JPH04363081A - 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
面発光型半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH04363081A JPH04363081A JP3224153A JP22415391A JPH04363081A JP H04363081 A JPH04363081 A JP H04363081A JP 3224153 A JP3224153 A JP 3224153A JP 22415391 A JP22415391 A JP 22415391A JP H04363081 A JPH04363081 A JP H04363081A
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- H01S5/2224—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties semi-insulating semiconductors
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- H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の垂直方向にレー
ザ光を発振する面発光型導体レーザおよびその製造方法
に関する。
ザ光を発振する面発光型導体レーザおよびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板の垂直方向に共振器を持つ面発光レ
ーザは、第５０回応用物理学会学術講演会の講演予稿集
第３分冊ｐ．９０９ ２９ａ−ＺＧ−７（１９８
９年９月２７日発行）に開示されている。この従来技術
によれば、図１２に示すように、先ず、（６０２）ｎ型
ＧａＡｓ基板に（６０３）ｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
多層膜、（６０４）ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、（６
０５）ｐ型ＧａＡｓ活性層、（６０６）ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層を順次成長させて形成している。その後、
円柱状の領域を残してエッチングし、（６０７）ｐ型、
（６０８）ｎ型、（６０９）ｐ型、（６１０）ｐ型の順
にＡｌＧａＡｓを液相成長させて形成し、円柱状領域の
周囲を埋め込む。しかる後、（６１０）ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓキャップ層の上部に（６１１）誘電体多層膜を蒸着し
、（６１２）ｐ型オーミック電極、（６０１）ｎ型オー
ミック電極を形成することで、面発光型半導体レーザを
構成している。 このように、従来技術では活性層以
外の部分に電流が流れるのを防ぐ手段として、埋込み層
に（６０７−６０８）から成るｐ−ｎ接合を設けている
。
ーザは、第５０回応用物理学会学術講演会の講演予稿集
第３分冊ｐ．９０９ ２９ａ−ＺＧ−７（１９８
９年９月２７日発行）に開示されている。この従来技術
によれば、図１２に示すように、先ず、（６０２）ｎ型
ＧａＡｓ基板に（６０３）ｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
多層膜、（６０４）ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、（６
０５）ｐ型ＧａＡｓ活性層、（６０６）ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層を順次成長させて形成している。その後、
円柱状の領域を残してエッチングし、（６０７）ｐ型、
（６０８）ｎ型、（６０９）ｐ型、（６１０）ｐ型の順
にＡｌＧａＡｓを液相成長させて形成し、円柱状領域の
周囲を埋め込む。しかる後、（６１０）ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓキャップ層の上部に（６１１）誘電体多層膜を蒸着し
、（６１２）ｐ型オーミック電極、（６０１）ｎ型オー
ミック電極を形成することで、面発光型半導体レーザを
構成している。 このように、従来技術では活性層以
外の部分に電流が流れるのを防ぐ手段として、埋込み層
に（６０７−６０８）から成るｐ−ｎ接合を設けている
。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このｐ−ｎ接
合では十分な電流狭窄を得ることは難しく、完全には無
効電流を抑制できない。このため、従来技術では素子の
発熱に起因して、室温での連続発振駆動することが困難
であり、実用性に欠けている。従って、無効電流の抑制
は、面発光型半導体レーザにおいて重要な課題である。
合では十分な電流狭窄を得ることは難しく、完全には無
効電流を抑制できない。このため、従来技術では素子の
発熱に起因して、室温での連続発振駆動することが困難
であり、実用性に欠けている。従って、無効電流の抑制
は、面発光型半導体レーザにおいて重要な課題である。
【０００４】また埋込み層を、従来のようにｐ−ｎ接合
を形成するための多層構造にした場合、埋込み層のｐ−
ｎ界面の位置は、円柱状に残した各成長層の界面位置を
考慮する必要がある。従って、多層構造の各埋込み成長
層の膜厚制御が難しく、再現性良く面発光型半導体レー
ザを製造することは極めて困難である。
を形成するための多層構造にした場合、埋込み層のｐ−
ｎ界面の位置は、円柱状に残した各成長層の界面位置を
考慮する必要がある。従って、多層構造の各埋込み成長
層の膜厚制御が難しく、再現性良く面発光型半導体レー
ザを製造することは極めて困難である。
【０００５】また、従来技術のように液相成長により円
柱の周囲に埋込み層を形成すると円柱部分が折れてしま
う危険性が高く、歩留まりが悪く、特性の改善が構造上
の原因から制約されてしまう。
柱の周囲に埋込み層を形成すると円柱部分が折れてしま
う危険性が高く、歩留まりが悪く、特性の改善が構造上
の原因から制約されてしまう。
【０００６】さらに従来技術では、レーザプリンタなど
のディバイスに応用する場合にも種々の課題を有する。
のディバイスに応用する場合にも種々の課題を有する。
【０００７】レーザープリンタなどでは、光源に使用す
る発光源（半導体レーザなど）の発光スポットサイズが
数１０μｍと大きく、かつ発光強度が強い発光素子を使
用すると、光学系の簡素化や光路長を短くできることな
ど設計に自由度が増える。
る発光源（半導体レーザなど）の発光スポットサイズが
数１０μｍと大きく、かつ発光強度が強い発光素子を使
用すると、光学系の簡素化や光路長を短くできることな
ど設計に自由度が増える。
【０００８】従来技術を用いた面発光型半導体レーザ１
素子の場合には、光共振器全体を共振器よりも低屈折率
の材料で回りを埋め込んでいるため、光はおもに垂直方
向に導波され、基本発振モードでの発光スポットは水平
方向の共振器形状を変化させても直径２μｍ程度の点発
光となってしまう。
素子の場合には、光共振器全体を共振器よりも低屈折率
の材料で回りを埋め込んでいるため、光はおもに垂直方
向に導波され、基本発振モードでの発光スポットは水平
方向の共振器形状を変化させても直径２μｍ程度の点発
光となってしまう。
【０００９】そこで、これらの各発光点を２μｍ程度ま
で接近させ、複数の光源でスポットサイズを大きくしよ
うと試みるが、従来技術では数μｍ間隔の共振器をＬＰ
Ｅ成長で埋め込むことは、再現性、歩留まりなどの点か
ら非常に難しく、作製は困難である。また、数μｍ程度
まで接近させ共振器を埋め込んだとしても光の横方向の
漏れが少ないため、スポットを１つにすることはできな
い。
で接近させ、複数の光源でスポットサイズを大きくしよ
うと試みるが、従来技術では数μｍ間隔の共振器をＬＰ
Ｅ成長で埋め込むことは、再現性、歩留まりなどの点か
ら非常に難しく、作製は困難である。また、数μｍ程度
まで接近させ共振器を埋め込んだとしても光の横方向の
漏れが少ないため、スポットを１つにすることはできな
い。
【００１０】また、複数の発光スポットにより１つの光
束を持ったビームにし、発光強度を強くするには複数ス
ポットの各々のレーザ光の位相を同期させなければなら
ない。従来技術では複数のレーザ光の位相を同期させる
ためにレーザ光を互いに影響させる距離まで接近させて
作製するのは困難である。
束を持ったビームにし、発光強度を強くするには複数ス
ポットの各々のレーザ光の位相を同期させなければなら
ない。従来技術では複数のレーザ光の位相を同期させる
ためにレーザ光を互いに影響させる距離まで接近させて
作製するのは困難である。
【００１１】本発明はこのような課題を解決するもので
、その目的とするところは、埋込み層の材質を改善する
ことで、完全な電流狭窄が可能な構造を有し、極めて簡
単に製造できる高効率の面発光半導体レーザ及びその製
造方法を提供するところにある。
、その目的とするところは、埋込み層の材質を改善する
ことで、完全な電流狭窄が可能な構造を有し、極めて簡
単に製造できる高効率の面発光半導体レーザ及びその製
造方法を提供するところにある。
【００１２】本発明の他の目的は、複数の発光部を近接
させることができ、各発光部からのレーザ光の位相を同
期させることができる面発光型半導体レーザ及びその製
造方法を提供することにある。
させることができ、各発光部からのレーザ光の位相を同
期させることができる面発光型半導体レーザ及びその製
造方法を提供することにある。
【００１３】本発明の更に他の目的は、複数の発光部か
らの位相同期したレーザ光を一つの光束を持った光とし
、その発光スポットが大きく、レーザ光の放射角が狭い
面発光型半導体レーザ及びその製造方法を提供するとこ
ろにある。
らの位相同期したレーザ光を一つの光束を持った光とし
、その発光スポットが大きく、レーザ光の放射角が狭い
面発光型半導体レーザ及びその製造方法を提供するとこ
ろにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】半導体基板に垂直な方向
に光を出射する本発明に係る面発光型半導体レーザは、
反射率の異なる一対の反射鏡とそれらの間の多層の半導
体層とを有し、前記半導体層のうちの少なくともクラッ
ド層が１本又は複数本の柱状に形成されている光共振器
と、柱状の前記半導体層の周囲に埋め込まれているＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層と、を有するこ
とを特徴とする。
に光を出射する本発明に係る面発光型半導体レーザは、
反射率の異なる一対の反射鏡とそれらの間の多層の半導
体層とを有し、前記半導体層のうちの少なくともクラッ
