JPH04364299A - 情報の記録及び／又は再生装置 - Google Patents
情報の記録及び／又は再生装置Info
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- JPH04364299A JPH04364299A JP3140108A JP14010891A JPH04364299A JP H04364299 A JPH04364299 A JP H04364299A JP 3140108 A JP3140108 A JP 3140108A JP 14010891 A JP14010891 A JP 14010891A JP H04364299 A JPH04364299 A JP H04364299A
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- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は走査型トンネル顕微鏡の
原理を応用した情報の記録及び／又は再生装置に関する
。
原理を応用した情報の記録及び／又は再生装置に関する
。
【０００２】
【従来の技術】近年において、導体の表面原子の電子構
造を直接観察できる走査型トンネル顕微鏡（以後、ＳＴ
Ｍと略す）が開発され［Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ
． Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｌｅｔｔ， ４９，５７
（１９８２） ］、単結晶、非晶質を問わず実空間像を
著しく高い分解能（ナノメートル以下）で測定できるよ
うになった。ＳＴＭは金属のプローブと導電性物質の間
に電圧を加えて、１ｎｍ程度の距離まで近づけるとトン
ネル電流が流れることを利用している。この電流は両者
の距離変化に非常に敏感で指数関数的に変化するので、
トンネル電流を一定に保つようにプローブを走査するこ
とにより実空間の表面構造を原子オーダの分解能で観察
することができる。ＳＴＭを用いた解析は導電性材料に
限られるが、導電性材料の表面に薄く形成された絶縁膜
の構造解析にも応用され始めている。更に、係る装置・
手段は微小電流を検知する方法を用いているため、媒体
に損傷を与えずに且つ低電力で観測できる利点も有する
。又、大気中での動作も可能であるためＳＴＭの広範囲
な応用が期待されている。
造を直接観察できる走査型トンネル顕微鏡（以後、ＳＴ
Ｍと略す）が開発され［Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ
． Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｌｅｔｔ， ４９，５７
（１９８２） ］、単結晶、非晶質を問わず実空間像を
著しく高い分解能（ナノメートル以下）で測定できるよ
うになった。ＳＴＭは金属のプローブと導電性物質の間
に電圧を加えて、１ｎｍ程度の距離まで近づけるとトン
ネル電流が流れることを利用している。この電流は両者
の距離変化に非常に敏感で指数関数的に変化するので、
トンネル電流を一定に保つようにプローブを走査するこ
とにより実空間の表面構造を原子オーダの分解能で観察
することができる。ＳＴＭを用いた解析は導電性材料に
限られるが、導電性材料の表面に薄く形成された絶縁膜
の構造解析にも応用され始めている。更に、係る装置・
手段は微小電流を検知する方法を用いているため、媒体
に損傷を与えずに且つ低電力で観測できる利点も有する
。又、大気中での動作も可能であるためＳＴＭの広範囲
な応用が期待されている。
【０００３】応用の一例として特開昭６３−１６１５５
２ 号公報、特開昭６３−１６１５５３ 号公報等に提
案されているように、高密度な記録再生装置としての実
用化が積極的に進められている。これはＳＴＭと同様の
プローブを用いて、プローブと記録媒体間に印加する電
圧を変化させて記録媒体上にデータ記録を行なうもので
、記録媒体として電圧−電流特性においてメモリ性のあ
るスイッチング特性を有する材料、例えばカルコゲン化
物類、π電子系有機化合物の薄膜層を用いている。再生
は、係る記録を行なった領域とそうでない領域のトンネ
ル抵抗の変化により行なっている。又、プローブに印加
する電圧により記録媒体の表面形状が変化して記録が行
なわれる記録媒体であっても記録再生が可能である。
２ 号公報、特開昭６３−１６１５５３ 号公報等に提
案されているように、高密度な記録再生装置としての実
用化が積極的に進められている。これはＳＴＭと同様の
プローブを用いて、プローブと記録媒体間に印加する電
圧を変化させて記録媒体上にデータ記録を行なうもので
、記録媒体として電圧−電流特性においてメモリ性のあ
るスイッチング特性を有する材料、例えばカルコゲン化
物類、π電子系有機化合物の薄膜層を用いている。再生
は、係る記録を行なった領域とそうでない領域のトンネ
ル抵抗の変化により行なっている。又、プローブに印加
する電圧により記録媒体の表面形状が変化して記録が行
なわれる記録媒体であっても記録再生が可能である。
【０００４】前記プローブの形成手法として半導体製造
プロセス技術を用い、一つの基板上に微細な構造を作る
加工技術（Ｋ．Ｅ．Ｐｅｔｅｒｓｏｎ，”Ｓｉｌｉｃｏ
ｎ ａｓ ａ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌ”，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥ
Ｅ，７０巻、４２０頁、１９８２年）を利用し、係る手
法により構成したＳＴＭが特開昭６１−２０６１４８
号公報に提案されている。これは単結晶シリコンを基板
として、微細加工により基板面と平行な方向（ＸＹ方向
）に微動できる平行バネを形成し、更にその稼働部にプ
ローブを形成した片持ち梁構造の舌状部を設け、該舌状
部と底面部との間に電界を与え、静電気力により基板平
面と直角な方向（Ｚ方向）に変位するように構成されて
いる。
プロセス技術を用い、一つの基板上に微細な構造を作る
加工技術（Ｋ．Ｅ．Ｐｅｔｅｒｓｏｎ，”Ｓｉｌｉｃｏ
ｎ ａｓ ａ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌ”，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥ
Ｅ，７０巻、４２０頁、１９８２年）を利用し、係る手
法により構成したＳＴＭが特開昭６１−２０６１４８
号公報に提案されている。これは単結晶シリコンを基板
として、微細加工により基板面と平行な方向（ＸＹ方向
）に微動できる平行バネを形成し、更にその稼働部にプ
ローブを形成した片持ち梁構造の舌状部を設け、該舌状
部と底面部との間に電界を与え、静電気力により基板平
面と直角な方向（Ｚ方向）に変位するように構成されて
いる。
【０００５】又、特開昭６２−２８１１３８ 号公報に
は前記特開昭６１−２０６１４８ 号公報に開示された
のと同様の舌状部をマルチに配列した変換器アレイを備
えた記憶装置が記載されている。
は前記特開昭６１−２０６１４８ 号公報に開示された
のと同様の舌状部をマルチに配列した変換器アレイを備
えた記憶装置が記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記装置において記憶
容量を高めるためには、記録媒体の面積を増大させる、
あるいは各々独立に電圧印加可能なプローブ電極の数を
増加させるといった方法が考えられる。しかしながらプ
ローブ電極を記録媒体の表面に沿って広い範囲に渡って
移動させるには、カンチレバー等に代表される微動機構
の他に、極めて精度の高い粗動機構が必要となり、装置
全体が大型化してしまうという課題を有していた。一方
、各々独立に電圧印加可能なプローブ電極の数を単純に
増加させて記憶容量を高めようとすると、特にプローブ
電極側の配線が複雑となり結線数が膨大な数になってし
まう。特に各プローブ電極を独立に変位させる微動機構
を設けた場合にはそのための配線も更に必要であり、こ
れらを全てプローブ電極側に集中して配線するの容易な
ことではない。よって本発明の目的は、上記課題を解決
し、配線が単純で大量生産に適した高密度大容量の記録
再生が行なえる装置を提供することである。
容量を高めるためには、記録媒体の面積を増大させる、
あるいは各々独立に電圧印加可能なプローブ電極の数を
増加させるといった方法が考えられる。しかしながらプ
ローブ電極を記録媒体の表面に沿って広い範囲に渡って
移動させるには、カンチレバー等に代表される微動機構
の他に、極めて精度の高い粗動機構が必要となり、装置
全体が大型化してしまうという課題を有していた。一方
、各々独立に電圧印加可能なプローブ電極の数を単純に
増加させて記憶容量を高めようとすると、特にプローブ
電極側の配線が複雑となり結線数が膨大な数になってし
まう。特に各プローブ電極を独立に変位させる微動機構
を設けた場合にはそのための配線も更に必要であり、こ
れらを全てプローブ電極側に集中して配線するの容易な
ことではない。よって本発明の目的は、上記課題を解決
し、配線が単純で大量生産に適した高密度大容量の記録
再生が行なえる装置を提供することである。
【０００７】又、従来は転送される記録すべき情報の転
送速度が、１つのプローブ電極による１ビットの書き込
み時間に更にプローブ電極を所望の記録領域に移動させ
るアクセス時間を加えた書き込み速度よりも早い場合に
は、情報転送速度と書き込み速度の間に不整合が生じ、
転送される情報をもれなく記録媒体上に記録することが
できないという課題を有していた。この課題は、複数の
プローブ電極がある場合でも、ある限られた時間の書き
込み速度が向上するだけで情報転送速度と書き込み速度
との間に不整合が生じる点では同様であった。本発明の
更なる目的は、複数のプローブ電極を用いて情報転送速
度と書き込み速度の整合がとれた高速書込みを実現する
装置を提供することである。
送速度が、１つのプローブ電極による１ビットの書き込
み時間に更にプローブ電極を所望の記録領域に移動させ
るアクセス時間を加えた書き込み速度よりも早い場合に
は、情報転送速度と書き込み速度の間に不整合が生じ、
転送される情報をもれなく記録媒体上に記録することが
できないという課題を有していた。この課題は、複数の
プローブ電極がある場合でも、ある限られた時間の書き
込み速度が向上するだけで情報転送速度と書き込み速度
との間に不整合が生じる点では同様であった。本発明の
更なる目的は、複数のプローブ電極を用いて情報転送速
度と書き込み速度の整合がとれた高速書込みを実現する
装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
する本発明の記録及び／又は再生装置の一つの形態は、
複数に分割された電極を有する記録媒体と、該複数の平
面電極に各々対向する互いに導通した複数のプローブ電
極と、各平面電極とプローブ電極との間に記録及び／又
は再生のための電圧を独立に印加する手段とを有するこ
とを特徴とするものである。
する本発明の記録及び／又は再生装置の一つの形態は、
複数に分割された電極を有する記録媒体と、該複数の平
面電極に各々対向する互いに導通した複数のプローブ電
極と、各平面電極とプローブ電極との間に記録及び／又
は再生のための電圧を独立に印加する手段とを有するこ
とを特徴とするものである。
【０００９】
実施例１
図１は本発明の第１の実施例に係る記録再生装置の構成
を示す図面である。同図において、２１〜２３は各々プ
ローブ電極であり、各々を記録層の表面に垂直方向（Ｚ
方向）に変位させ両者間の距離を調整することができる
。このプローブ電極と記録媒体間の距離を調整する手段
としてバイモルフ梁６１が設けられている。６２はその
基台であり、一枚のシリコン基板６３上に複数のバイモ
ルフ梁（片持梁）を形成する。７４は各バイモルフ梁を
独立に変位させるように駆動を行なう駆動回路であり、
シリコン基板６３と同一基板上に形成されている。 図示されていないが、各バイモルフ梁と駆動回路７４と
を接続する独立の導電経路がシリコン基板６３上に配線
されている。６４は導電経路であり、各プローブ電極２
１〜２３を全て同一経路で接続導通し、一本の経路とし
て外部に取り出され接地している。以上の構成によって
プローブ電極ユニットを形成している。
を示す図面である。同図において、２１〜２３は各々プ
ローブ電極であり、各々を記録層の表面に垂直方向（Ｚ
方向）に変位させ両者間の距離を調整することができる
。このプローブ電極と記録媒体間の距離を調整する手段
としてバイモルフ梁６１が設けられている。６２はその
基台であり、一枚のシリコン基板６３上に複数のバイモ
ルフ梁（片持梁）を形成する。７４は各バイモルフ梁を
独立に変位させるように駆動を行なう駆動回路であり、
シリコン基板６３と同一基板上に形成されている。 図示されていないが、各バイモルフ梁と駆動回路７４と
を接続する独立の導電経路がシリコン基板６３上に配線
されている。６４は導電経路であり、各プローブ電極２
１〜２３を全て同一経路で接続導通し、一本の経路とし
て外部に取り出され接地している。以上の構成によって
プローブ電極ユニットを形成している。
【００１０】一方、該プローブ電極ユニットと対向する
記録媒体側の構成は以下の通りである。７〜９は複数に
分割された平面電極であり、プローブ電極２１〜２３に
各々対向して一枚の基板１３の上に配置されている。１
１は記録部の導電率（電流−電圧特性）がスイッチング
変化することによって情報の記録がなされる記録層であ
り、平面電極７〜９全体を覆うように形成されている。 これら基板１３、平面電極７〜９、記録層１１によって
記録媒体を構成している。本実施例において記録媒体の
記録層１１として、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェッ
ト法）で作成されたポリイミド薄膜を用いた。もちろん
これに限定されるものではなく、例えば特開昭６３−１
６１５５２ 号公報、特開昭６３−１６１５５３ 号公
報等に開示されている様々な媒体が使用できる。本発明
の特徴は複数に分割された電極を有する記録媒体を用い
ることであるが、その形態としては上記のように平面電
極の上に記録層を形成する構成には限らず、記録層自体
が電極作用を有するものを用いる構成でっても良い。こ
の場合、電極作用を有する記録層を各々接触しないよう
に複数に分割ブロック化して配置して記録媒体を構成す
る。
記録媒体側の構成は以下の通りである。７〜９は複数に
分割された平面電極であり、プローブ電極２１〜２３に
各々対向して一枚の基板１３の上に配置されている。１
１は記録部の導電率（電流−電圧特性）がスイッチング
変化することによって情報の記録がなされる記録層であ
り、平面電極７〜９全体を覆うように形成されている。 これら基板１３、平面電極７〜９、記録層１１によって
記録媒体を構成している。本実施例において記録媒体の
記録層１１として、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェッ
ト法）で作成されたポリイミド薄膜を用いた。もちろん
これに限定されるものではなく、例えば特開昭６３−１
６１５５２ 号公報、特開昭６３−１６１５５３ 号公
報等に開示されている様々な媒体が使用できる。本発明
の特徴は複数に分割された電極を有する記録媒体を用い
ることであるが、その形態としては上記のように平面電
極の上に記録層を形成する構成には限らず、記録層自体
が電極作用を有するものを用いる構成でっても良い。こ
の場合、電極作用を有する記録層を各々接触しないよう
に複数に分割ブロック化して配置して記録媒体を構成す
る。
【００１１】１６は装置全体を総合的に制御して情報の
書込みや読出しを行なうためのマイクロコンピュータで
ある。１４、１５はプローブ電極２１〜２３を記録層１
１の表面に沿ってＸＹ方向に相対的に移動させるための
移動手段であり、１４はＸ方向の移動を行なうＸ走査機
構、１５はＹ方向の移動を行なうＹ走査機構である。２
５はＸ走査機構１４の駆動回路でＶＸはその駆動電圧を
表わす。又、２６はＹ走査機構１５の駆動回路でＶＹは
その駆動電圧を表わす。１７は電圧印加回路であり、各
平面電極７〜９と、これらと対になるプローブ電極２１
〜２３との間にそれぞれ独立に所定の書込用パルス電圧
または読出用バイアス電圧を印加する。Ｖ１、Ｖ２、Ｖ
３はプローブ電極２１〜２３と平面電極７〜９との間に
それぞれ印加される電圧値を示す。又、１８は各プロー
ブ電極と平面電極との間に流れる電流値を検出する電流
検出回路であり、Ａ１、Ａ２、Ａ３はプローブ電極２１
〜２３と平面電極７〜９との間にそれぞれ流れる電流値
を示す。前記電圧印加回路１７によって読出用のバイア
ス電圧をかけた時に、電流検出回路１８によって流れる
電流値を読出ることでプローブ位置に対応した媒体上に
記録されたデータの再生を行なうことができる。
書込みや読出しを行なうためのマイクロコンピュータで
ある。１４、１５はプローブ電極２１〜２３を記録層１
１の表面に沿ってＸＹ方向に相対的に移動させるための
移動手段であり、１４はＸ方向の移動を行なうＸ走査機
構、１５はＹ方向の移動を行なうＹ走査機構である。２
５はＸ走査機構１４の駆動回路でＶＸはその駆動電圧を
表わす。又、２６はＹ走査機構１５の駆動回路でＶＹは
その駆動電圧を表わす。１７は電圧印加回路であり、各
平面電極７〜９と、これらと対になるプローブ電極２１
〜２３との間にそれぞれ独立に所定の書込用パルス電圧
または読出用バイアス電圧を印加する。Ｖ１、Ｖ２、Ｖ
３はプローブ電極２１〜２３と平面電極７〜９との間に
それぞれ印加される電圧値を示す。又、１８は各プロー
ブ電極と平面電極との間に流れる電流値を検出する電流
検出回路であり、Ａ１、Ａ２、Ａ３はプローブ電極２１
〜２３と平面電極７〜９との間にそれぞれ流れる電流値
を示す。前記電圧印加回路１７によって読出用のバイア
ス電圧をかけた時に、電流検出回路１８によって流れる
電流値を読出ることでプローブ位置に対応した媒体上に
記録されたデータの再生を行なうことができる。
【００１２】本実施例では、各々の平面電極の側に電圧
印加回路１７及び電流検出回路１８を接続したため、従
来に比べプローブ電極側のシリコン基板６３の実装密度
に余裕を持たせることができる、更には各プローブ電極
２１〜２３を共通化して一本の導電経路６４で接続した
ため、プローブ電極側のシリコン基板の配線が単純化さ
れるという効果を有する。特に各プローブ電極を独立に
動かす手段（バイモルフ梁）を用いた本実施例の構成に
おいては、各バイモルフ梁と駆動回路を結ぶ多数の導電
経路も同一のシリコン基板６３上に配線しなければなら
ないため、各プローブ電極を１本の経路で導通して配線
数の減少させたことは非常に大きな利点となる。
印加回路１７及び電流検出回路１８を接続したため、従
来に比べプローブ電極側のシリコン基板６３の実装密度
に余裕を持たせることができる、更には各プローブ電極
