JPH0435863Y2 - - Google Patents
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- JPH0435863Y2 JPH0435863Y2 JP1184385U JP1184385U JPH0435863Y2 JP H0435863 Y2 JPH0435863 Y2 JP H0435863Y2 JP 1184385 U JP1184385 U JP 1184385U JP 1184385 U JP1184385 U JP 1184385U JP H0435863 Y2 JPH0435863 Y2 JP H0435863Y2
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- Japan
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- shutter
- capacitor
- aperture
- blade
- voltage
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 46
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Control For Cameras (AREA)
- Shutters For Cameras (AREA)
- Shutter-Related Mechanisms (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を使用し
た所謂プログラムシヤツタにおける露出制御装置
に関する。
た所謂プログラムシヤツタにおける露出制御装置
に関する。
スチルカメラにおける露出制御は感光面に対し
て、その感度に対応して決定される量の光を与え
ることを目的とし、絞り羽根とシヤツタ羽根(シ
ヤツタ幕)を独立して備えるカメラの場合、絞り
値が指定されると被写界輝度に対応してシヤツタ
速度を制御し、逆にシヤツタ速度が指定されると
被写界輝度に対応して絞り値を制御することによ
り適正露出を与えることができる。
て、その感度に対応して決定される量の光を与え
ることを目的とし、絞り羽根とシヤツタ羽根(シ
ヤツタ幕)を独立して備えるカメラの場合、絞り
値が指定されると被写界輝度に対応してシヤツタ
速度を制御し、逆にシヤツタ速度が指定されると
被写界輝度に対応して絞り値を制御することによ
り適正露出を与えることができる。
しかしながらこの様な露出制御をするためには
絞り羽根とシヤツタ羽根〔又はシヤツタ幕〕及び
これらの駆動機構を各々独立して備える必要上、
機構部材が高価なものになるとともに、作画上に
及ぼす絞り効果やシヤツタ効果に関する専門的な
知識がなけれは折角の高価な機構を使いこなすこ
とができない。
絞り羽根とシヤツタ羽根〔又はシヤツタ幕〕及び
これらの駆動機構を各々独立して備える必要上、
機構部材が高価なものになるとともに、作画上に
及ぼす絞り効果やシヤツタ効果に関する専門的な
知識がなけれは折角の高価な機構を使いこなすこ
とができない。
そこで、従来より所謂コンパクトカメラの場合
は、絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を使用したプロ
グラムシヤツタを使用している。
は、絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を使用したプロ
グラムシヤツタを使用している。
該種のプログラムシヤツタでは露出動作の開始
と同時に絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を第6図に
示す様に直線近似に開口するとともに、これと連
動して受光素子に流れる光電流により積分回路の
充電を開始し、その積分値が所定のレベルに達し
たタイミングで絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を瞬
時に閉鎖して露出動作を終了する。従つて、被写
界輝度が低い時は積分値が所定のレベルに達する
までに要する時間が長くなるので、有効露出時間
も長くなるとともに口径も大きくなり、逆に被写
界輝度が高い時は積分値が所定のレベルに達する
までに要する時間が短くなるので、有効露出時間
も短くなるとともに口径も小さくなる。そして、
受光素子としては各種のものが知られているが、
特に低輝度領域における応答性が優れているため
近年ではSPDが広く使用されている。
と同時に絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を第6図に
示す様に直線近似に開口するとともに、これと連
動して受光素子に流れる光電流により積分回路の
充電を開始し、その積分値が所定のレベルに達し
たタイミングで絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を瞬
