JPH04358401A - 導波管 - Google Patents
導波管Info
- Publication number
- JPH04358401A JPH04358401A JP13435191A JP13435191A JPH04358401A JP H04358401 A JPH04358401 A JP H04358401A JP 13435191 A JP13435191 A JP 13435191A JP 13435191 A JP13435191 A JP 13435191A JP H04358401 A JPH04358401 A JP H04358401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- microstrip line
- coupling
- coupling slot
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 74
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 74
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、導波管に関し、詳しく
は、マイクロストリップラインと電磁気的に結合される
導波管に関するものである。
は、マイクロストリップラインと電磁気的に結合される
導波管に関するものである。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波の伝送線路として、マイクロ
ストリップラインと導波管とは共に代表的な導波路とし
てよく知られており、マイクロストリップラインと導波
管とを結合する必要がしばしば生じる。このような結合
構造として最も一般的に用いられているものに例えば図
5に示すように、給電プローブを用いたものが知られて
いる。ここで、図5の(A)は給電プローブを含み、導
波管の管軸に沿ってE面に平行な面で切断した結合部の
近傍断面図を示し、また、その(B)はマイクロストリ
ップラインの側からみた平面図である。
ストリップラインと導波管とは共に代表的な導波路とし
てよく知られており、マイクロストリップラインと導波
管とを結合する必要がしばしば生じる。このような結合
構造として最も一般的に用いられているものに例えば図
5に示すように、給電プローブを用いたものが知られて
いる。ここで、図5の(A)は給電プローブを含み、導
波管の管軸に沿ってE面に平行な面で切断した結合部の
近傍断面図を示し、また、その(B)はマイクロストリ
ップラインの側からみた平面図である。
【0003】図5において、1はその一端が短絡板2で
閉塞された矩形断面を有する導波管、3は導電性の細い
帯状に形成されたマイクロストリップライン、4は導波
管1のマイクロストリップライン3が設けられる側の幅
広面1Aに配設された導電体の薄い層からなる地導体で
ある。しかして、本例では幅広面1Aおよび地導体4を
貫通する貫通孔5が設けられると共に、地導体4とマイ
クロストリップライン3との間に誘電体層6が介装され
ていて、地導体4,誘電体層6およびマイクロストリッ
プライン3により3層からなる伝送線路を構成している
。また、7は一端がマイクロストリップライン3に電気
的に接続された給電プローブであり、このような給電プ
ローブ7の他端を貫通孔5から導波管1の中空部に突出
させるようになし、更に貫通孔5の給電プローブ7の周
りには誘電体8を充填させるようになして導波管1とマ
イクロストリップライン3とが電気的に結合されるよう
に構成されている。
閉塞された矩形断面を有する導波管、3は導電性の細い
帯状に形成されたマイクロストリップライン、4は導波
管1のマイクロストリップライン3が設けられる側の幅
広面1Aに配設された導電体の薄い層からなる地導体で
ある。しかして、本例では幅広面1Aおよび地導体4を
貫通する貫通孔5が設けられると共に、地導体4とマイ
クロストリップライン3との間に誘電体層6が介装され
ていて、地導体4,誘電体層6およびマイクロストリッ
プライン3により3層からなる伝送線路を構成している
。また、7は一端がマイクロストリップライン3に電気
的に接続された給電プローブであり、このような給電プ
ローブ7の他端を貫通孔5から導波管1の中空部に突出
させるようになし、更に貫通孔5の給電プローブ7の周
りには誘電体8を充填させるようになして導波管1とマ
イクロストリップライン3とが電気的に結合されるよう
に構成されている。
【0004】かかる構造においては、導波管1のサイズ
(断面の縦横内側寸法)及びマイクロストリップライン