２１〜２３を共通化して一本の導電経路６４で接続した
ため、プローブ電極側のシリコン基板の配線が単純化さ
れるという効果を有する。特に各プローブ電極を独立に
動かす手段（バイモルフ梁）を用いた本実施例の構成に
おいては、各バイモルフ梁と駆動回路を結ぶ多数の導電
経路も同一のシリコン基板６３上に配線しなければなら
ないため、各プローブ電極を１本の経路で導通して配線
数の減少させたことは非常に大きな利点となる。
【００１３】Ｖ０は記録すべき情報信号の電圧を示し、
１９、２０は複数のプローブ電極の数と同数のメモリセ
グメント数を有する第１のシフトレジスタＲ１と第２の
シフトレジスタＲ２である。２４はスイッチング回路で
あり、シリアルに入力される情報信号Ｖ０をシフトレジ
スタ１９と２０に振り分ける。スイッチング回路２４に
よって情報信号電圧Ｖ０をシフトレジスタ１９、２０の
いずれかに一旦蓄積し、蓄積の最中に他方のシフトレジ
スタに既に蓄積された情報に応じてプローブ電極２１〜
２３と平面電極７〜９間にパルス状書込電圧を印加する
動作を行なうことによって記録層１１に情報の書込みを
パラレルに行なう。すなわち転送情報をシリアル型情報
からパラレル型情報に変換する第１のシフトレジスタ１
９と、第２のシフトレジスタ２０を有し、これら第１、
第２のシフトレジスタが情報の入力と出力を交互に行な
うことにより、少ない情報経路で送れる利点を持ったシ
リアル型情報をスムーズに変換してパラレルに一括書込
みを行なうことができる。又、複数の平面電極７〜９と
複数のプローブ電極２１〜２３間に書込電圧を同時に印
加するため、計時的な温度ドリフトによって生じる記録
媒体に対するプローブ電極の設定位置の微小な誤差が各
プローブ間で略等しくなり、各プローブ間での信頼性の
バラつきがなくなる。
１９、２０は複数のプローブ電極の数と同数のメモリセ
グメント数を有する第１のシフトレジスタＲ１と第２の
シフトレジスタＲ２である。２４はスイッチング回路で
あり、シリアルに入力される情報信号Ｖ０をシフトレジ
スタ１９と２０に振り分ける。スイッチング回路２４に
よって情報信号電圧Ｖ０をシフトレジスタ１９、２０の
いずれかに一旦蓄積し、蓄積の最中に他方のシフトレジ
スタに既に蓄積された情報に応じてプローブ電極２１〜
２３と平面電極７〜９間にパルス状書込電圧を印加する
動作を行なうことによって記録層１１に情報の書込みを
パラレルに行なう。すなわち転送情報をシリアル型情報
からパラレル型情報に変換する第１のシフトレジスタ１
９と、第２のシフトレジスタ２０を有し、これら第１、
第２のシフトレジスタが情報の入力と出力を交互に行な
うことにより、少ない情報経路で送れる利点を持ったシ
リアル型情報をスムーズに変換してパラレルに一括書込
みを行なうことができる。又、複数の平面電極７〜９と
複数のプローブ電極２１〜２３間に書込電圧を同時に印
加するため、計時的な温度ドリフトによって生じる記録
媒体に対するプローブ電極の設定位置の微小な誤差が各
プローブ間で略等しくなり、各プローブ間での信頼性の
バラつきがなくなる。
【００１４】図２は本実施例の装置の駆動のタイムチャ
ートを示し、横軸は時間であり、“１”及び“０”は情
報の値である。Ｒ１及びＲ２はそれぞれ第１のシフトレ
ジスタ１９と第２のシフトレジスタ２０の動作状態を示
す。Ａは情報の入力状態、Ｂは情報の出力状態、Ｃは情
報をクリアにしている状態または調整用の休止状態を示
す。又、ΔＴ１は書込電圧の印加周期すなわち書込期間
、ΔＴ４は非書込期間を示す。Ｖ１〜Ｖ３の電圧は、書
込期間ΔＴ１において、状態“１”と状態“０”に対応
した２種の書込電圧を持ち、他の期間は通常１００〜５
００ｍＶ程度のバイアス電圧を持つ。ただし、ここでは
状態“０”に対応した書込電圧はバイアス電圧と同じ値
に設定されている。Ｔ２は（ＶＸ、ＶＹ）の電圧値を変
えてプローブ電極２１〜２３を記録媒体１１の表面に沿
って相対的に移動させる期間であり、ΔＴ３は１ビット
分の情報転送時間であり、情報転送速度は１／ΔＴ３と
表わせる。
ートを示し、横軸は時間であり、“１”及び“０”は情
報の値である。Ｒ１及びＲ２はそれぞれ第１のシフトレ
ジスタ１９と第２のシフトレジスタ２０の動作状態を示
す。Ａは情報の入力状態、Ｂは情報の出力状態、Ｃは情
報をクリアにしている状態または調整用の休止状態を示
す。又、ΔＴ１は書込電圧の印加周期すなわち書込期間
、ΔＴ４は非書込期間を示す。Ｖ１〜Ｖ３の電圧は、書
込期間ΔＴ１において、状態“１”と状態“０”に対応
した２種の書込電圧を持ち、他の期間は通常１００〜５
００ｍＶ程度のバイアス電圧を持つ。ただし、ここでは
状態“０”に対応した書込電圧はバイアス電圧と同じ値
に設定されている。Ｔ２は（ＶＸ、ＶＹ）の電圧値を変
えてプローブ電極２１〜２３を記録媒体１１の表面に沿
って相対的に移動させる期間であり、ΔＴ３は１ビット
分の情報転送時間であり、情報転送速度は１／ΔＴ３と
表わせる。
【００１５】又、図２において、３１〜３５はスイッチ
ング回路２４によるシフトレジスタ１９、２０の切換期
間を示し、本実施例では前記複数プローブ電極数と同数
のメモリ数を有する第１のシフトレジスタ１９と、第２
のシフトレジスタ２０を有すること、及び前記第１のシ
フトレジスタ１９と第２のシフトレジスタ２０が情報の
入力と出力を切換期間３１〜３５に同期して行なうもの
であり、３個のプローブ電極に対してそれぞれ３個のメ
モリを有するシフトレジスタをペアで用意して入力と出
力を交互に行うことにより、情報転送速度（１／ΔＴ３
）と書込速度（１／（ΔＴ１＋ΔＴ２））の整合をとる
ようにしている。
ング回路２４によるシフトレジスタ１９、２０の切換期
間を示し、本実施例では前記複数プローブ電極数と同数
のメモリ数を有する第１のシフトレジスタ１９と、第２
のシフトレジスタ２０を有すること、及び前記第１のシ
フトレジスタ１９と第２のシフトレジスタ２０が情報の
入力と出力を切換期間３１〜３５に同期して行なうもの
であり、３個のプローブ電極に対してそれぞれ３個のメ
モリを有するシフトレジスタをペアで用意して入力と出
力を交互に行うことにより、情報転送速度（１／ΔＴ３
）と書込速度（１／（ΔＴ１＋ΔＴ２））の整合をとる
ようにしている。
【００１６】又、本実施例では、前記複数のプローブ電
極２１〜２３と分割電極７〜９の間に印加する電圧Ｖ１
〜Ｖ３が、書込電圧が印加される書込期間ΔＴ１と非書
込期間ΔＴ４を有し、非書込期間ΔＴ４内の期間ΔＴ２
において、前記複数のプローブ電極２１〜２３の前記記
録媒体１１の表面に沿った移動を行なう。よって記録媒
体上の記録位置をアクセスしてから電圧を印加すること
になるため、記録位置に効果的に電圧を印加することが
できると共に、記録ビットが離散的に形成できるために
記録ビットの判別が容易になるという利点を有する。
極２１〜２３と分割電極７〜９の間に印加する電圧Ｖ１
〜Ｖ３が、書込電圧が印加される書込期間ΔＴ１と非書
込期間ΔＴ４を有し、非書込期間ΔＴ４内の期間ΔＴ２
において、前記複数のプローブ電極２１〜２３の前記記
録媒体１１の表面に沿った移動を行なう。よって記録媒
体上の記録位置をアクセスしてから電圧を印加すること
になるため、記録位置に効果的に電圧を印加することが
できると共に、記録ビットが離散的に形成できるために
記録ビットの判別が容易になるという利点を有する。
【００１７】より具体的には、複数プローブ電極の数と
同数のメモリを有する第１のシフトレジスタ１９と第２
のシフトレジスタ２０のどちらか一方をスイッチング回
路２４で選択してこれに順次情報をシリアルに転送し、
シフトレジスタが前記プローブ数だけ情報の蓄積して一
杯になったら蓄積を終了し、次いでこのシフトレジスタ
の蓄積情報に応じた書込電圧の印加を各々の平面電極−
プローブ電極間に行なって、複数のプローブ電極でアク
セスされる複数の記録部位にパラレルに一括して情報の
書込みを行なう。そして書込み終了の後、再びプローブ
電極を所望の記録媒体領域に移動し、同時に前記書込み
又はフローブ電極の移動中又は前記電圧を出力した直後
のシフトレジスタがクリア状態“Ｃ”にある期間に、他
方のシフトレジスタに上記動作と同様に情報の伝送を行
ない、次の一括書込動作の準備動作を行なうことを繰り
返す。
同数のメモリを有する第１のシフトレジスタ１９と第２
のシフトレジスタ２０のどちらか一方をスイッチング回
路２４で選択してこれに順次情報をシリアルに転送し、
シフトレジスタが前記プローブ数だけ情報の蓄積して一
杯になったら蓄積を終了し、次いでこのシフトレジスタ
の蓄積情報に応じた書込電圧の印加を各々の平面電極−
プローブ電極間に行なって、複数のプローブ電極でアク
セスされる複数の記録部位にパラレルに一括して情報の
書込みを行なう。そして書込み終了の後、再びプローブ
電極を所望の記録媒体領域に移動し、同時に前記書込み
又はフローブ電極の移動中又は前記電圧を出力した直後
のシフトレジスタがクリア状態“Ｃ”にある期間に、他
方のシフトレジスタに上記動作と同様に情報の伝送を行
ない、次の一括書込動作の準備動作を行なうことを繰り
返す。
【００１８】一例として、１０１０１０・・・・なる情
報列を持った情報信号Ｖ０の１ビットの情報転送時間Δ
Ｔ３は、１つのプロ−ブ電極による１ビットの書込みに
必要な時間ΔＴ１より短く、１個のプローブ電極による
従来形態では上記情報列の記録媒体１１への書込みは不
可能であった。又、複数のプローブ電極を用いた場合で
も情報転送速度と書込み速度の不整合のために、上記情
報列の書込みは非現実的であった。これに対して本実施
例では、スイッチング回路２４が３ΔＴ３の切換期間を
有し、この３ΔＴ３期間にペアのシフトレジスタの内ど
ちらか一方がＶ０の情報列の中から３つ分の情報を受け
取る一方、他方のシフトレジスタが２ΔＴ３（＝ΔＴ１
）なる書込期間に前の３ΔＴ３期間に入力蓄積した３つ
の情報を３つの平面電極に同時に出力し、これを２つの
シフトレジスタで交互に繰り返すことによって、情報転
送速度と書込み速度の整合をとり、上記情報列の情報媒
体１１への書込みをを行なう。
報列を持った情報信号Ｖ０の１ビットの情報転送時間Δ
Ｔ３は、１つのプロ−ブ電極による１ビットの書込みに
必要な時間ΔＴ１より短く、１個のプローブ電極による
従来形態では上記情報列の記録媒体１１への書込みは不
可能であった。又、複数のプローブ電極を用いた場合で
も情報転送速度と書込み速度の不整合のために、上記情
報列の書込みは非現実的であった。これに対して本実施
例では、スイッチング回路２４が３ΔＴ３の切換期間を
有し、この３ΔＴ３期間にペアのシフトレジスタの内ど
ちらか一方がＶ０の情報列の中から３つ分の情報を受け
取る一方、他方のシフトレジスタが２ΔＴ３（＝ΔＴ１
）なる書込期間に前の３ΔＴ３期間に入力蓄積した３つ
の情報を３つの平面電極に同時に出力し、これを２つの
シフトレジスタで交互に繰り返すことによって、情報転
送速度と書込み速度の整合をとり、上記情報列の情報媒
体１１への書込みをを行なう。
【００１９】更に具体的には、区間３１においてシフト
レジスタ１９は入力状態“Ａ”にあり、“１０１”なる
３個の情報からなる情報列を受取り、次の区間３２にお
いては１９は先ず出力状態“Ｂ”となり、Ｖ１，Ｖ２，
Ｖ３の書込電圧を前の区間３１で受け取った情報列に従
って“１”“０”“１”のように制御し、続いてクリア
状態又は調整用の休止状態“Ｃ”となり、２０は入力状
態となって“０１０”なる次の情報列を受け取る。次の
区間３３においても同様に、２０は先ず出力状態となり
、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を前の区間３２で受け取った情報列
に従って、“０”“１”“０”のように制御することに
続いて、状態“Ｃ”となり、１９は入力状態となって“
１０１”なる次の情報列を受取り、以下、３３〜３５の
期間上においても同様に情報列のシフトレジスタへの振
り分けと、シフトレジスタの入出力の交互、及びＶ１，
Ｖ２，Ｖ３の書込電圧制御を行なうことにより、本実施
例では情報転送速度と書込速度の整合を可能にした。
レジスタ１９は入力状態“Ａ”にあり、“１０１”なる
３個の情報からなる情報列を受取り、次の区間３２にお
いては１９は先ず出力状態“Ｂ”となり、Ｖ１，Ｖ２，
Ｖ３の書込電圧を前の区間３１で受け取った情報列に従
って“１”“０”“１”のように制御し、続いてクリア
状態又は調整用の休止状態“Ｃ”となり、２０は入力状
態となって“０１０”なる次の情報列を受け取る。次の
区間３３においても同様に、２０は先ず出力状態となり
、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を前の区間３２で受け取った情報列
に従って、“０”“１”“０”のように制御することに
続いて、状態“Ｃ”となり、１９は入力状態となって“
１０１”なる次の情報列を受取り、以下、３３〜３５の
期間上においても同様に情報列のシフトレジスタへの振
り分けと、シフトレジスタの入出力の交互、及びＶ１，
Ｖ２，Ｖ３の書込電圧制御を行なうことにより、本実施
例では情報転送速度と書込速度の整合を可能にした。
【００２０】実施例２
次に本発明の第２の実施例を説明する。装置の全体構成
は図１と同様である。図３は本発明の第２の実施例にか
かる駆動のタイムチャートを示す図面である。本実施例
では複数プローブ電極２１〜２３を記録媒体１１の表面
に沿って連続的に移動させながら一括書込みを行なうこ
とを特徴とする。それ以外は先の実施例と同様である。
は図１と同様である。図３は本発明の第２の実施例にか
かる駆動のタイムチャートを示す図面である。本実施例
では複数プローブ電極２１〜２３を記録媒体１１の表面
に沿って連続的に移動させながら一括書込みを行なうこ
とを特徴とする。それ以外は先の実施例と同様である。
【００２１】本実施例では、１ビットを認識するのに必
要な距離だけプローブ電極を移動させるのに必要な時間
であるプローブ移動期間ΔＴ２は、情報信号電圧Ｖ０の
１ビット分の情報転送時間よりも長くなっている。この
ような場合、従来は複数のプローブ電極があっても、前
記情報信号電圧の情報列を記録媒体１１上に書込むこと
はできなかった。又、書込みに必要な期間ΔＴ１はΔＴ
３よりも短いが、ΔＴ１＞ΔＴ３でも同様に従来は情報
列を書込むことができなかった。
要な距離だけプローブ電極を移動させるのに必要な時間
であるプローブ移動期間ΔＴ２は、情報信号電圧Ｖ０の
１ビット分の情報転送時間よりも長くなっている。この
ような場合、従来は複数のプローブ電極があっても、前
記情報信号電圧の情報列を記録媒体１１上に書込むこと
はできなかった。又、書込みに必要な期間ΔＴ１はΔＴ
３よりも短いが、ΔＴ１＞ΔＴ３でも同様に従来は情報
列を書込むことができなかった。
【００２２】本実施例では図３のタイムチャートに示さ
れるようにＶＸ，ＶＹの値を連続的に変化させて、記録
媒体１１の表面をプローブ電極に対して２次元的に走査
移動させながらシフトレジスタ１９、２０の入出力を交
互に繰り返し一括書込みを行なう。これにより１ビット
の認識に必要なプローブ電極の移動時間ΔＴ２よりも短
い１ビットに対する情報転送時間で情報列が転送されて
きても記録媒体１１への書込みを可能とした。
れるようにＶＸ，ＶＹの値を連続的に変化させて、記録
媒体１１の表面をプローブ電極に対して２次元的に走査
移動させながらシフトレジスタ１９、２０の入出力を交
互に繰り返し一括書込みを行なう。これにより１ビット
の認識に必要なプローブ電極の移動時間ΔＴ２よりも短
い１ビットに対する情報転送時間で情報列が転送されて
きても記録媒体１１への書込みを可能とした。
【００２３】実施例３
次に本発明の第３の実施例を図４を用いて説明する。本
実施例では、半導体基板の上に平面電極を配置すること
により平面電極の側に集積回路を構成し、プローブ数の
増大に伴う配線と周辺回路の複雑化がプローブ電極側に
集中するのを防止したものである。又、記録媒体を含む
部材を密閉ユニット化して脱着自在にすることで、汎用
性を高めたものである。
実施例では、半導体基板の上に平面電極を配置すること
により平面電極の側に集積回路を構成し、プローブ数の
増大に伴う配線と周辺回路の複雑化がプローブ電極側に
集中するのを防止したものである。又、記録媒体を含む
部材を密閉ユニット化して脱着自在にすることで、汎用
性を高めたものである。
【００２４】図４において、７６〜７８は電圧検出回路
又は電流検出回路あるいはその両方であり、平面電極の
各々に配置する電圧印加回路又は電流検出回路を半導体
基板７１上に構成し、その上に平面電極を配置した。こ
れによって複雑な結線が不要となり従来に比べ装置の簡
素化が達成できた。又、７０は平面電極を半導体基板上
の電気回路に対して絶縁する絶縁層であり、８４は平面
電極と半導体基板７１上の電気回路を接続するスルーホ
ール電極である。又、７９は、スイッチング回路とシフ
トレジスタの機能を有し、情報の振り分け用のスイッチ
ング回路とシフトレジスタも半導体基板７１上に形成し
た。又、マイクロコンピュータ１６も半導体基板７１上
に構成した。８３はプローブ電極が形成された側のシリ
コン基板上に形成されたＸＹ走査駆動回路であり、走査
機構１４、１５を各々駆動する。又、８５は前記接続端
子を有する密閉容器７５を自在に装着できる記録再生装
置の本体、８０は電力供給用接続端子、８１は情報伝送
用端子、８２はマイクロコンピュータ制御用端子である
。
又は電流検出回路あるいはその両方であり、平面電極の
各々に配置する電圧印加回路又は電流検出回路を半導体
基板７１上に構成し、その上に平面電極を配置した。こ
れによって複雑な結線が不要となり従来に比べ装置の簡
素化が達成できた。又、７０は平面電極を半導体基板上
の電気回路に対して絶縁する絶縁層であり、８４は平面
電極と半導体基板７１上の電気回路を接続するスルーホ
ール電極である。又、７９は、スイッチング回路とシフ
トレジスタの機能を有し、情報の振り分け用のスイッチ
ング回路とシフトレジスタも半導体基板７１上に形成し
た。又、マイクロコンピュータ１６も半導体基板７１上
に構成した。８３はプローブ電極が形成された側のシリ
コン基板上に形成されたＸＹ走査駆動回路であり、走査
機構１４、１５を各々駆動する。又、８５は前記接続端
子を有する密閉容器７５を自在に装着できる記録再生装
置の本体、８０は電力供給用接続端子、８１は情報伝送
用端子、８２はマイクロコンピュータ制御用端子である
。
【００２５】本実施例はプローブ電極及び記録媒体及び
分割表面電極を接続端子８０〜８２を有する密閉容器７
５内に一体ユニット化して脱着自在にしたことを特徴と
した記録再生装置であり、複雑な周辺回路をカセット内
に一体化することによって、大量生産に向いた信頼性の
高い記録再生装置を実現した。
分割表面電極を接続端子８０〜８２を有する密閉容器７
５内に一体ユニット化して脱着自在にしたことを特徴と
した記録再生装置であり、複雑な周辺回路をカセット内
に一体化することによって、大量生産に向いた信頼性の
高い記録再生装置を実現した。
【００２６】実施例４
次に本発明の第４の実施例を説明する。図５は本実施例
の構成を示す図面であり、複数のプローブ電極に接続さ
れた導電経路６４が複数本あることを除いて、先の実施
例１とほぼ同様である。
の構成を示す図面であり、複数のプローブ電極に接続さ
れた導電経路６４が複数本あることを除いて、先の実施
例１とほぼ同様である。
【００２７】本実施例では、複数の分割電極７〜９と複
数のプローブ電極９５に接続された複数の導電経路９１
〜９３を備え、複数のプローブ電極が互いに異なる平面
電極７〜９に対して記録媒体（図５では省略されている
）を介して対向されているため、前記複数のプローブ電
極を有する導電経路９１〜９３を順次選択走査しながら
、平面電極７〜９から書込情報をパラレルに転送するこ
とも可能である。一方、ある平面電極と互いに異なる導
電経路に接続された複数のプローブ電極を記録媒体を介
して対向させているため、平面電極７〜９を順次選択走
査しながら複数の導電経路９１〜９３から書込情報をパ
ラレルに転送することも可能である。本実施例では前者
となるように周辺回路を配置した。９４は前記複数のプ
ローブ電極を有する導電経路９１〜９３を１つずつ時系
列に順次選択するための選択回路であり、９６は格子状
に配置されたバイモルフ梁である。
数のプローブ電極９５に接続された複数の導電経路９１
〜９３を備え、複数のプローブ電極が互いに異なる平面
電極７〜９に対して記録媒体（図５では省略されている
）を介して対向されているため、前記複数のプローブ電
極を有する導電経路９１〜９３を順次選択走査しながら
、平面電極７〜９から書込情報をパラレルに転送するこ
とも可能である。一方、ある平面電極と互いに異なる導
電経路に接続された複数のプローブ電極を記録媒体を介
して対向させているため、平面電極７〜９を順次選択走
査しながら複数の導電経路９１〜９３から書込情報をパ
ラレルに転送することも可能である。本実施例では前者
となるように周辺回路を配置した。９４は前記複数のプ
ローブ電極を有する導電経路９１〜９３を１つずつ時系
列に順次選択するための選択回路であり、９６は格子状
に配置されたバイモルフ梁である。
【００２８】本実施例では、平面電極が帯状の形状を有
する電極であり、配線が簡単になるという利点を有する
。特に導電経路９１〜９３も互いに列状の相対位置を有
する複数のプローブを有し、該複数プローブの列方向と
帯状平面電極の配列方向が記録媒体を介してねじれの位
置関係にあるマトリクス構造を有するために、配線構造
が非常に簡素化される。
する電極であり、配線が簡単になるという利点を有する
。特に導電経路９１〜９３も互いに列状の相対位置を有
する複数のプローブを有し、該複数プローブの列方向と
帯状平面電極の配列方向が記録媒体を介してねじれの位
置関係にあるマトリクス構造を有するために、配線構造
が非常に簡素化される。
【００２９】実施例５
図６は本発明の第５の実施例の説明図であり、上記実施
例４と同様の構成の記録再生装置の駆動方法のタイムチ
ャートを表わす。図６において、Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃは複
数プローブに接続された導電経路９１〜９３の電圧状態
、及びスキャナ９４のライン選択状態を示し、実線は選
択状態のある設定電圧を示し、点線部は非選択状態のデ
ィスコネクト状態を示す。
例４と同様の構成の記録再生装置の駆動方法のタイムチ
ャートを表わす。図６において、Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃは複
数プローブに接続された導電経路９１〜９３の電圧状態
、及びスキャナ９４のライン選択状態を示し、実線は選
択状態のある設定電圧を示し、点線部は非選択状態のデ
ィスコネクト状態を示す。
【００３０】非選択状態にあるプローブ電極は記録媒体
から遠ざけた状態でホールドされ、平面電極と複数プロ
ーブを有する導電経路によって選択されたプローブ電極
は、選択期間の一部に記録媒体表面とプローブ電極間拒
理を制御するための期間ΔＴ８を有することにより、非
書込部分のクロストークの影響を抑制した高密度大容量
の記録再生装置を実現する。
から遠ざけた状態でホールドされ、平面電極と複数プロ
ーブを有する導電経路によって選択されたプローブ電極
は、選択期間の一部に記録媒体表面とプローブ電極間拒
理を制御するための期間ΔＴ８を有することにより、非
書込部分のクロストークの影響を抑制した高密度大容量
の記録再生装置を実現する。
【００３１】又、本実施例は前記複数の平面電極の各々
に少なくとも一つのプローブ電極集団を記録媒体を介し
て対向させ、前記平面電極と前記プローブ電極集団の間
に書込電圧を同時に印加して書込みを行なう操作を、各
プローブ電極集団毎に順次繰返すことにより、高速で転
送されてくる情報を記録媒体に高速に書込むことができ
る。もちろんこれに限定されることなく、例えば、ある
前記平面電極に対して互いに異なる導電経路に接続され
た複数プローブ電極が記録媒体を介して対向され、前記
平面電極を順次選択しながら前記互いに異なる導電経路
と前記選択平面電極との間に書込電圧を印加するように
しても良い。
に少なくとも一つのプローブ電極集団を記録媒体を介し
て対向させ、前記平面電極と前記プローブ電極集団の間
に書込電圧を同時に印加して書込みを行なう操作を、各
プローブ電極集団毎に順次繰返すことにより、高速で転
送されてくる情報を記録媒体に高速に書込むことができ
る。もちろんこれに限定されることなく、例えば、ある
前記平面電極に対して互いに異なる導電経路に接続され
た複数プローブ電極が記録媒体を介して対向され、前記
平面電極を順次選択しながら前記互いに異なる導電経路
と前記選択平面電極との間に書込電圧を印加するように
しても良い。
【００３２】図６において、例えば“１０１００１１１
００１００１１１００”なる情報列の情報信号Ｖ０が送
られてきたとすると、１ビットの情報転送時間ΔＴＳは
、１つのプローブ電極による１ビットの書込みに必要と
される時間ΔＴ１より短く、従来１個のプローブ電極で
は上記情報列の記録媒体への書込みが不可能であったが
、本実施例ではスイッチング回路２４が３ΔＴ３の切換
期間を有し、この３ΔＴ３の期間に２つのシフトレジス
タのどちらか一方がＶ０の情報列の中から３つの情報を
受け取る一方、他方のレジスタが３ΔＴ３期間を有する
書込期間に前の３ΔＴ３期間に入力蓄積した３つの情報
を３つの平面電極７〜９に伝えるべく一挙に出力し、こ
れを２つのシフトレジスタ１９、２０で交互に繰返すと
共に、これと同期してスキャナ９４で複数のプローブに
接続された導電経路９１〜９３を順次選択し、この間、
プローブ電極を記録媒体の表面に沿ってＶＸ，ＶＹの電
圧を変えながら相対的に移動させることにより、大容量
高速書込みを大量生産に向いた単純な配線で実現した。
００１００１１１００”なる情報列の情報信号Ｖ０が送
られてきたとすると、１ビットの情報転送時間ΔＴＳは
、１つのプローブ電極による１ビットの書込みに必要と
される時間ΔＴ１より短く、従来１個のプローブ電極で
は上記情報列の記録媒体への書込みが不可能であったが
、本実施例ではスイッチング回路２４が３ΔＴ３の切換
期間を有し、この３ΔＴ３の期間に２つのシフトレジス
タのどちらか一方がＶ０の情報列の中から３つの情報を
受け取る一方、他方のレジスタが３ΔＴ３期間を有する
書込期間に前の３ΔＴ３期間に入力蓄積した３つの情報
を３つの平面電極７〜９に伝えるべく一挙に出力し、こ
れを２つのシフトレジスタ１９、２０で交互に繰返すと
共に、これと同期してスキャナ９４で複数のプローブに
接続された導電経路９１〜９３を順次選択し、この間、
プローブ電極を記録媒体の表面に沿ってＶＸ，ＶＹの電
圧を変えながら相対的に移動させることにより、大容量
高速書込みを大量生産に向いた単純な配線で実現した。
【００３３】又、本実施例では複数のプローブ電極を少
なくとも２つ、ここでは３つ接続した導電経路を１つま
たは複数個、ここでは３つ有し、該導電経路を時系列に
順次選択して平面電極と選択導電経路との間に書込電圧
を印加して、９つのプローブを効率的に使用できる。
なくとも２つ、ここでは３つ接続した導電経路を１つま
たは複数個、ここでは３つ有し、該導電経路を時系列に
順次選択して平面電極と選択導電経路との間に書込電圧
を印加して、９つのプローブを効率的に使用できる。
【００３４】実施例６
図７、図８は本発明の第６の実施例の情報再生装置を説
明する図であり、図７は装置全体の構成を表し、図８は
駆動時のタイムチャートを表わす。図７、図８において
、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は通常１００〜５００ｍＶ程度の読
出電圧であるバイアス電圧であり、平面電極７〜９に印
加される。ＸＹ駆動用電圧ＶＸ，ＶＹの電圧を変化させ
てプローブ電極を記録媒体の表面に沿って移動させなが
ら、スキャナ９４で導電経路９１〜９３を選択的に走査
し、電流検出手段１８で記録媒体に書込まれている情報
を読出すものである。１０２は第３のシフトレジスタＲ
３、１０４は第４のシフトレジスタＲ４であり、これら
によって読出情報をパラレル型情報からシリアル型情報
に変換する。それぞれのシフトレジスタが交互に情報の
入力と出力を行なうことにより情報伝送路の数を減少さ
せている。このように電流検出手段１８による読出情報
を、先ず前記記録媒体外のメモリ領域１１に蓄積した後
に情報を転送することによって情報転送の整合をとって
いる。選択時には前記複数平面電極と前記複数プローブ
電極に読出電圧を一挙に印加して読出しを行なう。本実
施例では、複数の平面電極を有し、前記プローブ電極と
平面電極との間に読出電圧を印加して、前記プローブ電
極と平面電極との間に流れる電流値は、プローブ位置の
変位差を検出して情報の読出しを行なうことにより、高
速の読出しを可能とした。
明する図であり、図７は装置全体の構成を表し、図８は
駆動時のタイムチャートを表わす。図７、図８において
、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は通常１００〜５００ｍＶ程度の読
出電圧であるバイアス電圧であり、平面電極７〜９に印
加される。ＸＹ駆動用電圧ＶＸ，ＶＹの電圧を変化させ
てプローブ電極を記録媒体の表面に沿って移動させなが
ら、スキャナ９４で導電経路９１〜９３を選択的に走査
し、電流検出手段１８で記録媒体に書込まれている情報
を読出すものである。１０２は第３のシフトレジスタＲ
３、１０４は第４のシフトレジスタＲ４であり、これら
によって読出情報をパラレル型情報からシリアル型情報
に変換する。それぞれのシフトレジスタが交互に情報の
入力と出力を行なうことにより情報伝送路の数を減少さ
せている。このように電流検出手段１８による読出情報
を、先ず前記記録媒体外のメモリ領域１１に蓄積した後
に情報を転送することによって情報転送の整合をとって
いる。選択時には前記複数平面電極と前記複数プローブ
電極に読出電圧を一挙に印加して読出しを行なう。本実
施例では、複数の平面電極を有し、前記プローブ電極と
平面電極との間に読出電圧を印加して、前記プローブ電
極と平面電極との間に流れる電流値は、プローブ位置の
変位差を検出して情報の読出しを行なうことにより、高
速の読出しを可能とした。
【００３５】なお、上記各実施例では説明の簡略化のた
めにプローブ電極及び平面電極の数が数個の例を示した
が、実際には同様の構成を非常に多数（例えば２５００
個）設けることにより大きな効果を発揮するものである
。
めにプローブ電極及び平面電極の数が数個の例を示した
が、実際には同様の構成を非常に多数（例えば２５００
個）設けることにより大きな効果を発揮するものである
。
【００３６】
【発明の効果】以上本発明によれば、プローブ電極側の
配線が単純で大量生産に適しており、高密度大容量の記
録及び／又は再生装置がより低コストで実現できる。
配線が単純で大量生産に適しており、高密度大容量の記
録及び／又は再生装置がより低コストで実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例の全体構成を示す図であ
る。
る。
【図２】第１の実施例のタイムチャートを示す図である
。
。
【図３】第２の実施例のタイムチャートを示す図である
。
。
【図４】第３の実施例の全体構成を示す図である。
【図５】第４の実施例の全体構成を示す図である。
【図６】第５の実施例のタイムチャートを示す図である
。
。
【図７】第６の実施例の全体構成を示す図である。
【図８】第６の実施例のタイムチャートを示す図である
。
。
７、８、９ 平面電極
１１ 記録層
１３ 基板
１４ Ｘ走査機構
１５ Ｘ走査機構
１６ マイクロコンピュータ
１７ 電圧印加回路
１８ 電流検出回路
１９ 第１のシフトレジスタ
２０ 第２のシフトレジスタ
２１、２２、２３ プローブ電極
２４ スイッチング回路
６１ バイモルフ梁
６３ シリコン基板
６４ 導電経路
７４ 駆動回路
Claims (8)
- 【請求項１】 複数に分割された電極を有する記録媒
体と、該複数の平面電極に各々対向する互いに導通した
複数のプローブ電極と、各平面電極とプローブ電極との
間に記録及び／又は再生のための電圧を独立に印加する
手段とを有することを特徴とする記録及び／又は再生装
置。 - 【請求項２】 前記記録媒体と各プローブ電極との相
対的位置関係を調整する手段を有する請求項１記載の記
録及び／又は再生装置。 - 【請求項３】 前記プローブ電極を記録媒体の表面に
沿って移動させながら記録及び／又は再生を行なう手段
を有する請求項２記載の記録及び／又は再生装置。 - 【請求項４】 前記複数のプローブ電極を各々独立に
変位させる手段を有する請求項２記載の記録及び／又は
再生装置。 - 【請求項５】 前記変位手段はプローブ電極を支持す
る変位可能な梁を有する請求項４記載の記録及び／又は
再生装置 - 【請求項６】 記録すべき情報を入力する手段と、該
入力した情報を一旦蓄える前記記録媒体以外のメモリと
、該メモリに蓄積される情報に応じて複数のプローブ電
極と分割平面電極との間に記録用電圧を印加する手段を
有する請求項１記載の記録及び／又は再生装置。 - 【請求項７】 前記メモリは、入力されるシリアル型
情報をパラレル型情報に変換する第１のシフトレジスタ
と第２のシフトレジスタを有し、該第１、第２のシフト
レジスタが情報の入力と出力を交互に行う請求項６記載
の記録及び／又は再生装置。 - 【請求項８】前記記録媒体及びプローブ電極を一体的に
密閉収容する容器を有する請求項１記載の記録及び／又
は再生装置。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP03140108A JP3109861B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 情報の記録及び／又は再生装置 |
| EP92109732A EP0518283B1 (en) | 1991-06-12 | 1992-06-10 | Information recording/reproducing apparatus |
| US07/896,372 US5373494A (en) | 1991-06-12 | 1992-06-10 | Information recording and/or reproducing apparatus |
| CA002070947A CA2070947C (en) | 1991-06-12 | 1992-06-10 | Multiple probe electrodes for scanning tunnelling microscope recording and reproduction |
| DE69221944T DE69221944T2 (de) | 1991-06-12 | 1992-06-10 | Informationsaufzeichnungs/Wiedergabegerät |
| AT92109732T ATE157798T1 (de) | 1991-06-12 | 1992-06-10 | Informationsaufzeichnungs/wiedergabegerät |
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| JP3109861B2 JP3109861B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=15261118
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| DE (1) | DE69221944T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0709835A2 (en) | 1994-10-28 | 1996-05-01 | Hewlett-Packard Company | Probe apparatus having reduced misalignment of conductive needles |
| US20110028596A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-03 | The Yokohama Rubber Co., Ltd | Rubber composition for coating a steel wire material |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354695A (en) | 1992-04-08 | 1994-10-11 | Leedy Glenn J | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
| US6714625B1 (en) | 1992-04-08 | 2004-03-30 | Elm Technology Corporation | Lithography device for semiconductor circuit pattern generation |
| JPH06195772A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-07-15 | Canon Inc | 画像信号処理機構およびその適用機器 |
| JP3384009B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2003-03-10 | キヤノン株式会社 | デジタルテレビジョン受像機 |
| US6339217B1 (en) * | 1995-07-28 | 2002-01-15 | General Nanotechnology Llc | Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements |
| US6337479B1 (en) | 1994-07-28 | 2002-01-08 | Victor B. Kley | Object inspection and/or modification system and method |
| US5751683A (en) | 1995-07-24 | 1998-05-12 | General Nanotechnology, L.L.C. | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
| JP3652728B2 (ja) * | 1994-12-31 | 2005-05-25 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 走査型メモリ装置および誤り訂正方法 |
| JP3935976B2 (ja) * | 1995-02-08 | 2007-06-27 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 半導体層構造および大容量メモリ装置の記録媒体 |
| US5717631A (en) * | 1995-07-21 | 1998-02-10 | Carnegie Mellon University | Microelectromechanical structure and process of making same |
| US6507553B2 (en) | 1995-07-24 | 2003-01-14 | General Nanotechnology Llc | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
| US6000047A (en) * | 1995-12-08 | 1999-12-07 | Hewlett-Packard Company | Scanning memory device and error correction method |
| JPH09293283A (ja) * | 1996-04-25 | 1997-11-11 | Hewlett Packard Co <Hp> | プローブ装置およびその製造方法、ならびにメディア移動型メモリ装置 |
| US6551857B2 (en) | 1997-04-04 | 2003-04-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure integrated circuits |
| US5915167A (en) | 1997-04-04 | 1999-06-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure memory |
| US6787768B1 (en) | 2001-03-08 | 2004-09-07 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for tool and tip design for nanomachining and measurement |
| US6802646B1 (en) | 2001-04-30 | 2004-10-12 | General Nanotechnology Llc | Low-friction moving interfaces in micromachines and nanomachines |
| US7196328B1 (en) | 2001-03-08 | 2007-03-27 | General Nanotechnology Llc | Nanomachining method and apparatus |
| US6923044B1 (en) | 2001-03-08 | 2005-08-02 | General Nanotechnology Llc | Active cantilever for nanomachining and metrology |
| US6752008B1 (en) | 2001-03-08 | 2004-06-22 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for scanning in scanning probe microscopy and presenting results |
| US6477132B1 (en) * | 1998-08-19 | 2002-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe and information recording/reproduction apparatus using the same |
| US7260051B1 (en) | 1998-12-18 | 2007-08-21 | Nanochip, Inc. | Molecular memory medium and molecular memory integrated circuit |
| AU6061100A (en) | 1999-07-01 | 2001-01-22 | General Nanotechnology, Llc | Object inspection and/or modification system and method |
| KR100331451B1 (ko) | 2000-05-10 | 2002-04-09 | 윤종용 | 탄소 함유 물질을 이용한 재기록 가능한 데이타 스토리지및 그 기록/재생 방법 |
| AU2001286157A1 (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for reading an array of thermal resistance sensors |
| US6931710B2 (en) | 2001-01-30 | 2005-08-23 | General Nanotechnology Llc | Manufacturing of micro-objects such as miniature diamond tool tips |
| US7253407B1 (en) | 2001-03-08 | 2007-08-07 | General Nanotechnology Llc | Active cantilever for nanomachining and metrology |
| US6593666B1 (en) | 2001-06-20 | 2003-07-15 | Ambient Systems, Inc. | Energy conversion systems using nanometer scale assemblies and methods for using same |
| US7053369B1 (en) | 2001-10-19 | 2006-05-30 | Rave Llc | Scan data collection for better overall data accuracy |
| US6813937B2 (en) | 2001-11-28 | 2004-11-09 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for micromachines, microstructures, nanomachines and nanostructures |
| KR100519752B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2005-10-07 | 삼성전자주식회사 | 시분할 다중 방식을 채용한 고속 고밀도 정보저장 장치 및이를 이용한 정보기록방법 및 정보재생방법 |
| WO2004015764A2 (en) | 2002-08-08 | 2004-02-19 | Leedy Glenn J | Vertical system integration |
| WO2004023490A2 (en) | 2002-09-09 | 2004-03-18 | General Nanotechnology Llc | Fluid delivery for scanning probe microscopy |
| US7233517B2 (en) | 2002-10-15 | 2007-06-19 | Nanochip, Inc. | Atomic probes and media for high density data storage |
| US7199498B2 (en) | 2003-06-02 | 2007-04-03 | Ambient Systems, Inc. | Electrical assemblies using molecular-scale electrically conductive and mechanically flexible beams and methods for application of same |
| US7095645B2 (en) | 2003-06-02 | 2006-08-22 | Ambient Systems, Inc. | Nanoelectromechanical memory cells and data storage devices |
| US7148579B2 (en) | 2003-06-02 | 2006-12-12 | Ambient Systems, Inc. | Energy conversion systems utilizing parallel array of automatic switches and generators |
| US20040238907A1 (en) | 2003-06-02 | 2004-12-02 | Pinkerton Joseph F. | Nanoelectromechanical transistors and switch systems |
| US20050128927A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-16 | Hewlett-Packard Development Co., L.P. | Electrostatic actuator for contact probe storage device |
| US7423954B2 (en) * | 2003-12-17 | 2008-09-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Contact probe storage sensor pod |
| EP1548748A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-29 | Interuniversitaire Microelectronica Centrum vzw ( IMEC) | A method for making probes for atomic force microscopy |
| US7436753B2 (en) | 2003-12-17 | 2008-10-14 | Mejia Robert G | Contact probe storage FET sensor |
| US7212487B2 (en) * | 2004-01-07 | 2007-05-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data readout arrangement |
| WO2007024204A2 (en) | 2004-07-19 | 2007-03-01 | Ambient Systems, Inc. | Nanometer-scale electrostatic and electromagnetic motors and generators |
| US7212488B2 (en) | 2005-03-21 | 2007-05-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and device enabling capacitive probe-based data storage readout |
| US7463573B2 (en) | 2005-06-24 | 2008-12-09 | Nanochip, Inc. | Patterned media for a high density data storage device |
| US7367119B2 (en) | 2005-06-24 | 2008-05-06 | Nanochip, Inc. | Method for forming a reinforced tip for a probe storage device |
| US7309630B2 (en) | 2005-07-08 | 2007-12-18 | Nanochip, Inc. | Method for forming patterned media for a high density data storage device |
| US7514942B2 (en) * | 2006-09-27 | 2009-04-07 | Intel Corporation | Probe based patterning of microelectronic and micromechanical devices |
| WO2008124084A2 (en) | 2007-04-03 | 2008-10-16 | Pinkerton Joseph F | Nanoelectromechanical systems and methods for making the same |
| JP4792095B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2011-10-12 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3710352A (en) * | 1970-03-13 | 1973-01-09 | Micro Bit Corp | High speed-large storage capability electron beam accessed memory method and apparatus |
| US3872445A (en) * | 1973-05-11 | 1975-03-18 | Xynetics Inc | Automated data library system including a flat plane memory |
| EP0247219B1 (en) * | 1986-05-27 | 1991-05-15 | International Business Machines Corporation | Direct access storage unit |
| US4906840A (en) * | 1988-01-27 | 1990-03-06 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr., University | Integrated scanning tunneling microscope |
| DE3823010A1 (de) * | 1988-07-07 | 1989-09-21 | Leitz Wild Gmbh | Anordnung zum auslesen von daten |
| JPH0298896A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Olympus Optical Co Ltd | 記憶装置 |
| JPH02206043A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Olympus Optical Co Ltd | 記憶装置 |
| EP0382192B1 (en) * | 1989-02-09 | 1993-08-18 | Olympus Optical Co., Ltd. | Scanning tunneling microscope memory apparatus |
| GB8910566D0 (en) * | 1989-05-08 | 1989-06-21 | Amersham Int Plc | Imaging apparatus and method |
| US5075548A (en) * | 1989-07-17 | 1991-12-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Tunnel current probe moving mechanism having parallel cantilevers |
| US5132533A (en) * | 1989-12-08 | 1992-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming probe and apparatus therefor |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP03140108A patent/JP3109861B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-10 EP EP92109732A patent/EP0518283B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-10 CA CA002070947A patent/CA2070947C/en not_active Expired - Lifetime
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0709835A2 (en) | 1994-10-28 | 1996-05-01 | Hewlett-Packard Company | Probe apparatus having reduced misalignment of conductive needles |
| US20110028596A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-03 | The Yokohama Rubber Co., Ltd | Rubber composition for coating a steel wire material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CA2070947C (en) | 1998-09-29 |
| CA2070947A1 (en) | 1992-12-13 |
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