ド層が１本又は複数本の柱状に形成されている光共振器
と、柱状の前記半導体層の周囲に埋め込まれているＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層と、を有するこ
とを特徴とする。
【００１５】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル
層は、ＩＩ族元素であるＺｎ，Ｃｄ，Ｈｇと、ＶＩ族元
素であるＯ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅとを、２元素，３元素又は
４元素組み合わせた半導体エピタキシャル層を用いるこ
とができる。また、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキ
シャル層の格子定数が、柱状の半導体層の格子定数と一
致していることが望ましい。なお、共振器を構成する半
導体層としてはＩＩＩ −Ｖ 族化合物半導体エピタキ
シャル層が好ましく、ＧａＡｓ系、ＧａＡｌＡｓ系、Ｇ
ａＡｓＰ系、ＩｎＧａＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＧ
ａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓＳｂ系等を好適に採用できる。
層は、ＩＩ族元素であるＺｎ，Ｃｄ，Ｈｇと、ＶＩ族元
素であるＯ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅとを、２元素，３元素又は
４元素組み合わせた半導体エピタキシャル層を用いるこ
とができる。また、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキ
シャル層の格子定数が、柱状の半導体層の格子定数と一
致していることが望ましい。なお、共振器を構成する半
導体層としてはＩＩＩ −Ｖ 族化合物半導体エピタキ
シャル層が好ましく、ＧａＡｓ系、ＧａＡｌＡｓ系、Ｇ
ａＡｓＰ系、ＩｎＧａＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＧ
ａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓＳｂ系等を好適に採用できる。
【００１６】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル
層は高抵抗であるため、この高抵抗層で形成された埋込
み層への注入電流のもれは生じず、極めて有効な電流狭
窄が達成される。そして、無効電流を低減できるので、
しきい値電流を下げることが可能となる。結果として、
発熱の少ない面発光型半導体レーザを実現でき、常温に
て連続発振が可能となる実用性の高い面発光型半導体レ
ーザを提供できる。また、この埋込み層は多層構造でな
いので容易に形成でき、再現性も良好となる。さらに、
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層は液相成長
以外の方法例えば気相成長にて形成でき、柱状半導体層
を歩留まり良く形成できる。しかも、気相成長等を用い
れば、埋込み幅が狭くても確実に埋込み層を形成できる
ため、複数本の柱状半導体層を近接配置できる効果があ
る。
層は高抵抗であるため、この高抵抗層で形成された埋込
み層への注入電流のもれは生じず、極めて有効な電流狭
窄が達成される。そして、無効電流を低減できるので、
しきい値電流を下げることが可能となる。結果として、
発熱の少ない面発光型半導体レーザを実現でき、常温に
て連続発振が可能となる実用性の高い面発光型半導体レ
ーザを提供できる。また、この埋込み層は多層構造でな
いので容易に形成でき、再現性も良好となる。さらに、
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層は液相成長
以外の方法例えば気相成長にて形成でき、柱状半導体層
を歩留まり良く形成できる。しかも、気相成長等を用い
れば、埋込み幅が狭くても確実に埋込み層を形成できる
ため、複数本の柱状半導体層を近接配置できる効果があ
る。
【００１７】光共振器の光出射側の半導体コンタクト層
の膜厚が、３．０μｍ以下であると、コンタクト層での
光吸収を低減できる。
の膜厚が、３．０μｍ以下であると、コンタクト層での
光吸収を低減できる。
【００１８】この柱状の半導体層の半導体基板と平行な
断面を、円、正多角形のいずれかとすると、きれいな円
形のスポットビームが得られる。また、柱状の半導体層
の半導体基板と平行な断面の直径、対角線の長さのいず
れかが１０μｍ以下であると、ＮＦＰのモードは０次基
本モードとなる。
断面を、円、正多角形のいずれかとすると、きれいな円
形のスポットビームが得られる。また、柱状の半導体層
の半導体基板と平行な断面の直径、対角線の長さのいず
れかが１０μｍ以下であると、ＮＦＰのモードは０次基
本モードとなる。
【００１９】光共振器が１本の柱状の半導体層を有する
場合には、光出射側の反射鏡は、柱状の端面と対向して
前記端面の範囲内に形成される。この場合の屈折率導波
路構造としては、リブ導波路型、埋込み型のいずれであ
っても良い。
場合には、光出射側の反射鏡は、柱状の端面と対向して
前記端面の範囲内に形成される。この場合の屈折率導波
路構造としては、リブ導波路型、埋込み型のいずれであ
っても良い。
【００２０】位相同期した面発光型半導体レーザは、光
共振器が、複数本の柱状の半導体層に分離するための分
離溝を有する。この分離溝にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
エピタキシャル層が埋め込まれ、各柱状の半導体層にそ
れぞれ発光部が形成される。光共振器を構成する半導体
層のうちの活性層に分離溝が到達しないようにする。こ
うすると、活性層を介して各発光部が影響し合い、各発
光部での光の位相は同期する。
共振器が、複数本の柱状の半導体層に分離するための分
離溝を有する。この分離溝にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
エピタキシャル層が埋め込まれ、各柱状の半導体層にそ
れぞれ発光部が形成される。光共振器を構成する半導体
層のうちの活性層に分離溝が到達しないようにする。こ
うすると、活性層を介して各発光部が影響し合い、各発
光部での光の位相は同期する。
【００２１】発光スポットを大きくする場合には、分離
溝に、出射するレーザ光の波長に対して透明なＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体エピタキシャル層を埋め込む。さらに
、光出射側の反射鏡を、複数本の前記柱状の各端面及び
前記分離溝に埋め込まれたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エ
ピタキシャル層と対向する領域に亘って形成する。こう
すると、柱状の発光部に挾まれた領域も垂直共振器構造
となり、その領域にもれた光も有効にレーザ発振に寄与
して発光スポットが広がる。さらに、位相同期したレー
ザ光が重ね合わされるため、光出力が増加し、放射角も
小さくなる。共振器の半導体層として一般に用いられて
いるＧａＡｓレーザの場合、そのレーザ光の波長に対し
て透明なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層と
しては、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳ、
ＣｄＳＳｅのいずれかで構成できる。分離溝を、半導体
基板に対して垂直な溝とすると、屈折率段差を利用して
、分離溝に斜めに入射する光を全反射でき、光の閉じ込
め効果が大きくなる。また、分離溝の半導体基板と平行
な断面の幅を、０．５μｍ以上で１０μｍ未満とすると
、ＮＦＰから測定される発振横モードの次数は、０次基
本モードとなる。
溝に、出射するレーザ光の波長に対して透明なＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体エピタキシャル層を埋め込む。さらに
、光出射側の反射鏡を、複数本の前記柱状の各端面及び
前記分離溝に埋め込まれたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エ
ピタキシャル層と対向する領域に亘って形成する。こう
すると、柱状の発光部に挾まれた領域も垂直共振器構造
となり、その領域にもれた光も有効にレーザ発振に寄与
して発光スポットが広がる。さらに、位相同期したレー
ザ光が重ね合わされるため、光出力が増加し、放射角も
小さくなる。共振器の半導体層として一般に用いられて
いるＧａＡｓレーザの場合、そのレーザ光の波長に対し
て透明なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層と
しては、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳ、
ＣｄＳＳｅのいずれかで構成できる。分離溝を、半導体
基板に対して垂直な溝とすると、屈折率段差を利用して
、分離溝に斜めに入射する光を全反射でき、光の閉じ込
め効果が大きくなる。また、分離溝の半導体基板と平行
な断面の幅を、０．５μｍ以上で１０μｍ未満とすると
、ＮＦＰから測定される発振横モードの次数は、０次基
本モードとなる。
【００２２】半導体基板に垂直な方向に光を出射する本
発明に係る面発光型半導体レーザの製造方法は、半導体
基板上に光共振器を構成する多層の半導体層を形成し、
前記半導体層上にフォトレジストマスクを形成し、半導
体層のうちの少なくともクラッド層を、前記フォトレジ
ストマスクを用いてエッチングして、１本又は複数本の
柱状の半導体層を形成し、前記柱状の半導体層の周囲に
、ＩＩ−ＶＩ族化合物を用いた気相成長法によって埋込
み層を形成することを特徴とする。
発明に係る面発光型半導体レーザの製造方法は、半導体
基板上に光共振器を構成する多層の半導体層を形成し、
前記半導体層上にフォトレジストマスクを形成し、半導
体層のうちの少なくともクラッド層を、前記フォトレジ
ストマスクを用いてエッチングして、１本又は複数本の
柱状の半導体層を形成し、前記柱状の半導体層の周囲に
、ＩＩ−ＶＩ族化合物を用いた気相成長法によって埋込
み層を形成することを特徴とする。
【００２３】埋込み層の形成に気相成長法を用いている
ので、柱状半導体層を変形，破損させることがない。ま
た、この気相成長法を実施する際、成長形成される埋込
み層の下層の結晶方向が揃っていると、該下層の上でＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物はエピタキシャル成長し、埋込み層と
してＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層が形成