3の特性インピーダンスに応じて給電プローブ7の幅広
面1Aにおける位置(つまり幅広面1Aの側の端部から
の距離)、給電プローブ7と短絡板2との距離、給電プ
ローブ7の導波管1中空部への突出長さ、給電プローブ
7の太さ及び貫通孔5の内径等を適切に選択(実際には
、誘電体6の誘電率も関係)することによって、導波管
1とマイクロストリップライン3とを電力反射なく結合
することができる。
(断面の縦横内側寸法)及びマイクロストリップライン
3の特性インピーダンスに応じて給電プローブ7の幅広
面1Aにおける位置(つまり幅広面1Aの側の端部から
の距離)、給電プローブ7と短絡板2との距離、給電プ
ローブ7の導波管1中空部への突出長さ、給電プローブ
7の太さ及び貫通孔5の内径等を適切に選択(実際には
、誘電体6の誘電率も関係)することによって、導波管
1とマイクロストリップライン3とを電力反射なく結合
することができる。
【0005】しかし、このように給電プローブを用いる
形態の結合構造において低電力反射での結合を実現する
ためには、製作時に先の寸法条件各々を精度良く守るこ
とが必要とされる。特にその中でも、給電プローブ7の
導波管1内への突出長さを高い精度で製作することが重
要であるが、実際には、給電プローブ7自身の製作精度
の問題や、幅広面1Aと地導体4との間の密着性の問題
などのために、かかる各部での精度の確保は難しい。
形態の結合構造において低電力反射での結合を実現する
ためには、製作時に先の寸法条件各々を精度良く守るこ
とが必要とされる。特にその中でも、給電プローブ7の
導波管1内への突出長さを高い精度で製作することが重
要であるが、実際には、給電プローブ7自身の製作精度
の問題や、幅広面1Aと地導体4との間の密着性の問題
などのために、かかる各部での精度の確保は難しい。
【0006】そこで、本願の発明者は、かかる従来の問
題に着目し、先に導波管とマイクロストリップラインと
を結合スロットを介して結合する提案を行った(特願平
2−226584号参照)。図6はこの提案に基づく結
合構造を示す。なお、図6において、その(A)は結合
スロットを含み導波管の管軸に沿ってE面に平行な面で
切断した結合部近傍の縦断面を示し、またその(B)は
マイクロストリップラインの側から見た平面図である。
題に着目し、先に導波管とマイクロストリップラインと
を結合スロットを介して結合する提案を行った(特願平
2−226584号参照)。図6はこの提案に基づく結
合構造を示す。なお、図6において、その(A)は結合
スロットを含み導波管の管軸に沿ってE面に平行な面で
切断した結合部近傍の縦断面を示し、またその(B)は
マイクロストリップラインの側から見た平面図である。
【0007】本例においても導波管1の一方の幅広面1
AであるH面に地導体4と誘電体層6およびマイクロス
トリップライン3とで構成された3層構造のマイクロ波
伝導線路を密着させて設ける点については図5の例と変
わらない。ただし、本例の場合、図5の貫通孔5に対応
してその位置に長方形の結合スロット9が設けられてい
る。なお、この結合スロット9はその長辺が導波管1の
幅方向と一致する向きで穿設されており、(B)に示す
如く、長辺の中央部で結合スロット9とマイクロストリ
ップライン3とが誘電体層の6の厚さを介して互いに直
交するように構成されており、かくしてマイクロストリ
ップライン3の端部は結合スロット9を跨ぐ位置にまで
延在される。
AであるH面に地導体4と誘電体層6およびマイクロス
トリップライン3とで構成された3層構造のマイクロ波
伝導線路を密着させて設ける点については図5の例と変
わらない。ただし、本例の場合、図5の貫通孔5に対応
してその位置に長方形の結合スロット9が設けられてい
る。なお、この結合スロット9はその長辺が導波管1の
幅方向と一致する向きで穿設されており、(B)に示す
如く、長辺の中央部で結合スロット9とマイクロストリ
ップライン3とが誘電体層の6の厚さを介して互いに直
交するように構成されており、かくしてマイクロストリ
ップライン3の端部は結合スロット9を跨ぐ位置にまで
延在される。
【0008】そこで、このように構成された結合構造で
は導波管1及びマイクロストリップライン3の有する特
性インピーダンスに応じて、結合スロット9のサイズ(
縦・横寸法)、結合スロット9から短絡板2までの距離
及びマイクロストリップライン3が結合スロット9を跨
いで延在される端部までの長さ等を適切に設定すること
によって、導波管1とマイクロストリップライン3とを
完全に電磁気的に結合させることができる。特に、結合
スロット9のサイズに関しては導波管1自体のサイズと
