JPH04366703A - 変位の光学的測定方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は変位を光学的に測定する
方法及び装置に係わり、特にＥＢ装置などの半導体製造
装置における基板の位置決めに好適な変位の光学的測定
方法及びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造時には、加工対象である半導
体基板をステージの上に乗せ、ステージを移動させなが
ら加工を行う。このとき、基板の移動量、即ちステージ
の移動量を精密に計測するための光学的計測手段が用い
られており、たとえば特開昭６１ー２１９８０２号に開
示された装置では、コヒーレントな光ビームを基準面と
測定対象物とに照射してそれらの反射波を干渉させ、か
つ一方の光ビーム通路の移相量がπラジアン以上可変な
移相器を設置する。こうして移相器で移相量を変えると
周期的に干渉波の振幅は最大または最小となるから、こ
の点を補償点として干渉信号の微分値が０になることを
用いて検出し、そのときの移相器に加えた駆動信号の大
きさから２つの光ビーム経路の位相差を検出する。これ
と測定対象物を動かしたときに求めた位相差とから移動
量、つまり対象物の変位を検出する。また特開昭６３ー
１１８０３号に開示された装置では、動作原理は上記の
ものと同様であるが、干渉信号が最大値と最小値の中間
値をとる瞬間（位相差がｎπ＋π／２となる瞬間）を補
償点としこれを検出している点だけが異なる。さらに特
開昭６２−８８９０２号に開示された装置では、測定対
象物の移動速度が小さいときは上記の原理で高精度の測
定を行い、移動速度が大きいときは単に干渉信号の明暗
の変化をカウントして移動速度を測定している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来例では、
いずれにおいても偏光の異なる２つの光の間の位相差を
制御する型の移相器を使用しているため、移相器の駆動
電圧が大きくなり、移相器を温度補償機能のついた形で
光集積化し低駆動電圧化することが困難であるという問
題がある。また第１の従来例では、干渉信号を微分して
その零点として補償点を得ているから、雑音による誤差
が発生し易いという問題がある。また第２の従来例では
、干渉信号の最大値と最小値とから中間値を求める回路
が複雑になるという問題がある。さらに第１、第２の従
来例では、微分回路、中間値検出回路の周波数限界のた
め、移相器の変調周波数を上げ応答速度を大きくするこ
とも困難である。第３の従来例は移動速度の大きいとき
の測定精度が悪いため、例えばＥＢ装置などでステージ
を高速移動させながらかつ位置を精密に計測描画したい
という要求を満足することはできない。

【０００４】本発明の目的は、低電圧で駆動可能、高精
度かつ応答速度の速い変位の光学的測定方法及び装置を
提供するにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、光源から
のコヒーレント光を２分し、正弦波状の駆動信号により
駆動される移相手段によって上記２分されたコヒーレン
ト光の位相差を変化幅πラジアン以上の正弦波状に変化
するように変調し、該変調された内の１つの光を参照光
として固定された基準面に反射させ、上記変調されたも
う１つの光を測定光として可動物体に固定された反射面
に反射させ、上記基準面及び反射面からの反射光を合成
して生成された干渉信号の振幅を調べることによって上
記可動物体の変位により生じた上記測定光の光路長変化
による位相の変化が上記移相手段による位相差の変化に
より相殺されるときの上記駆動信号の大きさから変位に
よる測定光の位相変化を検出し、該検出した位相変化か
ら上記可動物体の変位量を算出するとともに、前記移相
器で発生される位相差の全振幅の半分の値に対する第零
次ベッセル関数の値が零となるように前記駆動信号の振
幅を設定することにより達成される。

【０００６】

【作用】移相手段は同一偏波面の２つの光に対して個別
に移相を行うので、低電圧での駆動が可能になる。また
駆動信号による移相量を上記のように選ぶことにより、
可動物体の移動の有無にかかわらず干渉信号の交流成分
が０になった瞬間を補償点とすることができ、常に精度
の高い測定が可能になる。

