JPH0435817Y2 - - Google Patents
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- JPH0435817Y2 JPH0435817Y2 JP17041785U JP17041785U JPH0435817Y2 JP H0435817 Y2 JPH0435817 Y2 JP H0435817Y2 JP 17041785 U JP17041785 U JP 17041785U JP 17041785 U JP17041785 U JP 17041785U JP H0435817 Y2 JPH0435817 Y2 JP H0435817Y2
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Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案は、大規模集積回路、集積回路、半導体
素子、微細構造の電子部品又は各種電子機器等に
対して静電気放電が与える電気的オーバーストレ
ス又は電磁妨害作用或は上記のような各種回路、
部品、各種電子機器等の静電気放電に対する感受
性等を試験評価するために静電気放電を人為的に
生ぜしめる静電気放電シミユレータに関するもの
である。
素子、微細構造の電子部品又は各種電子機器等に
対して静電気放電が与える電気的オーバーストレ
ス又は電磁妨害作用或は上記のような各種回路、
部品、各種電子機器等の静電気放電に対する感受
性等を試験評価するために静電気放電を人為的に
生ぜしめる静電気放電シミユレータに関するもの
である。
(従来の技術)
上記のような各種電子回路、部品、各種電子機
器等に対する静電気放電は、地気から絶縁された
導体より成る帯電体、就中、人体の帯電電荷によ
る静電気放電が最も多く、したがつて、静電気放
電シミユレータの多くは、帯電した人体を等価的
にモデル化したものが用いられている。
器等に対する静電気放電は、地気から絶縁された
導体より成る帯電体、就中、人体の帯電電荷によ
る静電気放電が最も多く、したがつて、静電気放
電シミユレータの多くは、帯電した人体を等価的
にモデル化したものが用いられている。
第2図は、従来の静電気放電シミユレータの一
例を示す要部回路図で、CCDは帯電した人体の静
電容量と等価の静電容量を有する充放電コンデン
サ、RDは帯電した人体の抵抗と等価の抵抗値を
有する放電抵抗、SEDは放電電極、GAPは放電
間隙、EUTは被試験体である。
例を示す要部回路図で、CCDは帯電した人体の静
電容量と等価の静電容量を有する充放電コンデン
サ、RDは帯電した人体の抵抗と等価の抵抗値を
有する放電抵抗、SEDは放電電極、GAPは放電
間隙、EUTは被試験体である。
人体の帯電電圧は通常数kVから最高30数kVに
及ぶこともあるので、充放電コンデンサCCDの充
電電圧をOV乃至30数kVの範囲に亙つて設定し
得るように充電電源回路(図示していない)を構
成し、充放電コンデンサCCDの等価静電容量及び
放電抵抗RDの等価抵抗も亦人体の実測値に応じ
て定めるが、何れの値も相当広い変化範囲を有す
るので、代表値として充放電コンデンサCCDの等
価静電容量は50pF乃至250pF、放電抵抗RDの等
価抵抗は100Ω乃至1500Ωの各範囲から適当な固
定値を選択している。
及ぶこともあるので、充放電コンデンサCCDの充
電電圧をOV乃至30数kVの範囲に亙つて設定し
得るように充電電源回路(図示していない)を構
成し、充放電コンデンサCCDの等価静電容量及び
放電抵抗RDの等価抵抗も亦人体の実測値に応じ
て定めるが、何れの値も相当広い変化範囲を有す
るので、代表値として充放電コンデンサCCDの等
価静電容量は50pF乃至250pF、放電抵抗RDの等
価抵抗は100Ω乃至1500Ωの各範囲から適当な固
定値を選択している。
充放電コンデンサCCDを予め所要電圧に充電し
た後、放電電極SEDを徐々に被試験体EUTに接
