JPH04366406A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH04366406A JPH04366406A JP16764191A JP16764191A JPH04366406A JP H04366406 A JPH04366406 A JP H04366406A JP 16764191 A JP16764191 A JP 16764191A JP 16764191 A JP16764191 A JP 16764191A JP H04366406 A JPH04366406 A JP H04366406A
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- magnetic head
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Links
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- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等に用い
られる薄膜磁気ヘッドに関するものである。
られる薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体上にお
いて高密度のデータの書込み、読出しを行うものである
。この種の薄膜磁気ヘッドの構成を図５を参照して説明
する。薄膜磁気ヘッド１は、基体２上に形成されており
、先端部に扇状のヨーク９が形成されている。ヨーク９
は第１の磁性体層３と第２の磁性体層８との複合層から
成り、このヨーク９を含む様にして全体がほぼ楕円形状
をした箔状コイル１０が設けられ、箔状コイル１０の一
端は中心部分１２でリード部１３と接続され、他端はリ
ード部１４と接続されている。前記ヨーク９は、一対の
ポールピースから成るポール部Ｐと後側領域Ｂと後側領
域内に設けられた後側ギャップ１１とから成る（特開昭
５５−８４０１９号、特開昭５５−８４０２０号公報）
。
いて高密度のデータの書込み、読出しを行うものである
。この種の薄膜磁気ヘッドの構成を図５を参照して説明
する。薄膜磁気ヘッド１は、基体２上に形成されており
、先端部に扇状のヨーク９が形成されている。ヨーク９
は第１の磁性体層３と第２の磁性体層８との複合層から
成り、このヨーク９を含む様にして全体がほぼ楕円形状
をした箔状コイル１０が設けられ、箔状コイル１０の一
端は中心部分１２でリード部１３と接続され、他端はリ
ード部１４と接続されている。前記ヨーク９は、一対の
ポールピースから成るポール部Ｐと後側領域Ｂと後側領
域内に設けられた後側ギャップ１１とから成る（特開昭
５５−８４０１９号、特開昭５５−８４０２０号公報）
。
【０００３】そして、前記ポール部Ｐのギャップ深さで
あるスロート高さＴＨの寸法によって、薄膜磁気ヘッド
１の電磁変換特性が左右されるため、薄膜磁気ヘッド１
を研磨することによってポール部Ｐの所定寸法を得てい
る。この寸法は、最も良好な相対出力特性及び分解能特
性が得られる１μｍ前後の値である。
あるスロート高さＴＨの寸法によって、薄膜磁気ヘッド
１の電磁変換特性が左右されるため、薄膜磁気ヘッド１
を研磨することによってポール部Ｐの所定寸法を得てい
る。この寸法は、最も良好な相対出力特性及び分解能特
性が得られる１μｍ前後の値である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の薄膜
磁気ヘッドを、図６に示す様に、矢印Ｄで示す方向に最
終研磨面Ｅ−Ｅ′まで研磨し、ポール部Ｐのスロート高
さＴＨを１μｍ前後にすると、第２の磁性体層８のポー
ルピースの厚みであるポール長が、ＰＬ１ からＰＬ２
へ拡大してしまい、薄膜磁気ヘッド１の特性上好まし
くない。これは、第２の磁性体層８のポールフェースＦ
から数えて第１の変曲点Ａが、スロート高さ方向におい
てスロート高さＴＨ零の位置Ｚと一致せず、これよりも
ポールフェースＦ側へ出て来ることによるためである。 このズレは、前記第１の変曲点Ａ後方の傾斜面の厚みｔ
の１／２程度であり、ｔが例えば２〜４μｍとすると、
変曲点Ａは１〜２μｍ出て来ることになり、研磨してい
くと最終研磨面Ｅ−Ｅ′が、第２の磁性体層８の傾斜面
に掛かるためである。
磁気ヘッドを、図６に示す様に、矢印Ｄで示す方向に最
終研磨面Ｅ−Ｅ′まで研磨し、ポール部Ｐのスロート高
さＴＨを１μｍ前後にすると、第２の磁性体層８のポー
ルピースの厚みであるポール長が、ＰＬ１ からＰＬ２
へ拡大してしまい、薄膜磁気ヘッド１の特性上好まし
くない。これは、第２の磁性体層８のポールフェースＦ
から数えて第１の変曲点Ａが、スロート高さ方向におい