【０００７】

【実施例】本発明をＥＢ装置に応用した実施例を図１、
図２、図３を用いて説明する。まず、構成の概要を述べ
る。図１に於て、レーザ光源１からのコヒーレント光は
偏光板２、偏波面保存ファイバ６を経由して真空のチャ
ンバ１９内に設置された移相器７へ入力される。移相器
７は入射光を２つの互いの位相差が可変制御可能なビー
ムに分けて出力し、この一方は基準面１４で、他方はス
テージ１６に固定されたミラー１７で反射され、それら
の反射が合成されて干渉信号となり、チャンバ１９の光
学窓２１から取り出される。ステージ１６上にはミラー
１７、基板１８が設置され、またステージ１６上方には
図示しない電子工学系が設置されており、これにより電
子ビームを基板１８上に収束してその上に希望のパター
ンが描画される。電子工学系の描画範囲は小さいので、
ステージ１６によって基板１８全体を移動させ、広い描
画範囲を得ている。このステージの移動距離が、上記の
干渉信号を位相差検出手段２２、アップダウンパルス発
生器３４、カウンタ４２、加算器４３で処理することに
より求められる。

【０００８】以下、各部の詳細及び動作を説明する。レ
ーザ光源１から出たコヒーレント光の内、紙面と並行な
面内の振動成分のみが偏光板２で選択され、集光レンズ
３で偏波面保存ファイバ６に集光される。このファイバ
６は入射光の上記振動面を保存してチャンバ１９近くま
で導く。その出力光はレンズ４で並行にされ、チャンバ
１９内の光学窓２０を介してレンズ５に入射され、移相
器７の導波路９ａに集光される。移相器７はリチューム
ナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）の基板８、この上にチタ
ンを拡散して形成した導波路９ａ〜９ｃ、金属クラッド
１０、金属電極１１ａ〜１１ｃから成っており、導波路
９ａに入射した光は、金属クラッド１０の下を通過する
。もともと導波路９ａに入射する光の振動面はほぼ紙面
に並行で、導波路９ａに励起されるのも殆どＴＥモード
の成分のみであるが、偏波面保存ファイバ６が理想的で
ないこと、偏波面保存ファイバ６と移相器７のアライン
メント誤差などによって若干のＴＭモードも励起される
ので、金属クラッド１０によってこれを吸収させ取り除
く。

【０００９】図２は移相器７の断面を示しており、金属
電極１１ａ、１１ｃに電圧を印加（電極１１ｂは接地）
したときに基板８内に発生する電気力線４５ａ、４５ｂ
が示されている。ここでリチュームナイオベート基板８
の結晶軸は、Ｘ軸が図２の上下方向、Ｙ軸が図２の紙面
と垂直方向、Ｚ軸が紙面の水平方向にとられており、上
記の電気力線４５ａ、４５ｂはチタン拡散導波路９ａ、
９ｃ中ではＺ軸方向に沿い、互いに逆方向を向いている
。このようにすると、リチュームナイオベート結晶では
Ｚ軸方向に振動面を持つ光に対する屈折率が最もよく変
化することが知られており（光波電子工学、コロナ社、
昭和５３年、２７４ページ参照）、これによって導波路
９ｃ上の測定光Ｂ２と導波路９ｂ上の参照光Ｂ１の間の
位相差を効率よく変調することができる。そこで図１の
電極１１ａ、１１ｂ間に発振器３２の正弦波状（周波数
ω）の出力電圧を増幅器３３で増幅して印加すると、移
相器７により測定光Ｂ２と参照光Ｂ１の間に与えられる
位相差も周波数ωで正弦波的に変調される。従ってこの
振幅をＡ０とすると、光路長の差はＡ０　ｓｉｎωｔと
表せる。導波路９ｂを出た参照光Ｂ１はレンズ１２で並
行光にされ、基準面１４で反射されてハーフミラー１５
を透過する。一方、導波路９ｃを出た測定光Ｂ２はレン
ズ１３で並行光に整形され、ハーフミラー１５を透過し
、ステージ上のミラー１７で反射され再びハーフミラー
１５に至って反射される。こうして同じ振動面を持つ参
照光Ｂ１と測定光Ｂ２は干渉を起こす。このときの２つ
の光の光路長差は、基準面１４の中心からハーフミラー
１５の中心までの光学的距離ｓ１と、ミラー１７からハ
ーフミラー１５の中心までの距離ｓ２の２倍とを加算し
たｓ１＋２ｓ２であるから、全光路長の差Ｓは