時に閉鎖して露出動作を終了する。従つて、被写
界輝度が低い時は積分値が所定のレベルに達する
までに要する時間が長くなるので、有効露出時間
も長くなるとともに口径も大きくなり、逆に被写
界輝度が高い時は積分値が所定のレベルに達する
までに要する時間が短くなるので、有効露出時間
も短くなるとともに口径も小さくなる。そして、
受光素子としては各種のものが知られているが、
特に低輝度領域における応答性が優れているため
近年ではSPDが広く使用されている。
ところで、このような絞り羽根兼用のシヤツタ
羽根を使用したプログラムシヤツタの場合、露出
量が露出時間に比例するのは開放口径に達した後
であり、開放口径以前の所謂三角領域ではシヤツ
タ羽根の開口に伴つて単位時間あたり露出量が
刻々と上昇するので、SPDの様にγ値(尚、γ
値とは受光素子の特性を示す数値の一つであり、
光起電性素子の場合光電流が被写界輝度のγ乗に
比例する場合のそのγの値をいう。)が1の素子
を使用する場合はシヤツタ羽根の開口とともに、
積分回路を充電するための光電流が増大する様に
しなければ適正な露出制御を行うことができな
い。
羽根を使用したプログラムシヤツタの場合、露出
量が露出時間に比例するのは開放口径に達した後
であり、開放口径以前の所謂三角領域ではシヤツ
タ羽根の開口に伴つて単位時間あたり露出量が
刻々と上昇するので、SPDの様にγ値(尚、γ
値とは受光素子の特性を示す数値の一つであり、
光起電性素子の場合光電流が被写界輝度のγ乗に
比例する場合のそのγの値をいう。)が1の素子
を使用する場合はシヤツタ羽根の開口とともに、
積分回路を充電するための光電流が増大する様に
しなければ適正な露出制御を行うことができな
い。
そこで、従来はシヤツタ羽根と連動して開閉動
作を行う副絞り羽根を受光素子の受光面の前方に
配置し、シヤツタ羽根の開口に連動して受光素子
の受光面積を増大させることにより、シヤツタ羽
根の開口に連動して光電流を増大させていた。
作を行う副絞り羽根を受光素子の受光面の前方に
配置し、シヤツタ羽根の開口に連動して受光素子
の受光面積を増大させることにより、シヤツタ羽
根の開口に連動して光電流を増大させていた。
しかしながらこの様に副絞り羽根を使用した場
合、シヤツタ機構の近傍に受光素子を配置する必
要から受光素子の配置個所に制約が多くなるとと
もに、副絞り羽根を形成する必要からシヤツタ羽
根自体の形状も大きくなるという問題が発生し、
特に大口径レンズの採用を妨げる原因の1つとも
なつていた。
合、シヤツタ機構の近傍に受光素子を配置する必
要から受光素子の配置個所に制約が多くなるとと
もに、副絞り羽根を形成する必要からシヤツタ羽
根自体の形状も大きくなるという問題が発生し、
特に大口径レンズの採用を妨げる原因の1つとも
なつていた。
本考案はこの様な問題点を解決するためになさ
れたものであり、副絞り羽根なしにシヤツタ羽根
の特性に適合させて露出制御用の積分回路の充電
電流を制御できる様にした新規な露出制御装置を
提供することを目的とする。
れたものであり、副絞り羽根なしにシヤツタ羽根
の特性に適合させて露出制御用の積分回路の充電
電流を制御できる様にした新規な露出制御装置を
提供することを目的とする。
要約すれば、本考案の露出制御装置は、被写界
輝度に対応して決定されるレベルを電流供給レベ
ルとしてコンデンサの充電電流を制御し、該コン
デンサの充電レベルが所定のレベルに達したタイ
ミングにおいて絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を閉
鎖するようにしたプログラムシヤツタの露出制御
装置において、前記絞り羽根兼用のシヤツタ羽根
の開口に連動して増大するレベルを前記電流供給
レベルに重畳し、前記充電電流が前記絞り羽根兼
用のシヤツタ羽根の開口特性に近似する様になさ
れている。
輝度に対応して決定されるレベルを電流供給レベ
ルとしてコンデンサの充電電流を制御し、該コン
デンサの充電レベルが所定のレベルに達したタイ
ミングにおいて絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を閉
鎖するようにしたプログラムシヤツタの露出制御
装置において、前記絞り羽根兼用のシヤツタ羽根
の開口に連動して増大するレベルを前記電流供給
レベルに重畳し、前記充電電流が前記絞り羽根兼
用のシヤツタ羽根の開口特性に近似する様になさ
れている。
従つて本考案によれば、露出動作のどの時点に
おいても、感光面に対する露出量の積分値と前記
コンデンサに対する充電電流の積分値とが近似す
ることになり、正確な露出制御をすることが可能
になる。
おいても、感光面に対する露出量の積分値と前記
コンデンサに対する充電電流の積分値とが近似す
ることになり、正確な露出制御をすることが可能
になる。
以下図面を参照して本考案の1実施例を詳細に
説明する。
説明する。
本考案は絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を具備す
