JPH04364014A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH04364014A JPH04364014A JP3138748A JP13874891A JPH04364014A JP H04364014 A JPH04364014 A JP H04364014A JP 3138748 A JP3138748 A JP 3138748A JP 13874891 A JP13874891 A JP 13874891A JP H04364014 A JPH04364014 A JP H04364014A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック製本体内に
発熱体部を設けた積層セラミックコンデンサに関する。
発熱体部を設けた積層セラミックコンデンサに関する。
【0002】
【従来の技術】昨今、積層セラミックコンデンサの軽薄
短小化と同時に静電容量をも一層増やすことが強く要求
されている。これに応ずるため、誘電率の高い誘電体材
料を新規に開発したり、誘電体層を薄くしたりすること
がなされているが、いずれも技術的に限界に近づいてお
り、これ以上の静電容量の増量化は非常に困難である。
短小化と同時に静電容量をも一層増やすことが強く要求
されている。これに応ずるため、誘電率の高い誘電体材
料を新規に開発したり、誘電体層を薄くしたりすること
がなされているが、いずれも技術的に限界に近づいてお
り、これ以上の静電容量の増量化は非常に困難である。
【0003】ところで、積層セラミックコンデンサは一
般に、六面体であるセラミック製本体と、セラミック製
本体をセラミック層状に仕切る複数の内部電極と、内部
電極に導通すると共にセラミック製本体の一対の側端面
に設けた外部電極とを有する。
般に、六面体であるセラミック製本体と、セラミック製
本体をセラミック層状に仕切る複数の内部電極と、内部
電極に導通すると共にセラミック製本体の一対の側端面
に設けた外部電極とを有する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】セラミック製本体の材
料としては、チタン酸バリウム系が多用されている。チ
タン酸バリウム(BaTiO3 等)系のセラミック誘
電体は、誘電率が常温付近で数千〜1万数千程度と非常
に大きい反面、温度や電圧によって誘電率が大幅に変化
する。このため、このセラミック誘電体を使用したコン
デンサは、小形で大きな静電容量が得られるが、静電容
量が温度や電圧により大きく変動する。
料としては、チタン酸バリウム系が多用されている。チ
タン酸バリウム(BaTiO3 等)系のセラミック誘
電体は、誘電率が常温付近で数千〜1万数千程度と非常
に大きい反面、温度や電圧によって誘電率が大幅に変化
する。このため、このセラミック誘電体を使用したコン
デンサは、小形で大きな静電容量が得られるが、静電容
量が温度や電圧により大きく変動する。
【0005】例えば、BaTiO3 誘電体の温度と誘
電率との関係をグラフで示す図9において、実線aで示
すように、BaTiO3 は約125℃のキューリー点
(キューリー温度)Tc を有するが、このキューリー
点Tc 付近で誘電率が最大、即ち静電容量が最大にな
り、それ以外の温度、例えば常温付近では静電容量が1
/3程度に減少する。このことから、コンデンサは通常
は常温下で使用するため、BaTiO3 誘電体が本来
持つ誘電率を十分に利用していないことが分かる。この
ため、シフター及びディプサー(CeO2、ZrO2
、BaSnO3 、CaTiO3 等)をBaTiO3
に添加して常温付近で最大の静電容量が得られる様に
、又よりフラットな特性を得る様にキューリー点を移動
して使用する(点線c参照)。しかしながら、キューリ
ー点を125℃から常温程度までシフトし、かつ特性を
滑らかにしてやるためには、非常に多くのシフターとデ
ィプサーを必要とし、その分、コンデンサ全体が大型化
し、小型化の要請に反することになる。
電率との関係をグラフで示す図9において、実線aで示
すように、BaTiO3 は約125℃のキューリー点
(キューリー温度)Tc を有するが、このキューリー
点Tc 付近で誘電率が最大、即ち静電容量が最大にな
り、それ以外の温度、例えば常温付近では静電容量が1
/3程度に減少する。このことから、コンデンサは通常
は常温下で使用するため、BaTiO3 誘電体が本来
持つ誘電率を十分に利用していないことが分かる。この
ため、シフター及びディプサー(CeO2、ZrO2
、BaSnO3 、CaTiO3 等)をBaTiO3
に添加して常温付近で最大の静電容量が得られる様に
、又よりフラットな特性を得る様にキューリー点を移動
して使用する(点線c参照)。しかしながら、キューリ