てスロート高さＴＨ零の位置Ｚと一致せず、これよりも
ポールフェースＦ側へ出て来ることによるためである。 このズレは、前記第１の変曲点Ａ後方の傾斜面の厚みｔ
の１／２程度であり、ｔが例えば２〜４μｍとすると、
変曲点Ａは１〜２μｍ出て来ることになり、研磨してい
くと最終研磨面Ｅ−Ｅ′が、第２の磁性体層８の傾斜面
に掛かるためである。
【０００５】そこで、本発明は上記事情に鑑みて成され
たものであり、傾斜面を有する磁性体層に形成される、
ポールフェースから数えて第１の変曲点が、スロート高
さ方向においてスロート高さ零の位置とほぼ同位置にな
る薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
たものであり、傾斜面を有する磁性体層に形成される、
ポールフェースから数えて第１の変曲点が、スロート高
さ方向においてスロート高さ零の位置とほぼ同位置にな
る薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明における薄膜磁気ヘッドは、少なくとも第
１の磁性体層，ギャップ層，変曲点及び傾斜面を有する
第２の磁性体層、前記第１，第２の磁性体層の間にコイ
ル及び絶縁層を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第
２の磁性体層のポールフェースから数えて第１の変曲点
と第２の変曲点との間の前記第２の磁性体層の下面の傾
斜面の長さが、前記第２の磁性体層の前記傾斜面部の厚
さよりも短いことを特徴とするものである。 又、前
記第２の磁性体層のポールフェースと、ポールフェース
から数えて第１の変曲点との間の前記第２の磁性体層の
下面の傾斜面の長さを、前記第２の磁性体層の前記傾斜
面部の厚さよりも短くしたものである。
めに、本発明における薄膜磁気ヘッドは、少なくとも第
１の磁性体層，ギャップ層，変曲点及び傾斜面を有する
第２の磁性体層、前記第１，第２の磁性体層の間にコイ
ル及び絶縁層を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第
２の磁性体層のポールフェースから数えて第１の変曲点
と第２の変曲点との間の前記第２の磁性体層の下面の傾
斜面の長さが、前記第２の磁性体層の前記傾斜面部の厚
さよりも短いことを特徴とするものである。 又、前
記第２の磁性体層のポールフェースと、ポールフェース
から数えて第１の変曲点との間の前記第２の磁性体層の
下面の傾斜面の長さを、前記第２の磁性体層の前記傾斜
面部の厚さよりも短くしたものである。
【０００７】
【作用】上述の様な構成によれば、薄膜磁気ヘッドにお
いて傾斜面を有する磁性体層に形成される、ポールフェ
ースから数えて第１の変曲点が、スロート高さ方向にお
いてスロート高さ零の位置とほぼ同位置になる。
いて傾斜面を有する磁性体層に形成される、ポールフェ
ースから数えて第１の変曲点が、スロート高さ方向にお
いてスロート高さ零の位置とほぼ同位置になる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。
的に説明する。
【０００９】図１は、本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの
ヨークの部分断面図であり、同図に示す様に、絶縁材料
から成る基体２上に、磁性材料から成る第１の磁性体層
３が形成されている。この上に所定の厚みを有して、非
磁性材料から成るギャップ層４が形成され、絶縁材料か
ら成る第１の絶縁層５が、この先端とポールフェースＦ
との間に間隔を設けて形成されている。前記第１の絶縁
層５の上には箔状コイル１０が付着され、これを覆って
絶縁材料から成る第２の絶縁層６が形成され、同様に箔
状コイル１０と、これを覆う絶縁材料から成る第３の絶
縁層７とが形成されている。そして、磁性材料から成る
第２の磁性体層８が、傾斜面を有して形成されている。 この傾斜面にはポールフェースＦから数えて第１の変曲
点Ａと第２の変曲点Ｃとを有する。前記第１の変曲点Ａ
と第２の変曲点Ｃとの間における、第２の磁性体層８の
下面の傾斜面の長さＷは、この傾斜面部における厚さｔ
よりも短くなっている。
ヨークの部分断面図であり、同図に示す様に、絶縁材料
から成る基体２上に、磁性材料から成る第１の磁性体層
３が形成されている。この上に所定の厚みを有して、非
磁性材料から成るギャップ層４が形成され、絶縁材料か
ら成る第１の絶縁層５が、この先端とポールフェースＦ
との間に間隔を設けて形成されている。前記第１の絶縁
層５の上には箔状コイル１０が付着され、これを覆って
絶縁材料から成る第２の絶縁層６が形成され、同様に箔
状コイル１０と、これを覆う絶縁材料から成る第３の絶