されることになる。前記エッチング工程はクラッド層の
一部を残して終了し、その下層の活性層を露出させない
ことが望ましい。活性層を一旦露出させると、その露出
面に不純物が付着して結晶欠陥を生ずるからである。
ので、柱状半導体層を変形，破損させることがない。ま
た、この気相成長法を実施する際、成長形成される埋込
み層の下層の結晶方向が揃っていると、該下層の上でＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物はエピタキシャル成長し、埋込み層と
してＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層が形成
されることになる。前記エッチング工程はクラッド層の
一部を残して終了し、その下層の活性層を露出させない
ことが望ましい。活性層を一旦露出させると、その露出
面に不純物が付着して結晶欠陥を生ずるからである。
【００２４】エッチング工程で使用されるフォトレジス
トマスクを、ハードベークされたフォトレジスト層を反
応性イオンエッチングすることで形成すると、フォトレ
ジストマスクの側面は半導体基板に垂直となる。このフ
ォトレジストマスクを用いて、柱状の半導体層を反応性
イオンビームエッチングにより形成すると、柱状半導体
層の微細加工が可能となり、垂直な側面を持つ柱状半導
体層を形成できる。
トマスクを、ハードベークされたフォトレジスト層を反
応性イオンエッチングすることで形成すると、フォトレ
ジストマスクの側面は半導体基板に垂直となる。このフ
ォトレジストマスクを用いて、柱状の半導体層を反応性
イオンビームエッチングにより形成すると、柱状半導体
層の微細加工が可能となり、垂直な側面を持つ柱状半導
体層を形成できる。
【００２５】
【実施例】図１は本発明の実施例における半導体レーザ
（１００）の発光部の断面を示す斜視図で、図２は本発
明の実施例における半導体レーザの製造工程を示す断面
図である。
（１００）の発光部の断面を示す斜視図で、図２は本発
明の実施例における半導体レーザの製造工程を示す断面
図である。
【００２６】（１０２）ｎ型ＧａＡｓ基板に、（１０３
）ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、ｎ型Ａｌ０．７
Ｇａ０．３ Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１ Ｇａ０．９ Ａ
ｓ層からなり波長８７０ｎｍ付近の光に対し９８％以上
の反射率を持つ３０ペアの（１０４）分布反射型多層膜
ミラーを形成する。さらに、（１０５）ｎ型Ａｌ０．４
Ｇａ０．６ Ａｓクラッド層、（１０６）ｐ型ＧａＡ
ｓ活性層、（１０７）ｐ型Ａｌ０．４ Ｇａ０．６ Ａ
ｓクラッド層、（１０８）ｐ型Ａｌ０．１ Ｇａ０．９
Ａｓコンタクト層を順次ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャ
ル成長する（図２（ａ））。この時例えば、成長温度は
７００℃、成長圧力は１５０Ｔｏｒｒで、ＩＩＩ 族原
料にＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡｌ（トリ
メチルアルミニウム）の有機金属を用い、Ｖ族原料にＡ
ｓＨ３ 、ｎ型ドーパントにＨ２ Ｓｅ、ｐ型ドーパン
トにＤＥＺｎ（ジエチルジンク）を用いた。
）ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、ｎ型Ａｌ０．７
Ｇａ０．３ Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１ Ｇａ０．９ Ａ
ｓ層からなり波長８７０ｎｍ付近の光に対し９８％以上
の反射率を持つ３０ペアの（１０４）分布反射型多層膜
ミラーを形成する。さらに、（１０５）ｎ型Ａｌ０．４
Ｇａ０．６ Ａｓクラッド層、（１０６）ｐ型ＧａＡ
ｓ活性層、（１０７）ｐ型Ａｌ０．４ Ｇａ０．６ Ａ
ｓクラッド層、（１０８）ｐ型Ａｌ０．１ Ｇａ０．９
Ａｓコンタクト層を順次ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャ
ル成長する（図２（ａ））。この時例えば、成長温度は
７００℃、成長圧力は１５０Ｔｏｒｒで、ＩＩＩ 族原
料にＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡｌ（トリ
メチルアルミニウム）の有機金属を用い、Ｖ族原料にＡ
ｓＨ３ 、ｎ型ドーパントにＨ２ Ｓｅ、ｐ型ドーパン
トにＤＥＺｎ（ジエチルジンク）を用いた。
【００２７】成長後、表面に熱ＣＶＤ法により（１１２
）ＳｉＯ２ 層を形成した後、反応性イオンビームエッ
チング法（以下、ＲＩＢＥ法と記す）により、（１１３
）ハードベイクレジストで覆われた円柱状の発光部を残
して、（１０７）ｐ型Ａｌ０．４ Ｇａ０．６ Ａｓク
ラッド層の途中までエッチングする（図２（ｂ））。こ
の際、エッチングガスには塩素とアルゴンの混合ガスを
用い、ガス圧１×１０−３Ｔｏｒｒ、引出し電圧４００
Ｖで行った。ここで、（１０７）ｐ型Ａｌ０．４ Ｇａ
０．６ Ａｓクラッド層の途中までしかエッチングしな
いのは、活性層の水平方向の注入キャリアと光の閉じ込
めを、リブ導波路型の屈折率導波構造にするためである
。
）ＳｉＯ２ 層を形成した後、反応性イオンビームエッ
チング法（以下、ＲＩＢＥ法と記す）により、（１１３
）ハードベイクレジストで覆われた円柱状の発光部を残
して、（１０７）ｐ型Ａｌ０．４ Ｇａ０．６ Ａｓク
ラッド層の途中までエッチングする（図２（ｂ））。こ
の際、エッチングガスには塩素とアルゴンの混合ガスを
用い、ガス圧１×１０−３Ｔｏｒｒ、引出し電圧４００
Ｖで行った。ここで、（１０７）ｐ型Ａｌ０．４ Ｇａ
０．６ Ａｓクラッド層の途中までしかエッチングしな
いのは、活性層の水平方向の注入キャリアと光の閉じ込
めを、リブ導波路型の屈折率導波構造にするためである
。
【００２８】次に（１１３）レジストを取り除いた後、
ＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法などで、ＧａＡｓと格子
整合する（１０９）ＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９４層を埋
込み成長する（図２（ｃ））。
ＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法などで、ＧａＡｓと格子
整合する（１０９）ＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９４層を埋
込み成長する（図２（ｃ））。
【００２９】さらに、表面に４ペアの（１１１）ＳｉＯ
２ ／α−Ｓｉ誘電体多層膜を電子ビーム蒸着により形
成し、ウエットエッチングで、発光部の径よりやや小さ
い領域を残して取り去る（図２（ｄ））。波長８７０ｎ
ｍでの誘電体多層膜の反射率は９４％である。
２ ／α−Ｓｉ誘電体多層膜を電子ビーム蒸着により形
成し、ウエットエッチングで、発光部の径よりやや小さ
い領域を残して取り去る（図２（ｄ））。波長８７０ｎ
ｍでの誘電体多層膜の反射率は９４％である。
【００３０】しかる後（１１１）誘電体多層膜以外の表
面に（１１０）ｐ型オーミック電極を蒸着し、さらに基
板側に（１０１）ｎ型オーミック電極を蒸着し、Ｎ２
雰囲気中で４２０℃でアロイングし、（１００）面発光
半導体レーザを完成する（図２（ｅ））。
面に（１１０）ｐ型オーミック電極を蒸着し、さらに基
板側に（１０１）ｎ型オーミック電極を蒸着し、Ｎ２
雰囲気中で４２０℃でアロイングし、（１００）面発光
半導体レーザを完成する（図２（ｅ））。
【００３１】このように作成した本実施例の面発光半導
体レーザは、埋込みに用いたＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９
４層が１ＧΩ以上の抵抗を有し、埋込み層への注入電流
のもれが起こらないため、極めて有効な電流狭窄が達成
される。 また埋込み層は多層構造にする必要がないため容易に成
長でき、バッチ間の再現性も高い。さらにＧａＡｓに比
べ屈折率が十分小さいＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９４層を
用いたリブ導波路構造により、より効果的な光の閉じ込
めが実現される。
体レーザは、埋込みに用いたＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９
４層が１ＧΩ以上の抵抗を有し、埋込み層への注入電流
のもれが起こらないため、極めて有効な電流狭窄が達成
される。 また埋込み層は多層構造にする必要がないため容易に成
長でき、バッチ間の再現性も高い。さらにＧａＡｓに比
べ屈折率が十分小さいＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９４層を
用いたリブ導波路構造により、より効果的な光の閉じ込
めが実現される。
【００３２】図３は本発明の実施例の面発光半導体レー
ザの駆動電流と発振光出力の関係を示す図である。室温
において連続発振が達成され、しきい値１ｍＡと極めて
低い値を得た。また外部微分量子効率も高く、無効電流
の抑制がレーザの特性向上に貢献している。
ザの駆動電流と発振光出力の関係を示す図である。室温
において連続発振が達成され、しきい値１ｍＡと極めて
低い値を得た。また外部微分量子効率も高く、無効電流
の抑制がレーザの特性向上に貢献している。
【００３３】また本発明の実施例の面発光半導体レーザ
の柱状部分の断面形状において、その形状が円、または
正四角形、正八角形などの正多角形ではきれいな円のス
ポットビームになるが、それ以外の長方形、台形などで
は楕円もしくは多モードのビーム形状となってしまいデ
ィバイスへの応用上好ましくない。
の柱状部分の断面形状において、その形状が円、または
正四角形、正八角形などの正多角形ではきれいな円のス
ポットビームになるが、それ以外の長方形、台形などで
は楕円もしくは多モードのビーム形状となってしまいデ
ィバイスへの応用上好ましくない。
【００３４】
【表１】
表１に本発明の実施例の面発光半導体レーザの円柱部分
の断面の直径の長さに対する近視野像の関係を示す。１
０μｍ未満で基本モードで発振するが、それ以上では、
１次以上のモードで発振した。
の断面の直径の長さに対する近視野像の関係を示す。１
０μｍ未満で基本モードで発振するが、それ以上では、
１次以上のモードで発振した。
【００３５】本発明の実施例の面発光半導体レーザのコ
ンタクト層の膜厚に関しては、３．０μｍ以下とするも
のが良い。コンタクト層での光吸収を低減できるからで
ある。より好ましくは０．３μｍ以下が最適で、素子抵
抗が低く、外部微分量子効率も高い。
ンタクト層の膜厚に関しては、３．０μｍ以下とするも
