JPH04363385A - 研磨剤組成物 - Google Patents
研磨剤組成物Info
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- JPH04363385A JPH04363385A JP3052750A JP5275091A JPH04363385A JP H04363385 A JPH04363385 A JP H04363385A JP 3052750 A JP3052750 A JP 3052750A JP 5275091 A JP5275091 A JP 5275091A JP H04363385 A JPH04363385 A JP H04363385A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
のである。詳しくは、研磨能率がよく、すぐれた研磨表
面を形成することができる研磨剤組成物に関するもので
ある。
物は知られているが、研磨速度が十分でなく、研磨速度
を上げる目的でアルミナの粒径を大きくすると、研磨表
面に荒れが生ずるようになり、研磨速度と表面状態の両
方を満足するものとは言えなっかった。
ミナに種々の物質を添加することが提案されている。例
えば特開昭54−89389号には水とアルミナに研磨
促進剤として硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、塩
化アルミニウム等のアルミニウム塩を添加した合成樹脂
用研磨剤が提案されている。一方、過去10年間に於い
て、工業的規模の生産が飛躍的に増加したシリコン及び
化合物半導体基板、各種の磁気メモリーハードディスク
、レーザー部品等の材料の精密研磨加工においては、特
に加工面の平滑度、無欠陥性(スクラッチ、オレンジピ
ール、ピット、ノジュール、クラック等の欠陥がない事
)に対する要求水準が、過去の研磨加工技術水準に比し
て遥かに高度化すると共に、他方、生産、検査設備等に
多額の投資が必要な為、生産スピードの向上、不良欠陥
ロスの低減に依るコストカットも重要な課題となってい
る。従って、これらの分野で使用される研磨剤に就いて
も加工精度及び研磨速度の向上に対する要望が極めて強
いものとなっている。特開昭62−25187号はメモ
リハードデイスクの研磨の際も硝酸アルミが促進効果を
奏することを教えている。更に硫酸ニッケル、蓚酸アル
ミ等の無機酸あるいは有機酸の塩類、硫酸等のアンモニ
ウム塩類、金属の亜硝酸塩等が、研磨速度、加工精度を
向上させる添加物として報告されている。
上し、しかも表面状態の優れた研磨物が得られる研磨剤
組成物の提供を目的とするものである。
的を満足するよりすぐれた研磨剤組成物を得るべく、鋭
意研究を重ねた結果、水とアルミナからなる研磨剤組成
物にキレート性化合物を存在させるときは、加工物加工
面の平滑度、或は表面欠陥(スクラッチ、オレンジピー
ル等)発生防止等の研磨仕上がり効果を向上させ同時に
研磨速度をも向上させることが出来ること、また、かか
る組成物にある化合物を加えることによって更に効果を
向上させ得ることを知得した。本発明の要旨は、水、ア
ルミナ及びキレート性化合物を含有してなる研磨剤組成
物に存する。更に、かかる研磨剤組成物にベーマイト或
いはアルミニウム塩を配合した組成物に存する。以下、
本発明を更に詳細に説明する。
アルミナ、θ−アルミナ、α−アルミナ等で特に限定さ
れないが、研磨速度を考慮するとα−アルミナが望まし
い。アルミナの含有量は、通常組成物全量に対して1〜
30重量%、好ましくは2〜15重量%である。あまり
に少ないと研磨速度が小さくなり、逆にあまりに多いと
均一分散が保てなくなり、かつ、スラリー粘度が過大と
なって取扱いが困難となる。粒子径は加工精度及び研磨
速度を考慮すると平均粒径で0.1〜10μm、好まし
くは0.1〜3μmである。
属イオンとキレート化合物を形成する多座配位子をもつ
化合物である。就中本発明においては、例えばエチレン
ジアミン、2,2′−ビピリジン、ジエチレントリアミ
ン等のポリアミン系のキレート性化合物。例えばニトリ
ロトリ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレン
トリアミンペンタ酢酸、或いはこれらのナトリウム塩、
カリウム塩等のポリアミノカルボン酸系のキレート性化
合物が好ましい。特にポリアミノカルボン酸系のキレー
ト性化合物が好ましい。キレート性化合物の含有量は、
組成物全量に対して0.01〜20重量%、好ましくは
0.1〜10重量%であり、また、アルミナに対しては
通常0.5〜50重量%程度である。この量があまりに
少ないと本発明の効果が期待出来なくなる。逆にあまり
に多くても、添加効果が向上する事もなく経済的でない
。本発明の研磨剤組成物が優れた研磨効果を有すること
の詳細は不明であるが、キレート性化合物の存在が研磨
剤組成物中のアルミナの分散状態に何等かの影響を及ぼ
し、かかる分散状態が研磨加工に有利に作用すると思わ
れる。
を存在させると、更にすぐれた効果を得ることができる
。ベーマイトは、AlOOH又はAl2 O3 ・H2
Oの化学式で表示されるアルミナ水和物の一種であり
、ジプサイト等を250℃程度で加圧水熱処理するか、
或はチーグラー法で合成されるアルミニウム有機化合物
〔Al(OR)3 〕(但し、Rはアルキル基である)
の加水分解に依って製造する方法で一般的に生産されて
おり、アルミナゾル、セラミックバインダー、繊維製品
カーペットの帯電防止処理、水の浄化処理、化粧品、軟
こうの増粘剤、アルミナ系触媒又は触媒担体等の原料と
して広く利用されている工業材料である。粉体製品のベ
ーマイトとしては、例えば、KAISER社(米国)、
VISTA Chemical社(米国)、Cond
ea Chemie社(ドイツ)等から市販されてい
るものが挙げられている。本発明で水に分散されるベー
マイトは粉体でもベーマイトゾルでも使用可能である。 ベーマイトの含有量は組成物全量に対し0.1〜20重
量%、好ましくは0.5〜10重量%であり、また、ア
ルミナに対しては、通常1〜50重量%程度である。ベ
ーマイト含有量が余りに少ないと研磨速度向上の効果が
期待出来ず、逆に余りに多いと見掛粘度、チキソトロピ
ー性が増大し、アルミナの均一分散性を損なう事となる
と同時に研磨剤組成物の容器からの取り出しが困難とな
る等ハンドリング上不適な物性となる。
ニウム塩を存在させると研磨速度がより向上するので好
ましい。このアルミニウム塩としては、例えば、硫酸ア
ルミニウム、塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム、リ
ン酸水素アルミニウム、臭化アルミニウム等が挙げられ
る。これらのアルミニウム塩は含水塩、無水塩のいずれ
を用いることもできる。あるいは反応により上記塩を形
成し得るアルミニウム化合物と酸との組合せを使用する
こともできる。アルミニウム塩の量は通常、無水物とし
て、組成物全量に対して0.01〜20重量%、好まし
くは0.1〜10重量%であり、また、アルミナに対し
ては、通常0.5〜50重量%程度である。この量があ
まりに少ないと研磨速度向上の効果が期待出来ず、逆に
あまりに多くても、添加効果が向上することもなく経済
的でない。
分と水を混合攪拌すればよく、混合順序等も特に制限さ
れるものではない。
被加工物の種類、加工条件等の研磨加工上の必要条件に
応じて、下記の如き各種の公知の添加剤を加えてもよい
。
ロパノール、エチレングリコールの様な水溶性アルコー
ル類、アルキルベンゼンスルホン酸ソーダ、ナフタリン
スルホン酸のホルマリン縮合物の様な界面活性剤、硫酸
、塩酸、硝酸、酢酸の様な酸類、リグニンスルホン酸塩
、カルボキシメチルセロース塩、ポリアクリル酸塩の様
な有機ポリアニオン系物質、セルロース、カルボキシメ
チルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースの様なセ
ルロース類、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、酢
酸アンモニウム、硝酸マグネシウムの様な無機塩類等が
あげられる。
、1〜8、好ましくは2〜7である。また、アルミニウ
ム塩を存在させる場合のpHは、アルミニウム塩の溶解
性を考慮すると、1〜6、好ましくは2〜5が望ましい
。
濃度の原液として調製し、実際の研磨加工時に希釈して
使用することも可能である。前述の好ましい濃度範囲は
、実際の研磨加工時のものとして記述した。
プラスチック等の研磨に使用されるが、欠陥のない研磨
表面が得られることから、メモリーハードディスク等の
研磨に特に好適である。
するが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実施例
に限定されるものではない。
の調製〕α−アルミナ(平均粒子径1.5μm、最大粒
子径10μm)を、高速ミキサーを用いて水に分散させ
てα−アルミナ濃度8重量%のスラリーを調製した。こ
れにキレート性化合物及びベーマイトを第1表に記載の
割合で添加混合させて研磨剤組成物を調製した。なお、
ベーマイトとしてはCondea Chemie社製
Pural(商標名)SCF(平均粒子径約20μ)を
使用した。
基板にニッケル・リンの無電解メッキ(ニッケル90〜
92%、リン10〜8%の合金メッキ層)を施した3.
5インチメモリハードディスク(外径約95mm)の基
板を使用した。
)を使用して行なった。研磨機の上下定盤にはエスード
タイプの研磨パッド(第1レース(株)製、ドミテック
ス25−0)を貼りつけ、ディスク5枚を装填して3分
間研磨した。研磨条件は加工圧力100g/cm2 、
下定盤回転数40rpm、研磨剤供給量100cc/分
とした。研磨後、ディスクを洗浄、乾燥し重量減から平
均研磨速度を求めた。また、目視検査に依り表面欠陥の
有無程度を評価した。
5μm、最大粒子径10μm)を、高速ミキサーを用い
て水に分散させてα−アルミナ濃度8重量%のスラリー
を調製した。これにキレート性化合物及びアルミニウム
塩を表2に記載の割合で添加混合して研磨剤組成物を調
製した。
研磨パッド(第一レース(株)製、ドミテックス25−
6)を使用した以外は実施例1と同様にして研磨試験を
行なった。
ート性化合物を添加した研磨剤組成物は、研磨加工面に
表面欠陥を発生する事なく、より高い研磨速度を発現し
、研磨加工能率を高めることができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 水、アルミナ及びキレート性化合物を
含有してなる研磨剤組成物 - 【請求項2】 水、アルミナ、キレート性化合物及び
ベーマイトを含有してなる研磨剤組成物 - 【請求項3】 水、アルミナ、キレート性化合物及び
アルミニウム塩を含有してなる研磨剤組成物
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3052750A JPH0781132B2 (ja) | 1990-08-29 | 1991-03-18 | 研磨剤組成物 |
| US07/988,360 US5366542A (en) | 1990-08-29 | 1992-12-07 | Polishing composition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-227580 | 1990-08-29 | ||
| JP22758090 | 1990-08-29 | ||
| JP3052750A JPH0781132B2 (ja) | 1990-08-29 | 1991-03-18 | 研磨剤組成物 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21253498A Division JP3055060B2 (ja) | 1990-08-29 | 1998-07-28 | 研磨剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363385A true JPH04363385A (ja) | 1992-12-16 |
| JPH0781132B2 JPH0781132B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=26393404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3052750A Expired - Lifetime JPH0781132B2 (ja) | 1990-08-29 | 1991-03-18 | 研磨剤組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5366542A (ja) |
| JP (1) | JPH0781132B2 (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0781132B2 (ja) | 1995-08-30 |
| US5366542A (en) | 1994-11-22 |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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