結合スロット9周辺の誘電体の状況とによって決まるが
、概ね共振特性を持つような縦横寸法の組合せとその周
辺部が得られ、それによって良好な結合特性が得られる
。
は導波管1及びマイクロストリップライン3の有する特
性インピーダンスに応じて、結合スロット9のサイズ(
縦・横寸法)、結合スロット9から短絡板2までの距離
及びマイクロストリップライン3が結合スロット9を跨
いで延在される端部までの長さ等を適切に設定すること
によって、導波管1とマイクロストリップライン3とを
完全に電磁気的に結合させることができる。特に、結合
スロット9のサイズに関しては導波管1自体のサイズと
結合スロット9周辺の誘電体の状況とによって決まるが
、概ね共振特性を持つような縦横寸法の組合せとその周
辺部が得られ、それによって良好な結合特性が得られる
。
【0009】なお、ここで図示はしないが、マイクロス
トリップライン3の上に新たな誘電体層を設け、更にそ
の上に導体層を配置して、この導体の層と地導体4とで
マイクロストリップライン3を挾持する形のいわゆるト
リプレート構造にした場合も導波管1とマイクロストリ
ップライン3との良好な結合状態が得られ、しかも放射
損失を低減させることが可能である。
トリップライン3の上に新たな誘電体層を設け、更にそ
の上に導体層を配置して、この導体の層と地導体4とで
マイクロストリップライン3を挾持する形のいわゆるト
リプレート構造にした場合も導波管1とマイクロストリ
ップライン3との良好な結合状態が得られ、しかも放射
損失を低減させることが可能である。
【0010】かくして上記の結合スロットを用いる結合
構造は、先に述べた給電プローブを用いる構造に比べて
、きわめて単純な構造で実現できるため廉価なマイクロ
波回路を実現できるという特色が得られる。
構造は、先に述べた給電プローブを用いる構造に比べて
、きわめて単純な構造で実現できるため廉価なマイクロ
波回路を実現できるという特色が得られる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような結合スロットを用いた構造としても、なお低電
力反射の完全な結合を実現するためには、製作時に先の
寸法条件の各々を精度良く守ることが必要となる。特に
、マイクロストリップライン3が結合スロット9を跨い
で延在されるその端部までの延在長を精度よく守ること
が必要であるが、マイクロストリップライン3と誘電体
層6との間の密着性や、誘電体層6の導波管幅広面1A
側の密着性の問題もあるために、位置精度の確保が難し
く、安定した結合を得ることが容易でない点が残されて
いた。
たような結合スロットを用いた構造としても、なお低電
力反射の完全な結合を実現するためには、製作時に先の
寸法条件の各々を精度良く守ることが必要となる。特に
、マイクロストリップライン3が結合スロット9を跨い
で延在されるその端部までの延在長を精度よく守ること
が必要であるが、マイクロストリップライン3と誘電体
層6との間の密着性や、誘電体層6の導波管幅広面1A
側の密着性の問題もあるために、位置精度の確保が難し
く、安定した結合を得ることが容易でない点が残されて
いた。
【0012】本発明の目的は、かかる従来の製作上の難
点を解消し、マイクロストリップラインとの間で安定し
た結合状態が得られる導波管を提供することにある。
点を解消し、マイクロストリップラインとの間で安定し
た結合状態が得られる導波管を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は、一方の幅広面に幅方向が長手の長方形
の結合スロットを有し、該結合スロットと交差するよう
に前記幅広面に沿い周囲よりも高誘電率の誘電体を介し
て配設されたマイクロストリップラインとの間に電磁気
的結合が得られるようにしたことを特徴とする。
めに、本発明は、一方の幅広面に幅方向が長手の長方形
の結合スロットを有し、該結合スロットと交差するよう
に前記幅広面に沿い周囲よりも高誘電率の誘電体を介し
て配設されたマイクロストリップラインとの間に電磁気
的結合が得られるようにしたことを特徴とする。
【0014】
【作用】本発明によれば、結合スロットに配設した高誘
電率の誘電体を介して導波管とマイクロストリップライ
ンとの間の電磁気的結合が得られるようにしたことによ
って、マイクロストリップラインの結合側の端部を結合
スロットを跨せて延在するにあたりその設定延在長の許
容誤差範囲を広める効果が得られ、それだけ製作が容易
となり、かつ結合スロットと相俟って放射損失の少ない
良好な結合状態を実現することができる。
電率の誘電体を介して導波管とマイクロストリップライ
