JPH0436035Y2 - - Google Patents
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- JPH0436035Y2 JPH0436035Y2 JP20317086U JP20317086U JPH0436035Y2 JP H0436035 Y2 JPH0436035 Y2 JP H0436035Y2 JP 20317086 U JP20317086 U JP 20317086U JP 20317086 U JP20317086 U JP 20317086U JP H0436035 Y2 JPH0436035 Y2 JP H0436035Y2
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- JP
- Japan
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- melting point
- point metal
- metal body
- low melting
- temperature fuse
- Prior art date
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- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は基板型温度ヒユーズの改良に関するも
のである。
のである。
（従来の技術）
基板型温度ヒユーズ、はセラミツクス板等の耐
熱性絶縁基板の片面上に一対の電極を設け、電極
間に低融点金属体を橋設し、低融点金属体上にフ
ラツクス層を設け、絶縁基板片面の全面上に絶縁
層、例えばエポキシ樹脂モールド層を被覆した構
成である。
熱性絶縁基板の片面上に一対の電極を設け、電極
間に低融点金属体を橋設し、低融点金属体上にフ
ラツクス層を設け、絶縁基板片面の全面上に絶縁
層、例えばエポキシ樹脂モールド層を被覆した構
成である。
而して、その使用要領は、保護すべき電気機器
に添着し、その機器が過電流により異常発熱する
と、その発生熱を受熱して低融点金属体が溶融
し、この溶融低融点金属が既に溶融したフラツク
スとの共存下、その表面張力によつて球状化分断
し、その分断によつて機器への共電を遮断するこ
とにある。
に添着し、その機器が過電流により異常発熱する
と、その発生熱を受熱して低融点金属体が溶融
し、この溶融低融点金属が既に溶融したフラツク
スとの共存下、その表面張力によつて球状化分断
し、その分断によつて機器への共電を遮断するこ
とにある。
（解決しようとする問題点）
しかしながら、この作動時、フラツクスの溶融
熱膨張による過大な内圧発生があり、この内圧の
ために絶縁層と絶縁基板との界面が剥離し、溶融
低融点金属が絶縁基板の周縁から漏出し、この漏
出金属が周囲に飛散して温度ヒユーズ近傍の回路
部分までもが損傷を受けるような危険性がある。
熱膨張による過大な内圧発生があり、この内圧の
ために絶縁層と絶縁基板との界面が剥離し、溶融
低融点金属が絶縁基板の周縁から漏出し、この漏
出金属が周囲に飛散して温度ヒユーズ近傍の回路
部分までもが損傷を受けるような危険性がある。
本考案の目的は、かかる溶融低融点金属の漏出
を充分に軽減できる基板型温度ヒユーズを提供す
ることにある。
を充分に軽減できる基板型温度ヒユーズを提供す
ることにある。
（問題点を解決するための手段）
本考案に係る基板型温度ヒユーズは、絶縁基板
の片面上に一対の電極を設け、電極間に低融点金
属体を橋設し、低融点金属体上にフラツクス層を
設けた温度ヒユーズにおいて、上記低融点金属体
端を接合せる電極部分の近傍の絶縁基板箇所に上
記低融点金属体の溶融物に対する流動阻止凹部を
設けたことを特徴とする構成である。
の片面上に一対の電極を設け、電極間に低融点金
属体を橋設し、低融点金属体上にフラツクス層を
設けた温度ヒユーズにおいて、上記低融点金属体
端を接合せる電極部分の近傍の絶縁基板箇所に上
記低融点金属体の溶融物に対する流動阻止凹部を
設けたことを特徴とする構成である。
（実施例）
以下、図面により本考案を説明する。
第１図は本考案に係る基板型温度ヒユーズを示
す上面説明図、第２図は第１図における−断
面説明図である。
す上面説明図、第２図は第１図における−断
面説明図である。
第１図並びに第２図において、１は耐熱性に秀
れた絶縁基板であり、通常、セラミツクス板を用
いる、２，２はセラミツクス板の片面上に設けた
一対の電極であり、導電性ペースト（銅・銀等の
金属粒子のガラスフリツトとの混合物）の印刷・
焼付けによつて形成できる。３，３は各電極に接
続したリード線である。４は電極間に橋設した低
融点金属体であり、低融点金属体と電極との間は
溶接により接合してある。この接合箇所Ｊ，Ｊは
電極先端から50μm〜２mm好ましくは0.2mm〜１mm
隔てた位置に設けてあり、２０，２０は電極先端
部を示している。５，５は上記接合箇所近傍のセ
ラミツクス板箇所に設けた凹部であり、電極にほ
ぼ平行であり、その長さは低融点金属体４の巾
ｄの２〜４倍である。この凹部５，５はレーザー
照射により設けることができ、この場合、その凹
部の形状は励起パルスの周期に基づく間隔の多数
孔となり、通常孔間隔は約200μm、孔深さは約
300μm、孔径は約100μmである。６は低融点金属
体上に設けたフラツクス層であり、通常、ロジン
を主成分とする組成物を用いる。上記した凹部に
はこのフラツクスを充填してある。７はセラミツ
クス板片面の全面上に被覆した硬化性樹脂の絶縁
層であり、例えば、過熱硬化性エポキシ樹脂のモ
ールド被覆を使用できる。
れた絶縁基板であり、通常、セラミツクス板を用
いる、２，２はセラミツクス板の片面上に設けた
一対の電極であり、導電性ペースト（銅・銀等の
金属粒子のガラスフリツトとの混合物）の印刷・
焼付けによつて形成できる。３，３は各電極に接
続したリード線である。４は電極間に橋設した低
融点金属体であり、低融点金属体と電極との間は
溶接により接合してある。この接合箇所Ｊ，Ｊは
電極先端から50μm〜２mm好ましくは0.2mm〜１mm
隔てた位置に設けてあり、２０，２０は電極先端
部を示している。５，５は上記接合箇所近傍のセ
ラミツクス板箇所に設けた凹部であり、電極にほ
ぼ平行であり、その長さは低融点金属体４の巾
ｄの２〜４倍である。この凹部５，５はレーザー
照射により設けることができ、この場合、その凹
部の形状は励起パルスの周期に基づく間隔の多数
孔となり、通常孔間隔は約200μm、孔深さは約
300μm、孔径は約100μmである。６は低融点金属
体上に設けたフラツクス層であり、通常、ロジン
を主成分とする組成物を用いる。上記した凹部に
はこのフラツクスを充填してある。７はセラミツ
クス板片面の全面上に被覆した硬化性樹脂の絶縁
層であり、例えば、過熱硬化性エポキシ樹脂のモ
ールド被覆を使用できる。
上記基板型温度ヒユーズは保護すべき電気機器
に添着して使用する。而して、機器の異常発熱に
よりフラツクス層並びに低融点金属体が溶融し、
フラツクスの熱膨張のために内圧が発生し、特
に、フラツクス層端部にはエツジ効果のために大
なる内圧が発生し、溶融した低融点金属体がその
端部を起点としてセラミツクス板縁端に向かつて
流出しようとする。しかしながら、溶融した低融
点金属体の電極に対する凝結性が高く第１図にお
いてＡ方向の流出は電極先端部２０の存在のため
に阻止でき、また、Ｂ方向の流出に対しては凹部
５が流動阻止機能を発揮し、Ｂ方向の流出も充分
に防止できる。従って、溶融した低融点金属体の
流出を上記何れの方向に対しても良好に防止でき
る。
に添着して使用する。而して、機器の異常発熱に
よりフラツクス層並びに低融点金属体が溶融し、
フラツクスの熱膨張のために内圧が発生し、特
に、フラツクス層端部にはエツジ効果のために大
なる内圧が発生し、溶融した低融点金属体がその
端部を起点としてセラミツクス板縁端に向かつて
流出しようとする。しかしながら、溶融した低融
点金属体の電極に対する凝結性が高く第１図にお
いてＡ方向の流出は電極先端部２０の存在のため
に阻止でき、また、Ｂ方向の流出に対しては凹部
５が流動阻止機能を発揮し、Ｂ方向の流出も充分
に防止できる。従って、溶融した低融点金属体の
流出を上記何れの方向に対しても良好に防止でき
る。
（考案の効果）
上述した通り、本考案に係る基板型温度ヒユー
ズにおいては、作動時での溶融低融点金属体の周
囲への流出をよく防止でき、温度ヒユーズ近傍の
健全な回路部分への溶融金属の飛散を排除でき、
その回路部分お損傷をよく回避できる。
ズにおいては、作動時での溶融低融点金属体の周
囲への流出をよく防止でき、温度ヒユーズ近傍の
健全な回路部分への溶融金属の飛散を排除でき、
その回路部分お損傷をよく回避できる。
なお、本考案は絶縁基板の片面に低融点金属体
と抵抗体（膜上抵抗）とを設ける構成の基板型温
度ヒユーズ、または、絶縁基板の片面には低融点
金属体を、他面には抵抗体をそれぞれ設ける構成
の基板型温度ヒユーズにも適用できる。
と抵抗体（膜上抵抗）とを設ける構成の基板型温
度ヒユーズ、または、絶縁基板の片面には低融点
金属体を、他面には抵抗体をそれぞれ設ける構成
の基板型温度ヒユーズにも適用できる。
第１図は本考案に係る基板型温度ヒユーズを示
す上面説明図、第２図は第１図における−断
面説明図である。 図において、１は絶縁基板、２，２は電極、４
は低融点金属体、５，５は溶融物流動阻止凹部、
６はフラツクス層、７は絶縁層である。
す上面説明図、第２図は第１図における−断
面説明図である。 図において、１は絶縁基板、２，２は電極、４
は低融点金属体、５，５は溶融物流動阻止凹部、
６はフラツクス層、７は絶縁層である。
Claims (1)
- 絶縁基板の片面上に一対の電極を設け、電極間
に低融点金属体を橋設し、低融点金属体上にフラ
ツクス層を設けた温度ヒユーズにおいて、上記低
融点金属体端を接合せる電極部分の近傍の絶縁基
板箇所に上記低融点金属体の溶融物に対する流動
阻止凹部を設けたことを特徴とする基板型温度ヒ
ユーズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20317086U JPH0436035Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20317086U JPH0436035Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63106044U JPS63106044U (ja) | 1988-07-08 |
| JPH0436035Y2 true JPH0436035Y2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=31168247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20317086U Expired JPH0436035Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436035Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP20317086U patent/JPH0436035Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63106044U (ja) | 1988-07-08 |
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