JPH04363852A - イオンビーム加工装置 - Google Patents
イオンビーム加工装置Info
- Publication number
- JPH04363852A JPH04363852A JP3037888A JP3788891A JPH04363852A JP H04363852 A JPH04363852 A JP H04363852A JP 3037888 A JP3037888 A JP 3037888A JP 3788891 A JP3788891 A JP 3788891A JP H04363852 A JPH04363852 A JP H04363852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- profile
- sample surface
- ion beam
- line profile
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 101000582320 Homo sapiens Neurogenic differentiation factor 6 Proteins 0.000 description 1
- 102100030589 Neurogenic differentiation factor 6 Human genes 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複数台の荷電粒子検出器
を備えて試料の三次元情報を得ながらイオンビーム加工
を行うイオンビーム加工装置、更に詳しくは該装置にお
ける三次元情報を得るためのラインプロファイルの測定
に関するものである。
を備えて試料の三次元情報を得ながらイオンビーム加工
を行うイオンビーム加工装置、更に詳しくは該装置にお
ける三次元情報を得るためのラインプロファイルの測定
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】複数台の荷電粒子検出器を備え、試料の
組成情報や三次元情報を得ながらイオンビーム加工を行
うイオンビーム加工装置については、本願出願人と同一
出願人に係る本願出願と同日付の特許出願「イオンビー
ム加工装置」（以下、同日出願という）において発明さ
れ、その内容は先願の明細書で詳細に開示しており、こ
こでは重複した説明は省略するが、同日出願の図１に示
すように、所定角度方向位置に複数台の荷電粒子検出器
を設置し、各検出器からの検出信号Ａ（Ｘ）とＢ（Ｘ）
との差を求めることにより試料の三次元情報を得ると共
に、Ａ（Ｘ）とＢ（Ｘ）との和を求めることにより組成
情報を得、これらの情報を得ながら精密なイオンビーム
加工を行うこと、および三次元情報をフィードバックさ
せながら精密な自動加工を行うことを目的とする装置で
ある。
組成情報や三次元情報を得ながらイオンビーム加工を行
うイオンビーム加工装置については、本願出願人と同一
出願人に係る本願出願と同日付の特許出願「イオンビー
ム加工装置」（以下、同日出願という）において発明さ
れ、その内容は先願の明細書で詳細に開示しており、こ
こでは重複した説明は省略するが、同日出願の図１に示
すように、所定角度方向位置に複数台の荷電粒子検出器
を設置し、各検出器からの検出信号Ａ（Ｘ）とＢ（Ｘ）
との差を求めることにより試料の三次元情報を得ると共
に、Ａ（Ｘ）とＢ（Ｘ）との和を求めることにより組成
情報を得、これらの情報を得ながら精密なイオンビーム
加工を行うこと、および三次元情報をフィードバックさ
せながら精密な自動加工を行うことを目的とする装置で
ある。
【０００３】各検出器からの検出信号Ａ（Ｘ）とＢ（Ｘ
）とから試料の三次元情報を得るためのラインプロファ
イルの算出方法としては、一般的に下記のような演算式
が用いられている。下記の式において、式（１）は測定
原理そのものを示す式であり、式（２），式（３）は測
定原理にそった経験式を示し、式（３）は形状測定用Ｓ
ＥＭで用いられている式を示す。式（４）は、式（３）
を利用して試料表面の傾きθｉを求める式であり、式（
５）は試料の高さＺ（Ｘｉ）を求める式である。（Ｌ，
Ｍ，Ｋ，Ａ０ ，Ｂ０ はそれぞれ定数である）。
）とから試料の三次元情報を得るためのラインプロファ
イルの算出方法としては、一般的に下記のような演算式
が用いられている。下記の式において、式（１）は測定
原理そのものを示す式であり、式（２），式（３）は測
定原理にそった経験式を示し、式（３）は形状測定用Ｓ
ＥＭで用いられている式を示す。式（４）は、式（３）
を利用して試料表面の傾きθｉを求める式であり、式（
５）は試料の高さＺ（Ｘｉ）を求める式である。（Ｌ，
Ｍ，Ｋ，Ａ０ ，Ｂ０ はそれぞれ定数である）。
【０００４】
【数１】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、同日出願のイオンビーム加工装置における三次元
情報の測定では、凹凸のある試料表面をすべて１つの演
算式を用いてラインプロファイルを測定しているので、
どうしても現実の試料表面形状と部分的な誤差を生じ、
そのため加工精度が悪くなるという点にある。
点は、同日出願のイオンビーム加工装置における三次元
情報の測定では、凹凸のある試料表面をすべて１つの演
算式を用いてラインプロファイルを測定しているので、
どうしても現実の試料表面形状と部分的な誤差を生じ、
そのため加工精度が悪くなるという点にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、初めに一般式
を用いて概略のラインプロファイルを得た後、得られた
概略のラインプロファイルから試料表面を平面部，下り
傾斜部，上り傾斜部，底面部（上面部）の各領域に区分
し、各領域で異なる演算式を用いて正確なラインプロフ
ァイルを得る手段を備えたことを特徴とし、上述の手段
で得られたラインプロファイルを概略のラインプロファ
イルに置き換えて再び上述の手段を繰り返して実行し、
より正確なラインプロファイルを得る手段を備えたこと
を最も主要な特徴としている。
を用いて概略のラインプロファイルを得た後、得られた
概略のラインプロファイルから試料表面を平面部，下り
傾斜部，上り傾斜部，底面部（上面部）の各領域に区分
し、各領域で異なる演算式を用いて正確なラインプロフ
ァイルを得る手段を備えたことを特徴とし、上述の手段
で得られたラインプロファイルを概略のラインプロファ
イルに置き換えて再び上述の手段を繰り返して実行し、
より正確なラインプロファイルを得る手段を備えたこと
を最も主要な特徴としている。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す説明図、図
２は実施例の動作を示すフローチャートであり、試料の
走査領域をＸＥ０〜ＸＥＭとする。初めにステップＳ１
で上述の式（４），式（５）を用い、概略のラインプロ
ファイルを測定する。そして、平均深さｄを求めると共
に、得られたプロファイルから試料表面の凹凸に応じて
試料表面を各領域に区分する。すなわちＸＥ０〜ＸＥ１
の左平面部（これを領域１とする），ＸＥＩ〜ＸＥ２の
左傾斜部（下り傾斜部）（これを領域２とする）、ＸＥ
２〜ＸＥ３の底面部（これを領域３とする）、ＸＥ３〜
ＸＥ４の右傾斜部（上り傾斜部）（これを領域４とする
）、ＸＥ４〜ＸＥＭの右平面部（これを領域５とする）
に区分する。
２は実施例の動作を示すフローチャートであり、試料の
走査領域をＸＥ０〜ＸＥＭとする。初めにステップＳ１
で上述の式（４），式（５）を用い、概略のラインプロ
ファイルを測定する。そして、平均深さｄを求めると共
に、得られたプロファイルから試料表面の凹凸に応じて
試料表面を各領域に区分する。すなわちＸＥ０〜ＸＥ１
の左平面部（これを領域１とする），ＸＥＩ〜ＸＥ２の
左傾斜部（下り傾斜部）（これを領域２とする）、ＸＥ
２〜ＸＥ３の底面部（これを領域３とする）、ＸＥ３〜
ＸＥ４の右傾斜部（上り傾斜部）（これを領域４とする
）、ＸＥ４〜ＸＥＭの右平面部（これを領域５とする）
に区分する。
【０００８】そして、各領域別々の演算式を用いて表面
の傾きθ（Ｘ）を算出する。すなわち、領域１において
は下記の式（６）を、領域２においては式（７）を、領
域３においては式（８）を、領域４においては式（９）
を、領域５においては式（１０）を用い、各領域におけ
るθ（Ｘ）を求める（ステップＳ３）。なお、式（６）
と式（８）とは測定条件が同じ領域であり、同じ式を用
いることができる。そして、得られたθ（Ｘ）から下記
の式（１１）を用い、各（Ｘ）点の高さを求めて、新た
なラインプロファイルを算出する（ステップＳ４）。
の傾きθ（Ｘ）を算出する。すなわち、領域１において
は下記の式（６）を、領域２においては式（７）を、領
域３においては式（８）を、領域４においては式（９）
を、領域５においては式（１０）を用い、各領域におけ
るθ（Ｘ）を求める（ステップＳ３）。なお、式（６）
と式（８）とは測定条件が同じ領域であり、同じ式を用
いることができる。そして、得られたθ（Ｘ）から下記
の式（１１）を用い、各（Ｘ）点の高さを求めて、新た
なラインプロファイルを算出する（ステップＳ４）。
【０００９】
【数２】
【００１０】そして、ステップＳ５でステップＳ２へ戻
り、新たなラインプロファイルを基に上述の動作（ステ
ップＳ２〜Ｓ４）を複数回繰り返し、この動作を終了し
た後、ステップＳ６へ移りラインプロファイルが収斂し
た場合動作を終了する。
り、新たなラインプロファイルを基に上述の動作（ステ
ップＳ２〜Ｓ４）を複数回繰り返し、この動作を終了し
た後、ステップＳ６へ移りラインプロファイルが収斂し
た場合動作を終了する。
【００１１】なお、上述の演算式（６）〜（１１）は本
発明に用いた一実施例を示すものであり、他の演算式を
用いてもよい。また、図１に示す実施例では、イオンビ
ームでエッチングを行い、凹部加工された試料のライン
プロファイルについて説明したが、イオンビームでデポ
ジジョンを行い、凸部を持つ試料のラインプロファイル
についても上記実施例と同様に実施できることは言うま
でもない。さらに、本発明はイオンビーム加工装置につ
いて説明しているが、電子ビームを用いた三次元測定装
置に応用できることは言うまでもない。
発明に用いた一実施例を示すものであり、他の演算式を
用いてもよい。また、図１に示す実施例では、イオンビ
ームでエッチングを行い、凹部加工された試料のライン
プロファイルについて説明したが、イオンビームでデポ
ジジョンを行い、凸部を持つ試料のラインプロファイル
についても上記実施例と同様に実施できることは言うま
でもない。さらに、本発明はイオンビーム加工装置につ
いて説明しているが、電子ビームを用いた三次元測定装
置に応用できることは言うまでもない。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明のイオンビー
ム加工装置は、試料表面の正確なラインプロファイルを
得ることができ、精密なイオンビーム加工が行えると共
に、精密な自動加工を実現できるという利点がある。
ム加工装置は、試料表面の正確なラインプロファイルを
得ることができ、精密なイオンビーム加工が行えると共
に、精密な自動加工を実現できるという利点がある。
【図１】本発明の一実施例を示す説明図である。
【図２】実施例の動作を示すフローチャートである。
Ａ（Ｘ） 荷電粒子検出器Ａからの検出信号Ｂ（Ｘ）
荷電粒子検出器Ｂからの検出信号ＸＥ０〜ＸＥＭ
試料の走査領域 Ｘ１〜Ｘ４ 各測定点
荷電粒子検出器Ｂからの検出信号ＸＥ０〜ＸＥＭ
試料の走査領域 Ｘ１〜Ｘ４ 各測定点
Claims (2)
- 【請求項１】 ビームを試料表面上に走査させ、試料
表面から発生する二次荷電粒子をビームの照射方向に対
し所定角度方向位置に複数台設置した荷電粒子検出器で
検出し、各荷電粒子検出器からの電気信号に所定の演算
を行い、該試料表面の三次元プロファイルを得るイオン
ビーム加工装置において、一般式を用いて概略のライン
プロファイルを得る手段、上記手段により得られた概略
のラインプロファイルから該試料表面を平面部，下り傾
斜部，上り傾斜部，底面部（あるいは上面部）の各領域
に区分する手段、上記区分した各領域でそれぞれ異なる
条件に対応した演算式を用いてラインプロファイルを得
る手段、を備えたことを特徴とするイオンビーム加工装
置。 - 【請求項２】請求項１記載の手段により得られたライン
プロファイルを上記概略のラインプロファイルに置き換
えて上記手段を実行し、これを繰り返し実行する手段を
備えたことを特徴とする請求項１のイオンビーム加工装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037888A JPH04363852A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | イオンビーム加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037888A JPH04363852A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | イオンビーム加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363852A true JPH04363852A (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=12510080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3037888A Pending JPH04363852A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | イオンビーム加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04363852A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115861A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Hitachi Ltd | 試料を加工する装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031402U (ja) * | 1989-05-22 | 1991-01-09 |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3037888A patent/JPH04363852A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031402U (ja) * | 1989-05-22 | 1991-01-09 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115861A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Hitachi Ltd | 試料を加工する装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112381781B (zh) | 基于3d点云的胶路缺陷检测方法 | |
| US20050100205A1 (en) | Method for measuring three dimensional shape of a fine pattern | |
| CN112833790B (zh) | 减小相位光栅非对称性对位置测量精度影响的方法 | |
| CN112213922B (zh) | 一种光刻曝光条件的设定方法 | |
| JPH04363852A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JP5294891B2 (ja) | 凹凸文字抽出のための画像処理方法 | |
| CN117389120B (zh) | 一种坡度角检测方法、装置、设备及介质 | |
| JP2856711B2 (ja) | 位置検出方法 | |
| JPH0416707A (ja) | 電子ビームによるパターン認識方法 | |
| JP3658643B2 (ja) | レ−ダ画像処理システムによる非破壊検査方法 | |
| JP3640012B2 (ja) | 露光装置におけるマスクあるいはウエハのレベリング用計測方法及び計測制御装置 | |
| CN115267919B (zh) | 一种基于分布式高密度电法的地球物理勘探系统 | |
| JPS62261911A (ja) | 形状測定方法 | |
| JPH0554605B2 (ja) | ||
| JP4964400B2 (ja) | 測定波形の信号プロセスによる変則フォトレジスト線／間隔プロファイル検出 | |
| CN116084245B (zh) | 一种基于三维扫描和离散元仿真的电子铺砂法及装置 | |
| JPH0352211B2 (ja) | ||
| JP2754791B2 (ja) | 歪測定器 | |
| JP2004053447A (ja) | 車両計測装置および方法 | |
| JPH11148903A (ja) | 半導体の欠陥密度測定装置および方法並びに半導体の欠陥散乱能測定装置および方法 | |
| WO2023140189A1 (ja) | 情報処理装置、制御方法、プログラム及び記憶媒体 | |
| JPS59103260A (ja) | マクロアナライザ−の検出感度補正装置 | |
| JPH0756447B2 (ja) | 測長方法 | |
| JPH06347257A (ja) | 形状処理方法 | |
| JPS59197806A (ja) | 距離測定装置 |