ンとの間の電磁気的結合が得られるようにしたことによ
って、マイクロストリップラインの結合側の端部を結合
スロットを跨せて延在するにあたりその設定延在長の許
容誤差範囲を広める効果が得られ、それだけ製作が容易
となり、かつ結合スロットと相俟って放射損失の少ない
良好な結合状態を実現することができる。
【0015】
【実施例】以下に、図面を参照しつつ本発明の実施例を
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【0016】図1は本発明の第1実施例を示す。なお、
以下で図5および図6に示したと同様の個所あるいは部
材については同一符号を用いてその詳細な説明を省略す
る。本例においても地導体4と誘電体層6およびマイク
ロストリップライン3とによって3層構造のマイクロ波
伝送線路を構成し、これを導波管1のH面である幅広面
1Aに密着接合する。ただし、その(B)に示すように
、誘電体層6は結合スロット9の手前でとどめられ、こ
の誘電体層6と密着させるようにして更にあらたな誘電
体10が長方形の結合スロット9を埋める形で設けられ
る。そして、マイクロストリップライン3はこの誘電体
10を跨ぐようにしてその端部が所定の長さ延在される
。
以下で図5および図6に示したと同様の個所あるいは部
材については同一符号を用いてその詳細な説明を省略す
る。本例においても地導体4と誘電体層6およびマイク
ロストリップライン3とによって3層構造のマイクロ波
伝送線路を構成し、これを導波管1のH面である幅広面
1Aに密着接合する。ただし、その(B)に示すように
、誘電体層6は結合スロット9の手前でとどめられ、こ
の誘電体層6と密着させるようにして更にあらたな誘電
体10が長方形の結合スロット9を埋める形で設けられ
る。そして、マイクロストリップライン3はこの誘電体
10を跨ぐようにしてその端部が所定の長さ延在される
。
【0017】なおかかる構造においても、導波管1のサ
イズ及びマイクロストリップライン3の特性インピーダ
ンス及び誘電体10のサイズならびにその誘電率に応じ
て、結合スロット9のサイズ(縦横寸法)、結合スロッ
ト9と短絡板2との間の距離及びマイクロストリップラ
イン3が結合スロット9を跨いで延在される延在長を適
切に設定することによって、導波管1とマイクロストリ
ップライン3とを完全に結合させるようにすることは従
来の技術と同様である。ただし、本発明においては、結
合スロット9に装填される誘電体の誘電率を周囲の誘電
体の誘電率よりも高いものとすることによって、結合ス
ロット9に電界を集中し易くすることができる。そのた
めに、周囲の諸条件が結合状態に及ぼす影響を少なくす
ることができ、従って良好な結合状態を実現するための
諸条件の許容範囲を広くすることができ、特にマイクロ
ストリップライン3の結合スロットを跨いで延在される
延在長の寸法許容範囲が広げられることによって組立が
容易となり、製作費の低減に貢献することができる。
イズ及びマイクロストリップライン3の特性インピーダ
ンス及び誘電体10のサイズならびにその誘電率に応じ
て、結合スロット9のサイズ(縦横寸法)、結合スロッ
ト9と短絡板2との間の距離及びマイクロストリップラ
イン3が結合スロット9を跨いで延在される延在長を適
切に設定することによって、導波管1とマイクロストリ
ップライン3とを完全に結合させるようにすることは従
来の技術と同様である。ただし、本発明においては、結
合スロット9に装填される誘電体の誘電率を周囲の誘電
体の誘電率よりも高いものとすることによって、結合ス
ロット9に電界を集中し易くすることができる。そのた
めに、周囲の諸条件が結合状態に及ぼす影響を少なくす
ることができ、従って良好な結合状態を実現するための
諸条件の許容範囲を広くすることができ、特にマイクロ
ストリップライン3の結合スロットを跨いで延在される
延在長の寸法許容範囲が広げられることによって組立が
容易となり、製作費の低減に貢献することができる。
【0018】なおこのときに、良好な結合状態を実現す
るためには、結合スロット9と短絡板2との間の距離を
概ね導波管内の波長の二分の一のn倍(nは0または正
の整数)とするが、距離が長くなると長線路効果のため
良好な結合状態が実現できる周波数領域が狭くなるため
、n=0の状態がもっとも好ましい。
るためには、結合スロット9と短絡板2との間の距離を
概ね導波管内の波長の二分の一のn倍(nは0または正
の整数)とするが、距離が長くなると長線路効果のため
良好な結合状態が実現できる周波数領域が狭くなるため
、n=0の状態がもっとも好ましい。
【0019】また、放射損失を抑制するためにトリプレ
