JPH0436229U - - Google Patents
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- JPH0436229U JPH0436229U JP7793590U JP7793590U JPH0436229U JP H0436229 U JPH0436229 U JP H0436229U JP 7793590 U JP7793590 U JP 7793590U JP 7793590 U JP7793590 U JP 7793590U JP H0436229 U JPH0436229 U JP H0436229U
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- JP
- Japan
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- section
- wafer
- sections
- rinsing
- automatic transport
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- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の一実施例の構成を示すブロツ
ク図、第２図は第１図の装置を具体化した例の全
体構成を示す図、第３図は酸化・拡散部７に塩酸
酸化ラインを追加した例の要部構成を示す図であ
る。第４図および第５図は本考案の効果の一つを
説明するための図であり、第４図は従来技術の場
合（比較例）であり、第５図は本考案を用いた場
合である。 １……ローダ部、２……酸洗浄部、３……フツ
酸処理部、４……リンス乾燥部、５……中間搬送
部、６……炉搬入部、７……酸化拡散部、８……
アンローダ部、９……薬液供給部、１０……薬液
排出部、１１……ガス制御部、１２……圧力制御
部、１３……自動搬送部、１５……階段状水洗槽
、５０……第１の洗浄機、５１……第２の洗浄機
、５２……超クリーンルーム、５３……第１の乾
燥機、５４……第２の乾燥機、５５……第１の搬
送機、５６……第２の搬送機、５７……第１の拡
散炉、５８……第２の拡散炉、５９……準クリー
ンルーム、６０……超クリーンルーム、６１……
準クリーンルーム、６２……本考案装置の第１号
機、６３……本考案装置の第２号機、２−１……
薬液槽、２−２……シヤワー槽、３−１……水中
搬送槽、３−２……フツ酸処理槽、３−３……仕
切り板、４−１……水槽、６−１……搬送機、６
−２……石英ボート、６−３……シリコンウエハ
ー、８−１……アンローデイングテーブル、Ｒ…
…圧力調節器（レギユレータ）、Ｐ……ポンプ。
ク図、第２図は第１図の装置を具体化した例の全
体構成を示す図、第３図は酸化・拡散部７に塩酸
酸化ラインを追加した例の要部構成を示す図であ
る。第４図および第５図は本考案の効果の一つを
説明するための図であり、第４図は従来技術の場
合（比較例）であり、第５図は本考案を用いた場
合である。 １……ローダ部、２……酸洗浄部、３……フツ
酸処理部、４……リンス乾燥部、５……中間搬送
部、６……炉搬入部、７……酸化拡散部、８……
アンローダ部、９……薬液供給部、１０……薬液
排出部、１１……ガス制御部、１２……圧力制御
部、１３……自動搬送部、１５……階段状水洗槽
、５０……第１の洗浄機、５１……第２の洗浄機
、５２……超クリーンルーム、５３……第１の乾
燥機、５４……第２の乾燥機、５５……第１の搬
送機、５６……第２の搬送機、５７……第１の拡
散炉、５８……第２の拡散炉、５９……準クリー
ンルーム、６０……超クリーンルーム、６１……
準クリーンルーム、６２……本考案装置の第１号
機、６３……本考案装置の第２号機、２−１……
薬液槽、２−２……シヤワー槽、３−１……水中
搬送槽、３−２……フツ酸処理槽、３−３……仕
切り板、４−１……水槽、６−１……搬送機、６
−２……石英ボート、６−３……シリコンウエハ
ー、８−１……アンローデイングテーブル、Ｒ…
…圧力調節器（レギユレータ）、Ｐ……ポンプ。
Claims (1)
- ウエハー洗浄部１，２，３と、リンス乾燥部４
と、ウエハー酸化拡散部７と、各部を結ぶ自動搬
送部５，６とが一体的に設けられ、前記ウエハー
洗浄部１，２，３は、ウエハー洗浄工程において
形成される自然酸化膜を除去する手段３を有して
おり、前記リンス乾燥部４は、ウエハーを水面下
に置いたまま下側から上側へと段階的に搬送でき
る段階状の水洗槽１５を有しており、前記自動搬
送部５，６は、外部との気密性を破ることなくウ
エハーを連続的に自動搬送する機能を有している
ことを特徴とする半導体ウエハーの精密洗浄・酸
化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7793590U JPH0436229U (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7793590U JPH0436229U (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0436229U true JPH0436229U (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=31620766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7793590U Pending JPH0436229U (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436229U (ja) |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP7793590U patent/JPH0436229U/ja active Pending
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