【数１】
Ｓ＝ｓ１＋２ｓ２＋Ａ０　ｓｉｎωｔで与えられる。従
って干渉光の強度Ｉは、Ｂ１、Ｂ２の強度をＩ１、Ｉ２
、光の波長をλとして

【数２】 Ｉ＝Ｉ１＋Ｉ２＋２（Ｉ１・Ｉ２）１／２　ｃｏｓ（２
πＳ／λ）＝Ｉ１＋Ｉ２＋２（Ｉ１・Ｉ２）１／２・ｃ
ｏｓ（２π／λ（ｓ１＋２ｓ２＋Ａ０　ｓｉｎωｔ））
により求められる。この式の　ｃｏｓ（）　の項は

【数
３】 ｃｏｓ（　２π／λ（ｓ１＋２ｓ２））・ｃｏｓ（Ａ　
ｓｉｎ　ωｔ）−ｓｉｎ（２π／λ（ｓ１＋２ｓ２））
・ｓｉｎ（Ａ　ｓｉｎ　ωｔ） ただし

【数４】Ａ＝２πＡ０／λ と書けるが、ｃｏｓ（Ａｓｉｎωｔ）、ｃｏｓ（Ａｓｉ
ｎωｔ）はベッセル関数Ｊｎ，ｎ＝０，１，・・・を用
いて

【数５】 と展開できる。これを［数３］へ代入すると

【数６】 となる。［数６］の第１項は測定対象物が静止している
ときは一定であるが、移動しているときはｓ２が時間に
より変化し、その移動速度に比例した周波数の交流成分
となる。第１項以外は変調周波数ωの整数倍で振動する
交流成分である。そこで本実施例では、移相器による２
つの光Ｂ１、Ｂ２の位相差の振幅Ａ０を調整して、［数
４］のＡがＪ０（Ａ）＝０、すなわちＡ＝２．４０・・
・を満たすように設定する。そうすると［数６］のＪ０
（Ａ）を含む項は常に０になるから、［数２］の干渉信
号のω及びそれ以上の交流成分は［数６］のＪ２ｎ、Ｊ
２ｎー１を含む項だけで表され、これが常に０になるの
は測定対象物の静止、移動にかかわらず［数２］のｃｏ
ｓ（２πＳ／λ）が０になる瞬間に一致する。この瞬間
は全光路長差ＳがＳ＝（λ／２π）（π／２＋ｎπ）（
ただしｎは整数）を満たす瞬間である。従ってこの瞬間
（移相補償点）には位相差検出手段２２内のパルス発生
器２８によりパルスが発生される。即ち干渉信号強度を
検出する光検出器２３の出力をハイパスフイルタ２４を
通して角周波数成分がωに満たない直流成分を除去し、
コンパレータ２５でアース電位と比較して０となる（一
致する）ごとに出力が反転する出力とし、この出力電圧
の立ち上がり、立ち下がりをデイレイライン２６、ＥＯ
Ｒ２７によりその発生時点のパルスに変換する。このパ
ルスは、移相器７による位相変調の１周期（２π／ω）
ごとに複数回発生するので、このうち１周期の位相差が
−π／２を越えてから最初に発生した１つのパルスだけ
をゲート回路２９で取り出す。これは移相器７への印加
電圧を可変抵抗器３１で適当に分圧してゲート回路２９
へ印加することにより行われる。同時にこのときが位相
補償点であるから、このときの移相量、つまり位相補償
量を上記印加電圧からＡ／Ｄコンバータ３０で検出する
。このようにして検出した位相補償量を縦軸に、測定対
象物の位置（全光路長差Ｓの半分）を横軸にとると、図
３のように位置がπ／４変化する毎に移相量はπ／２か
ら−π／２（移動方向が図と逆の場合は−π／２からπ
／２）に不連続的に変化する。ここで、この不連続変化
の回数をアップダウンパルス発生器３４とカウンタ回路
４２によって方向を含めて計測する。アップダウンパル
ス発生器３４は、デイジタルコンパレータ３５、３６の
レファレンス入力値を図３のＡ、Ｂで示した値に設定す
ると、不連続変化が発生したときのみ両デイジタルコン
パレータの出力が同時にＬｏｗ→Ｈｉ（Ｈｉ→Ｌｏｗ）
と変化するので、これをデイレーライン３７、インバー
タ３８、３９、アンド回路４０、４１で検出し、アップ
ダウンパルスを発生させる。このようにすると、カウン
タ４２のカウント数がｍのとき図３の不連続点をｍ回通
過したことになる。不連続点から次の不連続点の間で移
相量はπ、光路長でλ／２あるからｓ２の変化はこの半
分λ／４に相当し、これをｍ回通過するとｍλ／４だけ
の移動に相当する。従って測定対象物１６が最初の位置
にあるときの位置をＸ０、位相補償量をΦ０、現在の位
置をＸ、位相補償量をΦとしたとき、ステージ１６の移
動量Ｘ−Ｘ０は

【数７】 Ｘ−Ｘ０＝λｍ／４＋λ（ΦーΦ０）／（４π）で与え
られる。本実施例によれば、移相器の低電圧駆動が可能
で、またステージの高速移動時でも正確な変位測定が行
える。

【００１０】図４は本発明の他の実施例を示すもので、
レーザ光源１からのコヒーレント光はハーフミラー５１
で２分され、一方は偏光板５３、もう一方はミラー５２
経由で偏光板５４へ入射され、これらの偏光板で紙面に
並行な方向の振動面を持つ光とされて移相器５５へ入射
される。移相器５５は電気光学結晶、例えばリチューム
ナイオベート結晶５６、５７、電極５８ａ〜５８ｄから
成っており、上記結晶５６、５７の結晶軸の方向は、図
のように紙面上方向がＹ軸の正方向、左方向がＺ軸の正
方向となるよう設置されている。電極５８ａ、５８ｄに
発振器３２からの電圧を印加する（電極５８ｂ、５８ｃ
は接地）ことにより、リチュームナイオベート結晶５６
、５７のＺ軸方向に互いに逆方向の電界が発生し、後述
のようにして２つの光に位相差が生じる。これらはそれ
ぞれレンズ５９、６０、偏波面保存ファイバ６１、６２
、レンズ６３、６４、光学窓６５、６６を通って真空チ
ャンバ６９内へ導かれる。光学窓６５からの光は参照光
Ｂ１としてハーフミラー７０で２分され、一部はハーフ
ミラー７２へ、一部はミラー７１経由で偏光ビームスプ
リッタ７３へ導かれる。この偏光ビームスプリッタ７３
は紙面と並行な振動面を持つ光を透過し、紙面と垂直な
振動面を持つ光を反射する。もう一方の光学窓６６から
の光は測定光Ｂ２としてハーフミラー７２、偏光ビーム
スプリッタ７３を通過し（これは紙面と並行な偏波面を
持つ）、１／４波長板７４経由でステージ１６上のミラ
ー１７へ達し、ここで反射されて再び１／４波長板７４
経由でスプリッタ７３へ戻る。こうして１／４波長板を
往復すると測定光の偏波面は９０度回転されて紙面と垂
直になるように１／４波長板７４の方向を決めておけば
、ビームスプリッタ７３に戻ってきた測定光Ｂ２はここ
で反射され、ミラー７１からの参照光と合成されて干渉
信号Ｃ１となり、光学窓６８から出力される。またハー
フミラー７０からの参照光とハーフミラー７２で分岐さ
れた測定光も合成されて干渉信号Ｃ２として光学窓６７
から出力される。

【００１１】位相差検出手段７６、アップダウンパルス
発生器７８、カウンタ８０及び加算器８２からなる部分
は図１の同一名のものと同じ回路で、参照光Ｂ１の一部
と測定光Ｂ２の一部をミラー１７で反射したものとの干
渉信号Ｃ１から、図１と全く同じ動作でステージ１６の
移動量を算出する。一方、上記と同一回路構成の位相差
検出手段７５、アップダウンパルス発生器７７、カウン
タ７９及び加算器８１からなる部分は、上記移動量が０
のときの見かけの移動量を干渉信号Ｃ２から算出する。 この見かけの移動量と言うのは、２つの光が偏波面保存
ファイバ６１、６２の光路長が温度や圧力などの影響で
それぞれ変化し、このために移相器５５による移相量に
余分な移相量が加わるために生じるものであり、この見
かけの移動量は加算器８２出力にも同じ量だけ含まれて
いる。従って算出したステージ１６の移動量から見かけ
の移動量を減算器３で差し引いて、真の移動量を求める
ことができる。この見かけの移動量の補正方法は、図１
の移相器７の場合にも適用可能なことは言うまでもない
。

【００１２】図５、図６は上記移相器５５の動作説明図
である。図５は従来の構成を示しており、互いに軸方向
を９０度ずらせた同一長のリチュームナイオベート結晶
８４、８５、電極８６〜８９からなる。ここで２つの結
晶を軸方向をずらせて設けたのは、温度変化に対する補
償のためである。リチュームナイオベート結晶８４、８
５のＺ軸方向に逆極性の電圧Ｖを印加しＹ軸方向に互い
に偏光面の直交する参照光と測定光を入射する。このと
き移相器を出射した参照光と測定光の間に新たに発生す
る位相差△Φは

【数８】△Φ＝（ｎｅ３ｒ３３−ｎ０３ｒ１３）ｓＶ／
ｄで与えられる。ここでｎｏ、ｎｅはそれぞれ異常光線
屈折率、常光線屈折率、ｒ３３，ｒ１３はボッケルス定
数、ｓは結晶の長さ、ｄは結晶の厚さである。ｎｏ＝２
．２９、ｎｅ＝２．２、ｒ３３＝３０．８、ｒ１３＝８
．６（Ａ．Ｙａｒｉｖ著，”Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ”　　ｐ２８１，Ｈａｌｔ−Ｓａｕｎｄ
ｒｓ　参照）を［数８］に代入してｓ／ｄ＝１のときの
感度を求めると２２４×１０ー１２（ｒａｄ／Ｖ）を得
る。一方、図６は本実施例の移相器５５を示したもので
、同一の偏光を持つ参照光と測定光を入射すると、移相
器５５を通過したことにより生じる位相差△Φは

【数９】△Φ＝ｎｅ３ｒ３３ｓＶ／ｄ で与えられる。リチュームナイオベート結晶５６、５７
の条件を上と同じとし、ｓ／ｄ＝１も同じとして感度を
求めると３２７×１０ー１２（ｒａｄ／Ｖ）を得る。従
って本実施例で感度が約４６パーセント向上する。さら
に光ビームがそのビーム径を結晶の厚さ以下に保ったま
ま結晶を通過できる距離には限度がある。移相器の長さ
は従来の図５の構成では２ｓ、本実施例の図６ではｓで
あるから、上記のビーム径を考慮すると本実施例での感
度向上は９２パーセントに達する。

【００１３】

【発明の効果】本発明によれば、電気回路が簡略化され
、移相器の駆動電圧を小さくできるので、変調周波数を
上げることができ、応答速度を大きくできるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す装置の構成図である。

【図２】図１の実施例の移相器の断面図である。

【図３】図１の実施例の動作原理の説明図である。

【図４】本発明の他の実施例を示す装置の構成図である
。

【図５】従来の移相器の構成を示す図である。

【図６】本発明の移相器の構成を示す図である。

【符号の説明】

１　　レーザ光源 ７　　移相器 ８　　リチュームナイオベート基板 ９ａ　　チタン拡散導波路 ９ｂ　　チタン拡散導波路 ９ｃ　　チタン拡散導波路 １１ａ　　金属電極 １１ｂ　　金属電極 １１ｃ　　金属電極 １６　　ステージ １７　　ミラー ２２　　位相差検出手段 ５５　　移相器 ７５　　位相差検出手段 ７６　　位相差検出手段

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　光源からのコヒーレント光を２分し、
   正弦波状の駆動信号により駆動される移相手段によって
   上記２分されたコヒーレント光の位相差を変化幅πラジ
   アン以上の正弦波状に変化するように変調し、該変調さ
   れた内の１つの光を参照光として固定された基準面に反
   射させ、上記変調されたもう１つの光を測定光として可
   動物体に固定された反射面に反射させ、上記基準面及び
   反射面からの反射光を合成して生成された第１の干渉信
   号の振幅を調べることによって上記可動物体の変位によ
   り生じた上記測定光の光路長変化による位相の変化が上
   記移相手段による位相差の変化により相殺されるときの
   上記駆動信号の大きさから変位による測定光の位相変化
   を検出し、該検出した位相変化から上記可動物体の変位
   量を算出することを特徴とする変位の光学的測定方法。
2. 【請求項２】　　前記移相手段は、前記コヒーレント光
   を２分するためのＹ型分岐路とそれから発生する２本の
   導波路を結晶基板上に配して構成され、上記２本の導波
   路に互いに逆方向の電界を印加することによって逆符号
   の屈折率変化を発生させ、該屈折率の変化により導波路
   上の光の位相差を変化させるものであることを特徴とす
   る請求項１記載の変位の光学的測定方法。
3. 【請求項３】　　前記移相手段は、同一の長さの２本の
   バルク型電気光学結晶からなり、該２本の電気光学結晶
   に互いに逆方向の電界を印加することによって逆符号の
   屈折率変化を発生させ、該屈折率の変化により上記電気
   光学結晶を通過する光の位相差を変化させるものである
   ことを特徴とする請求項１記載の変位の光学的測定方法
   。
4. 【請求項４】　　前記移相器で発生される位相差の全振
   幅の半分の値に対する第零次ベッセル関数の値が零とな
   るように前記駆動信号の振幅を設定すると共に、前記第
   １の位相差検出手段は、前記第１の干渉信号の交流成分
   が零になったことをもって上記移相手段により生成され
   た位相差が前記可動物体の変位により生じた位相差を相
   殺したと判定することを特徴とする請求項１または２ま
   たは３の内の１つに記載の変位の光学的測定方法。
5. 【請求項５】　　前記移相手段から出力された参照光お
   よび測定光をそれぞれ分岐して該分岐した光同志を合成
   して第２の干渉信号を生成し、該第２の干渉信号を入力
   として動作する前記第１の位相差検出手段と同一構成の
   第２の位相差検出手段により検出された位相差から求め
   た変位量を上記第１の位相差検出手段により検出された
   位相差から求めた変位量から差し引いた値を前記可動物
   体の変位量として出力することを特徴とする請求項１ま
   たは２または３または４の内の１つに記載の変位の光学
   的測定方法。
6. 【請求項６】　　光源からのコヒーレント光を２分し、
   正弦波状の駆動信号により駆動されて上記２分されたコ
   ヒーレント光の位相差が変化幅πラジアン以上の正弦波
   状に変化するように上記各コヒーレント光を移相する移
   相手段と、該手段からの１つの出力光を参照光として該
   参照光を反射させるための固定された基準面と、上記移
   相手段からのもう１つの出力光を測定光として該測定光
   を反射させるための可動物体に固定された反射面と、上
   記基準面及び反射面からの反射光を合成して生成された
   第１の干渉信号の振幅を調べることによって上記可動物
   体の変位により生じた上記測定光の光路長変化による位
   相の変化が上記移相手段による位相差の変化により相殺
   されるときの上記駆動信号の大きさから変位による測定
   光の位相変化を検出するための第１の位相差検出手段と
   を備えたことを特徴とする変位の光学的測定装置。
7. 【請求項７】　　前記移相手段は、前記コヒーレント光
   を２分するためのＹ型分岐路とそれから発生する２本の
   導波路を結晶基板上に配して構成され、上記２本の導波
   路に互いに逆方向の電界を印加することによって逆符号
   の屈折率変化を発生させ、該屈折率の変化により導波路
   上の光の位相差を変化させるものであることを特徴とす
   る請求項６記載の変位の光学的測定装置。
8. 【請求項８】　　前記移相手段は、同一の長さの２本の
   バルク型電気光学結晶からなり、該２本の電気光学結晶
   に互いに逆方向の電界を印加することによって逆符号の
   屈折率変化を発生させ、該屈折率の変化により上記電気
   光学結晶を通過する光の位相差を変化させるものである
   ことを特徴とする請求項６記載の変位の光学的測定装置
   。
9. 【請求項９】　　前記移相器で発生される位相差の全振
   幅の半分の値に対する第零次ベッセル関数の値が零とな
   るように前記駆動信号の振幅を設定すると共に、前記第
   １の位相差検出手段は、前記第１の干渉信号の交流成分
   が零になったことをもって上記移相手段により生成され
   た位相差が前記可動物体の変位により生じた位相差を相
   殺したと判定することを特徴とする請求項６または７ま
   たは８の内の１つに記載の変位の光学的測定装置。
10. 【請求項１０】　　前記移相手段から出力された参照光
    および測定光をそれぞれ分岐して該分岐した光同志を合
    成して第２の干渉信号を生成する光合成手段と、上記第
    ２の干渉信号を入力として動作する前記第１の位相差検
    出手段と同一構成の第２の位相差検出手段を付加すると
    共に、該手段により検出された位相差から求めた変位量
    を上記第１の位相差検出手段により検出された位相差か
    ら求めた変位量から差し引いた値を前記可動物体の変位
    量として出力することを特徴とする請求項６または７ま
    たは８または９の内の１つに記載の変位の光学的測定装
    置。