ート構造のストリップラインが伝送線路としてしばしば
使用される。そこでこのようなトリプレート線路と導波
管とを結合スロットを用いて結合させるようにする場合
にも、本発明の構造を用いることにより、良好な結合状
態を実現するための諸条件、特にマイクロストリップラ
インを結合スロットを越えて延在させる延在長の許容範
囲を広くできる。図2の(A),(B)はこのようなト
リプレート構造のマイクロストリップラインとした例で
、本例ではストリップライン3に平行してその両側に適
当な距離をおいて導体壁12を配置した例を示す。この
場合も図1に示した実施例と同じようにして誘電体10
を結合スロット9に装填することによりマイクロストリ
ップライン3が導波管の幅広面1Aと地導体4および導
体壁12とにより囲まれるため、放射による損失をきわ
めて少なくすることができる。
ート構造のストリップラインが伝送線路としてしばしば
使用される。そこでこのようなトリプレート線路と導波
管とを結合スロットを用いて結合させるようにする場合
にも、本発明の構造を用いることにより、良好な結合状
態を実現するための諸条件、特にマイクロストリップラ
インを結合スロットを越えて延在させる延在長の許容範
囲を広くできる。図2の(A),(B)はこのようなト
リプレート構造のマイクロストリップラインとした例で
、本例ではストリップライン3に平行してその両側に適
当な距離をおいて導体壁12を配置した例を示す。この
場合も図1に示した実施例と同じようにして誘電体10
を結合スロット9に装填することによりマイクロストリ
ップライン3が導波管の幅広面1Aと地導体4および導
体壁12とにより囲まれるため、放射による損失をきわ
めて少なくすることができる。
【0020】なお、以上説明した実施例においては、結
合スロット9の形状を長方形としたが、その形状は必ず
しも厳格な長方形である必要はなく、例えば、加工上、
角に丸みをつけるようにしてもよいことは従来の技術と
同様である。
合スロット9の形状を長方形としたが、その形状は必ず
しも厳格な長方形である必要はなく、例えば、加工上、
角に丸みをつけるようにしてもよいことは従来の技術と
同様である。
【0021】以上が本発明の基本的な実施例であり、従
来の技術に比べて諸条件の許容範囲を広くすることが可
能なため製作が容易になり、従って廉価で製造すること
ができる。
来の技術に比べて諸条件の許容範囲を広くすることが可
能なため製作が容易になり、従って廉価で製造すること
ができる。
【0022】なお、図2に示した実施例では、マイクロ
ストリップライン3と誘電体層6との間の密着性および
誘電体層6と導波管幅広面1Aとの間の密着性の点で組
立の際その間に位置ずれの生じる虞が残されており、こ
の点で、組立上更に容易であり、かつ正確性の保たれる
構造が望ましい。図3はかかる点を配慮した第2の実施
例を示す。図3に示す実施例は、図2に示した実施例に
おける誘電体10の厚さを下方に増してマイクロストリ
ップライン3との係合が得られるようにしたものである
。すなわち、本実施例では、マイクロストリップライン
3を図4の(A)に示すような形状となし、その誘電体
10と交差する部分の両側を円弧状に切欠いて切欠部3
Aを形成し、一方、図4の(B)および(C)に示すよ
うに、マイクロストリップライン3と誘電体10の交差
部分にマイクロストリップライン3が嵌め合わされるよ
うなx型の溝13を設ける。かくして、誘電体10とマ
イクロストリップライン3とを組合せたときに、双方の
交差部同士が係合し合うことによって固定されるように
する。なお誘電体10は結合スロット9に挿入されてい
ることにより、結合スロット9に対して固定されており
、結局マイクロストリップライン3を結合スロット9に
対して正確に位置決めし固定することができる。このよ
うに構成することによって、マイクロストリップライン
3の結合スロット9に対する位置の精度を確保すること
が可能となり、組立を一層格段に容易になし、廉価に製
作することが可能となる。
ストリップライン3と誘電体層6との間の密着性および
誘電体層6と導波管幅広面1Aとの間の密着性の点で組
立の際その間に位置ずれの生じる虞が残されており、こ
の点で、組立上更に容易であり、かつ正確性の保たれる
構造が望ましい。図3はかかる点を配慮した第2の実施
例を示す。図3に示す実施例は、図2に示した実施例に
おける誘電体10の厚さを下方に増してマイクロストリ
ップライン3との係合が得られるようにしたものである
。すなわち、本実施例では、マイクロストリップライン
3を図4の(A)に示すような形状となし、その誘電体
10と交差する部分の両側を円弧状に切欠いて切欠部3
