、5Å
〜1000Å、好ましくは10Å〜500 Åである。 厚さが5Å未満では物理的強度が乏しく、1000Åを
越えると著しく駆動電圧が高くなり、本発明の目的に反
する。
【0010】更に、発光機能を有する電子輸送性有機化
合物層4又は発光機能を有する有機化合物層5単独の厚
さは1000Å未満、好ましくは50Å〜500 Åで
あり、1000Å越えると著しく駆動電圧が高くなり、
本発明の目的に反する。また本発明の電子輸送能を有す
る有機化合物層6は、1000Å未満、好ましくは50
Å〜500 Åである。厚さが1000Åを越えると著
しく駆動電圧が高くなり、本発明の目的に反する。そし
て発光機能を有する有機化合物層5と電子輸送能を有す
る有機化合物層6で形成される傾斜構造層11部分の厚
さは、物理的強度及び駆動電圧の点から前記傾斜構造層
8又は10と同様であることが好ましい。尚電子輸送能
を有する有機化合物層6の厚みが100 Å以下の際に
は、傾斜構造層11部分の厚さが200 Å〜500
Åであることが好ましい。発光機能を有する電子輸送性
有機化合物層4と陰極7の層間で形成される傾斜構造層
9、又は電子輸送能を有する有機化合物層6と陰極7の
層間で形成される傾斜構造層12部分の厚さは、5Å〜
500 Å、好ましくは10Å〜100 Åである。そ
して厚みが5Å未満では層間の密着効果が悪く、また5
00 Åを超える厚さであっても大きなメリットはない
。
合物層4又は発光機能を有する有機化合物層5単独の厚
さは1000Å未満、好ましくは50Å〜500 Åで
あり、1000Å越えると著しく駆動電圧が高くなり、
本発明の目的に反する。また本発明の電子輸送能を有す
る有機化合物層6は、1000Å未満、好ましくは50
Å〜500 Åである。厚さが1000Åを越えると著
しく駆動電圧が高くなり、本発明の目的に反する。そし
て発光機能を有する有機化合物層5と電子輸送能を有す
る有機化合物層6で形成される傾斜構造層11部分の厚
さは、物理的強度及び駆動電圧の点から前記傾斜構造層
8又は10と同様であることが好ましい。尚電子輸送能
を有する有機化合物層6の厚みが100 Å以下の際に
は、傾斜構造層11部分の厚さが200 Å〜500
Åであることが好ましい。発光機能を有する電子輸送性
有機化合物層4と陰極7の層間で形成される傾斜構造層
9、又は電子輸送能を有する有機化合物層6と陰極7の
層間で形成される傾斜構造層12部分の厚さは、5Å〜
500 Å、好ましくは10Å〜100 Åである。そ
して厚みが5Å未満では層間の密着効果が悪く、また5
00 Åを超える厚さであっても大きなメリットはない
。
【0011】本発明の傾斜構造層とは、電極間に設けら
れた各層間を形成する各々の成分が連続して変化した濃
度勾配を持ち、層と層とを単に積層したごとき明瞭な境
界を持たないものである。そして連続して変化した濃度
勾配とは、一方の層である成分濃度が一定で他方の層の
成分濃度が連続的に増加又は減少するか、又は双方の層
の中間を境に各層へ向かって成分濃度が増加又は減少す
るものであってもよい。本発明の傾斜構造層を得る方法
としては、真空中で一方の層の成分を一定時間で蒸着さ
せながら、他方の層の成分の蒸着時間を連続的に変化さ
せる。又は双方の層の成分の蒸着時間を連続して変化さ
せる方法で行うこともできる。
れた各層間を形成する各々の成分が連続して変化した濃
度勾配を持ち、層と層とを単に積層したごとき明瞭な境
界を持たないものである。そして連続して変化した濃度
勾配とは、一方の層である成分濃度が一定で他方の層の
成分濃度が連続的に増加又は減少するか、又は双方の層
の中間を境に各層へ向かって成分濃度が増加又は減少す
るものであってもよい。本発明の傾斜構造層を得る方法
としては、真空中で一方の層の成分を一定時間で蒸着さ
せながら、他方の層の成分の蒸着時間を連続的に変化さ
せる。又は双方の層の成分の蒸着時間を連続して変化さ
せる方法で行うこともできる。
【0012】更に、各有機化合物層の厚さは、駆動電圧
に直接影響するので、出来る限り薄くした方が駆動電圧
が低くなるので好ましいが、反面絶縁破壊電圧も低下す
る傾向があり、素子全体の有機化合物層の総厚さは、目
的に応じて選択してよく限定するものではない。次いで
、本発明の陰極7は、真空蒸着することによって透明な
陰極が形成されることが好ましく、厚さは特に限定する
ものではない。
に直接影響するので、出来る限り薄くした方が駆動電圧
が低くなるので好ましいが、反面絶縁破壊電圧も低下す
る傾向があり、素子全体の有機化合物層の総厚さは、目
的に応じて選択してよく限定するものではない。次いで
、本発明の陰極7は、真空蒸着することによって透明な
陰極が形成されることが好ましく、厚さは特に限定する
ものではない。
【0013】本発明で得られたEL素子は、主にフラッ
トパネル、液晶表示使用分野、その他LCD用バックラ
イト、大画面ディスプレイ及びテレビジョンなどに用い
られる。
トパネル、液晶表示使用分野、その他LCD用バックラ
イト、大画面ディスプレイ及びテレビジョンなどに用い
られる。
【0014】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。 実施例1 陽極として、インジウム−スズ酸化物をコートしたガラ
ス(松崎真空社製、以下ITO という)をアセトン中
で10分間超音波洗浄した。次いでエタノール中で5分
間煮沸後取り出し乾燥窒素ガスを吹き付けて乾燥した後
、真空装置内にセットした。つぎに正孔輸送能を有する
有機化合物としてN,N’− ジフェニル−N,N’−
(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,
4’−ジアミン( 以下TPD という)を、発光機能
を有する電子輸送性有機化合物としてオキシンのアルミ
ニウム錯体( 以下Alq3という) を用い、さらに
陰極材料としてマグネシウムおよび銀を真空装置内の各
々独立した電源回路を有する抵抗加熱ボートにそれぞれ
投入して、真空装置内の真空度を3×10−6torr
とした。まづITO の面にTPD のボートを加熱し
て1.0 Å/Secの一定した蒸着速度でTPDを5
0Å蒸着し、正孔輸送能を有する有機化合物層を形成し
た。さらにTPD は、1.0 Å/Sec の一定し
た蒸着速度で蒸着を継続しながらAlq3の蒸着を開始
した。Alq3の蒸着速度は、0Å/Secから徐々に
増加させTPD とAlq3の成分濃度に勾配を設けた
傾斜構造層の部分が190 Åの製膜時では、Alq3
の蒸着速度が10Å/Secであった。この時点でTP
D の加熱を低下させて傾斜構造層の部分が 200Å
の製膜時でTPD の蒸着を停止した。引続きAlq3
は、単独で蒸着を継続して発光機能を有する電子輸送性
有機化合物層を 200Å形成した。 次いで、マグネシウムと銀を共蒸着して2000Åの陰
極を形成した。得られた素子は、ITO 側を陽極とし
上述した陰極に直流電圧をかけると緑色の発光を呈した
。また駆動電圧15V、電流密度110 mA/cm2
では945cd/m2の発光輝度を示した。また、この
素子は大気中でも作動させることが可能であった。更に
、この素子を充分に乾燥した空気中で電流密度6mA/
cm2で輝度50cd/m2 の条件で駆動させたが、
48時間経過後の輝度の低下は観測されなかった。
する。 実施例1 陽極として、インジウム−スズ酸化物をコートしたガラ
ス(松崎真空社製、以下ITO という)をアセトン中
で10分間超音波洗浄した。次いでエタノール中で5分
間煮沸後取り出し乾燥窒素ガスを吹き付けて乾燥した後
、真空装置内にセットした。つぎに正孔輸送能を有する
有機化合物としてN,N’− ジフェニル−N,N’−
(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,
4’−ジアミン( 以下TPD という)を、発光機能
を有する電子輸送性有機化合物としてオキシンのアルミ
ニウム錯体( 以下Alq3という) を用い、さらに
陰極材料としてマグネシウムおよび銀を真空装置内の各
々独立した電源回路を有する抵抗加熱ボートにそれぞれ
投入して、真空装置内の真空度を3×10−6torr
とした。まづITO の面にTPD のボートを加熱し
て1.0 Å/Secの一定した蒸着速度でTPDを5
0Å蒸着し、正孔輸送能を有する有機化合物層を形成し
た。さらにTPD は、1.0 Å/Sec の一定し
た蒸着速度で蒸着を継続しながらAlq3の蒸着を開始
した。Alq3の蒸着速度は、0Å/Secから徐々に
増加させTPD とAlq3の成分濃度に勾配を設けた
傾斜構造層の部分が190 Åの製膜時では、Alq3
の蒸着速度が10Å/Secであった。この時点でTP
D の加熱を低下させて傾斜構造層の部分が 200Å
の製膜時でTPD の蒸着を停止した。引続きAlq3
は、単独で蒸着を継続して発光機能を有する電子輸送性
有機化合物層を 200Å形成した。 次いで、マグネシウムと銀を共蒸着して2000Åの陰
極を形成した。得られた素子は、ITO 側を陽極とし
上述した陰極に直流電圧をかけると緑色の発光を呈した
。また駆動電圧15V、電流密度110 mA/cm2
では945cd/m2の発光輝度を示した。また、この
素子は大気中でも作動させることが可能であった。更に
、この素子を充分に乾燥した空気中で電流密度6mA/
cm2で輝度50cd/m2 の条件で駆動させたが、
48時間経過後の輝度の低下は観測されなかった。
【0015】実施例2
実施例1と同様の材料を用いて、同様の操作を行い、I
TO ガラス表面に正孔輸送能を有する有機化合物層を
200 Å、傾斜構造層を100 Å、発光機能を有す
る電子輸送性有機化合物層を200 Å及び陰極を20
00Åを形成して、有機薄膜EL素子とした。得られた
素子は、ITO 側を陽極とし上述した陰極に直流電圧
をかけると緑色の発光を呈した。また駆動電圧21V、
電流密度100mA/cm2 では1000cd/m2
の発光輝度を示した。また、この素子は大気中でも作
動させることが可能であった。更に、この素子を充分に
乾燥した窒素中で電流密度5mA/cm2で輝度50c
d/m2 の条件で駆動させたが、48時間経過後の輝
度の低下は観測されなかった。
TO ガラス表面に正孔輸送能を有する有機化合物層を
200 Å、傾斜構造層を100 Å、発光機能を有す
る電子輸送性有機化合物層を200 Å及び陰極を20
00Åを形成して、有機薄膜EL素子とした。得られた
素子は、ITO 側を陽極とし上述した陰極に直流電圧
をかけると緑色の発光を呈した。また駆動電圧21V、
電流密度100mA/cm2 では1000cd/m2
の発光輝度を示した。また、この素子は大気中でも作
動させることが可能であった。更に、この素子を充分に
乾燥した窒素中で電流密度5mA/cm2で輝度50c
d/m2 の条件で駆動させたが、48時間経過後の輝
度の低下は観測されなかった。
【0016】比較例1
実施例1の装置で同様の材料を用いて、ITO ガラス
表面に正孔輸送能を有する有機化合物層を250 Å、
発光機能を有する電子輸送性有機化合物層を250 Å
及び陰極を2000Å真空蒸着して有機薄膜EL素子を
作製した。この素子は、13Vで緑色の発光を呈したが
、数秒で電極が破壊した。
表面に正孔輸送能を有する有機化合物層を250 Å、
発光機能を有する電子輸送性有機化合物層を250 Å
及び陰極を2000Å真空蒸着して有機薄膜EL素子を
作製した。この素子は、13Vで緑色の発光を呈したが
、数秒で電極が破壊した。
【0017】比較例2
実施例1の装置で同様の材料を用いて、ITO ガラス
表面に正孔輸送能を有する有機化合物層500 Å、発
光機能を有する電子輸送性有機化合物層を800 Å及
び陰極を2000Å真空蒸着して有機薄膜EL素子を作
製した。この素子は、駆動電圧46V、電流密度110
mA/cm2で輝度925cd/m2の緑色発光を呈
した。しかし、21Vでは輝度2cd/m2 以下の発
光であった。また、陰極端子引出しのため、陰極金属表
面に銀ペーストを塗布し、陰極端子を接合する作業中、
蒸着した陰極金属が発光機能を有する電子輸送性有機化
合物層から簡単に剥離してしまった。
表面に正孔輸送能を有する有機化合物層500 Å、発
光機能を有する電子輸送性有機化合物層を800 Å及
び陰極を2000Å真空蒸着して有機薄膜EL素子を作
製した。この素子は、駆動電圧46V、電流密度110
mA/cm2で輝度925cd/m2の緑色発光を呈
した。しかし、21Vでは輝度2cd/m2 以下の発
光であった。また、陰極端子引出しのため、陰極金属表
面に銀ペーストを塗布し、陰極端子を接合する作業中、
蒸着した陰極金属が発光機能を有する電子輸送性有機化
合物層から簡単に剥離してしまった。
【0018】実施例3
実施例1の装置で同様の材料を用い、ITO ガラス表
面に正孔輸送能を有する有機化合物層を400 Åと発
光機能を有する電子輸送性有機化合物層を600 Åを
蒸着後、Alq3と陰極金属の層間に100 Åの傾斜
構造層を形成し、次いで、陰極を2000Å真空蒸着し
て有機薄膜EL素子を作製した。この素子は、駆動電圧
30V、電流密度100 mA/cm2で輝度950c
d/m2の緑色の発光を呈した。この素子は、陰極金属
表面にセロハンテープを貼り剥離すると、有機化合物層
部分が陰極金属に付着していた。更に、銀ペースト接合
にて陰極端子引出し時にも剥離しなかった。
面に正孔輸送能を有する有機化合物層を400 Åと発
光機能を有する電子輸送性有機化合物層を600 Åを
蒸着後、Alq3と陰極金属の層間に100 Åの傾斜
構造層を形成し、次いで、陰極を2000Å真空蒸着し
て有機薄膜EL素子を作製した。この素子は、駆動電圧
30V、電流密度100 mA/cm2で輝度950c
d/m2の緑色の発光を呈した。この素子は、陰極金属
表面にセロハンテープを貼り剥離すると、有機化合物層
部分が陰極金属に付着していた。更に、銀ペースト接合
にて陰極端子引出し時にも剥離しなかった。
【0019】実施例4
実施例1と同様にして、ITO ガラス表面に正孔輸送
能有する有機化合物層を200 Å、50Åの傾斜構造
層を形成し、さらに発光機能を有する電子輸送性有機化
合物層200 Åを蒸着後、Alq3と陰極金属の層間
に50Åの傾斜構造層を形成し、次いで、陰極金属20
00Åを真空蒸着して有機薄膜EL素子とした。得られ
た素子は、ITO 側を陽極とし上述した陰極に直流電
圧をかけると緑色の発光を呈した。駆動電圧19V、電
流密度100mA/cm2 では1050cd/m2
の発光輝度を示した。また、この素子は大気中でも作動
させることが可能であった。更に、この素子を充分に乾
燥した窒素中で電流密度5mA/cm2で輝度50cd
/m2 の条件で駆動させたが、48時間経過後の輝度
の低下は観測されなかった。またこの素子は、銀ペース
ト接合にて陰極端子引出し時に陰極部分での剥離を起こ
さなかった。
能有する有機化合物層を200 Å、50Åの傾斜構造
層を形成し、さらに発光機能を有する電子輸送性有機化
合物層200 Åを蒸着後、Alq3と陰極金属の層間
に50Åの傾斜構造層を形成し、次いで、陰極金属20
00Åを真空蒸着して有機薄膜EL素子とした。得られ
た素子は、ITO 側を陽極とし上述した陰極に直流電
圧をかけると緑色の発光を呈した。駆動電圧19V、電
流密度100mA/cm2 では1050cd/m2
の発光輝度を示した。また、この素子は大気中でも作動
させることが可能であった。更に、この素子を充分に乾
燥した窒素中で電流密度5mA/cm2で輝度50cd
/m2 の条件で駆動させたが、48時間経過後の輝度
の低下は観測されなかった。またこの素子は、銀ペース
ト接合にて陰極端子引出し時に陰極部分での剥離を起こ
さなかった。
【0020】
【発明の効果】本発明の有機薄膜EL素子は、その素子
を構成する多層の各層間の少なくとも一つにを明瞭な界
面を持たない、いわゆる傾斜構造層を設けたことから、
各層間の接合性が改良され、しかも接合面積の拡大によ
り電子等キャリヤの注入性が改良され、さらに低電圧駆
動と耐久性の向上を実現し得るなどの利点を有する。
を構成する多層の各層間の少なくとも一つにを明瞭な界
面を持たない、いわゆる傾斜構造層を設けたことから、
各層間の接合性が改良され、しかも接合面積の拡大によ
