JPH04362090A - 分子線エピタキシャル成長方法 - Google Patents
分子線エピタキシャル成長方法Info
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- JPH04362090A JPH04362090A JP15953591A JP15953591A JPH04362090A JP H04362090 A JPH04362090 A JP H04362090A JP 15953591 A JP15953591 A JP 15953591A JP 15953591 A JP15953591 A JP 15953591A JP H04362090 A JPH04362090 A JP H04362090A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、 ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体、特には複数の ＩＩＩ族元素を含む多元混晶Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャル成長方
法に関するものである。
半導体、特には複数の ＩＩＩ族元素を含む多元混晶Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャル成長方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体の分子線エ
ピタキシャル成長方法において、成長速度はＩＩＩ 族
原料の分子線量に比例する。 ＩＩＩ族原料の分子線量
は、その蒸気圧で表わされ、蒸発源セルの温度で制御し
、設定するのが一般的である。この蒸発源セルは、蒸発
源原料を入れるるつぼと、そのるつぼを加熱する１組の
ヒーターで構成されている。通常、 ＩＩＩ族原料の蒸
発源セルの原料の温度を制御するため、るつぼ底部に設
置した熱電対を用いてヒータの温度を調整している。
ピタキシャル成長方法において、成長速度はＩＩＩ 族
原料の分子線量に比例する。 ＩＩＩ族原料の分子線量
は、その蒸気圧で表わされ、蒸発源セルの温度で制御し
、設定するのが一般的である。この蒸発源セルは、蒸発
源原料を入れるるつぼと、そのるつぼを加熱する１組の
ヒーターで構成されている。通常、 ＩＩＩ族原料の蒸
発源セルの原料の温度を制御するため、るつぼ底部に設
置した熱電対を用いてヒータの温度を調整している。
【０００３】また、Ｇａ等の ＩＩＩ族原料に起因する
オーバルディフェクトと呼ばれる表面欠陥を低減するた
め、蒸発源セルの加熱に底部・開口部に分かれた２段型
ヒーターを用いている例もある。（特公昭６３−１５５
７１５）この場合の成長速度の制御は、２段型ヒーター
の底部ヒーターで行われている。
オーバルディフェクトと呼ばれる表面欠陥を低減するた
め、蒸発源セルの加熱に底部・開口部に分かれた２段型
ヒーターを用いている例もある。（特公昭６３−１５５
７１５）この場合の成長速度の制御は、２段型ヒーター
の底部ヒーターで行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＩＩＩ−ＩＩＩ −Ｖ
族の３元素混晶の成長などにおいては、厳密に成長速度
、すなわち混晶組成を制御する必要がある。この場合、
温度に対する蒸気圧の変化率は物質により一定であるの
で、ＩＩＩ 族の蒸発源セルの温度を０．１℃のオーダ
ーで制御する必要がある。しかし、蒸発源セルの温度を
厳密に制御することは難しく、小さな温度変動が混晶組
成に大きな影響を与えていた。このため、再現性に乏し
く、安定なエピタキシャル成長ができなかった。
族の３元素混晶の成長などにおいては、厳密に成長速度
、すなわち混晶組成を制御する必要がある。この場合、
温度に対する蒸気圧の変化率は物質により一定であるの
で、ＩＩＩ 族の蒸発源セルの温度を０．１℃のオーダ
ーで制御する必要がある。しかし、蒸発源セルの温度を
厳密に制御することは難しく、小さな温度変動が混晶組
成に大きな影響を与えていた。このため、再現性に乏し
く、安定なエピタキシャル成長ができなかった。
【０００５】本発明は上記の欠点を防ぐためになされた
もので、ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキ
シャル成長方法において、蒸発源セルの制御温度に対す
る分子線量（蒸気圧）の変化率を小さくし、成長速度、
組成比の制御性、再現性を向上し、安定なエピタキシャ
ル成長を可能とすることを目的としている。
もので、ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキ
シャル成長方法において、蒸発源セルの制御温度に対す
る分子線量（蒸気圧）の変化率を小さくし、成長速度、
組成比の制御性、再現性を向上し、安定なエピタキシャ
ル成長を可能とすることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、開口部と底部
をそれぞれ独立に温度制御できる蒸発源セルを用いてＩ
ＩＩ族元素を蒸発させて、 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
を成長する分子線エピタキシャル成長方法において、前
記蒸発源セルの底部を一定の温度に設定し、前記蒸発源
セルの開口部の温度を調整して所定の ＩＩＩ族元素の
分子線量を得ることを特徴とするものである。
をそれぞれ独立に温度制御できる蒸発源セルを用いてＩ
ＩＩ族元素を蒸発させて、 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
を成長する分子線エピタキシャル成長方法において、前
記蒸発源セルの底部を一定の温度に設定し、前記蒸発源
セルの開口部の温度を調整して所定の ＩＩＩ族元素の
分子線量を得ることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】ＩＩＩ族元素の蒸気圧Ｐは、その温度Ｔの関数
として、せまい温度範囲では近似的に次式で表わされる
。 （ただし、ｋはボルツマン定数） Ｐ＝Ｐｏ ｅｘｐ （−Ｅａ／ｋＴ）
……………………………………（１）この式１のＥ
ａは、蒸発の活性化エネルギーまたは蒸発の自由エネル
ギーの変化に対応した定数である。ゆえに、蒸発源セル
内の ＩＩＩ族元素の蒸気圧で決定される分子線量を制
御する場合、温度Ｔに対する蒸気圧Ｐの変化率は一定で
あり、厳密な分子線量の制御のためには、より厳密な温
度制御が必要となっていた。
として、せまい温度範囲では近似的に次式で表わされる
。 （ただし、ｋはボルツマン定数） Ｐ＝Ｐｏ ｅｘｐ （−Ｅａ／ｋＴ）
……………………………………（１）この式１のＥ
ａは、蒸発の活性化エネルギーまたは蒸発の自由エネル
ギーの変化に対応した定数である。ゆえに、蒸発源セル
内の ＩＩＩ族元素の蒸気圧で決定される分子線量を制
御する場合、温度Ｔに対する蒸気圧Ｐの変化率は一定で
あり、厳密な分子線量の制御のためには、より厳密な温
度制御が必要となっていた。
【０００８】本発明は、２段型ヒーターを用いて開口部
（るつぼ先端部）の温度のみで分子線量を制御するもの
で、開口部の温度Ｔｔｏｐ に対する蒸発の活性化エネ
ルギーが見かけ上小さくなることを利用している。
（るつぼ先端部）の温度のみで分子線量を制御するもの
で、開口部の温度Ｔｔｏｐ に対する蒸発の活性化エネ
ルギーが見かけ上小さくなることを利用している。
【０００９】図１にＩｎを蒸発源とした場合の分子線量
Ｐ（蒸気圧）と開口部の温度Ｔｔｏｐの逆数との関係を
示す。図中●は、開口部の温度（Ｔｔｏｐ）と底部の温
度（Ｔｂｏｔｔｏｍ）の温度差を一定とした場合である
。一方○は、Ｔｂｏｔｔｏｍを一定としてＴｔｏｐ を
変化させた場合の分子線量を表わしている。温度差一定
の場合の活性化エネルギーは約２．６ｅＶであり、蒸発
の活性化エネルギーに対応しているが、Ｔｔｏｐ のみ
で制御を行った場合には、その見かけ上の活性化エネル
ギーは約０．５ｅＶと蒸発の活性化エネルギーの１／５
程度となっている。これは底部のヒーターで原料の温度
は一定に保たれているが、蒸発する原料表面の温度が開
口部の温度Ｔｔｏｐ により変化し、分子線量が変化す
るものである。
Ｐ（蒸気圧）と開口部の温度Ｔｔｏｐの逆数との関係を
示す。図中●は、開口部の温度（Ｔｔｏｐ）と底部の温
度（Ｔｂｏｔｔｏｍ）の温度差を一定とした場合である
。一方○は、Ｔｂｏｔｔｏｍを一定としてＴｔｏｐ を
変化させた場合の分子線量を表わしている。温度差一定
の場合の活性化エネルギーは約２．６ｅＶであり、蒸発
の活性化エネルギーに対応しているが、Ｔｔｏｐ のみ