Aを形成し、一方、図4の(B)および(C)に示すよ
うに、マイクロストリップライン3と誘電体10の交差
部分にマイクロストリップライン3が嵌め合わされるよ
うなx型の溝13を設ける。かくして、誘電体10とマ
イクロストリップライン3とを組合せたときに、双方の
交差部同士が係合し合うことによって固定されるように
する。なお誘電体10は結合スロット9に挿入されてい
ることにより、結合スロット9に対して固定されており
、結局マイクロストリップライン3を結合スロット9に
対して正確に位置決めし固定することができる。このよ
うに構成することによって、マイクロストリップライン
3の結合スロット9に対する位置の精度を確保すること
が可能となり、組立を一層格段に容易になし、廉価に製
作することが可能となる。
【0023】本発明者は比較実験のために、図6に示し
た従来の構造と図3に示した本発明による構造との製品
を同じ寸法条件で試作したところ、従来の技術による構
造(結合スロット9に誘電体をいれない場合)では、反
射電力が−20dB以下となる場合のマイクロストリッ
プライン3が結合スロット9を跨いで延在される延在長
L1の許容範囲が±0.05mmであったのに対し、本
発明による構造で誘電体10を結合スロット9に装填し
た場合の延在長L2の許容範囲は±0.4mmとなり、
その許容範囲が大きく広がり、その結果組立が格段に容
易になった。なおこの時の誘電体層6,6の材質は発泡
ポリエチレン(誘電率1.02)であり、誘電体10の
材質はPTFE(誘電率2.1)であった。
た従来の構造と図3に示した本発明による構造との製品
を同じ寸法条件で試作したところ、従来の技術による構
造(結合スロット9に誘電体をいれない場合)では、反
射電力が−20dB以下となる場合のマイクロストリッ
プライン3が結合スロット9を跨いで延在される延在長
L1の許容範囲が±0.05mmであったのに対し、本
発明による構造で誘電体10を結合スロット9に装填し
た場合の延在長L2の許容範囲は±0.4mmとなり、
その許容範囲が大きく広がり、その結果組立が格段に容
易になった。なおこの時の誘電体層6,6の材質は発泡
ポリエチレン(誘電率1.02)であり、誘電体10の
材質はPTFE(誘電率2.1)であった。
【0024】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、一
方の幅広面に幅方向が長手の長方形の結合スロットを有
し、該結合スロットと交差するように前記幅広面に沿い
誘電体を介して配設されたマイクロストリフプラインと
の間に電磁気的結合が得られるようにした導波管におい
て、前記結合スロットに前記誘電体より誘電率が高く、
前記マイクロストリフプラインに一端が結合される高誘
電率の誘電体を配設したので、結合スロットによるマイ
クロストリップラインと導波管の結合において、良好な
結合状態を得るための諸条件、特にマイクロストリップ
ラインを結合スロットを跨がせて延在する延在長の許容
範囲を広げることができるために組立が容易になり、廉
価なマイクロ波回路の提供に貢献できる。
方の幅広面に幅方向が長手の長方形の結合スロットを有
し、該結合スロットと交差するように前記幅広面に沿い
誘電体を介して配設されたマイクロストリフプラインと
の間に電磁気的結合が得られるようにした導波管におい
て、前記結合スロットに前記誘電体より誘電率が高く、
前記マイクロストリフプラインに一端が結合される高誘
電率の誘電体を配設したので、結合スロットによるマイ
クロストリップラインと導波管の結合において、良好な
結合状態を得るための諸条件、特にマイクロストリップ
ラインを結合スロットを跨がせて延在する延在長の許容
範囲を広げることができるために組立が容易になり、廉
価なマイクロ波回路の提供に貢献できる。
【図1】本発明の一実施例を導波管の管軸に平行な面で
切断した縦断面(A)および底面のマイクロストリップ
ラインの側からみた平面(B)でそれぞれ示す構成図で
ある。
切断した縦断面(A)および底面のマイクロストリップ
ラインの側からみた平面(B)でそれぞれ示す構成図で
ある。
【図2】本発明のその他の実施例を導波管の管軸に平行
な面で切断した縦断面(A)および底面のマイクロスト
リップラインの下面に沿った面(B)でそれぞれ示す構
成図である。
な面で切断した縦断面(A)および底面のマイクロスト
リップラインの下面に沿った面(B)でそれぞれ示す構
成図である。
【図3】本発明の第2の実施例として、導波管の管軸に
平行な面で切断した縦断面(A)および底面のマイクロ
ストリップラインの下面に沿った面(B)でそれぞれ示
す構成図である。