近させると、放電間隙GAPの長さと気圧の積が
充放電コンデンサCCDの充電電圧に応じた値に達
した際に生ずる火花放電によつて充放電コンデン
サCCDの電荷が瞬間的に被試験体EUTに加えられ
る。
た後、放電電極SEDを徐々に被試験体EUTに接
近させると、放電間隙GAPの長さと気圧の積が
充放電コンデンサCCDの充電電圧に応じた値に達
した際に生ずる火花放電によつて充放電コンデン
サCCDの電荷が瞬間的に被試験体EUTに加えられ
る。
(考案が解決しようとする問題点)
静電気放電電流の波形は、原理的には指数関数
曲線に一致するが、放電工学上の火花放電現象特
有の原因によつて実際の放電電流の波形は、原理
的波形とは可成り異なつた波形となる。
曲線に一致するが、放電工学上の火花放電現象特
有の原因によつて実際の放電電流の波形は、原理
的波形とは可成り異なつた波形となる。
このような波形の変化は、充放電コンデンサ
CCDの電圧、即ち、放電間隙GAPにおける放電開
始電圧の変化に依存することが従来から知られて
いたが、本考案者が静電気放電シミユレータによ
る放電実験を繰り返し行つて検討した結果、次の
ような原因によつても波形変化を生ずることを明
らかにすることが出来た。
CCDの電圧、即ち、放電間隙GAPにおける放電開
始電圧の変化に依存することが従来から知られて
いたが、本考案者が静電気放電シミユレータによ
る放電実験を繰り返し行つて検討した結果、次の
ような原因によつても波形変化を生ずることを明
らかにすることが出来た。
即ち、放電間隙GAPに充放電コンデンサCCDの
電荷が供給されると、その初期において火花空間
の導電率が上昇し、その上昇過程において充放電
コンデンサCCDの電荷の一部が火花空間において
失われ、火花放電の生成過程における火花空間の
電界強度が低下し、この電界強度の低下によつて
導電率の上昇作用が弱められ、本来の上昇時間に
対応する軌跡に沿つて導電率の上昇が行われなく
なり、放電電流の立上り時間が、放電間隙GAP
の長さ及び気圧に依存して定まる一定時間に比し
著しく遅れ、その結果、放電電流の波形に歪を生
じ、放電試験の信頼性を低下せしめることとな
る。
電荷が供給されると、その初期において火花空間
の導電率が上昇し、その上昇過程において充放電
コンデンサCCDの電荷の一部が火花空間において
失われ、火花放電の生成過程における火花空間の
電界強度が低下し、この電界強度の低下によつて
導電率の上昇作用が弱められ、本来の上昇時間に
対応する軌跡に沿つて導電率の上昇が行われなく
なり、放電電流の立上り時間が、放電間隙GAP
の長さ及び気圧に依存して定まる一定時間に比し
著しく遅れ、その結果、放電電流の波形に歪を生
じ、放電試験の信頼性を低下せしめることとな
る。
(問題点を解決するための手段及び作用)
第2図に示した静電気放電シミユレータの放電
電極SEDと、被試験体EUTの一部によつて形成
される放電電極との間における放電間隙GAPに
は、放電電極の表面積及び放電間隙GAPの長さ
に応じて1pF乃至数pF程度の浮遊容量が存在し、
火花放電生成の初期において、浮遊容量の電荷は
火花空間において速やかに消滅するので浮遊容量
の存在を殆ど無視し得るが、浮遊容量の大きさを
意図的に増大させると、次のような作動が行われ
る筈である。
電極SEDと、被試験体EUTの一部によつて形成
される放電電極との間における放電間隙GAPに
は、放電電極の表面積及び放電間隙GAPの長さ
に応じて1pF乃至数pF程度の浮遊容量が存在し、
火花放電生成の初期において、浮遊容量の電荷は
火花空間において速やかに消滅するので浮遊容量
の存在を殆ど無視し得るが、浮遊容量の大きさを
意図的に増大させると、次のような作動が行われ
る筈である。
即ち、放電間隙GAPにおける火花放電開始の
初期において、充放電コンデンサCCDの電荷が放
電抵抗RDを介して火花空間に注入されようとす
るが、放電抵抗RD及び放電間隙GAPにおける火
花抵抗により制限されて火花空間に注入される電
荷量は極めて僅かとなる。
初期において、充放電コンデンサCCDの電荷が放
電抵抗RDを介して火花空間に注入されようとす
るが、放電抵抗RD及び放電間隙GAPにおける火
花抵抗により制限されて火花空間に注入される電
荷量は極めて僅かとなる。
然しながら、浮遊容量の電荷は放電抵抗RDに
関係なく放電間隙GAPにおける火花抵抗にのみ
制限されることとなるから、浮遊容量から火花空
間に注入される電荷量は、充放電コンデンサCCD
から注入される電荷量に比し遥かに大となり、放
電間隙GAPにおける導電率の増大に伴つて浮遊
容量の電荷の全てが火花空間にのみ注入される。
関係なく放電間隙GAPにおける火花抵抗にのみ
制限されることとなるから、浮遊容量から火花空
間に注入される電荷量は、充放電コンデンサCCD
から注入される電荷量に比し遥かに大となり、放
電間隙GAPにおける導電率の増大に伴つて浮遊
容量の電荷の全てが火花空間にのみ注入される。
そして浮遊容量と放電間隙GAPとを結ぶ電流
径路のインピーダンスを小ならしめることによつ
て浮遊容量から火花空間への電荷の注入を速やか
ならしめることが出来、充放電コンデンサCCDの
電荷を殆ど失うことなく放電間隙GAPを閃絡せ
しめて、充放電コンデンサCCDの電荷の殆ど全て
を被試験体EUTに加え得ることとなる。
径路のインピーダンスを小ならしめることによつ
て浮遊容量から火花空間への電荷の注入を速やか
ならしめることが出来、充放電コンデンサCCDの
電荷を殆ど失うことなく放電間隙GAPを閃絡せ
しめて、充放電コンデンサCCDの電荷の殆ど全て
を被試験体EUTに加え得ることとなる。
尚、被試験体EUTに加えられるエネルギは、
充放電コンデンサCCDから放電間隙GAPを通して
放出される電流によつてのみ定まり、浮遊容量の
電荷には無関係である。
充放電コンデンサCCDから放電間隙GAPを通して
放出される電流によつてのみ定まり、浮遊容量の
電荷には無関係である。
本考案は、放電間隙に存在する浮遊容量を意図
的に大ならしめるために放電間隙と並列に静電容
量素子を接続すると共に、この並列静電容量素子
と放電間隙とを結ぶ電流径路のインピーダンスを
極めて小ならしめることによつて、充放電コンデ
ンサの静電容量、放電抵抗の抵抗値、放電開始電
圧、即ち、放電間隙の長さ等を変化せしめた場合
においても放電電流の波形の歪及び放電電流の立
上り時間等の電気的特性を従来に比し著しく改善
し得ると共に、火花生成機構の不確定性によつて
放電毎に生ずる上記電気的特性のばらつきを極め
て小ならしめ得る静電気放電シミユレータを実現
することを目的とする。
的に大ならしめるために放電間隙と並列に静電容
量素子を接続すると共に、この並列静電容量素子
と放電間隙とを結ぶ電流径路のインピーダンスを
極めて小ならしめることによつて、充放電コンデ
ンサの静電容量、放電抵抗の抵抗値、放電開始電
圧、即ち、放電間隙の長さ等を変化せしめた場合
においても放電電流の波形の歪及び放電電流の立
上り時間等の電気的特性を従来に比し著しく改善
し得ると共に、火花生成機構の不確定性によつて
放電毎に生ずる上記電気的特性のばらつきを極め
て小ならしめ得る静電気放電シミユレータを実現
することを目的とする。
第1図は、本考案の一実施例の要部を示す図
で、BED1,BED2及びBED3は鍔状対向電極、
CPは筒状接触体で、筒状導体の下端縁に鍔状導
体を一体に結合し、その外周縁を鍔状対向電極
BED1、BED2及びBED3の中の中央の電極BED2
の内周縁に固着してある。
で、BED1,BED2及びBED3は鍔状対向電極、
CPは筒状接触体で、筒状導体の下端縁に鍔状導
体を一体に結合し、その外周縁を鍔状対向電極
BED1、BED2及びBED3の中の中央の電極BED2
の内周縁に固着してある。
尚、中央の電極BED2と筒状接触体CPとを別個
に形成した後、一体に結合する代りに、1枚の導
体板に絞り加工を施す等の手段よつて所要形状に
形成してもよい。
に形成した後、一体に結合する代りに、1枚の導
体板に絞り加工を施す等の手段よつて所要形状に