で制御を行った場合には、その見かけ上の活性化エネル
ギーは約０．５ｅＶと蒸発の活性化エネルギーの１／５
程度となっている。これは底部のヒーターで原料の温度
は一定に保たれているが、蒸発する原料表面の温度が開
口部の温度Ｔｔｏｐ により変化し、分子線量が変化す
るものである。
【００１０】
【実施例】実施例として、Ｉｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ混
晶の分子線エピタキシャル成長方法を以下に説明する。 Ｉｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ混晶は、ＩｎＰ基板に格子整
合することができるＩｎＡｓとＧａＡｓの混晶である。 ＩｎＰ基板に格子整合するＩｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓの
組成ｘは０．５３２であり、格子不整Δａ／ａを５．０
Ｅ−４以下とするためには、組成ｘを０．５２５〜０．
５３９の間に制御する必要がある。
晶の分子線エピタキシャル成長方法を以下に説明する。 Ｉｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ混晶は、ＩｎＰ基板に格子整
合することができるＩｎＡｓとＧａＡｓの混晶である。 ＩｎＰ基板に格子整合するＩｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓの
組成ｘは０．５３２であり、格子不整Δａ／ａを５．０
Ｅ−４以下とするためには、組成ｘを０．５２５〜０．
５３９の間に制御する必要がある。
【００１１】ＩｎＰ基板上へのＩｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａ
ｓの成長は、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ用の３つの蒸発源セルを
備えたＭＢＥ成長装置を用いて行なう。図２に断面図を
示す蒸発源セルは、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓの蒸発源原料１を
入れた片端を封じた管状のるつぼ２と、そのるつぼを所
定温度に加熱するヒータ３を備えている。このうち、Ｉ
ｎ用の蒸発源セルは、るつぼの底部に高純度の金属Ｉｎ
を入れ、るつぼの開口部と底部をそれぞれ独立に温度制
御可能なヒータ３ａ、３ｂを備えている。
ｓの成長は、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ用の３つの蒸発源セルを
備えたＭＢＥ成長装置を用いて行なう。図２に断面図を
示す蒸発源セルは、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓの蒸発源原料１を
入れた片端を封じた管状のるつぼ２と、そのるつぼを所
定温度に加熱するヒータ３を備えている。このうち、Ｉ
ｎ用の蒸発源セルは、るつぼの底部に高純度の金属Ｉｎ
を入れ、るつぼの開口部と底部をそれぞれ独立に温度制
御可能なヒータ３ａ、３ｂを備えている。
【００１２】成長条件として、ＩｎＰ基板温度を５００
℃、Ｖ族とＩＩＩ 族の分子線強度比を２５、Ｇａ用蒸
発源セルの温度をＧａＡｓとしての成長速度が０．５μ
ｍ／ｈとなるように制御している。Ｉｎ用の蒸発源セル
のるつぼ底部のヒータ温度を７９０℃とした。るつぼ開
口部のヒータ温度が８７６℃のときΔａ／ａ≒０となり
ＩｎＰと格子整合するＩｎ０．５３２ Ｇａ０．４６８
Ａｓが得られた。なお、このときのＩｎＡｓとしての成
長速度は０．４１μｍ／ｈである。
℃、Ｖ族とＩＩＩ 族の分子線強度比を２５、Ｇａ用蒸
発源セルの温度をＧａＡｓとしての成長速度が０．５μ
ｍ／ｈとなるように制御している。Ｉｎ用の蒸発源セル
のるつぼ底部のヒータ温度を７９０℃とした。るつぼ開
口部のヒータ温度が８７６℃のときΔａ／ａ≒０となり
ＩｎＰと格子整合するＩｎ０．５３２ Ｇａ０．４６８
Ａｓが得られた。なお、このときのＩｎＡｓとしての成
長速度は０．４１μｍ／ｈである。
【００１３】るつぼ開口部のヒータ温度（Ｔｔｏｐ ）
を変化させたときのＩｎＡｓの成長速度Ｇ１を検討した
。成長したＩｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層のＸ線二結晶の
ロッキング曲線により格子不正合Δａ／ａを評価して求
め、この組成からＩｎＡｓとしての成長速度Ｇ１を求め
た。その結果、成長速度Ｇ１とヒータ温度Ｔｔｏｐ の
アレニウスプロットから次式が得られた。 Ｇ１［μｍ／ｈ］＝１９６．１ ｅｘｐ（−０．５
６５［ｅＶ］／ｋＴｔｏｐ ［Ｋ］）……（２）
を変化させたときのＩｎＡｓの成長速度Ｇ１を検討した
。成長したＩｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層のＸ線二結晶の
ロッキング曲線により格子不正合Δａ／ａを評価して求
め、この組成からＩｎＡｓとしての成長速度Ｇ１を求め
た。その結果、成長速度Ｇ１とヒータ温度Ｔｔｏｐ の
アレニウスプロットから次式が得られた。 Ｇ１［μｍ／ｈ］＝１９６．１ ｅｘｐ（−０．５
６５［ｅＶ］／ｋＴｔｏｐ ［Ｋ］）……（２）
【００
１４】式２をヒータ温度Ｔｔｏｐ で微分して成長速度
Ｇ１の変化率を求めると、格子整合する温度付近では、
ｄＧ１／ｄＴｔｏｐ ＝０．００３４［μｍ／ｈ・Ｋ］
である。
１４】式２をヒータ温度Ｔｔｏｐ で微分して成長速度
Ｇ１の変化率を求めると、格子整合する温度付近では、
ｄＧ１／ｄＴｔｏｐ ＝０．００３４［μｍ／ｈ・Ｋ］
である。
【００１５】比較例として、Ｉｎ用の蒸発源セルとして
、単一のヒータによりるつぼを加熱するものを用い、他
は上述の実施例と同様としてＩｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ
混晶の成長を行った。
、単一のヒータによりるつぼを加熱するものを用い、他
は上述の実施例と同様としてＩｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ
混晶の成長を行った。
【００１６】この場合、ヒータ温度Ｔが８１５℃のとき
に格子整合し、ＩｎＡｓとしての成長速度Ｇ２とヒータ
温度Ｔのアレニウスプロットから次式が得られた。 Ｇ２［μｍ／ｈ］＝２．９１Ｅ＋９ ｅｘｐ（−２．１
０［ｅＶ］／ｋＴ［Ｋ］ ）………（３）
に格子整合し、ＩｎＡｓとしての成長速度Ｇ２とヒータ
温度Ｔのアレニウスプロットから次式が得られた。 Ｇ２［μｍ／ｈ］＝２．９１Ｅ＋９ ｅｘｐ（−２．１
０［ｅＶ］／ｋＴ［Ｋ］ ）………（３）
【００１７】式３を温度Ｔで微分して成長速度Ｇ２の変
化率を求めると、格子整合する温度付近では、ｄＧ２／
ｄＴ＝０．０１１２［μｍ／ｈ・Ｋ］である。
化率を求めると、格子整合する温度付近では、ｄＧ２／
ｄＴ＝０．０１１２［μｍ／ｈ・Ｋ］である。
【００１８】したがって、ＧａＡｓとしての成長速度が
０．５μｍ／ｈであり、それに格子整合する組成ｘのＩ
ｎＡｓとしての成長速度は０．４１μｍ／ｈであるから
、実施例である２段ヒーターの場合、ヒータ温度Ｔｔｏ
ｐ に対する組成の変化率は０．００１４［／Ｋ］ で
ある。 一方、比較例である単一ヒーターの場合の組成の変化率
は０．００４６［／Ｋ］ となる。
０．５μｍ／ｈであり、それに格子整合する組成ｘのＩ
ｎＡｓとしての成長速度は０．４１μｍ／ｈであるから
、実施例である２段ヒーターの場合、ヒータ温度Ｔｔｏ
ｐ に対する組成の変化率は０．００１４［／Ｋ］ で
ある。 一方、比較例である単一ヒーターの場合の組成の変化率
は０．００４６［／Ｋ］ となる。
【００１９】格子不正合Δａ／ａを５．０Ｅ−４以下を
達成するためには、比較例である単一ヒーターではヒー
タ温度を±１．５℃の範囲内に制御する必要がある。し
かし、本実施例ではヒータ温度を±５℃の範囲内で制御
すれば良く、組成制御を正確に行うための範囲を広くと
ることができ、容易に制御が可能で再現性も向上した。
達成するためには、比較例である単一ヒーターではヒー
タ温度を±１．５℃の範囲内に制御する必要がある。し
かし、本実施例ではヒータ温度を±５℃の範囲内で制御
すれば良く、組成制御を正確に行うための範囲を広くと
ることができ、容易に制御が可能で再現性も向上した。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、開口部
と底部をそれぞれ独立に温度制御できる蒸発源セルを用
いて ＩＩＩ族元素を蒸発させて ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体を成長する分子線エピタキシャル成長方法におい