平行な面で切断した縦断面(A)および底面のマイクロ
ストリップラインの下面に沿った面(B)でそれぞれ示
す構成図である。
【図4】図3に示す実施例にかかるマイクロストリップ
ラインの幅広面からみた平面(A)と、誘電体のマイク
ロストリップラインと係合する側の平面(B)および側
面(C)とを示す説明図である。
ラインの幅広面からみた平面(A)と、誘電体のマイク
ロストリップラインと係合する側の平面(B)および側
面(C)とを示す説明図である。
【図5】従来の給電プローブを用いた結合装置の一例を
導波管の管軸に平行な面で切断した縦断面(A)および
底面のマイクロストリップラインの側からみた平面(B
)でそれぞれ示す構成図である。
導波管の管軸に平行な面で切断した縦断面(A)および
底面のマイクロストリップラインの側からみた平面(B
)でそれぞれ示す構成図である。
【図6】従来の結合スロットを用いた結合装置の一例を
導波管の管軸に平行な面で切断した縦断面(A)および
底面のマイクロストリップラインの側からみた平面(B
)でそれぞれ示す構成図である。
導波管の管軸に平行な面で切断した縦断面(A)および
底面のマイクロストリップラインの側からみた平面(B
)でそれぞれ示す構成図である。
1 導波管
1A 幅広面
2,12 短絡板
3 マイクロストリップライン、
4 地導体
6 誘電体
9 結合スロット
10 誘電体
12 導体壁
Claims (1)
- 【請求項1】 一方の幅広面に幅方向が長手の長方形
の結合スロットを有し、該結合スロットと交差するよう
に前記幅広面に沿い周囲よりも高誘電率の誘電体を介し
て配設されたマイクロストリップラインとの間に電磁気
的結合が得られるようにしたことを特徴とする導波管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13435191A JPH04358401A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 導波管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13435191A JPH04358401A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 導波管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04358401A true JPH04358401A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15126334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13435191A Withdrawn JPH04358401A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 導波管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04358401A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09246816A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-19 | Nec Corp | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 |
| JP2003218627A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Nef:Kk | 導波管アンテナ |
| JP2007500430A (ja) * | 2003-05-23 | 2007-01-11 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオン注入装置およびシステム |
| JP2008524887A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-07-10 | ユナイテッド モノリシック セミコンダクターズ エスアーエス | マイクロ波用途のための小型電子部品 |