ー点を125℃から常温程度までシフトし、かつ特性を
滑らかにしてやるためには、非常に多くのシフターとデ
ィプサーを必要とし、その分、コンデンサ全体が大型化
し、小型化の要請に反することになる。
【0006】本発明は、前記問題点に着目してなされた
ものであって、静電容量を飛躍的に大きくし、それでい
て小型化の要請に応え得る新規な積層セラミックコンデ
ンサを提供することにある。
ものであって、静電容量を飛躍的に大きくし、それでい
て小型化の要請に応え得る新規な積層セラミックコンデ
ンサを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の積層セラミックコンデンサは、前記従来の
コンデンサにおいて、一対の外部電極から通電されるよ
うに発熱体部をセラミック製本体内に設けたことを特徴
とするものである。本発明のコンデンサでは、セラミッ
ク製本体が上述したようにキューリー点を移動するため
にシフター及びディプサーをチタン酸バリウム系材料に
添加したセラミック誘電体であることと、セラミック製
本体内に発熱体部を設けたこととにより、通電すれば常
温よりも高い温度で作動する。特に、発熱体部が通電に
より発熱し、この熱がセラミック製本体に伝導し、セラ
ミック製本体の温度が常温よりも高い温度に保持される
。この結果、図9で示した実線aのキューリー点Tc
に近い範囲でセラミック誘電体を使用することになり、
この時の温度にキューリーポイントを移動させる上記添
加剤の作用と相まって静電容量は一段と高くなる。この
発明のキューリー点は、発熱体部への通電時の温度に対
応して常温よりも高いので、シフター及びディプサーの
量は、常温にキューリー点を移動させる場合に比し少な
くて良い。その分、小型化が実現する。
に、本発明の積層セラミックコンデンサは、前記従来の
コンデンサにおいて、一対の外部電極から通電されるよ
うに発熱体部をセラミック製本体内に設けたことを特徴
とするものである。本発明のコンデンサでは、セラミッ
ク製本体が上述したようにキューリー点を移動するため
にシフター及びディプサーをチタン酸バリウム系材料に
添加したセラミック誘電体であることと、セラミック製
本体内に発熱体部を設けたこととにより、通電すれば常
温よりも高い温度で作動する。特に、発熱体部が通電に
より発熱し、この熱がセラミック製本体に伝導し、セラ
ミック製本体の温度が常温よりも高い温度に保持される
。この結果、図9で示した実線aのキューリー点Tc
に近い範囲でセラミック誘電体を使用することになり、
この時の温度にキューリーポイントを移動させる上記添
加剤の作用と相まって静電容量は一段と高くなる。この
発明のキューリー点は、発熱体部への通電時の温度に対
応して常温よりも高いので、シフター及びディプサーの
量は、常温にキューリー点を移動させる場合に比し少な
くて良い。その分、小型化が実現する。
【0008】セラミック製本体内に設ける発熱体部は、
通電により発熱してコンデンサを常温よりも高い温度に
維持できる限り、その材料に限定はない。一般的な材料
としては、正温度特性抵抗体(以下、PTCという)や
負温度特性抵抗体(以下、NTCという)が好適である
。ここで、PTCとNTCの温度と抵抗変化率(20℃
の値に対する変化比)との関係を図10にグラフで示す
。このグラフから分かるように、PTCとNTCはそれ
ぞれ組成やその比率によっても多少温度特性が異なるた
め、コンデンサの適用温度に応じて適宜選択すればよい
。例えば、PTCではBaTiO3 とY2 O3 等
の希土類化合物との混合物を使用してもよいし、或いは
キューリー点を調整するために(Ba1−x Pbx
Y)TiO3 又は(Ba1−x Srx Y)TiO
3 を用いてもよい。 NTCとしては、Mn、Co、Ni、Cu、Fe等の金
属酸化物を2種類以上組合せた混合物を使用すればよい
。
通電により発熱してコンデンサを常温よりも高い温度に
維持できる限り、その材料に限定はない。一般的な材料
としては、正温度特性抵抗体(以下、PTCという)や
負温度特性抵抗体(以下、NTCという)が好適である
。ここで、PTCとNTCの温度と抵抗変化率(20℃
の値に対する変化比)との関係を図10にグラフで示す
。このグラフから分かるように、PTCとNTCはそれ
ぞれ組成やその比率によっても多少温度特性が異なるた
め、コンデンサの適用温度に応じて適宜選択すればよい
。例えば、PTCではBaTiO3 とY2 O3 等
の希土類化合物との混合物を使用してもよいし、或いは
キューリー点を調整するために(Ba1−x Pbx
Y)TiO3 又は(Ba1−x Srx Y)TiO
3 を用いてもよい。 NTCとしては、Mn、Co、Ni、Cu、Fe等の金
属酸化物を2種類以上組合せた混合物を使用すればよい
。
【0009】発熱体部は、セラミック製本体内において
一対の外部電極から通電されればよいのであって、その
形状や位置等には種々の様態がある。例えば、互いに隣
接する内部電極間において双方の内部電極が重なる部分
のみに発熱体部を発熱体層として設けたり、一対の外部
電極間において両方の外部電極に接触して発熱体層を設
けたりすればよい。発熱体部を発熱体層とする場合、少
なくとも1層の発熱体層がセラミック製本体内に存在す
れば十分であり、以下の実施例にも示すように1層のみ
、又は2層を設ける態様がある。更に、発熱体層は上記
PTC又はNTCのいずれで構成しても構わず、2層以
上の場合にはどちらか一方のみを使用してもよいし、両
方を組合せても差し支えない。しかし、図10に示す特
性からすると、PTCとNTCを組合せた場合、PTC
の発熱し難い温度帯(通電初期の低温度領域)をNTC
が補償するため、通電に対する昇温特性が優れることに
なる。
一対の外部電極から通電されればよいのであって、その
形状や位置等には種々の様態がある。例えば、互いに隣
接する内部電極間において双方の内部電極が重なる部分
のみに発熱体部を発熱体層として設けたり、一対の外部
電極間において両方の外部電極に接触して発熱体層を設
けたりすればよい。発熱体部を発熱体層とする場合、少
なくとも1層の発熱体層がセラミック製本体内に存在す
れば十分であり、以下の実施例にも示すように1層のみ
、又は2層を設ける態様がある。更に、発熱体層は上記
PTC又はNTCのいずれで構成しても構わず、2層以
上の場合にはどちらか一方のみを使用してもよいし、両
方を組合せても差し支えない。しかし、図10に示す特
性からすると、PTCとNTCを組合せた場合、PTC
の発熱し難い温度帯(通電初期の低温度領域)をNTC
が補償するため、通電に対する昇温特性が優れることに
なる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の積層セラミックコンデンサを
実施例に基づいて説明する。図1はその一例の斜視図を
示す。このコンデンサは、その外観には従来と全く相違
するところはなく、BaTiO3 誘電体からなるセラ
ミック製本体10と、セラミック製本体10の一対の側
端面と側端面の回りの4面の一部分とに設けた外部電極
11とを有する。図2〜図7にセラミック製本体内に内
部電極と発熱体部としての発熱体層を設けた各種態様を
示す。
実施例に基づいて説明する。図1はその一例の斜視図を
示す。このコンデンサは、その外観には従来と全く相違
するところはなく、BaTiO3 誘電体からなるセラ
ミック製本体10と、セラミック製本体10の一対の側
端面と側端面の回りの4面の一部分とに設けた外部電極
11とを有する。図2〜図7にセラミック製本体内に内
部電極と発熱体部としての発熱体層を設けた各種態様を
示す。
【0011】まず、図2に示すコンデンサでは、両側端
面の外部電極11に導通された内部電極12がセラミッ
ク製本体10内に形成され、内部電極12はセラミック
製本体10をセラミック層状に仕切り、外部電極11の
一方と他方に交互に接続されている。内部電極12のう
ち、最上の電極と隣接の電極との間、及び最下の電極と
隣接の電極との間に、PTCからなる発熱体層20が設
けられている。このPTC発熱体層20は、それぞれ2
つの内部電極12に接触すると共に、一対の外部電極1
1にも導通する。
面の外部電極11に導通された内部電極12がセラミッ
ク製本体10内に形成され、内部電極12はセラミック
製本体10をセラミック層状に仕切り、外部電極11の
一方と他方に交互に接続されている。内部電極12のう
ち、最上の電極と隣接の電極との間、及び最下の電極と
隣接の電極との間に、PTCからなる発熱体層20が設
けられている。このPTC発熱体層20は、それぞれ2
つの内部電極12に接触すると共に、一対の外部電極1
1にも導通する。
【0012】このコンデンサでは、2層の発熱体層20
が図10に示すような正温度特性を有するため、通電に
際し発熱体層20が発熱して昇温すると、更に発熱体層
20の抵抗値が上昇するに連れて発熱体層20の温度も
一層高くなる。この発熱体層20の熱がセラミック製本
体10に伝導し、本体10の温度を常温よりも高温に保
持する。この温度にキューリー点を移動させるようにシ
フターとディプサーで調整する。この結果、図9に一点
鎖線bのグラフで示すような温度と誘電率との関係が得
られ、セラミック製本体10であるBaTiO3 誘電
体が従来のコンデンサに係る点線cよりも高い誘電率を
示し、BaTiO3 誘電体の本来持つ誘電率を相当程
度まで活用するため、静電容量が大幅に増える。しかも
、キューリー点が常温より高いので、その分シフターと
ディプサーの量が少なくて良く、その分、コンデンサが
小型となる。
が図10に示すような正温度特性を有するため、通電に
際し発熱体層20が発熱して昇温すると、更に発熱体層
20の抵抗値が上昇するに連れて発熱体層20の温度も
一層高くなる。この発熱体層20の熱がセラミック製本
体10に伝導し、本体10の温度を常温よりも高温に保
持する。この温度にキューリー点を移動させるようにシ
フターとディプサーで調整する。この結果、図9に一点
鎖線bのグラフで示すような温度と誘電率との関係が得
られ、セラミック製本体10であるBaTiO3 誘電
体が従来のコンデンサに係る点線cよりも高い誘電率を
示し、BaTiO3 誘電体の本来持つ誘電率を相当程
度まで活用するため、静電容量が大幅に増える。しかも
、キューリー点が常温より高いので、その分シフターと
ディプサーの量が少なくて良く、その分、コンデンサが
小型となる。
【0013】図3のコンデンサは、内部電極12のうち
、最中の2つの電極間にPTC発熱体層20を設けたも
のである。発熱体層20が1層のみである点以外は作用
・効果は図2のものと大差ない。図4に示すコンデンサ
は、構造的には図2に示すものと同一であるが、上層の
発熱体層20がPTCからなるのに対し、下層の発熱体
層21は負温度特性を有するNTCからなる。このコン
デンサでは、PTC発熱体層20のみであれば通電初期
には発熱体層20は未だ低温で抵抗値も低く、発熱体層
20が十分発熱するまで或る程度の時間を要するのであ
るが、NTC発熱体層21が共存すれば、通電初期の低
温状態で図10から分かるようにNTC発熱体層21の
抵抗値が大きいため、発熱体層21の温度が上昇し、こ
の発熱体層21の熱によりセラミック製本体10とPT
C発熱体層20の温度が上昇し、発熱体層20の昇温に
伴いやがてセラミック製本体10の加熱を発熱体層20
が担うようになる。従って、このコンデンサは通電初期
の昇温特性に優れ、通電後に高誘電率を即座に示すよう
になる。
、最中の2つの電極間にPTC発熱体層20を設けたも
のである。発熱体層20が1層のみである点以外は作用
・効果は図2のものと大差ない。図4に示すコンデンサ
は、構造的には図2に示すものと同一であるが、上層の
発熱体層20がPTCからなるのに対し、下層の発熱体
層21は負温度特性を有するNTCからなる。このコン
デンサでは、PTC発熱体層20のみであれば通電初期
には発熱体層20は未だ低温で抵抗値も低く、発熱体層
20が十分発熱するまで或る程度の時間を要するのであ
るが、NTC発熱体層21が共存すれば、通電初期の低
温状態で図10から分かるようにNTC発熱体層21の
抵抗値が大きいため、発熱体層21の温度が上昇し、こ
の発熱体層21の熱によりセラミック製本体10とPT
C発熱体層20の温度が上昇し、発熱体層20の昇温に
伴いやがてセラミック製本体10の加熱を発熱体層20
が担うようになる。従って、このコンデンサは通電初期
の昇温特性に優れ、通電後に高誘電率を即座に示すよう
になる。
【0014】図5〜図7のコンデンサは、外部電極13
の構造が図2〜図4のものとは異なる。即ち、外部電極
13は、その拡大図を図8に示すように、外部電極11
上にNiメッキ14と半田メッキ15又はスズメッキを
施した3層構造である。又、図5のコンデンサでは、最
上の内部電極12と隣接の内部電極と間、並びに最下の
内部電極12と隣接の内部電極と間において、それぞれ
双方の電極が重なる部分のみにPTC発熱体層20が設
けられており、この発熱体層20は一対の外部電極13
に接触していない。
の構造が図2〜図4のものとは異なる。即ち、外部電極
13は、その拡大図を図8に示すように、外部電極11
上にNiメッキ14と半田メッキ15又はスズメッキを
施した3層構造である。又、図5のコンデンサでは、最
上の内部電極12と隣接の内部電極と間、並びに最下の
内部電極12と隣接の内部電極と間において、それぞれ
双方の電極が重なる部分のみにPTC発熱体層20が設
けられており、この発熱体層20は一対の外部電極13
に接触していない。
【0015】図6のコンデンサは図2のコンデンサと外
部電極13の構造が異なる以外は全く同じである。又、
図7に示すコンデンサはセラミック製本体10の上層と
下層をPTC発熱体層20としたものである。次に、上
記各種のコンデンサの製造について簡潔に述べる。まず
BaTiO3 誘電体100部に対し、添加剤のシフタ
ーとして酸化セリウム及びディプサーとして酸化ジルコ
ニウム0.5〜4.5部、有機結合剤としてアクリル酸
樹脂10部、溶媒としてトルエン30部を、ボールミル
で48時間混合・粉砕してスラリーを作製する。このス
ラリーを用いて、ドクターブレード法にてポリエステル
フィルム又はSUSベルト上に厚さ30μmの誘電体層
を成形し、誘電体シート(グリーンシート)を得る。同
様に、PTC又はNTCに有機結合剤、溶媒を混合した
ものから発熱体層となる発熱体シートを作製する。但し
、誘電体シートとセラミックシートに添加するシフター
とディプサーの量は、シートの使用温度に合わせるため