形成してもよい。
HEDは半球状電極で、適当な弾力性を有する
導体薄板を以て形成すると共に、その周辺部に放
射状の切込を設け、この周辺部を鍔状対向電極
BED3の内周辺に圧接せしめてある。
導体薄板を以て形成すると共に、その周辺部に放
射状の切込を設け、この周辺部を鍔状対向電極
BED3の内周辺に圧接せしめてある。
SUPは絶縁支持体で、適当な硬質合成樹脂等
より成り、鍔状対向電極BED1,BED2及びBED3
の各対向間隙内に充填すると共に、上部電極
BED1及び下部電極BED3の各外周に電極と一体
に設けてある。
より成り、鍔状対向電極BED1,BED2及びBED3
の各対向間隙内に充填すると共に、上部電極
BED1及び下部電極BED3の各外周に電極と一体
に設けてある。
尚、沿面放電を防止するために、電極BED1の
内周縁と電極BED2の間及び電極BED3の内周縁
と電極BED2の間を絶縁支持体SUPの一部で覆つ
てある。FSは放電電極の支持及び放電間隙の調
整素子で、マイクロメータ等に用いられている送
り螺子機構より成り、回転操作つまみを正又は逆
方向に回転せしめることにより可動軸を前進又は
後退せしめ得ると共に、可動軸の移動距離を目盛
によつて指示し得るように形成してある。SUPT
は放電間隙の調整素子FSの支持用突出部で、絶
縁支持体SUPと同様の材質より成り、絶縁支持
体SUPの上面、即ち、鍔状対向電極BED1側の表
面に絶縁支持体SUPと一体に、かつ、鍔状対向
電極BED1,BED2及びBED3の板面とほぼ直角に
なるように突出せしめ、その内部に放電間隙の調
整素子FSを挿入し、支持具HWによつて固定し
てある。放電間隙の調整素子FSの可動軸は、支
持用突出部SUPTの内部において筒状接触体CP内
に挿入され、軸方向に滑動自在なると共に、筒状
接触体CPと電気的に接続される。
内周縁と電極BED2の間及び電極BED3の内周縁
と電極BED2の間を絶縁支持体SUPの一部で覆つ
てある。FSは放電電極の支持及び放電間隙の調
整素子で、マイクロメータ等に用いられている送
り螺子機構より成り、回転操作つまみを正又は逆
方向に回転せしめることにより可動軸を前進又は
後退せしめ得ると共に、可動軸の移動距離を目盛
によつて指示し得るように形成してある。SUPT
は放電間隙の調整素子FSの支持用突出部で、絶
縁支持体SUPと同様の材質より成り、絶縁支持
体SUPの上面、即ち、鍔状対向電極BED1側の表
面に絶縁支持体SUPと一体に、かつ、鍔状対向
電極BED1,BED2及びBED3の板面とほぼ直角に
なるように突出せしめ、その内部に放電間隙の調
整素子FSを挿入し、支持具HWによつて固定し
てある。放電間隙の調整素子FSの可動軸は、支
持用突出部SUPTの内部において筒状接触体CP内
に挿入され、軸方向に滑動自在なると共に、筒状
接触体CPと電気的に接続される。
放電間隙の調整素子FSの可動軸を滑動自在な
らしめると共に、筒状接触体CPとの電気的接続
を確実ならしめるために、筒状接触体CPを弾力
性を有する導体を以て形成し、上端部に適当な軸
長に亙つて軸方向の切込みを設けて適宜数の圧着
片を形成せしめてもよい。SEDは放電電極で、
放電間隙の調整素子FSの可動軸の内端面に固定
して取り付け、半球状電極HEDと共に一対の放
電電極を構成する。NTは筒状のナツト部分で、
絶縁支持体SUPと同様の材質より成り、絶縁支
持体SUPの下面、即ち、鍔状対向電極BED3側の
面において半球状電極HEDの外側に絶縁支持体
SUPと一体にして突設せしめてある。ZSは零調
整螺子で、ナツト部分NTと同様の材質より成
り、ナツト部分NTに螺合せしめると共に、その
内端が半球状電極HEDに圧接するように形成し
てある。
らしめると共に、筒状接触体CPとの電気的接続
を確実ならしめるために、筒状接触体CPを弾力
性を有する導体を以て形成し、上端部に適当な軸
長に亙つて軸方向の切込みを設けて適宜数の圧着
片を形成せしめてもよい。SEDは放電電極で、
放電間隙の調整素子FSの可動軸の内端面に固定
して取り付け、半球状電極HEDと共に一対の放
電電極を構成する。NTは筒状のナツト部分で、
絶縁支持体SUPと同様の材質より成り、絶縁支
持体SUPの下面、即ち、鍔状対向電極BED3側の
面において半球状電極HEDの外側に絶縁支持体
SUPと一体にして突設せしめてある。ZSは零調
整螺子で、ナツト部分NTと同様の材質より成
り、ナツト部分NTに螺合せしめると共に、その
内端が半球状電極HEDに圧接するように形成し
てある。
尚、零調整螺子ZSの中心軸と放電間隙の調整
素子FSの中心軸とをほぼ一致せしめることによ
つて、後述する零調整を正確に行うことが出来
る。CTTは棒状導体より成る接触子で、先端を
先鋭ならしめ、後端部を絶縁支持体SUPの外周
面から中心方向に設けた螺子孔に螺合せしめる
か、固く嵌入せしめ、後端部を中央の面が鍔状対
向電極BED2(接地側電極)の周縁、又は電極
BED2からの引出線等に電気的に接続されるよう
に取り付けてある。HOLは絶縁保持筒で、その
前端部に設けた孔隙部に絶縁支持体SUPの周辺
部を固く嵌入し、必要に応じて接着剤又は止め螺
子等を用いて絶縁保持筒HOLと絶縁支持体SUP
とを一体に結合せしめると共に、絶縁保持筒
HOLの中空内部に挿入された絶縁支持体SUPの
周辺部分の一部を切欠いて上部の鍔状対向電極
BED1及び下部の鍔状対向電極BED3の各周縁部
の一部を絶縁保持筒HOLの中空内部に露出せし
め、この部分において両電極を電気的に接続する
か、鍔状対向電極BED1及びBED3に各接続した
引出線の各端部を絶縁保持筒HOLの中空内部に
導入し、両引出線を電気的に接続してある。鍔状
対向電極BED1及びBED3は前記のような接続個
所の他、任意の周縁部分において互いに接続して
もよく、接触子CTTと中央の鍔状対向電極BED2
との接続部分を除く全周において電気的に接続し
てもよい。
素子FSの中心軸とをほぼ一致せしめることによ
つて、後述する零調整を正確に行うことが出来
る。CTTは棒状導体より成る接触子で、先端を
先鋭ならしめ、後端部を絶縁支持体SUPの外周
面から中心方向に設けた螺子孔に螺合せしめる
か、固く嵌入せしめ、後端部を中央の面が鍔状対
向電極BED2(接地側電極)の周縁、又は電極
BED2からの引出線等に電気的に接続されるよう
に取り付けてある。HOLは絶縁保持筒で、その
前端部に設けた孔隙部に絶縁支持体SUPの周辺
部を固く嵌入し、必要に応じて接着剤又は止め螺
子等を用いて絶縁保持筒HOLと絶縁支持体SUP
とを一体に結合せしめると共に、絶縁保持筒
HOLの中空内部に挿入された絶縁支持体SUPの
周辺部分の一部を切欠いて上部の鍔状対向電極
BED1及び下部の鍔状対向電極BED3の各周縁部
の一部を絶縁保持筒HOLの中空内部に露出せし
め、この部分において両電極を電気的に接続する
か、鍔状対向電極BED1及びBED3に各接続した
引出線の各端部を絶縁保持筒HOLの中空内部に
導入し、両引出線を電気的に接続してある。鍔状
対向電極BED1及びBED3は前記のような接続個
所の他、任意の周縁部分において互いに接続して
もよく、接触子CTTと中央の鍔状対向電極BED2
との接続部分を除く全周において電気的に接続し
てもよい。
尚、絶縁支持体SUPと絶縁保持筒HOLを一体
に結合せしめるに当つて、接触子CTTの軸方向
と絶縁保持筒HOLの軸方向とをほぼ一致せしめ
ることによつて放電試験時の取扱操作を容易なら
しめることが出来る。
に結合せしめるに当つて、接触子CTTの軸方向
と絶縁保持筒HOLの軸方向とをほぼ一致せしめ
ることによつて放電試験時の取扱操作を容易なら
しめることが出来る。
図には示していないが、絶縁保持筒HOLの中
空内部に充放電コンデンサ及び放電抵抗を内装す
ると共に、絶縁保持筒HOLの後端部又は側壁等
から充電電源回路への接続線を導入し、充放電コ
ンデンサCCDの高電位側電極を放電抵抗を介して
鍔状対向電極BED1及びBED3(高圧側電極)に接
続すると共に、充電電源回路への接続線の中、高
電位側の接続線に接続し、又、充放電コンデンサ
CCDの低電位側電極を充電電源回路への接続線の
中、低電位側の接続線に接続し、更に、放電間隙
の調整素子FSの適宜個所又はその支持具HW或
は接触子CTTのように鍔状対向電極BED2(接地
側電極)と電気的に接続されている個所と、地気
間に適当な高抵抗を接続する。
空内部に充放電コンデンサ及び放電抵抗を内装す
ると共に、絶縁保持筒HOLの後端部又は側壁等
から充電電源回路への接続線を導入し、充放電コ
ンデンサCCDの高電位側電極を放電抵抗を介して
鍔状対向電極BED1及びBED3(高圧側電極)に接
続すると共に、充電電源回路への接続線の中、高
電位側の接続線に接続し、又、充放電コンデンサ
CCDの低電位側電極を充電電源回路への接続線の
中、低電位側の接続線に接続し、更に、放電間隙
の調整素子FSの適宜個所又はその支持具HW或
は接触子CTTのように鍔状対向電極BED2(接地
側電極)と電気的に接続されている個所と、地気
間に適当な高抵抗を接続する。
このように構成した本案静電気放電シミユレー
タにおいては、放電間隙の調整素子FSのつまみ
を操作して目盛を零に一致せしめ、零調整螺子
ZSを回転し、放電電極SEDを半球状電極HEDの
内底壁に密着させて零調整を行うが、放電電極
SEDと半球状電極HEDとの密着を検地するには、
例えば充電電源回路を開放状態に保ち、充電電源
回路への接続線の中、高電位側の接続線と、放電
間隙の調整素子FSの適宜個所又はその支持具
HW或は接触子CTT、即ち、放電電極SEDと電
気的に接続されている個所との間の遮断導通を回
路試験器等によつて検出する。即ち、零調整螺子
ZSを逆方向に回転してこれを後退せしめると、
半球状電極HEDの弾力により、その周辺部と鍔
状対向電極BED3との接触を保持した状態で頂部
が後退して放電電極SEDとの接触が断たれ、零
調整螺子ZSを正方向に回転し、半球状電極HED
の弾力に抗して零調整螺子ZSを前進せしめると、
半球状電極HEDの周辺部が鍔状対向電極BED3の
表面に圧接された状態で半径方向に摺動拡大しつ
つ変形し、その頂部が前進して放電電極SEDに
接触するに至るから回路試験器の指針の振れの変
化を読み取ることにより零調整の完了を確かめる
ことが出来る。
タにおいては、放電間隙の調整素子FSのつまみ
を操作して目盛を零に一致せしめ、零調整螺子
ZSを回転し、放電電極SEDを半球状電極HEDの
内底壁に密着させて零調整を行うが、放電電極
SEDと半球状電極HEDとの密着を検地するには、
例えば充電電源回路を開放状態に保ち、充電電源
回路への接続線の中、高電位側の接続線と、放電
間隙の調整素子FSの適宜個所又はその支持具
HW或は接触子CTT、即ち、放電電極SEDと電
気的に接続されている個所との間の遮断導通を回
路試験器等によつて検出する。即ち、零調整螺子
ZSを逆方向に回転してこれを後退せしめると、
半球状電極HEDの弾力により、その周辺部と鍔
状対向電極BED3との接触を保持した状態で頂部
が後退して放電電極SEDとの接触が断たれ、零
調整螺子ZSを正方向に回転し、半球状電極HED
の弾力に抗して零調整螺子ZSを前進せしめると、
半球状電極HEDの周辺部が鍔状対向電極BED3の
表面に圧接された状態で半径方向に摺動拡大しつ
つ変形し、その頂部が前進して放電電極SEDに
接触するに至るから回路試験器の指針の振れの変
化を読み取ることにより零調整の完了を確かめる
ことが出来る。
零調整を終つた後、放電間隙の調整素子FSの
つまみを操作して放電間隙の長さを所要値に調整
し、接触子CTTの先端を被試験体の所要個所に
接触せしめて充放電コンデンサを充電すると、そ
の充電電圧が放電間隙の長さに対応する電圧に達
した際に放電が行われる。
つまみを操作して放電間隙の長さを所要値に調整
し、接触子CTTの先端を被試験体の所要個所に
接触せしめて充放電コンデンサを充電すると、そ
の充電電圧が放電間隙の長さに対応する電圧に達
した際に放電が行われる。