のが良い。コンタクト層での光吸収を低減できるからで
ある。より好ましくは０．３μｍ以下が最適で、素子抵
抗が低く、外部微分量子効率も高い。
【００３６】図４は本発明の別の実施例における半導体
レーザ（２００）の発光部の断面を示す斜視図で、図５
は本発明の別の実施例における半導体レーザ（２００）
の製造工程を示す断面図である。
レーザ（２００）の発光部の断面を示す斜視図で、図５
は本発明の別の実施例における半導体レーザ（２００）
の製造工程を示す断面図である。
【００３７】（２０２）ｎ型ＧａＡｓ基板に、（２０３
）ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、ｎ型ＡｌＡｓ層と
ｎ型Ａｌ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓ層からなり波長８７
０ｎｍ付近の光に対し９８％以上の反射率を持つ３０ペ
アの（２０４）分布反射型多層膜ミラーを形成する。さ
らに、（２０５）ｎ型Ａｌ０．４ Ｇａ０．６ Ａｓク
ラッド層、（２０６）ｐ型ＧａＡｓ活性層、（２０７）
ｐ型Ａｌ０．４ Ｇａ０．６ Ａｓクラッド層、（２０
８）ｐ型Ａｌ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓコンタクト層を
順次ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる（図５（
ａ））。この時例えば、成長温度は７００℃、成長圧力
は１５０Ｔｏｒｒで、ＩＩＩ 族原料にＴＭＧａ（トリ
メチルガリウム），ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム
）の有機金属を用い、Ｖ族原料にＡｓＨ３ 、ｎ型ドー
パントにＨ２Ｓｅ、ｐ型ドーパントにＤＥＺｎ（ジエチ
ルジンク）を用いた。 成長後、表面に熱ＣＶＤ法に
より（２１２）ＳｉＯ２ を形成した後、反応性イオン
ビームエッチング法（以下、ＲＩＢＥ法と記す）により
、（２１３）ハードベイクレジストで覆われた円柱状の
発光部を残して（２０５）ｐ型Ａｌ０．４ Ｇａ０．６
Ａｓクラッド層の途中までエッチングする（図５（ｂ
））。この際、エッチングガスには塩素とアルゴンの混
合ガスを用い、ガス圧１×１０−３Ｔｏｒｒ、引出し電
圧４００Ｖで行った。
）ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、ｎ型ＡｌＡｓ層と
ｎ型Ａｌ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓ層からなり波長８７
０ｎｍ付近の光に対し９８％以上の反射率を持つ３０ペ
アの（２０４）分布反射型多層膜ミラーを形成する。さ
らに、（２０５）ｎ型Ａｌ０．４ Ｇａ０．６ Ａｓク
ラッド層、（２０６）ｐ型ＧａＡｓ活性層、（２０７）
ｐ型Ａｌ０．４ Ｇａ０．６ Ａｓクラッド層、（２０
８）ｐ型Ａｌ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓコンタクト層を
順次ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる（図５（
ａ））。この時例えば、成長温度は７００℃、成長圧力
は１５０Ｔｏｒｒで、ＩＩＩ 族原料にＴＭＧａ（トリ
メチルガリウム），ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム
）の有機金属を用い、Ｖ族原料にＡｓＨ３ 、ｎ型ドー
パントにＨ２Ｓｅ、ｐ型ドーパントにＤＥＺｎ（ジエチ
ルジンク）を用いた。 成長後、表面に熱ＣＶＤ法に
より（２１２）ＳｉＯ２ を形成した後、反応性イオン
ビームエッチング法（以下、ＲＩＢＥ法と記す）により
、（２１３）ハードベイクレジストで覆われた円柱状の
発光部を残して（２０５）ｐ型Ａｌ０．４ Ｇａ０．６
Ａｓクラッド層の途中までエッチングする（図５（ｂ
））。この際、エッチングガスには塩素とアルゴンの混
合ガスを用い、ガス圧１×１０−３Ｔｏｒｒ、引出し電
圧４００Ｖで行った。
【００３８】次に（２１３）レジストを取り除いた後、
ＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法などで、（２０９）Ｚｎ
Ｓ０．０６Ｓｅ０．９４層を埋込み成長する（図５（ｃ
））。
ＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法などで、（２０９）Ｚｎ
Ｓ０．０６Ｓｅ０．９４層を埋込み成長する（図５（ｃ
））。
【００３９】さらに、表面に４ペアの（２１１）ＳｉＯ
２ ／α−Ｓｉ誘電体多層膜を電子ビーム蒸着により形
成し、ウェットエッチングで、発光部の径よりやや小さ
い領域を残して取り去る（図５（ｄ））。波長８７０ｎ
ｍでの誘電体多層膜の反射率は９４％である。
２ ／α−Ｓｉ誘電体多層膜を電子ビーム蒸着により形
成し、ウェットエッチングで、発光部の径よりやや小さ
い領域を残して取り去る（図５（ｄ））。波長８７０ｎ
ｍでの誘電体多層膜の反射率は９４％である。
【００４０】しかる後（２１１）誘電体多層膜以外の表
面に（２１０）ｐ型オーミック電極を蒸着し、さらに基
板側に（２０１）ｎ型オーミック電極を蒸着し、Ｎ２
雰囲気中で４２０℃でアロイングし、面発光半導体レー
ザを完成する（図５（ｅ））。
面に（２１０）ｐ型オーミック電極を蒸着し、さらに基
板側に（２０１）ｎ型オーミック電極を蒸着し、Ｎ２
雰囲気中で４２０℃でアロイングし、面発光半導体レー
ザを完成する（図５（ｅ））。
【００４１】このように作成した本実施例の面発光半導
体レーザは、埋込みに用いたＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９
４層が１ＧΩ以上の抵抗を有し、埋込み層への注入電流
のもれが起こらないため、極めて有効な電流狭窄が達成
される。 また埋込み層は多層構造にする必要がないため容易に成
長でき、バッチ間の再現性も高い。さらにＧａＡｓに比
べ屈折率が十分小さいＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９４層を
用い、活性層を埋め込んだ埋込み型の屈折率導波路構造
により、より効果的な光の閉じ込めが実現される。
体レーザは、埋込みに用いたＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９
４層が１ＧΩ以上の抵抗を有し、埋込み層への注入電流
のもれが起こらないため、極めて有効な電流狭窄が達成
される。 また埋込み層は多層構造にする必要がないため容易に成
長でき、バッチ間の再現性も高い。さらにＧａＡｓに比
べ屈折率が十分小さいＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９４層を
用い、活性層を埋め込んだ埋込み型の屈折率導波路構造
により、より効果的な光の閉じ込めが実現される。
【００４２】また本発明の実施例では、活性層をＧａＡ
ｓとしたが、ＡｌＧａＡｓでも同様の効果が得られる。 さらにその他のＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体を柱状部に
用いた場合でも、適当なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を埋
込み層に選ぶことにより同様の効果が得られる。
ｓとしたが、ＡｌＧａＡｓでも同様の効果が得られる。 さらにその他のＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体を柱状部に
用いた場合でも、適当なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を埋
込み層に選ぶことにより同様の効果が得られる。
【００４３】図６，図７は本発明の他の実施例を示し、
図６は発光スポットを拡大できる位相同期型半導体レー
ザ（３００）の発光部の断面を示す概略図であり、図７
はその製造工程を示す断面図である。
図６は発光スポットを拡大できる位相同期型半導体レー
ザ（３００）の発光部の断面を示す概略図であり、図７
はその製造工程を示す断面図である。
【００４４】（３０２）ｎ型ＧａＡｓ基板に、（３０３
）ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、ｎ型Ａｌ０．９
Ｇａ０．１ Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．２ Ｇａ０．８ Ａ
ｓ層からなり波長７８０ｎｍを中心に±３０ｎｍの光に
対して９８％以上の反射率を持つ２５ペアの（３０４）
半導体多層膜ミラーを形成する。さらに、（３０５）ｎ
型Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓクラッド層、（３０６
）ｐ型Ａｌ０．１ ３Ｇａ０．８７Ａｓ活性層、（３０
７）ｐ型Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓクラッド層、（
３０８）ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓコンタクト
層を順次ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長する（図７
（ａ））。この時の成長条件は、例えば成長温度は７２
０℃、成長圧力は１５０Ｔｏｒｒで行い、ＩＩＩ 族原
料にＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡｌ（トリ
メチルアルミニウム）の有機金属を用い、Ｖ族原料には
ＡｓＨ３ 、ｎ型ドーパントにＨ２ Ｓｅ、ｐ型ドーパ
ントにＤＥＺｎ（ジエチルジンク）を用いた。
）ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、ｎ型Ａｌ０．９
Ｇａ０．１ Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．２ Ｇａ０．８ Ａ
ｓ層からなり波長７８０ｎｍを中心に±３０ｎｍの光に
対して９８％以上の反射率を持つ２５ペアの（３０４）
半導体多層膜ミラーを形成する。さらに、（３０５）ｎ
型Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓクラッド層、（３０６
）ｐ型Ａｌ０．１ ３Ｇａ０．８７Ａｓ活性層、（３０
７）ｐ型Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓクラッド層、（
３０８）ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓコンタクト
層を順次ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長する（図７
（ａ））。この時の成長条件は、例えば成長温度は７２
０℃、成長圧力は１５０Ｔｏｒｒで行い、ＩＩＩ 族原
料にＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡｌ（トリ
メチルアルミニウム）の有機金属を用い、Ｖ族原料には
ＡｓＨ３ 、ｎ型ドーパントにＨ２ Ｓｅ、ｐ型ドーパ
ントにＤＥＺｎ（ジエチルジンク）を用いた。
【００４５】成長後、表面に常圧熱ＣＶＤ法により（３
１２）ＳｉＯ２ 層を形成し、さらにその上にフォトレ
ジストを塗布し、高温で焼きしめて（３１３）ハードベ
ークレジストを形成する。さらにこのハードベークレジ
スト上にＥＢ蒸着法によりＳｉＯ２ 層を形成する。
１２）ＳｉＯ２ 層を形成し、さらにその上にフォトレ
ジストを塗布し、高温で焼きしめて（３１３）ハードベ
ークレジストを形成する。さらにこのハードベークレジ
スト上にＥＢ蒸着法によりＳｉＯ２ 層を形成する。
【００４６】次に反応性イオンエッチング法（以下、Ｒ
ＩＥ法と記す）を用いて、基板上に形成した各層をエッ
チングする。初めに（３１３）ハードベークレジスト上
に形成したＳｉＯ２ 層上に通常用いられるフォトリソ
グラフィー工程を施し、必要なレジストパターンを形成
し、このパターンをマスクとしてＲＩＥ法によりＳｉＯ
２ 層をエッチングする。例えば、ＣＦ４ ガスを用い
て、ガス圧４．５Ｐａ、入力ＲＦパワー１５０Ｗ、サン
プルホルダーを２０℃にコントロールしてＲＩＥを実施
する。次にこのＳｉＯ２ 層をマスクにして、ＲＩＥ法
により（３１３）ハードベークレジストをエッチングす
る。 例えば、Ｏ２ ガスを用いて、ガス圧４．５Ｐａ、入力
パワー１５０Ｗ、サンプルホルダーを２０℃にコントロ
ールしてＲＩＥを実施する。この時ＳｉＯ２ 層上に初
めに形成したレジストパターンも同時にエッチングされ
る。 次にパターン状に残っているＳｉＯ２ 層とエピタキシ
ャル層上に形成した（３１２）ＳｉＯ２ 層を同時にエ
ッチングするために再びＣＦ４ ガスを用いてエッチン
グを行う。以上のように薄いＳｉＯ２ 層をマスクにし
て、ドライエッチングの１方法であるＲＩＥ法を（３１
３）ハードベークレジストに用いることにより、必要な
パターン形状を持ちながら、さらに基板に対して垂直な
側面を持った（３１３）ハードベークレジストが作成で
きる（図７（ｂ））。
ＩＥ法と記す）を用いて、基板上に形成した各層をエッ
チングする。初めに（３１３）ハードベークレジスト上
に形成したＳｉＯ２ 層上に通常用いられるフォトリソ
グラフィー工程を施し、必要なレジストパターンを形成
し、このパターンをマスクとしてＲＩＥ法によりＳｉＯ
２ 層をエッチングする。例えば、ＣＦ４ ガスを用い
て、ガス圧４．５Ｐａ、入力ＲＦパワー１５０Ｗ、サン
プルホルダーを２０℃にコントロールしてＲＩＥを実施
する。次にこのＳｉＯ２ 層をマスクにして、ＲＩＥ法
により（３１３）ハードベークレジストをエッチングす
る。 例えば、Ｏ２ ガスを用いて、ガス圧４．５Ｐａ、入力
パワー１５０Ｗ、サンプルホルダーを２０℃にコントロ
ールしてＲＩＥを実施する。この時ＳｉＯ２ 層上に初
めに形成したレジストパターンも同時にエッチングされ
る。 次にパターン状に残っているＳｉＯ２ 層とエピタキシ
ャル層上に形成した（３１２）ＳｉＯ２ 層を同時にエ
ッチングするために再びＣＦ４ ガスを用いてエッチン
グを行う。以上のように薄いＳｉＯ２ 層をマスクにし
て、ドライエッチングの１方法であるＲＩＥ法を（３１
３）ハードベークレジストに用いることにより、必要な
パターン形状を持ちながら、さらに基板に対して垂直な
側面を持った（３１３）ハードベークレジストが作成で
きる（図７（ｂ））。
【００４７】この垂直な側面を持った（３１３）ハード
ベークレジストをマスクにして、反応性イオンビームエ
ッチング法（以下、ＲＩＢＥ法と記す）を用いて、柱状
の発光部を残して（３０７）ｐ型Ａｌ０．５ Ｇａ０．
５ Ａｓクラッド層の途中までエッチングを行う（図７
（ｃ））。この際、エッチングガスには例えば塩素とア
ルゴンの混合ガスを用い、ガス圧力５×１０−４Ｔｏｒ
ｒ、プラズマ引出し電圧４００Ｖ、エッチング試料上で
のイオン電流密度４００μＡ／ｃｍ２ 、サンプルホル
ダーを２０℃に保って行った。ここで、（３０７）ｐ型
Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓクラッド層の途中までし
かエッチングしないのは、活性層の水平方向の注入キャ
リアと光の閉じ込めを、屈折率導波型のリブ導波路構造
にして、活性層内の光の一部を活性層水平方向に伝達で
きるようにするためである。
ベークレジストをマスクにして、反応性イオンビームエ
ッチング法（以下、ＲＩＢＥ法と記す）を用いて、柱状
の発光部を残して（３０７）ｐ型Ａｌ０．５ Ｇａ０．
５ Ａｓクラッド層の途中までエッチングを行う（図７
（ｃ））。この際、エッチングガスには例えば塩素とア
ルゴンの混合ガスを用い、ガス圧力５×１０−４Ｔｏｒ
ｒ、プラズマ引出し電圧４００Ｖ、エッチング試料上で
のイオン電流密度４００μＡ／ｃｍ２ 、サンプルホル
ダーを２０℃に保って行った。ここで、（３０７）ｐ型
Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓクラッド層の途中までし
かエッチングしないのは、活性層の水平方向の注入キャ
リアと光の閉じ込めを、屈折率導波型のリブ導波路構造
にして、活性層内の光の一部を活性層水平方向に伝達で
きるようにするためである。
【００４８】また、垂直な側面を持った（３１３）ハー
ドベークレジストとエッチング試料に対して垂直にイオ
ンをビーム状に照射してエッチングを行うＲＩＢＥ法を
用いることにより、近接した（３２０）発光部を基板に
垂直な（３１４）分離溝で分離できると共に、面発光型
半導体レーザの特性向上に必要な垂直光共振器の作成が
可能となっている。
ドベークレジストとエッチング試料に対して垂直にイオ
ンをビーム状に照射してエッチングを行うＲＩＢＥ法を
用いることにより、近接した（３２０）発光部を基板に
垂直な（３１４）分離溝で分離できると共に、面発光型
半導体レーザの特性向上に必要な垂直光共振器の作成が
可能となっている。
【００４９】次に（３１３）ハードベークレジストを取
り除いた後、ＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法などで、Ａ
ｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓに格子整合するＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体エピタキシャル層としての（３０９）Ｚ
ｎＳ０．０６Ｓｅ０．９４層を埋込み成長する（図７（
ｄ））。この（３０９）層は、（３００）面発光型半導
体レーザの発振波長に対して透明である。
り除いた後、ＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法などで、Ａ
ｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓに格子整合するＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体エピタキシャル層としての（３０９）Ｚ
ｎＳ０．０６Ｓｅ０．９４層を埋込み成長する（図７（
ｄ））。この（３０９）層は、（３００）面発光型半導
体レーザの発振波長に対して透明である。
【００５０】さらに、（３１２）ＳｉＯ２ 層とその上
にできた多結晶状のＺｎＳＳｅを取り除いた後、表面に
４ペアの（３１１）ＳｉＯ２ ／ａ−Ｓｉ誘電体多層膜
反射鏡を電子ビーム蒸着により形成し、ドライエッチン
グを用いて分離した（３２０）発光部の一部と、（３２
０）発光部で挟まれた埋込み層を残して取り去る（図７
（ｅ））。波長７８０ｎｍでの誘電体多層膜反射鏡の反
射率は、９５％以上である。ＺｎＳＳｅで埋め込んだ（
３１４）分離溝上にも（３１１）誘電体多層膜反射鏡を
作成することにより発光部に挟まれた領域も垂直共振器
構造が形成され、（３１４）分離溝にもれた光も有効に
レーザ発振に寄与し、また漏れた光を利用するため、（
３２０）発光部の位相に同期した発光となる。
にできた多結晶状のＺｎＳＳｅを取り除いた後、表面に
４ペアの（３１１）ＳｉＯ２ ／ａ−Ｓｉ誘電体多層膜
反射鏡を電子ビーム蒸着により形成し、ドライエッチン
グを用いて分離した（３２０）発光部の一部と、（３２
０）発光部で挟まれた埋込み層を残して取り去る（図７
（ｅ））。波長７８０ｎｍでの誘電体多層膜反射鏡の反
射率は、９５％以上である。ＺｎＳＳｅで埋め込んだ（
３１４）分離溝上にも（３１１）誘電体多層膜反射鏡を
作成することにより発光部に挟まれた領域も垂直共振器
構造が形成され、（３１４）分離溝にもれた光も有効に
レーザ発振に寄与し、また漏れた光を利用するため、（
３２０）発光部の位相に同期した発光となる。
【００５１】しかる後に（３１１）誘電体多層膜反射鏡
以外の表面に（３１０）ｐ型オーミック電極を蒸着し、
さらに基板側に（３０１）ｎ型オーミック電極を蒸着し
、Ｎ２ 雰囲気中で４２０℃でアロイングを行い、（３
００）面発光半導体レーザを完成する（図７（ｆ））。 ここで、出射側の（３１０）ｎ型オーミック電極は、各
（３２０）発光部の各（３０８）コンタクト層に導通す
るように形成される。
以外の表面に（３１０）ｐ型オーミック電極を蒸着し、
さらに基板側に（３０１）ｎ型オーミック電極を蒸着し
、Ｎ２ 雰囲気中で４２０℃でアロイングを行い、（３
００）面発光半導体レーザを完成する（図７（ｆ））。 ここで、出射側の（３１０）ｎ型オーミック電極は、各
（３２０）発光部の各（３０８）コンタクト層に導通す
るように形成される。
【００５２】この様に作製した本実施例の面発光型半導
体レーザは、（３０９）埋込み層にＺｎＳＳｅエピタキ
シャル層を用いることにより、従来使用していたＡｌＧ
ａＡｓ層のｐ−ｎジャンクションの逆バイアスを使用す
る電流ブロック構造よりも高抵抗である１ＧΩ以上の抵
抗を有し、最適な電流ブロック構造を持つとともに、埋
込み層が発振波長７８０ｎｍに対して吸収を持たない透
過材料であることから（３２０）発光部からの漏れ光を
有効に利用できるものとなっている。
体レーザは、（３０９）埋込み層にＺｎＳＳｅエピタキ
シャル層を用いることにより、従来使用していたＡｌＧ
ａＡｓ層のｐ−ｎジャンクションの逆バイアスを使用す
る電流ブロック構造よりも高抵抗である１ＧΩ以上の抵
抗を有し、最適な電流ブロック構造を持つとともに、埋
込み層が発振波長７８０ｎｍに対して吸収を持たない透
過材料であることから（３２０）発光部からの漏れ光を
有効に利用できるものとなっている。
【００５３】図８は、従来の面発光型半導体レーザと本
