JPH04364065A - Ｇｔｏスタック - Google Patents
ＧｔｏスタックInfo
- Publication number
- JPH04364065A JPH04364065A JP3166414A JP16641491A JPH04364065A JP H04364065 A JPH04364065 A JP H04364065A JP 3166414 A JP3166414 A JP 3166414A JP 16641491 A JP16641491 A JP 16641491A JP H04364065 A JPH04364065 A JP H04364065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gto
- stack
- heat sink
- snubber
- post
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inverter Devices (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、平型のＧＴＯ素子とヒ
ートシンクとの圧接構造の改良したＧＴＯスタックに関
する
ートシンクとの圧接構造の改良したＧＴＯスタックに関
する
【０００２】
【従来の技術】従来のＧＴＯスタックはヒートシンクと
これに圧接して積み重ねて配設された平型のＧＴＯ素子
とを備えて構成されている。このＧＴＯスタックを構成
するヒートシンクとしては、例えば、「’９０三菱半導
体データブック・大電力半導体／スタック編」（１９９
０年３月、三菱電機（株）半導体事業部発行）の２−２
１１頁に記載されたものが知られている。この刊行物に
記載されたヒートシンクの変形例として示したものが図
３である。
これに圧接して積み重ねて配設された平型のＧＴＯ素子
とを備えて構成されている。このＧＴＯスタックを構成
するヒートシンクとしては、例えば、「’９０三菱半導
体データブック・大電力半導体／スタック編」（１９９
０年３月、三菱電機（株）半導体事業部発行）の２−２
１１頁に記載されたものが知られている。この刊行物に
記載されたヒートシンクの変形例として示したものが図
３である。
【０００３】従来のＧＴＯスタック１０は、図３に示す
ヒートシンク１１を備えて構成され、ヒートシンク１１
によって後述のＧＴＯ素子１２等の半導体に発生する熱
を放熱冷却するようにしている。このヒートシンク１１
は、同図に示すように、複数のフィン１１Ａにポスト１
１Ｂを貫通させてこれらのフィン１１Ａをポスト１１Ｂ
によって支持したものである。このようなＧＴＯスタッ
ク１０は、通常、その電流遮断能力を確保するためにス
ナバを設ける必要がある。このスナバは、図４、図５に
示すスナバ回路Ｓとして構成され、このスナバ回路Ｓは
、例えば３個のヒートシンク１１の各ヒートシンク１１
間に平型のＧＴＯ素子１２とスナバダイオード１３とを
備えたＧＴＯスタック１０とこのＧＴＯスタック１０に
接続されたスナバコンデンサ２０とを備えて構成されて
いる。そして、ＧＴＯスタック１０におけるＧＴＯ素子
１２とスナバダイオード１３とはそれぞれ各ヒートシン
ク１１のポスト１１Ｂに対してそれぞれ圧接された状態
で各ヒートシンク１１間に介在し、また、スナバコンデ
ンサ２０はＧＴＯスタック１０の両端に位置するヒート
シンク１１、１１のフィン１１Ａ、１１Ａに取付板３０
、３０によって接続されている。
ヒートシンク１１を備えて構成され、ヒートシンク１１
によって後述のＧＴＯ素子１２等の半導体に発生する熱
を放熱冷却するようにしている。このヒートシンク１１
は、同図に示すように、複数のフィン１１Ａにポスト１
１Ｂを貫通させてこれらのフィン１１Ａをポスト１１Ｂ
によって支持したものである。このようなＧＴＯスタッ
ク１０は、通常、その電流遮断能力を確保するためにス
ナバを設ける必要がある。このスナバは、図４、図５に
示すスナバ回路Ｓとして構成され、このスナバ回路Ｓは
、例えば３個のヒートシンク１１の各ヒートシンク１１
間に平型のＧＴＯ素子１２とスナバダイオード１３とを
備えたＧＴＯスタック１０とこのＧＴＯスタック１０に
接続されたスナバコンデンサ２０とを備えて構成されて
いる。そして、ＧＴＯスタック１０におけるＧＴＯ素子
１２とスナバダイオード１３とはそれぞれ各ヒートシン
ク１１のポスト１１Ｂに対してそれぞれ圧接された状態
で各ヒートシンク１１間に介在し、また、スナバコンデ
ンサ２０はＧＴＯスタック１０の両端に位置するヒート
シンク１１、１１のフィン１１Ａ、１１Ａに取付板３０
、３０によって接続されている。
【０００４】また、両端の各ヒートシンク１１、１１の
外側にはスペーサ１６、１６を介して側板１７、１７が
それぞれ配設されている。そして、これらの部品は、各
ヒートシンク１１のポスト１１Ｂの両側に位置させて複
数の各フィン１１Ａに形成された孔１１Ｃ、１１Ｃ及び
側板１７、１７の孔（図示せず）にそれぞれ挿通された
ロッド１８、１８を両端からナット１９、１９で締結す
ることによって一体に固定されている。尚、図５におい
て、４０はスナバ抵抗である。
外側にはスペーサ１６、１６を介して側板１７、１７が
それぞれ配設されている。そして、これらの部品は、各
ヒートシンク１１のポスト１１Ｂの両側に位置させて複
数の各フィン１１Ａに形成された孔１１Ｃ、１１Ｃ及び
側板１７、１７の孔（図示せず）にそれぞれ挿通された
ロッド１８、１８を両端からナット１９、１９で締結す
ることによって一体に固定されている。尚、図５におい
て、４０はスナバ抵抗である。
【０００５】而して、スナバ回路Ｓでは、ＧＴＯ素子１
２のアノードからスナバダイオード３、スナバコンデン
サ２０を経てＧＴＯ素子１２のカソードに至る距離ｌ（
図５参照）が長いとＧＴＯ素子１２の電流遮断性能が低
下するため、その距離ｌを極力短くするするようにして
いる。
２のアノードからスナバダイオード３、スナバコンデン
サ２０を経てＧＴＯ素子１２のカソードに至る距離ｌ（
図５参照）が長いとＧＴＯ素子１２の電流遮断性能が低
下するため、その距離ｌを極力短くするするようにして
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来Ｇ
ＴＯスタックは、ヒートシンク１１のフィン１１Ａがポ
スト１１Ｂから周囲に広く張り出しているためフィン１
１Ａが邪魔になって、スナバ回路Ｓのスナバコンデンサ
２０をＧＴＯ素子１２、スナバダイオード１３に接近さ
せて配設することができず、ＧＴＯ素子１２のアノード
からカソードに至る距離ｌが図５に示すように必然的に
長くなってスナバ回路Ｓのインダクタンスが大きくなっ
てＧＴＯ素子１２の電流遮断性能を低下させるという課
題があった。
ＴＯスタックは、ヒートシンク１１のフィン１１Ａがポ
スト１１Ｂから周囲に広く張り出しているためフィン１
１Ａが邪魔になって、スナバ回路Ｓのスナバコンデンサ
２０をＧＴＯ素子１２、スナバダイオード１３に接近さ
せて配設することができず、ＧＴＯ素子１２のアノード
からカソードに至る距離ｌが図５に示すように必然的に
長くなってスナバ回路Ｓのインダクタンスが大きくなっ
てＧＴＯ素子１２の電流遮断性能を低下させるという課
題があった。
【０００７】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ＧＴＯスタックと回路素子との距離を短縮
することができ、もってスナバ回路のインダクタンスを
小さくしてＧＴＯ素子の電流遮断性能を向上させたＧＴ
Ｏスタックを提供することを目的としている。
れたもので、ＧＴＯスタックと回路素子との距離を短縮
することができ、もってスナバ回路のインダクタンスを
小さくしてＧＴＯ素子の電流遮断性能を向上させたＧＴ
Ｏスタックを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＧＴＯスタック
は、複数のフィンにポストを貫通させてこれらをポスト
によって支持するヒートシンクと、ヒートシンクのポス
トに圧接された平型のＧＴＯ素子とを備えて成るＧＴＯ
スタックにおいて、上記ポストを上記フィンの中心から
偏倚させたものである。
は、複数のフィンにポストを貫通させてこれらをポスト
によって支持するヒートシンクと、ヒートシンクのポス
トに圧接された平型のＧＴＯ素子とを備えて成るＧＴＯ
スタックにおいて、上記ポストを上記フィンの中心から
偏倚させたものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、スナバ回路の回路素子をＧＴ
ＯスタックのＧＴＯ素子との接続距離を短くして接続す
ることができ、スナバ回路におけるインダクタンスが小
さくなってＧＴＯス素子の電流遮断性能を向上させるこ
とができる。
ＯスタックのＧＴＯ素子との接続距離を短くして接続す
ることができ、スナバ回路におけるインダクタンスが小
さくなってＧＴＯス素子の電流遮断性能を向上させるこ
とができる。
【００１０】
【実施例】以下、図１及び図２に示す実施例に基づいて
従来と同一または相当部分には同一符号を付して本発明
を説明する。尚、各図中、図１は本発明実施例に係るＧ
ＴＯスタックを構成するヒートシンクを示す図で、（ａ
）はその正面図、（ｂ）は側面図、図２は図１に示すヒ
ートシンクを用いたＧＴＯスタックを有するスナバ回路
装置を示す側面図である。
従来と同一または相当部分には同一符号を付して本発明
を説明する。尚、各図中、図１は本発明実施例に係るＧ
ＴＯスタックを構成するヒートシンクを示す図で、（ａ
）はその正面図、（ｂ）は側面図、図２は図１に示すヒ
ートシンクを用いたＧＴＯスタックを有するスナバ回路
装置を示す側面図である。
【００１１】本実施例のＧＴＯスタック１０は、図２に
示すように、複数のフィン１１Ａにポスト１１Ｂを貫通
させてこれらのフィン１１Ａをポスト１１Ｂによって支
持するヒートシンク１１と、ヒートシンク１１のポスト
１１Ｂに圧接された平型のＧＴＯ素子１２とを備えて構
成されている。そして、このＧＴＯスタック１０は、３
個のヒートシンク１１の間にＧＴＯ素子１２とスナバダ
イオード１３とが介在し、これらの部品は、従来のよう
にスペーサ１６、１６、側板１７、１７、ロッド１８、
１８及びナット１９、１９によって一体的に固定されて
いる。
示すように、複数のフィン１１Ａにポスト１１Ｂを貫通
させてこれらのフィン１１Ａをポスト１１Ｂによって支
持するヒートシンク１１と、ヒートシンク１１のポスト
１１Ｂに圧接された平型のＧＴＯ素子１２とを備えて構
成されている。そして、このＧＴＯスタック１０は、３
個のヒートシンク１１の間にＧＴＯ素子１２とスナバダ
イオード１３とが介在し、これらの部品は、従来のよう
にスペーサ１６、１６、側板１７、１７、ロッド１８、
１８及びナット１９、１９によって一体的に固定されて
いる。
【００１２】而して、本実施例の用いられるヒートシン
ク１１は、従来のそれと異なり、図１に示すように、ポ
スト１２が複数の矩形状のフィン１１Ａの一側縁に偏倚
した位置において各フィン１１Ａを貫通した状態で各フ
ィン１１Ａを支持している。そして、このポスト１１Ｂ
の両側には一対の孔１１Ｃ、１１Ｃが形成され、これら
の孔１１Ｃ、１１Ｃにロッド１８、１８が挿通させるよ
うになされている。従って、このヒートシンク１１を用
いてＧＴＯ素子１２及びスナバダイオード１３を順次重
ねて固定することによって、ＧＴＯ素子１２及びスナバ
ダイオード１３を各フィン１１Ａの一側縁に位置させた
図２に示すＧＴＯスタック１０を構成することができる
。
ク１１は、従来のそれと異なり、図１に示すように、ポ
スト１２が複数の矩形状のフィン１１Ａの一側縁に偏倚
した位置において各フィン１１Ａを貫通した状態で各フ
ィン１１Ａを支持している。そして、このポスト１１Ｂ
の両側には一対の孔１１Ｃ、１１Ｃが形成され、これら
の孔１１Ｃ、１１Ｃにロッド１８、１８が挿通させるよ
うになされている。従って、このヒートシンク１１を用
いてＧＴＯ素子１２及びスナバダイオード１３を順次重
ねて固定することによって、ＧＴＯ素子１２及びスナバ
ダイオード１３を各フィン１１Ａの一側縁に位置させた
図２に示すＧＴＯスタック１０を構成することができる
。
【００１３】以上説明した本実施例のＧＴＯスタック１
０を用いてスナバ回路Ｓを構成すれば、そのスナバコン
デンサ２０をＧＴＯスタック１０に従来よりも接近させ
て接続することができ、ＧＴＯ素子１２のアノードから
スナバダイオード３、スナバコンデンサ２０を経てＧＴ
Ｏ素子１２のカソードに至る距離ｌ（図５参照）が短縮
され、これによってスナバ回路Ｓのインダクタンスが小
さくなってＧＴＯ素子１２の電流遮断性能が向上する。
０を用いてスナバ回路Ｓを構成すれば、そのスナバコン
デンサ２０をＧＴＯスタック１０に従来よりも接近させ
て接続することができ、ＧＴＯ素子１２のアノードから
スナバダイオード３、スナバコンデンサ２０を経てＧＴ
Ｏ素子１２のカソードに至る距離ｌ（図５参照）が短縮
され、これによってスナバ回路Ｓのインダクタンスが小
さくなってＧＴＯ素子１２の電流遮断性能が向上する。
【００１４】尚、本発明は、上記実施例に何等制限され
るものではなく、要は、ＧＴＯスタックとこれに接続す
る回路素子との接続距離を短縮することが必要な回路に
ついて広く適用することができる。
るものではなく、要は、ＧＴＯスタックとこれに接続す
る回路素子との接続距離を短縮することが必要な回路に
ついて広く適用することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｇ
ＴＯスタックと回路素子との距離を短縮することができ
、もってスナバ回路のインダクタンスを小さくしてＧＴ
Ｏ素子の電流遮断性能を向上させたＧＴＯスタックを提
供することができる。
ＴＯスタックと回路素子との距離を短縮することができ
、もってスナバ回路のインダクタンスを小さくしてＧＴ
Ｏ素子の電流遮断性能を向上させたＧＴＯスタックを提
供することができる。
【図１】図１は本発明実施例に係るＧＴＯスタックを構
成するヒートシンクを示す図で、（ａ）はその正面図、
（ｂ）は側面図である。
成するヒートシンクを示す図で、（ａ）はその正面図、
（ｂ）は側面図である。
【図２】図２は図１に示すヒートシンクを用いたＧＴＯ
スタックを有するスナバ回路装置を示す側面図である。
スタックを有するスナバ回路装置を示す側面図である。
【図３】図３は従来のＧＴＯスタックを構成するヒート
シンクを示す図で、（ａ）はその正面図、（ｂ）はその
側面図である。
シンクを示す図で、（ａ）はその正面図、（ｂ）はその
側面図である。
【図４】図４は図３に示すヒートシンクを用いた従来の
ＧＴＯスタックを備えたスナバ回路装置を示す側面図で
ある。
ＧＴＯスタックを備えたスナバ回路装置を示す側面図で
ある。
【図５】図５は図４に示すスナバ回路装置の回路構成を
示す回路図である。
示す回路図である。
１１ ヒートシンク
１１Ａ フィン
１１Ｂ ポスト
２ ＧＴＯ素子
Claims (1)
- 【請求項１】 複数のフィンにポストを貫通させてこ
れらをポストによって支持するヒートシンクと、ヒート
シンクのポストに圧接された平型のＧＴＯ素子とを備え
て成るＧＴＯスタックにおいて、上記ポストを上記フィ
ンの中心から偏倚させたことを特徴とするＧＴＯスタッ
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166414A JPH04364065A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | Ｇｔｏスタック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166414A JPH04364065A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | Ｇｔｏスタック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364065A true JPH04364065A (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=15830988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3166414A Pending JPH04364065A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | Ｇｔｏスタック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04364065A (ja) |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP3166414A patent/JPH04364065A/ja active Pending
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