て、前記蒸発源セルの底部を一定の温度に設定し、前記
蒸発源セルの開口部の温度を調整して所定の ＩＩＩ族
元素の分子線量を得ることを特徴とするものである。
と底部をそれぞれ独立に温度制御できる蒸発源セルを用
いて ＩＩＩ族元素を蒸発させて ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体を成長する分子線エピタキシャル成長方法におい
て、前記蒸発源セルの底部を一定の温度に設定し、前記
蒸発源セルの開口部の温度を調整して所定の ＩＩＩ族
元素の分子線量を得ることを特徴とするものである。
【００２１】したがって、制御する温度変化に対する分
子線量の変化率を小さくする事ができ、再現性よく最適
な成長速度に制御することができる。特に、ＩｎＧａＡ
ｓ等の混晶の制御においては、厳密にかつ容易にＩｎＡ
ｓ，ＧａＡｓ等の成長速度の制御が可能となり、目的の
混晶組成を得る事ができる。さらに、混晶の組成を連続
的に変化させるような組成傾斜構造の作成においても、
組成勾配の制御が容易となる。
子線量の変化率を小さくする事ができ、再現性よく最適
な成長速度に制御することができる。特に、ＩｎＧａＡ
ｓ等の混晶の制御においては、厳密にかつ容易にＩｎＡ
ｓ，ＧａＡｓ等の成長速度の制御が可能となり、目的の
混晶組成を得る事ができる。さらに、混晶の組成を連続
的に変化させるような組成傾斜構造の作成においても、
組成勾配の制御が容易となる。
【図１】本発明の作用を説明するため、分子線量と温度
逆数との関係を示す図である。
逆数との関係を示す図である。
【図２】本発明の実施例で用いる蒸発源セルを説明する
ための概念図である。
ための概念図である。
１…蒸発源原料、
２…るつぼ、
３ａ、３ｂ…ヒータ。
Claims (1)
- 【請求項１】 開口部と底部をそれぞれ独立に温度制
御できる蒸発源セルを用いて ＩＩＩ族元素を蒸発させ
て ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長する分子線エピタ
キシャル成長方法において、前記蒸発源セルの底部を一
定の温度に設定し、前記蒸発源セルの開口部の温度を調
整して所定の ＩＩＩ族元素の分子線量を得ることを特
徴とする分子線エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15953591A JP2839750B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 分子線エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15953591A JP2839750B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 分子線エピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04362090A true JPH04362090A (ja) | 1992-12-15 |
| JP2839750B2 JP2839750B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=15695895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15953591A Expired - Lifetime JP2839750B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 分子線エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2839750B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP15953591A patent/JP2839750B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2839750B2 (ja) | 1998-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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