実施例の面発光型半導体レーザの光が出射される側の形
状とレーザ発振時のＮＦＰの強度分布を示したものであ
る。図８（ａ）は、図１２に示す従来の面発光型半導体
レーザ（６００）の共振器（６２０）をｎ−ｐ接合の（
６０７−６０８）ＧａＡｌＡｓエピタキシャル層出埋め
込むことが可能な距離である５μｍ程度まで接近させた
場合を示している。レーザの出射面には、誘電体多層膜
反射鏡とｐ型オーミック電極があるが、共振器の形状を
比較するために図では削除している。図８（ｂ）は図８
（ａ）ａ−ｂ間のＮＦＰ強度分布を示している。従来の
面発光型半導体レーザの発光部（６２０）を複数個、埋
め込み可能な距離まで接近させても発光スポットが複数
個現れるだけで、横方向の光の漏れが無いため、多峰性
のＮＦＰとなり、１つの発光スポットにならない。
実施例の面発光型半導体レーザの光が出射される側の形
状とレーザ発振時のＮＦＰの強度分布を示したものであ
る。図８（ａ）は、図１２に示す従来の面発光型半導体
レーザ（６００）の共振器（６２０）をｎ−ｐ接合の（
６０７−６０８）ＧａＡｌＡｓエピタキシャル層出埋め
込むことが可能な距離である５μｍ程度まで接近させた
場合を示している。レーザの出射面には、誘電体多層膜
反射鏡とｐ型オーミック電極があるが、共振器の形状を
比較するために図では削除している。図８（ｂ）は図８
（ａ）ａ−ｂ間のＮＦＰ強度分布を示している。従来の
面発光型半導体レーザの発光部（６２０）を複数個、埋
め込み可能な距離まで接近させても発光スポットが複数
個現れるだけで、横方向の光の漏れが無いため、多峰性
のＮＦＰとなり、１つの発光スポットにならない。
【００５４】図８（ｃ）は本実施例の面発光型半導体レ
ーザの形状であり、分離溝を（４０９）ＮｎＳ０．０６
Ｓｅ０．９４層で埋め込んでおり、気相成長で埋め込む
ので分離溝の最小幅は１μｍである。図８（ｄ）は図８
（ｃ）ｃ−ｄ間のＮＦＰである。（３１４）分離溝の上
からも光が出射されるので、発光点が広がることがＮＦ
Ｐからわかる。さらに近接したレーザ光の位相が同期す
るので、光出力が増加し、放射角も１°以下の円形ビー
ムが得られる。
ーザの形状であり、分離溝を（４０９）ＮｎＳ０．０６
Ｓｅ０．９４層で埋め込んでおり、気相成長で埋め込む
ので分離溝の最小幅は１μｍである。図８（ｄ）は図８
（ｃ）ｃ−ｄ間のＮＦＰである。（３１４）分離溝の上
からも光が出射されるので、発光点が広がることがＮＦ
Ｐからわかる。さらに近接したレーザ光の位相が同期す
るので、光出力が増加し、放射角も１°以下の円形ビー
ムが得られる。
【００５５】表２に実施例の（３００）面発光型半導体
レーザの（３１４）分離溝の幅とＮＦＰから測定される
発振横モード次数の関係を示す。
レーザの（３１４）分離溝の幅とＮＦＰから測定される
発振横モード次数の関係を示す。
【００５６】
【表２】
１０μｍより幅が狭いと位相同期したレーザの発振横モ
ードは基本モードで発振するが、それ以上では１次以上
の高次モードでレーザ発振し、放射角が広がったり、ビ
ーム形状が楕円形になるので、応用上好ましくない。ま
た、０．５μｍより狭い分離溝では円形ビームが得られ
にくい傾向がある。
ードは基本モードで発振するが、それ以上では１次以上
の高次モードでレーザ発振し、放射角が広がったり、ビ
ーム形状が楕円形になるので、応用上好ましくない。ま
た、０．５μｍより狭い分離溝では円形ビームが得られ
にくい傾向がある。
【００５７】上述の実施例では、複数の発光部を分離し
て設けた一つの光共振器を有する半導体レーザについて
説明したが、このような光共振器を同一半導体基板上に
複数形成することもできる。そして、各光共振器毎に光
出射側のｐ型オーミック電極をそれぞれ独立して設けれ
ば、各光共振器からのレーザビームを、それぞれ独立し
てＯＮ，ＯＦＦ，変調可能となる。
て設けた一つの光共振器を有する半導体レーザについて
説明したが、このような光共振器を同一半導体基板上に
複数形成することもできる。そして、各光共振器毎に光
出射側のｐ型オーミック電極をそれぞれ独立して設けれ
ば、各光共振器からのレーザビームを、それぞれ独立し
てＯＮ，ＯＦＦ，変調可能となる。
【００５８】なお、上記実施例では、ＧａＡｌＡｓ系面
発光型半導体レーザについて説明したが、上述したよう
に、その他のＩＩＩ −Ｖ 族系の面発光型半導体レー
ザにも好適に適用でき、特に活性層はＧａ０．８７Ａｌ
０．１３Ａｓだけでなく、Ａｌの組成を変えることで発
振波長を変更することもできる。
発光型半導体レーザについて説明したが、上述したよう
に、その他のＩＩＩ −Ｖ 族系の面発光型半導体レー
ザにも好適に適用でき、特に活性層はＧａ０．８７Ａｌ
０．１３Ａｓだけでなく、Ａｌの組成を変えることで発
振波長を変更することもできる。
【００５９】また、本実施例は図６に示した構造、なら
びに図８（ｃ）に示した発光部の構造をもとに説明を行
ったが、本発明はこれにとらわれない。図９から図１１
は、本発明の別の実施例を示したものであり、それぞれ
光出射側からみた光共振器及びその内部に作製した分離
溝の基板に水平な面の形状を表した発光部の概略図であ
る。図９（ａ）〜（ｊ）及び（ｍ）は、柱状半導体層の
基板に水平な断面を円又は正多角形としたものを複数個
形成し、これらを線対称配置としたものである。いずれ
も、発光部が一つのものより発光スポットを拡大できる
。各発光部及び分離溝から一つの光束を持った比較的大
きなビーム径のレーザビームを得る場合には、図６（ｋ
），（ｌ）に示すように、各発光部の横断面形状を円又
は正多角形以外の形状としても、円形ビームを得ること
ができる。線対称配置された非円形でかつ非正多角形の
各発光部の外縁を連ねた輪郭形状が、円又は正多角形に
近い形状であれば良い。また、図１０（ａ）〜（ｄ）、
図１１（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ示した実施例は発光部
をｎ個形成するものであり、この実施例においても、図
６に示した実施例と同様な効果が得られると共に、発光
スポットを任意の大きさ，形状にすることができる効果
が得られている。図１０，図１１に示すものはいずれも
、基板と平行な２次元面上で横列及び／又は縦列で等間
隔に複数の発光部を配列することで、ラインビームを得
ることができる。
びに図８（ｃ）に示した発光部の構造をもとに説明を行
ったが、本発明はこれにとらわれない。図９から図１１
は、本発明の別の実施例を示したものであり、それぞれ
光出射側からみた光共振器及びその内部に作製した分離
溝の基板に水平な面の形状を表した発光部の概略図であ
る。図９（ａ）〜（ｊ）及び（ｍ）は、柱状半導体層の
基板に水平な断面を円又は正多角形としたものを複数個
形成し、これらを線対称配置としたものである。いずれ
も、発光部が一つのものより発光スポットを拡大できる
。各発光部及び分離溝から一つの光束を持った比較的大
きなビーム径のレーザビームを得る場合には、図６（ｋ
），（ｌ）に示すように、各発光部の横断面形状を円又
は正多角形以外の形状としても、円形ビームを得ること
ができる。線対称配置された非円形でかつ非正多角形の
各発光部の外縁を連ねた輪郭形状が、円又は正多角形に
近い形状であれば良い。また、図１０（ａ）〜（ｄ）、
図１１（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ示した実施例は発光部
をｎ個形成するものであり、この実施例においても、図
６に示した実施例と同様な効果が得られると共に、発光
スポットを任意の大きさ，形状にすることができる効果
が得られている。図１０，図１１に示すものはいずれも
、基板と平行な２次元面上で横列及び／又は縦列で等間
隔に複数の発光部を配列することで、ラインビームを得
ることができる。
【００６０】なお、図６に示す実施例において、（３１
０）ｐ型オーミック電極を各（３２０）発光部の数だけ
分離して設け、それぞれが（３０８）コンタクト層に接
続された半導体レーザを製造することもできる。この場
合、それぞれが円形ビームを独立してＯＮ，ＯＦＦ，変
調制御可能な複数の発光部を同一基板上に複数形成した
ものとなり、しかも各ビームの波長は同期している。
０）ｐ型オーミック電極を各（３２０）発光部の数だけ
分離して設け、それぞれが（３０８）コンタクト層に接
続された半導体レーザを製造することもできる。この場
合、それぞれが円形ビームを独立してＯＮ，ＯＦＦ，変
調制御可能な複数の発光部を同一基板上に複数形成した
ものとなり、しかも各ビームの波長は同期している。
【００６１】また、本発明の面発光型半導体レーザの応
用範囲は、プリンタ、複写機等の印刷装置のみならず、
ファクシミリ、ディスプレイにても全く同様な効果を有
することは言うまでない。
用範囲は、プリンタ、複写機等の印刷装置のみならず、
ファクシミリ、ディスプレイにても全く同様な効果を有
することは言うまでない。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る面発
光型半導体レーザによれば、共振器を構成する柱状半導
体層の周囲を高抵抗のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタ
キシャル層で埋め込んでいるため、この埋込み層への注
入電流のもれは生じず、極めて有効な電流狭窄が達成さ
れる。そして、無効電流を低減できるので、しきい値電
流を下げることが可能となる。結果として、発熱の少な
い面発光型半導体レーザを実現でき、常温にて連続発振
が可能となる実用性の高い面発光型半導体レーザを提供
できる。また、この埋込み層は多層構造でないので容易
に形成でき、再現性も良好となる。
光型半導体レーザによれば、共振器を構成する柱状半導
体層の周囲を高抵抗のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタ
キシャル層で埋め込んでいるため、この埋込み層への注
入電流のもれは生じず、極めて有効な電流狭窄が達成さ
れる。そして、無効電流を低減できるので、しきい値電
流を下げることが可能となる。結果として、発熱の少な
い面発光型半導体レーザを実現でき、常温にて連続発振
が可能となる実用性の高い面発光型半導体レーザを提供
できる。また、この埋込み層は多層構造でないので容易
に形成でき、再現性も良好となる。
【００６３】本発明に係る製造方法によれば、本発明に
係る面発光型半導体レーザのＩＩ−ＶＩ族化合物による
埋込み層を気相成長により形成しているので、柱状半導
体層を変形，破損させることがなく、歩留まりを向上さ
せることができる。
係る面発光型半導体レーザのＩＩ−ＶＩ族化合物による
埋込み層を気相成長により形成しているので、柱状半導
体層を変形，破損させることがなく、歩留まりを向上さ
せることができる。
【図１】本発明の一実施例における半導体レーザの発光
部の断面を示す斜視図である。