り電子等キャリヤの注入性が改良され、さらに低電圧駆
動と耐久性の向上を実現し得るなどの利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1のA、B、C及びDは、本発明に係る有機
薄膜EL素子の一例を示す断面図である。
薄膜EL素子の一例を示す断面図である。
【図2】図2のA及Bは、従来の有機薄膜EL素子の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
1 ガラス基板
2 陽極
3 正孔輸送能を有する化合物層
4 発光機能を有する電子輸送性有機化合物層5
発光機能有する有機化合物層 6 電子輸送能を有する有機化合物層7 陰極 8 正孔輸送能を有する化合物層と発光機能を有する
電子輸送性有機化合物層の傾斜構造層 9 発光機能を有する電子輸送性有機化合物層と陰極
の傾斜構造層 10 正孔輸送能を有する化合物層と発光機能を有す
る有機化合物層の傾斜構造層 11 発光機能を有する有機化合物層と電子輸送能を
有する有機化合物層の傾斜構造層 12 電子輸送能を有する有機化合物層と陰極の傾斜
構造層
発光機能有する有機化合物層 6 電子輸送能を有する有機化合物層7 陰極 8 正孔輸送能を有する化合物層と発光機能を有する
電子輸送性有機化合物層の傾斜構造層 9 発光機能を有する電子輸送性有機化合物層と陰極
の傾斜構造層 10 正孔輸送能を有する化合物層と発光機能を有す
る有機化合物層の傾斜構造層 11 発光機能を有する有機化合物層と電子輸送能を
有する有機化合物層の傾斜構造層 12 電子輸送能を有する有機化合物層と陰極の傾斜
構造層
Claims (2)
- 【請求項1】 少なくとも一方が金属電極である二つ
の電極間に正孔輸送能を有する化合物層及び発光機能を
有する電子輸送性有機化合物層を積層した有機薄膜EL
素子において、前記EL素子を構成する各層間の少なく
とも一つに該層間を形成する各々の成分で濃度勾配を設
けた傾斜構造層を形成してなることを特徴とする有機薄
膜EL素子。 - 【請求項2】 少なくとも一方が金属電極である二つ
の電極間に正孔輸送能を有する化合物層、発光機能を有
する有機化合物層及び電子輸送能を有する有機化合物層
を積層した有機薄膜EL素子において、前記EL素子を
構成する各層間の少なくとも一つに該層間を形成する各
々の成分で濃度勾配を設けた傾斜構造層を形成してなる
ことを特徴とする有機薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157391A JPH04357694A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 有機薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157391A JPH04357694A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 有機薄膜el素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357694A true JPH04357694A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15648612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3157391A Pending JPH04357694A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 有機薄膜el素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357694A (ja) |
Cited By (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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