縁層７とが形成されている。そして、磁性材料から成る
第２の磁性体層８が、傾斜面を有して形成されている。 この傾斜面にはポールフェースＦから数えて第１の変曲
点Ａと第２の変曲点Ｃとを有する。前記第１の変曲点Ａ
と第２の変曲点Ｃとの間における、第２の磁性体層８の
下面の傾斜面の長さＷは、この傾斜面部における厚さｔ
よりも短くなっている。
【００１０】この構成の薄膜磁気ヘッド１においては、
先ず第１の磁性体層３が、例えばＡｌ２ Ｏ３ から成
る基体２上に、パーマロイの如き磁性材料をスパッタリ
ング被着させることによって形成される。この上に、例
えばＡｌ２ Ｏ３ をスパッタリング被着させることに
よってギャップ層４が形成される。次に、例えばノボラ
ック樹脂を用いて、第１の絶縁層５がポールフェースＦ
との間に間隔を設けて形成され、マスキング技法及び電
着を使用して箔状コイル１０が形成される。
先ず第１の磁性体層３が、例えばＡｌ２ Ｏ３ から成
る基体２上に、パーマロイの如き磁性材料をスパッタリ
ング被着させることによって形成される。この上に、例
えばＡｌ２ Ｏ３ をスパッタリング被着させることに
よってギャップ層４が形成される。次に、例えばノボラ
ック樹脂を用いて、第１の絶縁層５がポールフェースＦ
との間に間隔を設けて形成され、マスキング技法及び電
着を使用して箔状コイル１０が形成される。
【００１１】そして、例えばノボラック樹脂から成る第
２の絶縁層６が形成されるが、この第２の絶縁層６の先
端の位置決めは、形成された第１の絶縁層５の先端位置
からＷ′以下の寸法分、後方へズラして行われる。この
寸法Ｗ′は、第２の磁性体層８の下面の傾斜面の長さＷ
と約同長であり、前記厚みｔ以下の寸法である。例えば
ｔが２〜４μｍとすると、Ｗ′は０＜Ｗ′≦２〜４μｍ
となる。
２の絶縁層６が形成されるが、この第２の絶縁層６の先
端の位置決めは、形成された第１の絶縁層５の先端位置
からＷ′以下の寸法分、後方へズラして行われる。この
寸法Ｗ′は、第２の磁性体層８の下面の傾斜面の長さＷ
と約同長であり、前記厚みｔ以下の寸法である。例えば
ｔが２〜４μｍとすると、Ｗ′は０＜Ｗ′≦２〜４μｍ
となる。
【００１２】次に、マスキング技法及び電着を使用して
箔状コイル１０が形成され、例えばノボラック樹脂から
成る第３の絶縁層７が形成される。その後、パーマロイ
の如き磁性材料をスパッタリング被着させることによっ
て、第２の磁性体層８の傾斜面部における厚さｔが、所
定の厚さ（例えば２〜４μｍ）となるように、第２の磁
性体層８が形成される。
箔状コイル１０が形成され、例えばノボラック樹脂から
成る第３の絶縁層７が形成される。その後、パーマロイ
の如き磁性材料をスパッタリング被着させることによっ
て、第２の磁性体層８の傾斜面部における厚さｔが、所
定の厚さ（例えば２〜４μｍ）となるように、第２の磁
性体層８が形成される。
【００１３】上記の様な構成の薄膜磁気ヘッド１におい
ては、第２の磁性体層８の第１の変曲点Ａが、スロート
高さ方向においてスロート高さＴＨ零の位置Ｚとほぼ同
位置に形成される。これは、本発明者等によって、種々
の条件での実験及び検討の繰り返しの結果見出されたも
のである。
ては、第２の磁性体層８の第１の変曲点Ａが、スロート
高さ方向においてスロート高さＴＨ零の位置Ｚとほぼ同
位置に形成される。これは、本発明者等によって、種々
の条件での実験及び検討の繰り返しの結果見出されたも
のである。
【００１４】これにより、所定寸法のスロート高さＴＨ
にすべく、薄膜磁気ヘッド１を研磨しても、スロート高
さＴＨ零の位置Ｚまでポール長ＰＬはほぼ同一寸法であ
り、最終研磨面Ｅ−Ｅ′が、第２の磁性体層８の第１の
変曲点Ａと第２の変曲点Ｂとの間の傾斜面に掛かること
が無く、これによりポール長ＰＬの拡大を防止できる。
にすべく、薄膜磁気ヘッド１を研磨しても、スロート高
さＴＨ零の位置Ｚまでポール長ＰＬはほぼ同一寸法であ
り、最終研磨面Ｅ−Ｅ′が、第２の磁性体層８の第１の
変曲点Ａと第２の変曲点Ｂとの間の傾斜面に掛かること
が無く、これによりポール長ＰＬの拡大を防止できる。
【００１５】尚、本発明の薄膜磁気ヘッドの他の実施例
を図２に示す様に、ギャップ層４は、第２の磁性体層８
の下面に接して形成され、このギャップ層４の傾斜面に
よって、第２の磁性体層８の下面の長さＷが、第２の磁
性体層８の前記傾斜面部における厚さｔよりも短くなる
様にしたものでもよい。更に、本発明の薄膜磁気ヘッド
の他の実施例を図３に示す様に、第２の絶縁層６と第１
の絶縁層５とをズラすことなく、第１の変曲点Ａと第２
の変曲点Ｂとの間において、第２の磁性体層８の下面の
ギャップ層４の厚みを変えて傾斜面を持たせ、前記傾斜
面によって第２の磁性体層８の下面の長さＷが、この傾
斜面部における第２の磁性体層８の厚さｔよりも短くな
る様にしたものでももよい。
を図２に示す様に、ギャップ層４は、第２の磁性体層８
の下面に接して形成され、このギャップ層４の傾斜面に
よって、第２の磁性体層８の下面の長さＷが、第２の磁
性体層８の前記傾斜面部における厚さｔよりも短くなる
様にしたものでもよい。更に、本発明の薄膜磁気ヘッド
の他の実施例を図３に示す様に、第２の絶縁層６と第１
の絶縁層５とをズラすことなく、第１の変曲点Ａと第２
の変曲点Ｂとの間において、第２の磁性体層８の下面の
ギャップ層４の厚みを変えて傾斜面を持たせ、前記傾斜
面によって第２の磁性体層８の下面の長さＷが、この傾
斜面部における第２の磁性体層８の厚さｔよりも短くな
る様にしたものでももよい。
【００１６】次に、傾斜面を有する磁性体層のポールフ
ェースと、ポールフェースから数えて第１の変曲点との
間の前記磁性体層の下面の傾斜面の長さを、前記傾斜面
部の厚さよりも短くしたものの実施例を、図４を参照し
て説明する。図４において、図１と同一部分には、同一
符号を付して説明する。
ェースと、ポールフェースから数えて第１の変曲点との
間の前記磁性体層の下面の傾斜面の長さを、前記傾斜面
部の厚さよりも短くしたものの実施例を、図４を参照し
て説明する。図４において、図１と同一部分には、同一
符号を付して説明する。
【００１７】図４に示す様に、絶縁材料から成る基体２
上に、磁性材料から成る第１の磁性体層３が形成されて
いる。この上に所定の厚みを有して、非磁性材料から成
るギャップ層４が形成され、絶縁材料から成る第１の絶
縁層５が、この先端をポールフェースＦに接して形成さ
れている。前記第１の絶縁層５の上には箔状コイル１０
が付着され、これを覆って、絶縁材料から成る第２の絶
縁層６が形成され、同様に箔状コイル１０と、これを覆
う絶縁材料から成る第３の絶縁層７とが形成されている
。そして、磁性材料から成る第２の磁性体層８が、傾斜
面を有して形成されている。この傾斜面にはポールフェ
ースＦから数えて第１の変曲点Ａを有する。前記ポール
フェースＦと第１の変曲点Ａとの間の第２の磁性体層８
の下面の傾斜面の長さＷは、この傾斜面部における厚さ
ｔよりも短くなっている。
上に、磁性材料から成る第１の磁性体層３が形成されて
いる。この上に所定の厚みを有して、非磁性材料から成
るギャップ層４が形成され、絶縁材料から成る第１の絶
縁層５が、この先端をポールフェースＦに接して形成さ
れている。前記第１の絶縁層５の上には箔状コイル１０
が付着され、これを覆って、絶縁材料から成る第２の絶
縁層６が形成され、同様に箔状コイル１０と、これを覆
う絶縁材料から成る第３の絶縁層７とが形成されている
。そして、磁性材料から成る第２の磁性体層８が、傾斜
面を有して形成されている。この傾斜面にはポールフェ
ースＦから数えて第１の変曲点Ａを有する。前記ポール
フェースＦと第１の変曲点Ａとの間の第２の磁性体層８
の下面の傾斜面の長さＷは、この傾斜面部における厚さ
ｔよりも短くなっている。
【００１８】この構成の薄膜磁気ヘッド１は、図４から
明らかな様に、第１の絶縁層５が、この先端をポールフ
ェースＦに接して形成され、他は先の実施例における説
明と同様に形成されたものである。これにより、第２の
磁性体層８の傾斜面は、ポールフェースＦから始まって
形成されている。
明らかな様に、第１の絶縁層５が、この先端をポールフ
ェースＦに接して形成され、他は先の実施例における説
明と同様に形成されたものである。これにより、第２の
磁性体層８の傾斜面は、ポールフェースＦから始まって
形成されている。
【００１９】この場合にも第２の磁性体層８の第１の変
曲点Ａは、スロート高さ方向においてスロート高さＴＨ
零の位置Ｚとほぼ同位置に形成され、既述の様に、薄膜
磁気ヘッド１を研磨しても、ポール長ＰＬの拡大を防止
できる。
曲点Ａは、スロート高さ方向においてスロート高さＴＨ
零の位置Ｚとほぼ同位置に形成され、既述の様に、薄膜
磁気ヘッド１を研磨しても、ポール長ＰＬの拡大を防止
できる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述した本発明の構成によれば、薄
膜磁気ヘッドの傾斜面を有する磁性体層に形成される、
ポールフェースＦから数えて第１の変曲点の位置が、ス
ロート高さ方向においてスロート高さ零の位置とほとん
ど同位置になり、所定寸法のスロート高さにすべくポー
ル部を研磨しても、ポール長の拡大が防止できる。
膜磁気ヘッドの傾斜面を有する磁性体層に形成される、
ポールフェースＦから数えて第１の変曲点の位置が、ス
ロート高さ方向においてスロート高さ零の位置とほとん
ど同位置になり、所定寸法のスロート高さにすべくポー
ル部を研磨しても、ポール長の拡大が防止できる。
【図１】本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの実施例の要部
構成部分断面図である。
構成部分断面図である。
【図２】本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの他の実施例の
要部構成部分断面図である。
要部構成部分断面図である。
【図３】本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの他の実施例の
要部構成部分断面図である。
要部構成部分断面図である。
【図４】本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの変形実施例の
要部構成部分断面図である。
要部構成部分断面図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための
斜視図である。
斜視図である。
【図６】図５に示す薄膜磁気ヘッドのＸ−Ｘ′の断面図
である。
である。
１ 薄膜磁気ヘッド
２ 基体
３ 第１の磁性体層
４ ギャップ層
５ 第１の絶縁層
６ 第２の絶縁層
７ 第３の絶縁層
８ 第２の磁性体層
９ ヨーク
１０ 箔状コイル
Ａ 第１の変曲点
Ｃ 第２の変曲点
Ｆ ポールフェース
Ｐ ポール部
Ｚスロート高さ零の位置
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも第１の磁性体層，ギャップ
層，変曲点及び傾斜面を有する第２の磁性体層、前記第
１，第２の磁性体層の間にコイル及び絶縁層を有する薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記第２の磁性体層のポールフ
ェースから数えて第１の変曲点と第２の変曲点との間の
前記第２の磁性体層の下面の傾斜面の長さが、前記第２
の磁性体層の前記傾斜面部の厚さよりも短いことを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 少なくとも第１の磁性体層，ギャップ
層，変曲点及び傾斜面を有する第２の磁性体層、前記第
１，第２の磁性体層の間にコイル及び絶縁層を有する薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記第２の磁性体層のポールフ
ェースと、ポールフェースから数えて第１の変曲点との
間の前記第２の磁性体層の下面の傾斜面の長さが、前記
第２の磁性体層の前記傾斜面部の厚さよりも短いことを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16764191A JPH04366406A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16764191A JPH04366406A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04366406A true JPH04366406A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15853540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16764191A Pending JPH04366406A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04366406A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996006428A1 (en) * | 1994-08-25 | 1996-02-29 | International Business Machines Corporation | Low profile thin film write head |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP16764191A patent/JPH04366406A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996006428A1 (en) * | 1994-08-25 | 1996-02-29 | International Business Machines Corporation | Low profile thin film write head |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
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