に適宜調整することが重要である。
部電極13の構造が異なる以外は全く同じである。又、
図7に示すコンデンサはセラミック製本体10の上層と
下層をPTC発熱体層20としたものである。次に、上
記各種のコンデンサの製造について簡潔に述べる。まず
BaTiO3 誘電体100部に対し、添加剤のシフタ
ーとして酸化セリウム及びディプサーとして酸化ジルコ
ニウム0.5〜4.5部、有機結合剤としてアクリル酸
樹脂10部、溶媒としてトルエン30部を、ボールミル
で48時間混合・粉砕してスラリーを作製する。このス
ラリーを用いて、ドクターブレード法にてポリエステル
フィルム又はSUSベルト上に厚さ30μmの誘電体層
を成形し、誘電体シート(グリーンシート)を得る。同
様に、PTC又はNTCに有機結合剤、溶媒を混合した
ものから発熱体層となる発熱体シートを作製する。但し
、誘電体シートとセラミックシートに添加するシフター
とディプサーの量は、シートの使用温度に合わせるため
に適宜調整することが重要である。
【0016】その後、Ag、Ag/Pd、又はPdと、
有機結合剤と、有機溶媒とからなる内部電極材のインク
を調製し、このインクをスクリーン印刷法によって誘電
体シートと発熱体シート上にそれぞれ塗布し、内部電極
を形成する。これらの誘電体シートと発熱体シートを図
2〜図7に示すような構造が得られるように、適当数組
合せて重ねた後、プレスにより加温・加熱して積層し、
一体化する。これを所定寸法に切断し、既知の方法で1
150〜1350℃で焼成してセラミック製本体を得る
。更に、セラミック製本体を面取りして内部電極を側端
面から露出させると共に、内部電極と外部電極の導通を
確実にするためにセラミック製本体をバレル研摩する。
有機結合剤と、有機溶媒とからなる内部電極材のインク
を調製し、このインクをスクリーン印刷法によって誘電
体シートと発熱体シート上にそれぞれ塗布し、内部電極
を形成する。これらの誘電体シートと発熱体シートを図
2〜図7に示すような構造が得られるように、適当数組
合せて重ねた後、プレスにより加温・加熱して積層し、
一体化する。これを所定寸法に切断し、既知の方法で1
150〜1350℃で焼成してセラミック製本体を得る
。更に、セラミック製本体を面取りして内部電極を側端
面から露出させると共に、内部電極と外部電極の導通を
確実にするためにセラミック製本体をバレル研摩する。
【0017】そして、セラミック製本体を乾燥した後、
Ag又はAg/Pdフリット、有機結合剤、有機溶媒か
らなる外部電極材をセラミック製本体の一対の側端面と
側端面の回りの4面の一部分とに塗布して乾燥・焼付し
、外部電極を形成する。更に、選択的にコンデンサの実
装時の半田濡れ性を良くするために、Niメッキ及びS
n/Pb、Sn等の半田メッキ等を外部電極上に順に施
し、コンデンサの完成品を得る。
Ag又はAg/Pdフリット、有機結合剤、有機溶媒か
らなる外部電極材をセラミック製本体の一対の側端面と
側端面の回りの4面の一部分とに塗布して乾燥・焼付し
、外部電極を形成する。更に、選択的にコンデンサの実
装時の半田濡れ性を良くするために、Niメッキ及びS
n/Pb、Sn等の半田メッキ等を外部電極上に順に施
し、コンデンサの完成品を得る。
【0018】なお、上記製造は本の一例に過ぎず、本発
明ではこれに限定されることはない。例えば、BaTi
O3 誘電体、エチルセルロース等の結合剤、フタル酸
ジオクチル等の可塑剤、ブチルセルソルブ等の溶媒等か
ら調製したインク又はペーストを用い、スクリーン印刷
、フローコーター、バーコーター、ドクターブレード等
で誘電体シートを形成してもよい。
明ではこれに限定されることはない。例えば、BaTi
O3 誘電体、エチルセルロース等の結合剤、フタル酸
ジオクチル等の可塑剤、ブチルセルソルブ等の溶媒等か
ら調製したインク又はペーストを用い、スクリーン印刷
、フローコーター、バーコーター、ドクターブレード等
で誘電体シートを形成してもよい。
【0019】
【発明の効果】本発明の積層セラミックコンデンサは、
以上説明したようにセラミック製本体内に発熱体部を設
けてあるので、下記の効果を有する。通電により発熱体
部が発熱するので、セラミック製本体の温度が上昇し、
セラミック製本体を常温よりも高い温度に保持する。こ
のため、セラミック製本体を構成するチタン酸バリウム
系誘電体が本来持つキューリー点での最高誘電率に近い
温度領域でコンデンサが作動し、チタン酸バリウム系誘
電体の高誘電率を十分に活用できる。また、キューリー
点を発熱体部による発熱温度近くまでシフトすれば良い
ので、シフター、ディプサーを使用して、キューリー点
を常温にまでシフトさせる場合に比し、シフター、ディ
プサーの混入量が少なくてすみ、その分コンデンサの小
型化を実現することができる。この結果、従来よりも大
幅に高い静電容量で小型のものが得られ、例えば形状・
寸法を特に変更しなくても従来の2倍以上の静電容量を
得ることができる。
以上説明したようにセラミック製本体内に発熱体部を設
けてあるので、下記の効果を有する。通電により発熱体
部が発熱するので、セラミック製本体の温度が上昇し、
セラミック製本体を常温よりも高い温度に保持する。こ
のため、セラミック製本体を構成するチタン酸バリウム
系誘電体が本来持つキューリー点での最高誘電率に近い
温度領域でコンデンサが作動し、チタン酸バリウム系誘
電体の高誘電率を十分に活用できる。また、キューリー
点を発熱体部による発熱温度近くまでシフトすれば良い
ので、シフター、ディプサーを使用して、キューリー点
を常温にまでシフトさせる場合に比し、シフター、ディ
プサーの混入量が少なくてすみ、その分コンデンサの小
型化を実現することができる。この結果、従来よりも大
幅に高い静電容量で小型のものが得られ、例えば形状・
寸法を特に変更しなくても従来の2倍以上の静電容量を
得ることができる。
【図1】本発明の実施例に係るコンデンサの斜視図であ
る。
る。
【図2】図1のコンデンサの線A−Aにおける断面構造
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図3】図1のコンデンサの線A−Aにおける別の断面
構造例を示す断面図である。
構造例を示す断面図である。
【図4】図1のコンデンサの線A−Aにおける更に別の
断面構造例を示す断面図である。
断面構造例を示す断面図である。
【図5】図1のコンデンサの線A−Aにおける更に別の
断面構造例を示す断面図である。
断面構造例を示す断面図である。
【図6】図1のコンデンサの線A−Aにおける更に別の
断面構造例を示す断面図である。
断面構造例を示す断面図である。
【図7】図1のコンデンサの線A−Aにおける更に別の
断面構造例を示す断面図である。
断面構造例を示す断面図である。
【図8】図5〜図7のコンデンサにおける外部電極の構
造を示す拡大断面図である。
造を示す拡大断面図である。
【図9】BaTiO3 誘電体の温度と誘電率との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図10】正温度特性抵抗体(PTC)と負温度特性抵
抗体(NTC)の温度と抵抗変化率との関係を示すグラ
フである。
抗体(NTC)の温度と抵抗変化率との関係を示すグラ
フである。
10 セラミック製本体11、13
外部電極 12 内部電極 20 PTC発熱体層 21 NTC発熱体層
外部電極 12 内部電極 20 PTC発熱体層 21 NTC発熱体層
Claims (2)
- 【請求項1】セラミック製本体内に複数の内部電極を形
成し、内部電極に導通する一対の外部電極をセラミック
製本体に設けたコンデンサにおいて、一対の外部電極か
ら通電されるように発熱体部をセラミック製本体内に設
けたことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項2】前記セラミック製本体がチタン酸バリウム
系材料からなることを特徴とする請求項1記載の積層セ
ラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3138748A JPH04364014A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3138748A JPH04364014A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364014A true JPH04364014A (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=15229260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3138748A Pending JPH04364014A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04364014A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008198793A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| JP2008277562A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Daikin Ind Ltd | コンデンサユニット |
| CN102667979A (zh) * | 2009-12-21 | 2012-09-12 | 爱普科斯公司 | 与温度有关的电容器和电容器模块 |
| CN102667982A (zh) * | 2009-12-21 | 2012-09-12 | 爱普科斯公司 | 变容二极管和用于制造变容二极管的方法 |
| US20130141834A1 (en) * | 2011-12-02 | 2013-06-06 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Capacitance trimming with an integrated heater |
| US9027400B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-05-12 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Tunable humidity sensor with integrated heater |
| US9140683B2 (en) | 2010-12-30 | 2015-09-22 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Single chip having the chemical sensor and electronics on the same die |
| WO2015184148A1 (en) | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Heated capacitor and method of forming the heated capacitor |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP3138748A patent/JPH04364014A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2013515353A (ja) * | 2009-12-21 | 2013-05-02 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 温度依存的なコンデンサ、およびコンデンサモジュール |
| JP2013515369A (ja) * | 2009-12-21 | 2013-05-02 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | バラクタ、およびバラクタを製造する方法 |
| EP2517217B1 (de) * | 2009-12-21 | 2020-08-19 | TDK Electronics AG | Temperaturunhabhängiger kondensator und kondensatormodul |
| US8988849B2 (en) | 2009-12-21 | 2015-03-24 | Epcos Ag | Varactor and method for producing a varactor |
| US9140683B2 (en) | 2010-12-30 | 2015-09-22 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Single chip having the chemical sensor and electronics on the same die |
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| WO2015184148A1 (en) | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Heated capacitor and method of forming the heated capacitor |
| CN106463259A (zh) * | 2014-05-28 | 2017-02-22 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 加热电容器和形成加热电容器的方法 |
| JP2017525137A (ja) * | 2014-05-28 | 2017-08-31 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 加熱されたキャパシタ、及び加熱されたキャパシタを形成する方法 |
| JP2021068908A (ja) * | 2014-05-28 | 2021-04-30 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 加熱されたキャパシタ、及び加熱されたキャパシタを形成する方法 |
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