| JP2010068405A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波伝送装置 |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP13435191A patent/JPH04358401A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09246816A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-19 | Nec Corp | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 |
| JP2003218627A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Nef:Kk | 導波管アンテナ |
| JP2007500430A (ja) * | 2003-05-23 | 2007-01-11 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオン注入装置およびシステム |
| JP2008524887A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-07-10 | ユナイテッド モノリシック セミコンダクターズ エスアーエス | マイクロ波用途のための小型電子部品 |
| JP2010068405A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波伝送装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6580343B2 (en) | Dielectric waveguide with pairs of dielectric strips connected in an off-set manner | |
| JP3166897B2 (ja) | 非放射性誘電体線路およびその集積回路 | |
| US6580335B1 (en) | Waveguide-transmission line transition having a slit and a matching element | |
| JP2019106681A (ja) | コネクタおよびコネクタ平面線路接続構造 | |
| JP3317293B2 (ja) | 導波管・伝送線路変換器 | |
| JP3045074B2 (ja) | 誘電体線路、電圧制御発振器、ミキサーおよび回路モジュール | |
| KR930008831B1 (ko) | 동축-마이크로스트립 직교런처 | |
| JP2928154B2 (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
| US4970522A (en) | Waveguide apparatus | |
| JP4265654B2 (ja) | 円偏波用のマイクロストリップアンテナおよびそれを備えた無線通信機 | |
| US6888429B2 (en) | Transmission line with a projecting dielectric part having an opposing coplanar line and transceiver | |
| US5559480A (en) | Stripline-to-waveguide transition | |
| JP3358570B2 (ja) | 非可逆回路素子、非可逆回路装置および送受信装置 | |
| JPH04109702A (ja) | マイクロストリップライン・導波管結合装置 | |
| JP2000174515A (ja) | コプレーナウェーブガイド−導波管変換装置 | |
| JP4200684B2 (ja) | 導波管・伝送線路変換器 | |
| JP2004336709A (ja) | 非可逆回路素子および無線装置 | |
| JP7561015B2 (ja) | 導波管構造体及びホーンアンテナ | |
| JP2004104816A (ja) | 誘電体導波管線路および配線基板 | |
| KR20010112034A (ko) | 도파관-마이크로스트립 변환 구조를 이용한 전력 결합기 | |
| JP2001102819A (ja) | 平面線路接続器 | |
| JP2000151225A (ja) | ストリップ線路−導波管変換装置 | |
| JP2768409B2 (ja) | 誘電体導波管型方向性結合器 | |
| JP2768411B2 (ja) | 誘電体導波管型方向性結合器 | |
| EP0357233A2 (en) | Waveguide apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |