JPH04365010A - 液晶分子の垂直配向処理方法 - Google Patents
液晶分子の垂直配向処理方法Info
- Publication number
- JPH04365010A JPH04365010A JP23675191A JP23675191A JPH04365010A JP H04365010 A JPH04365010 A JP H04365010A JP 23675191 A JP23675191 A JP 23675191A JP 23675191 A JP23675191 A JP 23675191A JP H04365010 A JPH04365010 A JP H04365010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- alignment
- layer
- crystal cell
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶の垂直配向が必要
な表示素子、光学素子などにおける液晶分子の垂直配列
性を改善する処理方法に関する。
な表示素子、光学素子などにおける液晶分子の垂直配列
性を改善する処理方法に関する。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】液晶を用いた光学的表示装
置においては、液晶分子の配列を誘導し、光学的画像を
表示することが一般に行われている。近年は、特に高精
細、大画面の要求が高まり、広域にわたり、均一な液晶
分子の配列を行う要求が高まってきた。
置においては、液晶分子の配列を誘導し、光学的画像を
表示することが一般に行われている。近年は、特に高精
細、大画面の要求が高まり、広域にわたり、均一な液晶
分子の配列を行う要求が高まってきた。
【０００３】液晶表示素子は、図１及び図２に示すよう
な基本的構造を有する。すなわち、２枚の液晶表示基板
１の表面上に透明電極層２が設けられ、次に、必要に応
じて、基板ガラスや透明電極層からの化合物の溶出を防
ぐ目的でブロッキング層６が設けられ、さらに、液晶の
初期配向を決定する配向層３が設けられている。このよ
うな構造の２枚の積層体を、スペーサ４で一定の間隔に
維持し、その間に液晶５を介在させたものが液晶表示素
子である。
な基本的構造を有する。すなわち、２枚の液晶表示基板
１の表面上に透明電極層２が設けられ、次に、必要に応
じて、基板ガラスや透明電極層からの化合物の溶出を防
ぐ目的でブロッキング層６が設けられ、さらに、液晶の
初期配向を決定する配向層３が設けられている。このよ
うな構造の２枚の積層体を、スペーサ４で一定の間隔に
維持し、その間に液晶５を介在させたものが液晶表示素
子である。
【０００４】液晶分子の配列は、配向層によって制御さ
れ、この初期配向状態と透明電極に通電した際に変化さ
せられる液晶分子の配列状態との分子配列の違いから表
示が達成される。ここで言う液晶の初期配向とは、透明
電極に通電しない状態での液晶分子の配列を示すもので
、液晶分子を液晶表示素子の表示部全域にわたり欠陥な
く同じ配向状態に制御する必要がある。この配列の形態
には、垂直配向、水平配向及びこれらのハイブリッド型
など、多くの形式があり、液晶材料のタイプと表示方式
の違いにより適切な形式が選定される。
れ、この初期配向状態と透明電極に通電した際に変化さ
せられる液晶分子の配列状態との分子配列の違いから表
示が達成される。ここで言う液晶の初期配向とは、透明
電極に通電しない状態での液晶分子の配列を示すもので
、液晶分子を液晶表示素子の表示部全域にわたり欠陥な
く同じ配向状態に制御する必要がある。この配列の形態
には、垂直配向、水平配向及びこれらのハイブリッド型
など、多くの形式があり、液晶材料のタイプと表示方式
の違いにより適切な形式が選定される。
【０００５】垂直配向と光散乱モードを利用した液晶表
示素子において、表示コントラストは、液晶分子の垂直
配列時と光散乱時の透過率の差により得られる。つまり
、同じ光散乱組織であれば、垂直配列時の液晶配列が均
一でかつ光散乱時の散乱組織の厚みが多い素子、すなわ
ち、液晶の厚みが多く、かつ均一に配列される表示素子
が好ましい。また、液晶分子の屈折率異方性を利用した
位相変調素子の場合には、変調される位相差は、液晶分
子の屈折率異方性と光路長によって決定されるので、液
晶の厚みが多い程、変調できる位相量が多くなる。
示素子において、表示コントラストは、液晶分子の垂直
配列時と光散乱時の透過率の差により得られる。つまり
、同じ光散乱組織であれば、垂直配列時の液晶配列が均
一でかつ光散乱時の散乱組織の厚みが多い素子、すなわ
ち、液晶の厚みが多く、かつ均一に配列される表示素子
が好ましい。また、液晶分子の屈折率異方性を利用した
位相変調素子の場合には、変調される位相差は、液晶分
子の屈折率異方性と光路長によって決定されるので、液
晶の厚みが多い程、変調できる位相量が多くなる。
【０００６】上記のように、垂直配向で、かつ液晶の厚
みが多い素子は、用途により種々の優位点がある。その
ため、液晶の垂直配列（ホメオトロピック配向）につい
て、従来、多くの提案がなされている。例えば、第一の
方法として、液晶材料内にドーパントを添加する方法が
ある。しかし、この方法では、添加されたドーパントが
液晶の導電性に影響を与えること、さらに、ドーパント
が液晶配向の温度依存性を生じさせるなどの欠点があっ
た。
みが多い素子は、用途により種々の優位点がある。その
ため、液晶の垂直配列（ホメオトロピック配向）につい
て、従来、多くの提案がなされている。例えば、第一の
方法として、液晶材料内にドーパントを添加する方法が
ある。しかし、この方法では、添加されたドーパントが
液晶の導電性に影響を与えること、さらに、ドーパント
が液晶配向の温度依存性を生じさせるなどの欠点があっ
た。
【０００７】第二の方法は、垂直配向のために液晶表示
素子基板の表面を改質する方法である。これには、垂直
配向のための表面塗布フィルムを使用する方法と、有機
シラン化合物を基板表面に塗布し、化学的性質を改質す
る方法とがある。しかし、前者の方法は、長期安定性、
均一性に劣り、さらに、液晶表示装置を組み立てる際に
使用される高温度により悪影響を受けやすいことが知ら
れている。これらの理由から、一般的には後者の方法が
広く用いられている。有機シラン化合物を用いた基板表
面の垂直配向処理は、一般的には、該有機シラン化合物
を揮発性の溶媒で希釈し、得られた有機シラン化合物含
有溶液を基板にディップコート、スピンコート、スプレ
ーコート等の手段により均一に塗布した後、揮発性溶媒
を蒸発させ、さらに適切な温度で有機シラン化合物を加
熱して液晶表示基板上に固定し、垂直配向層を形成する
方法が用いられている。また、ここで用いられる有機シ
ラン化合物の種類によっては、真空又は不活性ガス雰囲
気下で加熱すること、あるいは垂直配向層形成後の基板
表面処理などが必要な場合もある。
素子基板の表面を改質する方法である。これには、垂直
配向のための表面塗布フィルムを使用する方法と、有機
シラン化合物を基板表面に塗布し、化学的性質を改質す
る方法とがある。しかし、前者の方法は、長期安定性、
均一性に劣り、さらに、液晶表示装置を組み立てる際に
使用される高温度により悪影響を受けやすいことが知ら
れている。これらの理由から、一般的には後者の方法が
広く用いられている。有機シラン化合物を用いた基板表
面の垂直配向処理は、一般的には、該有機シラン化合物
を揮発性の溶媒で希釈し、得られた有機シラン化合物含
有溶液を基板にディップコート、スピンコート、スプレ
ーコート等の手段により均一に塗布した後、揮発性溶媒
を蒸発させ、さらに適切な温度で有機シラン化合物を加
熱して液晶表示基板上に固定し、垂直配向層を形成する
方法が用いられている。また、ここで用いられる有機シ
ラン化合物の種類によっては、真空又は不活性ガス雰囲
気下で加熱すること、あるいは垂直配向層形成後の基板
表面処理などが必要な場合もある。
【０００８】しかしながら、従来の方法では、５〜１０
μｍ程度までの液晶層の厚みを有する液晶分子の配向は
可能であったが、液晶層の厚みが２０μｍ以上となると
、垂直配向性能の安定性に欠け、初期配向時に配向欠陥
を生じたり、配向性能の寿命が短い等の欠点を有してお
り、比較的厚い液晶層の安定した垂直配向技術の開発が
望まれている。
μｍ程度までの液晶層の厚みを有する液晶分子の配向は
可能であったが、液晶層の厚みが２０μｍ以上となると
、垂直配向性能の安定性に欠け、初期配向時に配向欠陥
を生じたり、配向性能の寿命が短い等の欠点を有してお
り、比較的厚い液晶層の安定した垂直配向技術の開発が
望まれている。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、上記従来技術の欠点を解消し
、液晶層が厚くても全体的に欠陥のない垂直配向を達成
しうる液晶分子の垂直配向処理方法を提供することを目
的とする。
、液晶層が厚くても全体的に欠陥のない垂直配向を達成
しうる液晶分子の垂直配向処理方法を提供することを目
的とする。
【００１０】
【発明の構成】本発明は、配向層を平滑化処理した表面
に設けることによって前記の目的を達成したものである
。すなわち、本発明による液晶分子の垂直配向処理方法
は、配向層を設けるべき表面に平滑化処理を施すことを
特徴とする。
に設けることによって前記の目的を達成したものである
。すなわち、本発明による液晶分子の垂直配向処理方法
は、配向層を設けるべき表面に平滑化処理を施すことを
特徴とする。
【００１１】何らかの配向層を設けて液晶分子を垂直配
列させる場合には、液晶分子と配向層の化合物の官能基
の親和性や電子配置的な相互作用が関与していることが
報告されている。本発明においては、この配向層を形成
する前処理として、配向層を設ける直前の層、すなわち
、透明電極層あるいはブロッキング層を平滑化処理する
。
列させる場合には、液晶分子と配向層の化合物の官能基
の親和性や電子配置的な相互作用が関与していることが
報告されている。本発明においては、この配向層を形成
する前処理として、配向層を設ける直前の層、すなわち
、透明電極層あるいはブロッキング層を平滑化処理する
。
【００１２】本発明において、平滑化処理は、例えば、
研磨加工により行うことができる。この研磨加工には、
二三酸化鉄、四三酸化鉄、酸化セリウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化チタン、酸化錫、酸化アルミニウム、ダイヤ
モンド、酸化クロム、酸化珪素、酸化トリウム、酸化マ
グネシウム、酸化亜鉛、沈降炭酸カルシウム、沈降炭酸
マグネシウム、酸化鉛、酸化マンガン、炭素粉等の研磨
剤の１種以上を水又は有機溶媒中に懸濁した研磨液を使
用することができる。また、上記のような研磨剤のタブ
レットが直接固定された研磨プレートを使用することも
できる。
研磨加工により行うことができる。この研磨加工には、
二三酸化鉄、四三酸化鉄、酸化セリウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化チタン、酸化錫、酸化アルミニウム、ダイヤ
モンド、酸化クロム、酸化珪素、酸化トリウム、酸化マ
グネシウム、酸化亜鉛、沈降炭酸カルシウム、沈降炭酸
マグネシウム、酸化鉛、酸化マンガン、炭素粉等の研磨
剤の１種以上を水又は有機溶媒中に懸濁した研磨液を使
用することができる。また、上記のような研磨剤のタブ
レットが直接固定された研磨プレートを使用することも
できる。
【００１３】本発明の方法を適用する際には、基板、透
明電極層及びブロッキング層の材料には、特に制限はな
く、公知の任意のものを用いることができる。しかし、
平滑化処理される透明電極層又はブロッキング層は、処
理によって除去される層材料を考慮して若干厚く形成し
ておき、処理後に、通常の層厚と同等の層厚となるよう
にするのが好ましい。
明電極層及びブロッキング層の材料には、特に制限はな
く、公知の任意のものを用いることができる。しかし、
平滑化処理される透明電極層又はブロッキング層は、処
理によって除去される層材料を考慮して若干厚く形成し
ておき、処理後に、通常の層厚と同等の層厚となるよう
にするのが好ましい。
【００１４】また、配向層及び液晶についても、垂直配
列が可能なものであれば、特に制限はない。
列が可能なものであれば、特に制限はない。
【００１５】
【発明の実施例】次に、実施例及び比較例に基づいて本
発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、これらの
実施例によって制限されるものではない。なお、下記の
実施例において平滑化処理に使用した研磨機は、オスカ
ー式研磨機であり、図３に示すように、透明電極層を有
する基板又はブロッキング層及び透明電極層を有する基
板（以下において、両者とも液晶セル基板と称する）７
を研磨プレート８上に固定し、相対する研磨プレート９
に研磨パット１０を取り付け、液晶セル基板７の表面と
研磨パット１０との間に研磨液を介在させた後、両面を
重ね合わせ、回転運動と揺動運動の一方若しくはその組
合せにより液晶セル基板７の表面を研磨し、平滑化を行
うものである。
発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、これらの
実施例によって制限されるものではない。なお、下記の
実施例において平滑化処理に使用した研磨機は、オスカ
ー式研磨機であり、図３に示すように、透明電極層を有
する基板又はブロッキング層及び透明電極層を有する基
板（以下において、両者とも液晶セル基板と称する）７
を研磨プレート８上に固定し、相対する研磨プレート９
に研磨パット１０を取り付け、液晶セル基板７の表面と
研磨パット１０との間に研磨液を介在させた後、両面を
重ね合わせ、回転運動と揺動運動の一方若しくはその組
合せにより液晶セル基板７の表面を研磨し、平滑化を行
うものである。
【００１６】実施例１
平面に加工された５０×５０ｍｍのガラス基板上に膜厚
３４００Åのインジウム−スズ酸化物透明電極膜を真空
蒸着法により形成した。表面の２０００倍の電子顕微鏡
写真を図４に示した。得られた液晶セル基板を研磨プレ
ート上に固定し、上記のオスカー式研磨機にセットした
。研磨液としては、沈降炭酸カルシウムと水との混合液
を用い、１ｋｇの荷重がかかるようにして３分間表面の
平滑化処理を行った。平滑化処理後の液晶セル基板表面
の２０００倍の電子顕微鏡写真を図５に示した。
３４００Åのインジウム−スズ酸化物透明電極膜を真空
蒸着法により形成した。表面の２０００倍の電子顕微鏡
写真を図４に示した。得られた液晶セル基板を研磨プレ
ート上に固定し、上記のオスカー式研磨機にセットした
。研磨液としては、沈降炭酸カルシウムと水との混合液
を用い、１ｋｇの荷重がかかるようにして３分間表面の
平滑化処理を行った。平滑化処理後の液晶セル基板表面
の２０００倍の電子顕微鏡写真を図５に示した。
【００１７】液晶セル基板の平滑化処理した面上に垂直
配向剤であるＯＤＳ−Ｅ（チッソ株式会社製品の商品名
）のアルコール溶液をスピンコート法で塗布し、１５０
℃で３０分間加熱処理した。得られた配向層を有する液
晶セル基板２枚を用い、液晶層の厚さが４０μｍとなる
ようにセルを組み立て、セル内にスメクチックＡ型液晶
Ｓ−７（メルク社製品の商品名）を注入した。その後、
得られた液晶セルに電界をかけ、垂直に配向させ、その
配向状態を光学顕微鏡を用いて観察し、評価結果を下記
の表１に示す。
配向剤であるＯＤＳ−Ｅ（チッソ株式会社製品の商品名
）のアルコール溶液をスピンコート法で塗布し、１５０
℃で３０分間加熱処理した。得られた配向層を有する液
晶セル基板２枚を用い、液晶層の厚さが４０μｍとなる
ようにセルを組み立て、セル内にスメクチックＡ型液晶
Ｓ−７（メルク社製品の商品名）を注入した。その後、
得られた液晶セルに電界をかけ、垂直に配向させ、その
配向状態を光学顕微鏡を用いて観察し、評価結果を下記
の表１に示す。
【００１８】実施例２
平面に加工された５０×５０ｍｍのガラス基板上に膜厚
１０００Åのインジウム−スズ酸化物透明電極膜とさら
にその層上に膜厚３５００ÅのＳｉＯ２ブロッキング層
を真空蒸着法により形成した。この表面の２０００倍の
電子顕微鏡写真を図６に示した。得られた液晶セル基板
を、研磨時間を１分間とした以外は、実施例１と同様の
条件で研磨し、平滑化処理した。平滑化処理後の液晶セ
ル基板表面の２０００倍の電子顕微鏡写真を図７に示し
た。
１０００Åのインジウム−スズ酸化物透明電極膜とさら
にその層上に膜厚３５００ÅのＳｉＯ２ブロッキング層
を真空蒸着法により形成した。この表面の２０００倍の
電子顕微鏡写真を図６に示した。得られた液晶セル基板
を、研磨時間を１分間とした以外は、実施例１と同様の
条件で研磨し、平滑化処理した。平滑化処理後の液晶セ
ル基板表面の２０００倍の電子顕微鏡写真を図７に示し
た。
【００１９】液晶セル基板の平滑化処理した面（ブロッ
キング層）上に実施例１と全く同様にして配向層を形成
し、厚さ４０μｍのスメクチックＡ型液晶を封入した液
晶セルを形成した。その後、得られた液晶セルに電界を
かけ、垂直に配向させ、その配向状態を光学顕微鏡を用
いて観察し、評価結果を下記の表１に示す。
キング層）上に実施例１と全く同様にして配向層を形成
し、厚さ４０μｍのスメクチックＡ型液晶を封入した液
晶セルを形成した。その後、得られた液晶セルに電界を
かけ、垂直に配向させ、その配向状態を光学顕微鏡を用
いて観察し、評価結果を下記の表１に示す。
【００２０】比較例１
インジウム−スズ酸化物から成る透明電極の膜厚を５０
０Åとしたこと及び平滑化処理を行わなかったこと以外
は、実施例１と同様にして垂直配向液晶セルを作成し、
初期配向後の評価結果を表１に示す。
０Åとしたこと及び平滑化処理を行わなかったこと以外
は、実施例１と同様にして垂直配向液晶セルを作成し、
初期配向後の評価結果を表１に示す。
【００２１】比較例２
実施例２で作成したインジウム−スズ酸化物から成る透
明電極とＳｉＯ２から成るブロッキング層（但し、膜厚
２０００Å）を有する液晶セル基板を用い、平滑化処理
を行わなかった以外は、実施例２と同様にして垂直配向
液晶セルを作成し、初期配向後の評価結果を表１に示す
。
明電極とＳｉＯ２から成るブロッキング層（但し、膜厚
２０００Å）を有する液晶セル基板を用い、平滑化処理
を行わなかった以外は、実施例２と同様にして垂直配向
液晶セルを作成し、初期配向後の評価結果を表１に示す
。
【００２２】
【表１】
【００２３】なお、実施例１及び２で得られた液晶セル
は、液晶表示素子として３０００時間以上使用後も、良
好な配向性能を保持していた。
は、液晶表示素子として３０００時間以上使用後も、良
好な配向性能を保持していた。
【００２４】
【発明の効果】本発明の方法によれば、液晶層が厚くて
も、全体的に欠陥のない垂直配向を有する液晶表示素子
が容易に得られ、その垂直配向性能は長期間使用後にも
良好に保持される。また、本発明の方法は、ガラスフリ
ットシール等の高温組立法による液晶セル組み立てによ
っても、液晶の配向性能に影響がない等、大量生産にも
適した方法であり、液晶の垂直配向が必要な電気光学装
置、表示装置などの製造に有効に適用することができる
。
も、全体的に欠陥のない垂直配向を有する液晶表示素子
が容易に得られ、その垂直配向性能は長期間使用後にも
良好に保持される。また、本発明の方法は、ガラスフリ
ットシール等の高温組立法による液晶セル組み立てによ
っても、液晶の配向性能に影響がない等、大量生産にも
適した方法であり、液晶の垂直配向が必要な電気光学装
置、表示装置などの製造に有効に適用することができる
。
【図１】液晶表示素子の基本的構造を示す断面図である
。
。
【図２】液晶表示素子の基本的構造を示す断面図である
。
。
【図３】実施例に使用した研磨機の研磨部分の説明図で
ある。
ある。
【図４】実施例１で作成した液晶セル基板表面の粒子構
造を示す２０００倍の電子顕微鏡写真である。
造を示す２０００倍の電子顕微鏡写真である。
【図５】実施例１で平滑化処理した液晶セル基板表面の
粒子構造を示す２０００倍の電子顕微鏡写真である。
粒子構造を示す２０００倍の電子顕微鏡写真である。
【図６】実施例２で作成した液晶セル基板表面の粒子構
造を示す２０００倍の電子顕微鏡写真である。
造を示す２０００倍の電子顕微鏡写真である。
【図７】実施例２で平滑化処理した液晶セル基板表面の
粒子構造を示す２０００倍の電子顕微鏡写真である。
粒子構造を示す２０００倍の電子顕微鏡写真である。
１ 液晶表示基板
２ 透明電極層
３ 配向層
５ 液晶
６ ブロッキング層
７ 液晶セル基板
８及び９ 研磨プレート
１０ 研磨パット
Claims (3)
- 【請求項１】 配向層を設けるべき表面に平滑化処理
を施すことを特徴とする液晶分子の垂直配向処理方法。 - 【請求項２】 配向層を設けるべき表面が透明電極層
である請求項１記載の液晶分子の垂直配向処理方法。 - 【請求項３】 配向層を設けるべき表面がブロッキン
グ層である請求項１記載の液晶分子の垂直配向処理方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23675191A JP3153281B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 液晶分子の垂直配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23675191A JP3153281B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 液晶分子の垂直配向処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365010A true JPH04365010A (ja) | 1992-12-17 |