るプログラムシヤツタに適用されるものであり、
先ず、絞り羽根を兼用するシヤツタ羽根を有する
プログラムシヤツタの基本的な構成例を第1図に
示す。
るプログラムシヤツタに適用されるものであり、
先ず、絞り羽根を兼用するシヤツタ羽根を有する
プログラムシヤツタの基本的な構成例を第1図に
示す。
第1図において1及び2は各々絞り羽根を兼用
したシヤツタ羽根を示し、シヤツタ羽根1及び2
は各々軸1a及び2aに回動自在に枢支されてい
る。又、3は光軸を中心にして回動自在に保持さ
れた羽根開閉リングを示し、羽根開閉リング3は
スプリング4によつて常時反時計廻りに付勢さ
れ、羽根開閉リング3に植設されたピン3a,3
bは各々シヤツタ羽根1,2に形成された長溝1
b,2bと係合している。又、5は羽根開閉レバ
ー3を時計廻りに回動させるためのアクチユエー
タの1例であるソレノイドを示す。
したシヤツタ羽根を示し、シヤツタ羽根1及び2
は各々軸1a及び2aに回動自在に枢支されてい
る。又、3は光軸を中心にして回動自在に保持さ
れた羽根開閉リングを示し、羽根開閉リング3は
スプリング4によつて常時反時計廻りに付勢さ
れ、羽根開閉リング3に植設されたピン3a,3
bは各々シヤツタ羽根1,2に形成された長溝1
b,2bと係合している。又、5は羽根開閉レバ
ー3を時計廻りに回動させるためのアクチユエー
タの1例であるソレノイドを示す。
そして、その作用を説明すると、先ず、初期状
態においてソレノイド5は消磁されており、羽根
開閉リング3はスプリング4によつて反時計廻り
に付勢されている。従つて、羽根開閉リング3は
爪3cがストツパ6に当接した位置で停止してお
り、シヤツタ羽根1,2はアパーチユア7を閉じ
ている。
態においてソレノイド5は消磁されており、羽根
開閉リング3はスプリング4によつて反時計廻り
に付勢されている。従つて、羽根開閉リング3は
爪3cがストツパ6に当接した位置で停止してお
り、シヤツタ羽根1,2はアパーチユア7を閉じ
ている。
この状態でソレノイド5を励磁すると、羽根開
閉リング3はピン3a,3bが長溝1b,2bを
係止したまま、スプリング4の張力に抗して時計
廻りに回動するので、シヤツタ羽根1,2は各々
軸1a,2aを中心にして時計廻りに回動してア
パーチユア7を徐々に開口してゆき、羽根開閉リ
ング3の爪3dがストツパ6に当接した時点でア
パーチユア7は開放口径になる。そして適正露出
が得られたタイミングにおいてソレノイド5を消
磁すれば、羽根開閉リング3はスプリング4の張
力によつて反時計廻りに回動して、シヤツタ羽根
1,2はアパーチユア7を閉じて露出動作を終了
する。
閉リング3はピン3a,3bが長溝1b,2bを
係止したまま、スプリング4の張力に抗して時計
廻りに回動するので、シヤツタ羽根1,2は各々
軸1a,2aを中心にして時計廻りに回動してア
パーチユア7を徐々に開口してゆき、羽根開閉リ
ング3の爪3dがストツパ6に当接した時点でア
パーチユア7は開放口径になる。そして適正露出
が得られたタイミングにおいてソレノイド5を消
磁すれば、羽根開閉リング3はスプリング4の張
力によつて反時計廻りに回動して、シヤツタ羽根
1,2はアパーチユア7を閉じて露出動作を終了
する。
尚、22は開口動作を検出するためのスイツチ
であり、スイツチ22は羽根開閉リング3が時計
廻りに回動することによつてメークする。
であり、スイツチ22は羽根開閉リング3が時計
廻りに回動することによつてメークする。
この様なシヤツタ機構において、シヤツタ羽根
1,2はソレノイド5の付勢力により第6図に示
す様に直線近似に開口するので、開放口径に達す
るでの所謂三角領域ではシヤツタ羽根1,2の開
口特性に合わせて露出制御用積分回路の充電電流
を補正して、露出制御用積分回路の充電特性をシ
ヤツタ羽根1,2の開口特性に適合させることが
要求される。
1,2はソレノイド5の付勢力により第6図に示
す様に直線近似に開口するので、開放口径に達す
るでの所謂三角領域ではシヤツタ羽根1,2の開
口特性に合わせて露出制御用積分回路の充電電流
を補正して、露出制御用積分回路の充電特性をシ
ヤツタ羽根1,2の開口特性に適合させることが
要求される。
第2図は本考案の1実施例を示す回路図であ
り、積分回路の充電特性をシヤツタ羽根1,2の
開口特性に適合させることができる様になされて
いる。
り、積分回路の充電特性をシヤツタ羽根1,2の
開口特性に適合させることができる様になされて
いる。
先ず、第2図において、10は受光素子の1例
であるSPDを示し、SPD10は被写界に正対し
て配置される。SPD10は、そのカソード側を
オペアンプ11の反転入力端子に、そのアノード
側をオペアンプ11の非反転入力端子に接続さ
れ、オペアンプ11の出力はログダイオード12
を介してオペアンプ11の反転入力にフイードバ
ツクされている。そして、SPD10に被写界輝
度に対応した光が入射すると、SPD10には被
写界輝度に対応した光電流がログダイオード12
を介して逆方向に流れ、ログダイオード12の両
端子間には光電流に対応した電圧降下V2が発生
する。
であるSPDを示し、SPD10は被写界に正対し
て配置される。SPD10は、そのカソード側を
オペアンプ11の反転入力端子に、そのアノード
側をオペアンプ11の非反転入力端子に接続さ
れ、オペアンプ11の出力はログダイオード12
を介してオペアンプ11の反転入力にフイードバ
ツクされている。そして、SPD10に被写界輝
度に対応した光が入射すると、SPD10には被
写界輝度に対応した光電流がログダイオード12
を介して逆方向に流れ、ログダイオード12の両
端子間には光電流に対応した電圧降下V2が発生
する。
従つて、オペアンプ11の入力レベルをV1と
すると、オペアンプ11の出力には入力レベル
V1にログダイオード12による電圧降下V2を重
畳したレベルが導かれる。
すると、オペアンプ11の出力には入力レベル
V1にログダイオード12による電圧降下V2を重
畳したレベルが導かれる。
そしてオペアンプ11の出力は電源−グランド
間にコンデンサ13と直列接続された対数伸長用
のトランジスタTR1のベースに接続されており、
オペアンプ11の出力レベルを電流供給レベルと
してトランジスタTR1のベース−エミツタ間電流
が制御され、トランジスタTR1のコレクタ−エミ
ツタ間電流によりコンデンサ13が充電される様
になされている。
間にコンデンサ13と直列接続された対数伸長用
のトランジスタTR1のベースに接続されており、
オペアンプ11の出力レベルを電流供給レベルと
してトランジスタTR1のベース−エミツタ間電流
が制御され、トランジスタTR1のコレクタ−エミ
ツタ間電流によりコンデンサ13が充電される様
になされている。
又、コンデンサ13の充電レベルはコンパレー
タ14の非反転入力に加えられ、コンパレータ1
4の反転入力には基準レベルが加えられるととも
に、コンパレータ14の出力は抵抗R1を介して
第1図にも示した駆動用のソレノイド5と電源−
グランド間に直列接続されたトランジスタTR2の
ベースに接続されている。
タ14の非反転入力に加えられ、コンパレータ1
4の反転入力には基準レベルが加えられるととも
に、コンパレータ14の出力は抵抗R1を介して
第1図にも示した駆動用のソレノイド5と電源−
グランド間に直列接続されたトランジスタTR2の
ベースに接続されている。
尚、コンデンサ13と並列接続されたトランジ
スタTR3はコンデンサ13を短絡するためのもで
あり、トランジスタTR3が遮断されることにより
コンデンサ13の充電動作が開始される。
スタTR3はコンデンサ13を短絡するためのもで
あり、トランジスタTR3が遮断されることにより
コンデンサ13の充電動作が開始される。
従つて、トランジスタTR3が遮断されてコンデ
ンサ13の充電が開始され、コンデンサ13の充
電レベルがコンパレータ14の反転入力に加えら
れている基準レベルVrefよりも低下すると、コ
ンパレータ14の出力はローレベルになり、トラ
ンジスタTR2が遮断されてソレノイド5が消磁さ
れるので、羽根開閉リング3はスプリング4の張
力により反時計廻りに回動し、シヤツタ羽根1,
2も反時計廻りに回動して露出動作が終了する様
になされている。
ンサ13の充電が開始され、コンデンサ13の充
電レベルがコンパレータ14の反転入力に加えら
れている基準レベルVrefよりも低下すると、コ
ンパレータ14の出力はローレベルになり、トラ
ンジスタTR2が遮断されてソレノイド5が消磁さ
れるので、羽根開閉リング3はスプリング4の張
力により反時計廻りに回動し、シヤツタ羽根1,
2も反時計廻りに回動して露出動作が終了する様
になされている。
該種基本構造の露出制御装置において、コンデ
ンサ13はトランジスタTR1のコレクタ−エミツ
タ間電流により充電され、トランジスタTR1のコ
レクタ−エミツタ間電流はオペアンプ11の出力
レベルを電流供給レベルとして制御される。
ンサ13はトランジスタTR1のコレクタ−エミツ
タ間電流により充電され、トランジスタTR1のコ
レクタ−エミツタ間電流はオペアンプ11の出力
レベルを電流供給レベルとして制御される。
そしてオペアンプ11の出力はSPD10に流
れる光電流によるログダイオード12の電圧降下
V2にオペアンプ11の入力電圧V1を重畳したも
のとなるので、シヤツタ羽根1,2の開口特性に
適合させて、オペアンプ11に対する入力電圧
V1を決定すれば、コンデンサ13の充電電流を
シヤツタ羽根1,2の開口特性に適合させること
が可能になる。
れる光電流によるログダイオード12の電圧降下
V2にオペアンプ11の入力電圧V1を重畳したも
のとなるので、シヤツタ羽根1,2の開口特性に
適合させて、オペアンプ11に対する入力電圧
V1を決定すれば、コンデンサ13の充電電流を
シヤツタ羽根1,2の開口特性に適合させること
が可能になる。
そこで、本実施例では絞り羽根兼用のシヤツタ
羽根1,2の開口に連動して、オペアンプ11に
対する入力電圧V1を上昇せしめ、トランジスタ
TR1に流れるコンデンサ13の充電電流がシヤツ
タ羽根1,2の開口特性に近似したものになる様
にしている。
羽根1,2の開口に連動して、オペアンプ11に
対する入力電圧V1を上昇せしめ、トランジスタ
TR1に流れるコンデンサ13の充電電流がシヤツ
タ羽根1,2の開口特性に近似したものになる様
にしている。
先ず、第2図においてオペアンプ11の入力に
はゲイン1のバツフア15の出力が加えられ、バ
ツフア15の非反転入力レベルはコンデンサ16
の充電レベルにより決定される。そして、このコ
ンデンサ16はバイパス用の可変抵抗17及びス
イツチング用のトランジスタTR4と並列に接続さ
れ、この並列回路には定電流源18から電流が供
給される様になされている。
はゲイン1のバツフア15の出力が加えられ、バ
ツフア15の非反転入力レベルはコンデンサ16
の充電レベルにより決定される。そして、このコ
ンデンサ16はバイパス用の可変抵抗17及びス
イツチング用のトランジスタTR4と並列に接続さ
れ、この並列回路には定電流源18から電流が供
給される様になされている。
その動作の概要を説明すれば、シヤツタ羽根
1,2の開口に連動して初期電荷0の状態からコ
ンデンサ16の充電がなされ、コンデンサ16の
充電レベルがバツフア15を介してオペアンプ1
1に加えられてトランジスタTR1の電流供給レベ
ルを決定し、トランジスタTR1による対数伸長に
よりコンデンサ13の充電電流をシヤツタ羽根
1,2の開口特性に近似させることができる様に
なされている。
1,2の開口に連動して初期電荷0の状態からコ
ンデンサ16の充電がなされ、コンデンサ16の
充電レベルがバツフア15を介してオペアンプ1
1に加えられてトランジスタTR1の電流供給レベ
ルを決定し、トランジスタTR1による対数伸長に
よりコンデンサ13の充電電流をシヤツタ羽根
1,2の開口特性に近似させることができる様に
なされている。
尚、19はシヤツタレリーズ動作に連動したス
イツチであり、撮影者のシヤツタストローク等に
よつてメークしてソレノイド5を励磁するための
ものである。又、23はトランジスタTR4及びト
ランジスタTR5のベースレベルを決定してトラン
ジスタTR4及びトランジスタTR5にスイツチング
動作をさせるためのフリツプフロツプであり、フ
リツプフロツプ23は常時はパワークリア信号
PUCによつてクリアされているが、羽根開閉リ
ング3の時計廻りの回動に連動してスイツチ22
がメークすることによりセツトされてトランジス
タTR4及びトランジスタTR5を遮断する様になさ
れている。
イツチであり、撮影者のシヤツタストローク等に
よつてメークしてソレノイド5を励磁するための
ものである。又、23はトランジスタTR4及びト
ランジスタTR5のベースレベルを決定してトラン
ジスタTR4及びトランジスタTR5にスイツチング
動作をさせるためのフリツプフロツプであり、フ
リツプフロツプ23は常時はパワークリア信号
PUCによつてクリアされているが、羽根開閉リ
ング3の時計廻りの回動に連動してスイツチ22
がメークすることによりセツトされてトランジス
タTR4及びトランジスタTR5を遮断する様になさ
れている。
次ぎに上記事項を参照して、本実施例の動作を
説明しよう。
説明しよう。
先ず、初期状態においてスイツチ22はブレー
クしており、フリツプフロツプ23の出力はハ
イレベルにあるので、トランジスタTR4及びトラ
ンジスタTR5はそのベースを各々抵抗20及び抵
抗21を介してプルアツプされ、導通している。
そして、トランジスタTR4が導通することにより
コンデンサ16は短絡されて初期電荷が0の状態
にあり、又、トランジスタTR5が導通することに
よりトランジスタTR3も導通し、コンデンサ13
の端子レベルは電源レベルになつている。
クしており、フリツプフロツプ23の出力はハ
イレベルにあるので、トランジスタTR4及びトラ
ンジスタTR5はそのベースを各々抵抗20及び抵
抗21を介してプルアツプされ、導通している。
そして、トランジスタTR4が導通することにより
コンデンサ16は短絡されて初期電荷が0の状態
にあり、又、トランジスタTR5が導通することに
よりトランジスタTR3も導通し、コンデンサ13
の端子レベルは電源レベルになつている。
同時に初期状態ではスイツチ19もブレークし
て、ソレノイド5は消磁されているので、第1図
における羽根開閉リング3はスプリング4の張力
によつて反時計廻りに付勢されて、爪3cがスト
ツパ6に当接した位置で停止しており、シヤツタ
羽根1,2はアパーチユア7を閉じている。
て、ソレノイド5は消磁されているので、第1図
における羽根開閉リング3はスプリング4の張力
によつて反時計廻りに付勢されて、爪3cがスト
ツパ6に当接した位置で停止しており、シヤツタ
羽根1,2はアパーチユア7を閉じている。
今、この状態で撮影者がシヤツタボタンを押す
とスイツチ19はメークする。そしてこの時点に
おいてコンデンサ13の端子レベルは電源レベル
にあるので、コンパレータ14の出力はハイレベ
ルにあり、トランジスタTR2は導通してソレノイ
ド5は励磁される。
とスイツチ19はメークする。そしてこの時点に
おいてコンデンサ13の端子レベルは電源レベル
にあるので、コンパレータ14の出力はハイレベ
ルにあり、トランジスタTR2は導通してソレノイ
ド5は励磁される。
この様にしてソレノイド5が励磁されると、羽
根開閉リング3はスプリング4の張力に抗して時
計廻りに回動し、シヤツタ羽根1,2を軸1a,
2aを中心に時計廻りに回動させるので、アパー
チユア7は開口してゆく。
根開閉リング3はスプリング4の張力に抗して時
計廻りに回動し、シヤツタ羽根1,2を軸1a,
2aを中心に時計廻りに回動させるので、アパー
チユア7は開口してゆく。
そしてアパーチユア7の開口に伴つてフイルム
面に対して露出が与えられるが、この時アパーチ
ユア7は第6図に示す様な直線近似の特性で開口
するので、単位時間あたりの露出量は開放口径に
達するまでは時間経過とともに増大してゆき、開
放口径に達した後は単位時間あたりの露出量は被
写界輝度が一定である限り一定になる。
面に対して露出が与えられるが、この時アパーチ
ユア7は第6図に示す様な直線近似の特性で開口
するので、単位時間あたりの露出量は開放口径に
達するまでは時間経過とともに増大してゆき、開
放口径に達した後は単位時間あたりの露出量は被
写界輝度が一定である限り一定になる。
又、羽根開閉リング3の時計廻りの回動に伴つ
てスイツチ22はメークしてフリツプフロツプ2
3をセツトするのでフリツプフロツプ23の出
力はローレベルになる。従つて、トランジスタ
TR4及びトランジスタTR5は、各々ベースがグラ
ンドに落ち、遮断される。
てスイツチ22はメークしてフリツプフロツプ2
3をセツトするのでフリツプフロツプ23の出
力はローレベルになる。従つて、トランジスタ
TR4及びトランジスタTR5は、各々ベースがグラ
ンドに落ち、遮断される。
先ず、トランジスタTR5が遮断されると、トラ
ンジスタTR3もベースがハイレベルになつて遮断
され、コンデンサ13の充電が可能になる。そし
てSPD10の受光面は常に開口状態であるので、
SPD10には被写界輝度に対応した光電流がロ
グダイオード12を介して流れ、オペアンプ11
の出力にはこの光電流によるログダイオード12
の電圧降下V2とオペアンプ11の入力電圧V1を
重畳したレベルが導かれ、このオペアンプ11の
出力レベルを電流供給レベルとしてトランジスタ
TR1にはコレクタ−エミツタ間電流が流れ、この
コレクタ−エミツタ間電流によりコンデンサ13
は充電されてゆく。
ンジスタTR3もベースがハイレベルになつて遮断
され、コンデンサ13の充電が可能になる。そし
てSPD10の受光面は常に開口状態であるので、
SPD10には被写界輝度に対応した光電流がロ
グダイオード12を介して流れ、オペアンプ11
の出力にはこの光電流によるログダイオード12
の電圧降下V2とオペアンプ11の入力電圧V1を
重畳したレベルが導かれ、このオペアンプ11の
出力レベルを電流供給レベルとしてトランジスタ
TR1にはコレクタ−エミツタ間電流が流れ、この
コレクタ−エミツタ間電流によりコンデンサ13
は充電されてゆく。
一方、トランジスタTR4が遮断されると、コン
デンサ16は定電流源18による充電を開始さ
れ、その充電レベルが上昇してゆくが、コンデン
サ16の充電レベルの上昇に伴い可変抵抗17の
端子間電圧も上昇し、定電流源18から供給され
る電流の内可変抵抗17に流れる成分が上昇する
ので、コンデンサ16に注入される単位時間あた
りの電荷量はコンデンサ16の充電レベルの上昇
に伴つて減少し、コンデンサ16の充電レベルの
上昇速度はコンデンサ16の充電レベルの上昇に
伴つて減少してゆく。そしてコンデンサ16の充
電レベルがある値に達すると、可変抵抗17に加
わる電圧によつて可変抵抗17から流出する電流
量と定電流源18から供給される電流量とが一致
し、その時点でコンデンサ16の充電レベルは安
定する。
デンサ16は定電流源18による充電を開始さ
れ、その充電レベルが上昇してゆくが、コンデン
サ16の充電レベルの上昇に伴い可変抵抗17の
端子間電圧も上昇し、定電流源18から供給され
る電流の内可変抵抗17に流れる成分が上昇する
ので、コンデンサ16に注入される単位時間あた
りの電荷量はコンデンサ16の充電レベルの上昇
に伴つて減少し、コンデンサ16の充電レベルの
上昇速度はコンデンサ16の充電レベルの上昇に
伴つて減少してゆく。そしてコンデンサ16の充
電レベルがある値に達すると、可変抵抗17に加
わる電圧によつて可変抵抗17から流出する電流
量と定電流源18から供給される電流量とが一致
し、その時点でコンデンサ16の充電レベルは安
定する。
このコンデンサ16の充電レベルはバツフア1
5を介してオペアンプ11の入力に加えられるの
で、オペアンプ11の入力レベルは第3図に示す
様なカーブを描く。そして既述の通りオペアンプ
11の出力にはその入力電圧V1に被写界輝度に
対応して決定されるログダイオード12の電圧降
下分V2を重畳したレベルが導かれ、トランジス
タTR1の電流供給レベルを決定する。
5を介してオペアンプ11の入力に加えられるの
で、オペアンプ11の入力レベルは第3図に示す
様なカーブを描く。そして既述の通りオペアンプ
11の出力にはその入力電圧V1に被写界輝度に
対応して決定されるログダイオード12の電圧降
下分V2を重畳したレベルが導かれ、トランジス
タTR1の電流供給レベルを決定する。
そしてトランジスタTR1はこれを対数伸長する
ので、トランジスタTR1のコレクタ−エミツタ間
電流は第4図に示す様なカーブを描き、第6図に
示すシヤツタ羽根1,2の開口特性と近似したも
のとなる。
ので、トランジスタTR1のコレクタ−エミツタ間
電流は第4図に示す様なカーブを描き、第6図に
示すシヤツタ羽根1,2の開口特性と近似したも
のとなる。
コンデンサ13はトランジスタTR1のコレクタ
−エミツタ間電流によつて充電されるので、コン
デンサ13の充電レベルは第5図に示す様なカー
ブを描く。そしてコンデンサ13の充電レベルが
コンパレータ14の反転入力に加えられている基
準レベルVrefよりも低下したタイミングにおい
てコンパレータ14の出力はローレベルになつて
トランジスタTR2が遮断されるので、ソレノイド
5は消磁され、第1図における羽根開閉リング3
はスプリング4の張力によつて反時計廻りに回動
してシヤツタ羽根1,2はアパーチユア7を閉
じ、露出動作を終了する。
−エミツタ間電流によつて充電されるので、コン
デンサ13の充電レベルは第5図に示す様なカー
ブを描く。そしてコンデンサ13の充電レベルが
コンパレータ14の反転入力に加えられている基
準レベルVrefよりも低下したタイミングにおい
てコンパレータ14の出力はローレベルになつて
トランジスタTR2が遮断されるので、ソレノイド
5は消磁され、第1図における羽根開閉リング3
はスプリング4の張力によつて反時計廻りに回動
してシヤツタ羽根1,2はアパーチユア7を閉
じ、露出動作を終了する。
既に説明した様に、フイルム面に対する露出は
アパーチユア7を通過した光量の積分値であり、
ある時点においてアパーチユア7を通過する光量
はシヤツタ羽根1,2の開口特性によつて決定さ
れる。一方、コンデンサ13の充電レベルはコン
デンサ13に対する充電電流の積分値であるの
で、上記の様にコンデンサ13に対する充電電流
をシヤツタ羽根1,2の開口特性に近似させれ
ば、ある時点におけるフイルム面に対する露出量
の積分値とコンデンサ13の充電レベルとは対応
し、コンデンサ13の充電レベルが所定の値に達
した時に露出動作を終了すれば被写界輝度の高低
にかかわらずフイルム面に対して一定の露出を与
えることができる。
アパーチユア7を通過した光量の積分値であり、
ある時点においてアパーチユア7を通過する光量
はシヤツタ羽根1,2の開口特性によつて決定さ
れる。一方、コンデンサ13の充電レベルはコン
デンサ13に対する充電電流の積分値であるの
で、上記の様にコンデンサ13に対する充電電流
をシヤツタ羽根1,2の開口特性に近似させれ
ば、ある時点におけるフイルム面に対する露出量
の積分値とコンデンサ13の充電レベルとは対応
し、コンデンサ13の充電レベルが所定の値に達
した時に露出動作を終了すれば被写界輝度の高低
にかかわらずフイルム面に対して一定の露出を与
えることができる。
尚、フイルム感度が変更された場合、要求され
る露出量が変動するが、この場合は可変抵抗17
をフイルム感度に応じて調整することにより、或
いは定電流源18の電流値を変動させることによ
り容易に対応できる。
る露出量が変動するが、この場合は可変抵抗17
をフイルム感度に応じて調整することにより、或
いは定電流源18の電流値を変動させることによ
り容易に対応できる。
又、シヤツタ羽根1,2の開口特性を安定させ
る必要がある時は駆動用の機構部材にガバナ等を
付加すればよい。
る必要がある時は駆動用の機構部材にガバナ等を
付加すればよい。
以上説明した様に本考案によれば、絞り羽根兼
用のシヤツタ羽根の開口特性に露出制御用の積分
回路の充電電流を近似させることができるので、
副絞り羽根等の光電流を機構的に変動させる部材
を設けなくとも、露出動作のどの時点において
も、感光面に対する露出量の積分値と前記コンデ
ンサに対する充電電流の積分値とを近似させるこ
とが可能になり、正確な露出制御をすることが可
能になる。
用のシヤツタ羽根の開口特性に露出制御用の積分
回路の充電電流を近似させることができるので、
副絞り羽根等の光電流を機構的に変動させる部材
を設けなくとも、露出動作のどの時点において
も、感光面に対する露出量の積分値と前記コンデ
ンサに対する充電電流の積分値とを近似させるこ
とが可能になり、正確な露出制御をすることが可
能になる。
又、この様に副絞り羽根が不用になることによ
つて受光素子の配設箇所に制限がなくなるととも
に、撮影レンズの画角に適合させて受光素子の受
光角を設定することも容易になり、より適正な露
出制御が可能になる。
つて受光素子の配設箇所に制限がなくなるととも
に、撮影レンズの画角に適合させて受光素子の受
光角を設定することも容易になり、より適正な露
出制御が可能になる。
更に、副絞り羽根が不用になることによりシヤ
ツタ羽根やアパーチユアの有効面積を大きくする
ことが容易になり、大口径レンズの採用も容易に
なる。
ツタ羽根やアパーチユアの有効面積を大きくする
ことが容易になり、大口径レンズの採用も容易に
なる。
第1図は絞り羽根兼用のシヤツタ羽根を使用し
たプログラムシヤツタの一例を示す機構図、第2
図は本考案の1実施例を示す回路図、第3図は受
光素子に連動したオペアンプの入力電圧の経時的
変化を示す特性図、第4図は露出制御用の積分回
路の充電電流の経時的変化を示す特性図、第5図
は露出制御用の積分回路の充電レベルの経時的変
化を示す特性図、第6図は絞り羽根兼用のシヤツ
タ羽根を使用したプログラムシヤツタの経時的口
径変化を示す特性図。 1,2……シヤツタ羽根、5……ソレノイド、
7……アパーチユア、10……受光素子、11…
…オペアンプ、12……ログダイオード、13…
…コンデンサ、14……コンパレータ、15……
バツフア、16……コンデンサ、17……可変抵
抗、18……定電流源、TR1,TR2,TR3、
TR4,TR5……トランジスタ。
たプログラムシヤツタの一例を示す機構図、第2
図は本考案の1実施例を示す回路図、第3図は受
光素子に連動したオペアンプの入力電圧の経時的
変化を示す特性図、第4図は露出制御用の積分回
路の充電電流の経時的変化を示す特性図、第5図
は露出制御用の積分回路の充電レベルの経時的変
化を示す特性図、第6図は絞り羽根兼用のシヤツ
タ羽根を使用したプログラムシヤツタの経時的口
径変化を示す特性図。 1,2……シヤツタ羽根、5……ソレノイド、
7……アパーチユア、10……受光素子、11…
…オペアンプ、12……ログダイオード、13…
…コンデンサ、14……コンパレータ、15……
バツフア、16……コンデンサ、17……可変抵
抗、18……定電流源、TR1,TR2,TR3、
TR4,TR5……トランジスタ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 被写界光を受光する受光素子と、 被写界輝度に対応して前記受光素子に流れる光
電流を対数圧縮し、この対数圧縮により得られた
電圧をバイアス電圧に重畳して出力する増幅手段
と、 該増幅手段の出力電圧を対数伸長する対数伸長
手段と、 該対数伸長手段から供給される電流を絞り羽根
兼用のシヤツタ羽根の開口動作に連動して積算す
る受光量積算手段と、 該受光量積算手段の出力電圧を基準電圧と比較
して両者が一致したタイミングで前記絞り羽根兼
用のシヤツタ羽根を閉鎖させる閉鎖信号を発生す
る比較手段とを備えるプログラムシヤツタの露出
制御装置において、 コンデンサと抵抗との並列回路、該並列回路に
前記絞り羽根兼用のシヤツタ羽根の開口動作に連
動して定電流を供給する定電流源回路及び前記コ
ンデンサの端子電圧を前記増幅手段のバイアス電
圧として印加する電圧出力回路とを含むバイアス
電圧発生回路を具備し、前記コンデンサの端子電
圧に起因して前記抵抗に流れる電流が前記定電流
源回路の供給電流と実質的に等しくなるのに要す
る時間を前記絞り羽根兼用のシヤツタ羽根が全開
になるのに要する時間と実質的に等しくなる様に
したことを特徴とする露出制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1184385U JPH0435863Y2 (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1184385U JPH0435863Y2 (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128624U JPS61128624U (ja) | 1986-08-12 |
| JPH0435863Y2 true JPH0435863Y2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=30494345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1184385U Expired JPH0435863Y2 (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435863Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP1184385U patent/JPH0435863Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61128624U (ja) | 1986-08-12 |
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