部の断面を示す斜視図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は図１の半導体レーザの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図３】図１の半導体レーザの駆動電流と発振光出力の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例における半導体レーザの発
光部の断面を示す斜視図である。
光部の断面を示す斜視図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は図４の半導体レーザの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例における位相同期型の面発光型
半導体レーザの発光部の断面を示す概略図である。
半導体レーザの発光部の断面を示す概略図である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は図６の半導体レーザの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図８】従来の面発光型半導体レーザと図６半導体レー
ザの形状の違いと発光近視野像の違いを示した図であり
、同図（ａ）は従来の面発光型半導体レーザの光が出射
される側の形状を示しており、同図（ｂ）は同図（ａ）
に示した半導体レーザの発光遠視野像の強度分布を示す
。同図（ｃ）は本実施例に於ける半導体レーザの光が出
射される側の形状の一例を示しており、同図（ｄ）は同
図（ｃ）に示した半導体レーザの発光遠視野像の強度分
布を示すである。
ザの形状の違いと発光近視野像の違いを示した図であり
、同図（ａ）は従来の面発光型半導体レーザの光が出射
される側の形状を示しており、同図（ｂ）は同図（ａ）
に示した半導体レーザの発光遠視野像の強度分布を示す
。同図（ｃ）は本実施例に於ける半導体レーザの光が出
射される側の形状の一例を示しており、同図（ｄ）は同
図（ｃ）に示した半導体レーザの発光遠視野像の強度分
布を示すである。
【図９】（ａ）〜（ｍ）は、本発明の別の実施例におけ
る位相同期型の面発光型半導体半導体レーザの光が出射
される側の形状を示す概略図である。
る位相同期型の面発光型半導体半導体レーザの光が出射
される側の形状を示す概略図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の別の実施例に於
ける位相同期型の面発光型半導体レーザの光が出射され
る側の形状を示す概略図である。
ける位相同期型の面発光型半導体レーザの光が出射され
る側の形状を示す概略図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の別の実施例に於
ける位相同期型の面発光型半導体レーザの光が出射され
る側の形状を示す概略図である。
ける位相同期型の面発光型半導体レーザの光が出射され
る側の形状を示す概略図である。
【図１２】従来の面発光型半導体レーザの発光部を示す
斜視図である。
斜視図である。
１０２，２０２，３０２ 半導体基板１０６，２０６
，３０６ 活性層 １０７，２０７，３０７ クラッド層１０８，２０８
，３０８ コンタクト層１０９，２０９，３０９
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層 １１１，２１１，３１１ 光出射側反射鏡３１４
分離溝 ３２０ 発光部
，３０６ 活性層 １０７，２０７，３０７ クラッド層１０８，２０８
，３０８ コンタクト層１０９，２０９，３０９
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層 １１１，２１１，３１１ 光出射側反射鏡３１４
分離溝 ３２０ 発光部
Claims (16)
- 【請求項１】 半導体基板に垂直な方向に光を出射す
る面発光型半導体レーザにおいて、反射率の異なる一対
の反射鏡とそれらの間の多層の半導体層とを有し、前記
半導体層のうちの少なくともクラッド層が１本又は複数
本の柱状に形成されている光共振器と、柱状の前記半導
体層の周囲に埋め込まれたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エ
ピタキシャル層と、を有することを特徴とする面発光型
半導体レーザ。 - 【請求項２】 請求項１において、前記ＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体エピタキシャル層は、ＩＩ族元素であるＺ
ｎ，Ｃｄ，Ｈｇと、ＶＩ族元素であるＯ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔ
ｅとを、２元素，３元素又は４元素組み合わせた半導体
エピタキシャル層であることを特徴とする面発光型半導
体レーザ。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、前記ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層の格子定数が、前
記柱状の半導体層の格子定数と一致していることを特徴
とする面発光型半導体レーザ。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記柱状の半導体層の前記半導体基板と平行な断面が、
円、正多角形のいずれかであることを特徴とする面発光
型半導体レーザ。 - 【請求項５】 請求項４において、前記柱状の半導体
層の前記半導体基板と平行な断面の直径、対角線の長さ
のいずれかが１０μｍ以下であることを特徴とする面発
光型半導体レーザ。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記光共振器の光出射側の半導体コンタクト層の膜厚が
、３．０μｍ以下であることを特徴とする面発光型半導
体レーザ。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記光共振器は、複数本の前記柱状の半導体層に分離す
る分離溝を有し、前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタ
キシャル層が前記分離溝に埋込み形成されて、各柱状の
前記半導体層にそれぞれ発光部が形成され、前記光共振
器を構成する半導体層のうちの活性層には前記分離溝が
到達せず、各発光部での光の位相が同期していることを
特徴とする面発光型半導体レーザ。 - 【請求項８】 請求項７において、前記分離溝は、前
記半導体基板に対して垂直な溝であることを特徴とする
面発光型半導体レーザ。 - 【請求項９】 請求項７又は８において、前記分離溝
には、出射するレーザ光の波長に対して透明な前記ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層が埋め込まれ、
光出射側の前記反射鏡は、複数本の前記柱状の各端面及
び前記分離溝に埋め込まれた前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体エピタキシャル層と対向する領域に亘って形成され
ていることを特徴とする面発光型半導体レーザ。 - 【請求項１０】 請求項９において、前記ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体エピタキシャル層は、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ
、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳＳｅのいずれかであ
ることを特徴とする面発光型半導体レーザ。 - 【請求項１１】 請求項７乃至１０のいずれかにおい
て、前記分離溝の前記半導体基板と平行な断面の幅は、
０．５μｍ以上で１０μｍ未満であることを特徴とする
面発光型半導体レーザ。 - 【請求項１２】 半導体基板に垂直な方向に光を出射
する面発光型半導体レーザの製造方法において、半導体
基板上に光共振器を構成する多層の半導体層を形成し、
前記半導体層上にフォトレジストマスクを形成し、半導
体層のうちの少なくともクラッド層を、前記フォトレジ
ストマスクを用いてエッチングして、１本又は複数本の
柱状の半導体層を形成し、前記柱状の半導体層の周囲に
、ＩＩ−ＶＩ族化合物を用いた気相成長法によって埋込
み層を形成することを特徴とする面発光型半導体レーザ
の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１２において、前記ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物を用いた気相成長法の実施により、前記ＩＩ
−ＶＩ族化合物がエピタキシャル成長してＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体エピタキシャル層が形成されることを特徴
とする面発光型半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１２又は１３において、前記
エッチング工程は前記クラッド層の一部を残して終了し
、その下層の活性層を露出させないことを特徴とする面
発光型半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１２乃至１４のいずれかにお
いて、前記フォトレジストマスクは、露光されたフォト
レジスト層を反応性イオンエッチングすることで形成さ
れ、前記フォトレジストマスクの側面は前記半導体基板
に垂直であることを特徴とする面発光型半導体レーザの
製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１５において、前記フォトレ
ジストマスクを用いて、前記柱状の半導体層を反応性イ
オンビームエッチングにより形成し、前記柱状半導体層
の側面が前記半導体基板に垂直であることを特徴とする
面発光型半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22415391A JP3395194B2 (ja) | 1990-09-12 | 1991-09-04 | 面発光型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-242000 | 1990-09-12 | ||
| JP24200090 | 1990-09-12 | ||
| JP22415391A JP3395194B2 (ja) | 1990-09-12 | 1991-09-04 | 面発光型半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363081A true JPH04363081A (ja) | 1992-12-15 |
| JP3395194B2 JP3395194B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=26525877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22415391A Expired - Lifetime JP3395194B2 (ja) | 1990-09-12 | 1991-09-04 | 面発光型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395194B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5295148A (en) * | 1990-09-12 | 1994-03-15 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor laser |
| US5317584A (en) * | 1990-09-12 | 1994-05-31 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor laser |
| US5356832A (en) * | 1990-09-12 | 1994-10-18 | Seiko Epson Corporation | Method of making surface emission type semiconductor laser |
| US5404369A (en) * | 1990-09-12 | 1995-04-04 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor laser |
| US5436922A (en) * | 1990-09-12 | 1995-07-25 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor laser |
| US5537666A (en) * | 1990-09-12 | 1996-07-16 | Seiko Epson Coropration | Surface emission type semiconductor laser |
| JP2002164575A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2002359432A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ及び表面発光型半導体レーザの製造方法 |
| US6785476B1 (en) | 1999-03-04 | 2004-08-31 | Infineon Technologies Ag | Transmission configuration |
| KR100472045B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2005-03-08 | 주식회사 옵토웰 | 수직공진 표면발광 레이저 다이오드의 제조방법 |
| JP2006253340A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子およびその製造方法および面発光レーザアレイおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム |
| WO2018031582A1 (en) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | Finisar Corporation | Etched planarized vcsel |
| JP2022058667A (ja) * | 2016-12-20 | 2022-04-12 | ソニーグループ株式会社 | 発光素子 |
| EP3930122A4 (en) * | 2019-02-21 | 2022-11-30 | Stanley Electric Co., Ltd. | VERTICAL RESONATOR TYPE LIGHT EMITTING DEVICE |
| US12218486B2 (en) | 2018-10-18 | 2025-02-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity surface emitting device |
| US12308614B2 (en) | 2018-10-18 | 2025-05-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity surface emitting device |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP22415391A patent/JP3395194B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5295148A (en) * | 1990-09-12 | 1994-03-15 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor laser |
| US5317584A (en) * | 1990-09-12 | 1994-05-31 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor laser |
| US5356832A (en) * | 1990-09-12 | 1994-10-18 | Seiko Epson Corporation | Method of making surface emission type semiconductor laser |
| US5404369A (en) * | 1990-09-12 | 1995-04-04 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor laser |
| US5436922A (en) * | 1990-09-12 | 1995-07-25 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor laser |
| US5537666A (en) * | 1990-09-12 | 1996-07-16 | Seiko Epson Coropration | Surface emission type semiconductor laser |
| US5587335A (en) * | 1990-09-12 | 1996-12-24 | Seiko Epson Corporation | Method of making surface emission type semiconductor laser |
| US6785476B1 (en) | 1999-03-04 | 2004-08-31 | Infineon Technologies Ag | Transmission configuration |
| JP2002164575A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2002359432A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ及び表面発光型半導体レーザの製造方法 |
| KR100472045B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2005-03-08 | 주식회사 옵토웰 | 수직공진 표면발광 레이저 다이오드의 제조방법 |
| JP2006253340A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子およびその製造方法および面発光レーザアレイおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム |
| WO2018031582A1 (en) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | Finisar Corporation | Etched planarized vcsel |
| US10230215B2 (en) | 2016-08-08 | 2019-03-12 | Finisar Corporation | Etched planarized VCSEL |
| JP2019525485A (ja) * | 2016-08-08 | 2019-09-05 | フィニサー コーポレイション | エッチングされた平坦化ｖｃｓｅｌ |
| EP4489236A3 (en) * | 2016-08-08 | 2025-04-16 | Finisar Corporation | Etched planarized vcsel |
| JP2022058667A (ja) * | 2016-12-20 | 2022-04-12 | ソニーグループ株式会社 | 発光素子 |
| US11611196B2 (en) | 2016-12-20 | 2023-03-21 | Sony Corporation | Light emitting element |
| US12034274B2 (en) | 2016-12-20 | 2024-07-09 | Sony Corporation | Light emitting element |
| US12362540B2 (en) | 2016-12-20 | 2025-07-15 | Sony Corporation | Light emitting element |
| US12218486B2 (en) | 2018-10-18 | 2025-02-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity surface emitting device |
| US12308614B2 (en) | 2018-10-18 | 2025-05-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity surface emitting device |
| EP3930122A4 (en) * | 2019-02-21 | 2022-11-30 | Stanley Electric Co., Ltd. | VERTICAL RESONATOR TYPE LIGHT EMITTING DEVICE |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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