尚、第1図には、3枚の鍔状対向電極BED1,
BED2及びBED3によつて並列容量を形成した場
合を例示したが、電極BED1を省いて電極BED2
及びBED3によつて並列容量を形成しても本考案
を実施することが出来る。
BED2及びBED3によつて並列容量を形成した場
合を例示したが、電極BED1を省いて電極BED2
及びBED3によつて並列容量を形成しても本考案
を実施することが出来る。
(考案の効果)
本案静電気放電シミユレータにおいては、鍔状
対向電極BED1,BED2及びSED3によつて放電間
隙と並列の容量が形成されると共に、この並列容
量と放電間隙間は、一方の放電電極を形成する半
球状電極HED自体と、放電電極SED、放電間隙
の調整素子FSの可動軸及び筒状接触体CPとによ
つて接続されているので、この接続部分における
インピーダンスは極めて小である。
対向電極BED1,BED2及びSED3によつて放電間
隙と並列の容量が形成されると共に、この並列容
量と放電間隙間は、一方の放電電極を形成する半
球状電極HED自体と、放電電極SED、放電間隙
の調整素子FSの可動軸及び筒状接触体CPとによ
つて接続されているので、この接続部分における
インピーダンスは極めて小である。
そして充放電コンデンサの充電に際して、予め
接触子CTTを被試験体に接触せしめた状態で充
放電コンデンサを充電する場合には、絶縁保持筒
HOLに内装された放電抵抗、鍔状対向電極
BED1,BED3及びBED2、接触子CTT並に被試
験体を介して鍔状対向電極BED1,BED2及び
BED3より成る並列容量が充放電コンデンサと共
に充電され、接触子CTTを被試験体に接触せし
めない状態で充放電コンデンサを充電する場合に
は、放電間隙の調整素子FSの適宜個所又はその
支持具HW或は接触子CTT等のように鍔状対向
電極BED2と電気的に接続されている個所と地気
間に挿入した高抵抗及び絶縁保持筒HOLに内装
された放電抵抗を介して鍔状対向電極BED1,
BED2及びBED3より成る並列容量も亦充電され、
充放電コンデンサの放電時には、並列容量からの
電荷が大量に、かつ速やかに火花空間に注入さ
れ、充放電コンデンサの電荷を殆ど失うことなく
放電間隙を閃絡せしめて、充放電コンデンサの電
荷の殆ど全てを被試験体に加えることが出来、充
放電コンデンサの静電容量、放電抵抗の抵抗値及
び放電間隙の長さ等を変化せしめて実験を行つた
結果によれば、放電電流の立上り時間及び波形の
歪等の電気的特性を従来に比し著しく改善し、放
電毎における上記電気的特性のばらつきも極めて
小なることを確かめることが出来た。
接触子CTTを被試験体に接触せしめた状態で充
放電コンデンサを充電する場合には、絶縁保持筒
HOLに内装された放電抵抗、鍔状対向電極
BED1,BED3及びBED2、接触子CTT並に被試
験体を介して鍔状対向電極BED1,BED2及び
BED3より成る並列容量が充放電コンデンサと共
に充電され、接触子CTTを被試験体に接触せし
めない状態で充放電コンデンサを充電する場合に
は、放電間隙の調整素子FSの適宜個所又はその
支持具HW或は接触子CTT等のように鍔状対向
電極BED2と電気的に接続されている個所と地気
間に挿入した高抵抗及び絶縁保持筒HOLに内装
された放電抵抗を介して鍔状対向電極BED1,
BED2及びBED3より成る並列容量も亦充電され、
充放電コンデンサの放電時には、並列容量からの
電荷が大量に、かつ速やかに火花空間に注入さ
れ、充放電コンデンサの電荷を殆ど失うことなく
放電間隙を閃絡せしめて、充放電コンデンサの電
荷の殆ど全てを被試験体に加えることが出来、充
放電コンデンサの静電容量、放電抵抗の抵抗値及
び放電間隙の長さ等を変化せしめて実験を行つた
結果によれば、放電電流の立上り時間及び波形の
歪等の電気的特性を従来に比し著しく改善し、放
電毎における上記電気的特性のばらつきも極めて
小なることを確かめることが出来た。
尚、鍔状対向電極BED1,BED2及びBED3より
成る並列容量の充電のために設けた高抵抗の抵抗
値を被試験体のインピーダンスに比し適当に大な
らしめておけば、放電電流がこの高抵抗に分流す
るおそれはない。
成る並列容量の充電のために設けた高抵抗の抵抗
値を被試験体のインピーダンスに比し適当に大な
らしめておけば、放電電流がこの高抵抗に分流す
るおそれはない。
第1図は、本考案の一実施例を示す図、第2図
は、従来の静電気放電シミユレータの一例を示す
図で、BED1,BED2及びBED3……鍔状対向電
極、CP……筒状接触体、HED……半球状電極、
SUP……絶縁支持体、FS……放電間隙の調整素
子、SUPT……突出部、HW……支持具、SED…
…放電電極、NT……ナツト部分、ZS……零調整
螺子、CTT……接触子、HOL……絶縁保持筒、
CCD……充放電コンデンサ、RD……放電抵抗、
GAP……放電間隙、EUT……被試験体である。
は、従来の静電気放電シミユレータの一例を示す
図で、BED1,BED2及びBED3……鍔状対向電
極、CP……筒状接触体、HED……半球状電極、
SUP……絶縁支持体、FS……放電間隙の調整素
子、SUPT……突出部、HW……支持具、SED…
…放電電極、NT……ナツト部分、ZS……零調整
螺子、CTT……接触子、HOL……絶縁保持筒、
CCD……充放電コンデンサ、RD……放電抵抗、
GAP……放電間隙、EUT……被試験体である。
Claims (1)
- 適宜間隔を隔てて対向せしめた鍔状対向電極
と、この鍔状対向電極の中、接地側電極の中央部
分に一体に設けた筒状接触体と、前記鍔状対向電
極の外周に設けた絶縁支持体と、この絶縁支持体
に支持され、可動軸を前記筒状接触体と接触を保
つて滑動自在ならしめた送り螺子機構より成る放
電間隙の調整素子と、この放電間隙の調整素子に
おける可動軸の内端に取り付けた放電電極と、前
記鍔状対向電極の中、高圧側電極の内周辺に、周
辺部を圧接され、前記放電電極と対向せしめられ
る半球状電極と、前記絶縁支持体の一部に突設し
た筒状部分に螺合され、その内端を前記半球状電
極に圧接せしめられる零調整螺子と、前記絶縁支
持体の周縁部に挿通支持され、後端部を前記鍔状
対向電極の中の接地側電極に接続される導体より
成る接触子と、放電抵抗を介して前記鍔状対向電
極の中の高圧側電極に接続される充放電コンデン
サを内装し、前記絶縁支持体に取り付けられた絶
縁保持筒とを備えたことを特徴とする静電気放電
シミユレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17041785U JPH0435817Y2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17041785U JPH0435817Y2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279176U JPS6279176U (ja) | 1987-05-20 |
| JPH0435817Y2 true JPH0435817Y2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=31105128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17041785U Expired JPH0435817Y2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435817Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP17041785U patent/JPH0435817Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6279176U (ja) | 1987-05-20 |
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