| JP3153281B2 JP3153281B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=17005255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23675191A Expired - Fee Related JP3153281B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 液晶分子の垂直配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3153281B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP23675191A patent/JP3153281B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3153281B2 (ja) | 2001-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4869577A (en) | Ferroelectric liquid crystal display device having uniaxial alignment on both substrates | |
| US5745205A (en) | Method of introducing slightly titlting homeotropic orientation into liquid crystal, liquid crystal electro-optical device, and liquid crystal light valve | |
| US5309263A (en) | Liquid crystal electro-optical device and manufacturing method for the same | |
| KR20040066913A (ko) | 액정 표시 셀 | |
| JPH04365010A (ja) | 液晶分子の垂直配向処理方法 | |
| JPH09211463A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| CA1266114A (en) | Display cell | |
| JPS63158526A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH11223816A (ja) | 液晶素子及びその製造方法、並びに配向膜又はその組成物 | |
| JP2804763B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPS6262327B2 (ja) | ||
| JPH0336524A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPS62297818A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS61203426A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS62249124A (ja) | 電気光学装置 | |
| JPH08245962A (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
| JPS61151617A (ja) | 液晶ライトバルブ | |
| DE69531587T2 (de) | Verfahren zur Erzeugung einer schwach geneigten homeotropen Ausrichtung von Flüssigkristallen, elektrooptische Flüssigkristall-Vorrichtung und Flüssigkristall-Lichtventil | |
| JPS63234224A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS6261126B2 (ja) | ||
| JPH01161215A (ja) | 液晶表示器 | |
| JPH02293718A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPH0926577A (ja) | 液晶用配向膜の形成方法 | |
| JPH04318812A (ja) | 表示素子 | |
| JPH0580339A (ja) | 液晶表示素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080126 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |