JPH04366928A - 光波長変換装置 - Google Patents
光波長変換装置Info
- Publication number
- JPH04366928A JPH04366928A JP3143085A JP14308591A JPH04366928A JP H04366928 A JPH04366928 A JP H04366928A JP 3143085 A JP3143085 A JP 3143085A JP 14308591 A JP14308591 A JP 14308591A JP H04366928 A JPH04366928 A JP H04366928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength conversion
- laser beam
- semiconductor laser
- optical
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 61
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- ULPBJGVRVXWECP-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-1-(4-nitrophenyl)pyrazole Chemical compound N1=C(C)C=C(C)N1C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 ULPBJGVRVXWECP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005466 cherenkov radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0287—Facet reflectivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基本波を第２高調波等
に波長変換する光波長変換装置、特に詳細には、半導体
レーザーと光波長変換素子との組合せからなる光波長変
換装置に関するものである。
に波長変換する光波長変換装置、特に詳細には、半導体
レーザーと光波長変換素子との組合せからなる光波長変
換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、非線形光学材料を利用して、
レーザー光を第２高調波等に波長変換（短波長化）する
試みが種々なされている。このようにして波長変換を行
なう光波長変換素子として具体的には、バルク結晶型の
ものや、光導波路型のもの等が知られている。またこの
種の光波長変換素子は、半導体レーザーと組み合わせて
用いられることが多い。
レーザー光を第２高調波等に波長変換（短波長化）する
試みが種々なされている。このようにして波長変換を行
なう光波長変換素子として具体的には、バルク結晶型の
ものや、光導波路型のもの等が知られている。またこの
種の光波長変換素子は、半導体レーザーと組み合わせて
用いられることが多い。
【０００３】このように半導体レーザーと光波長変換素
子とを組み合わせて用いる場合の波長変換効率を向上さ
せるために、例えば特開昭６２−８６８８１号公報や特
開平３−３２８７号公報に示されるように、半導体レー
ザーの共振器内部に光波長変換素子を組み込むことが提
案されている。この構造をより詳しく説明すると、半導
体レーザーの後方端面と光波長変換素子の前方端面とを
半導体レーザーの共振器ミラー面としたものであり、こ
うすることにより、光波長変換素子を通過する基本波の
強度が高められて、波長変換効率が向上する。
子とを組み合わせて用いる場合の波長変換効率を向上さ
せるために、例えば特開昭６２−８６８８１号公報や特
開平３−３２８７号公報に示されるように、半導体レー
ザーの共振器内部に光波長変換素子を組み込むことが提
案されている。この構造をより詳しく説明すると、半導
体レーザーの後方端面と光波長変換素子の前方端面とを
半導体レーザーの共振器ミラー面としたものであり、こ
うすることにより、光波長変換素子を通過する基本波の
強度が高められて、波長変換効率が向上する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが半導体レーザ
ーの発振波長は、その駆動電流や温度により変動するの
で、上記のような光波長変換装置においても、発振波長
すなわち基本波波長が変動しやすくなっている。こうし
て基本波波長が変動して、位相整合波長範囲から外れる
と、当然、波長変換効率が低下してしまう。
ーの発振波長は、その駆動電流や温度により変動するの
で、上記のような光波長変換装置においても、発振波長
すなわち基本波波長が変動しやすくなっている。こうし
て基本波波長が変動して、位相整合波長範囲から外れる
と、当然、波長変換効率が低下してしまう。
【０００５】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、半導体レーザーと光波長変換素子とが組
み合わされてなる光波長変換装置において、基本波波長
の変動を防止して常に高い波長変換効率を実現すること
を目的とするものである。
たものであり、半導体レーザーと光波長変換素子とが組
み合わされてなる光波長変換装置において、基本波波長
の変動を防止して常に高い波長変換効率を実現すること
を目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による光波長変換
装置は、前述したように半導体レーザーの共振器内部に
光波長変換素子が組み込まれてなり、半導体レーザーか
ら発せられた基本波としてのレーザービームを光波長変
換素子により波長変換する光波長変換装置において、◆
上記基本波としてのレーザービームの光強度を光検出器
によって検出するとともに、◆この光検出器の出力が示
す上記レーザービームの光強度を、このレーザービーム
の位相整合波長と対応する値に収束させるように、半導
体レーザーの駆動電流を制御する制御回路を設けたこと
を特徴とするものである。
装置は、前述したように半導体レーザーの共振器内部に
光波長変換素子が組み込まれてなり、半導体レーザーか
ら発せられた基本波としてのレーザービームを光波長変
換素子により波長変換する光波長変換装置において、◆
上記基本波としてのレーザービームの光強度を光検出器
によって検出するとともに、◆この光検出器の出力が示
す上記レーザービームの光強度を、このレーザービーム
の位相整合波長と対応する値に収束させるように、半導
体レーザーの駆動電流を制御する制御回路を設けたこと
を特徴とするものである。
【０００７】
【作用および発明の効果】半導体レーザーの駆動電流を
しきい値以上の領域において増大させると、それに応じ
てその発振レーザービームの光強度も増大する。そして
それにともなって、発振波長も長波長側にシフトする。 つまり、半導体レーザーから発せられる基本波としての
レーザービームの光強度と発振波長とは相対応するので
、この基本波の光強度が所定値となるように駆動電流を
制御することにより、基本波波長を、波長変換波と位相
整合する値に保つことが可能となる。
しきい値以上の領域において増大させると、それに応じ
てその発振レーザービームの光強度も増大する。そして
それにともなって、発振波長も長波長側にシフトする。 つまり、半導体レーザーから発せられる基本波としての
レーザービームの光強度と発振波長とは相対応するので
、この基本波の光強度が所定値となるように駆動電流を
制御することにより、基本波波長を、波長変換波と位相
整合する値に保つことが可能となる。
【０００８】このようにすれば、常に基本波と波長変換
波との間で良好に位相整合が取られ、高い波長変換効率
が実現される。
波との間で良好に位相整合が取られ、高い波長変換効率
が実現される。
【０００９】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例による光波
長変換装置を示すものである。この光波長変換装置は、
一例として光導波路型の光波長変換素子１０と、この光
波長変換素子１０により短波長化される基本波を射出す
る半導体レーザー（レーザーダイオード）２０とを有し
ている。光波長変換素子１０は、ガラスやプラスチック
からなるクラッド部１１内に、非線形光学材料からなる
３次元光導波路１２が埋め込まれてなる。本例では上記
非線形光学材料として、特開昭６２−２１０４３２号公
報に示される３，５ージメチルー１ー（４ーニトロフェ
ニル）ピラゾール（以下、ＤＭＮＰと称する）が用いら
れている。 一方半導体レーザー２０としては、基本波長が８７０ｎ
ｍのレーザービーム１３を発するものが用いられている
。この半導体レーザー２０は、電源２１から駆動電流Ｉ
を供給されて駆動する。これらの光波長変換素子１０と
半導体レーザー２０とは、光波長変換素子１０の後方端
面１０ａに半導体レーザー２０の前方端面２０ａが密着
する状態にして結合されている。
詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例による光波
長変換装置を示すものである。この光波長変換装置は、
一例として光導波路型の光波長変換素子１０と、この光
波長変換素子１０により短波長化される基本波を射出す
る半導体レーザー（レーザーダイオード）２０とを有し
ている。光波長変換素子１０は、ガラスやプラスチック
からなるクラッド部１１内に、非線形光学材料からなる
３次元光導波路１２が埋め込まれてなる。本例では上記
非線形光学材料として、特開昭６２−２１０４３２号公
報に示される３，５ージメチルー１ー（４ーニトロフェ
ニル）ピラゾール（以下、ＤＭＮＰと称する）が用いら
れている。 一方半導体レーザー２０としては、基本波長が８７０ｎ
ｍのレーザービーム１３を発するものが用いられている
。この半導体レーザー２０は、電源２１から駆動電流Ｉ
を供給されて駆動する。これらの光波長変換素子１０と
半導体レーザー２０とは、光波長変換素子１０の後方端
面１０ａに半導体レーザー２０の前方端面２０ａが密着
する状態にして結合されている。
【００１０】光波長変換素子１０の前方端面１０ｂには
、波長８７０ｎｍの基本波としてのレーザービーム１３
をほぼ１００ ％反射する一方、後述する波長４３５ｎ
ｍの第２高調波１４はほぼ１００ ％透過させるコーテ
ィング１５が施されている。また光波長変換素子１０の
後方端面１０ａには、波長４３５ｎｍの第２高調波１４
をほぼ１００ ％反射させるコーティング１６が施され
ている。他方半導体レーザー２０の後方端面２０ｂには
、基本波であるレーザービーム１３を９５％反射させる
コーティング１７が施されている。上述の通りのコーテ
ィング１５、１７が施されていることにより、レーザー
ビーム１３は、端面１０ｂと２０ｂとを共振器ミラー面
として、それらの面間で共振する。
、波長８７０ｎｍの基本波としてのレーザービーム１３
をほぼ１００ ％反射する一方、後述する波長４３５ｎ
ｍの第２高調波１４はほぼ１００ ％透過させるコーテ
ィング１５が施されている。また光波長変換素子１０の
後方端面１０ａには、波長４３５ｎｍの第２高調波１４
をほぼ１００ ％反射させるコーティング１６が施され
ている。他方半導体レーザー２０の後方端面２０ｂには
、基本波であるレーザービーム１３を９５％反射させる
コーティング１７が施されている。上述の通りのコーテ
ィング１５、１７が施されていることにより、レーザー
ビーム１３は、端面１０ｂと２０ｂとを共振器ミラー面
として、それらの面間で共振する。
【００１１】光導波路１２に入射したレーザービーム１
３は、該光導波路１２とクラッド部１１との界面の間で
全反射を繰り返して導波する。このようにして導波する
レーザービーム１３は、光導波路１２を構成するＤＭＮ
Ｐにより、波長が１／２（＝４３５ｎｍ）の第２高調波
１４に変換される。この第２高調波１４も光導波路１２
中を伝搬し、素子１０内を端面側に進行する。位相整合
は、例えばレーザービーム１３の光導波路１２での導波
モードと、第２高調波１４の導波モードとの間で取られ
る（いわゆる導波−導波タイプの場合）。
３は、該光導波路１２とクラッド部１１との界面の間で
全反射を繰り返して導波する。このようにして導波する
レーザービーム１３は、光導波路１２を構成するＤＭＮ
Ｐにより、波長が１／２（＝４３５ｎｍ）の第２高調波
１４に変換される。この第２高調波１４も光導波路１２
中を伝搬し、素子１０内を端面側に進行する。位相整合
は、例えばレーザービーム１３の光導波路１２での導波
モードと、第２高調波１４の導波モードとの間で取られ
る（いわゆる導波−導波タイプの場合）。
【００１２】光波長変換素子１０の前方端面１０ｂから
は、上記第２高調波１４を含むビーム１４’が出射する
。この出射ビーム１４’は図示しないフィルターに通さ
れ、第２高調波１４のみが取り出されて利用される。本
装置では、光波長変換素子１０が半導体レーザー２０の
共振器内部に組み込まれた形となっているので、光波長
変換素子１０において導波するレーザービーム１３のパ
ワーが高められ、高い波長変換効率を実現する上で有利
となる。
は、上記第２高調波１４を含むビーム１４’が出射する
。この出射ビーム１４’は図示しないフィルターに通さ
れ、第２高調波１４のみが取り出されて利用される。本
装置では、光波長変換素子１０が半導体レーザー２０の
共振器内部に組み込まれた形となっているので、光波長
変換素子１０において導波するレーザービーム１３のパ
ワーが高められ、高い波長変換効率を実現する上で有利
となる。
【００１３】次に、レーザービーム１３と第２高調波１
４とを常に良好に位相整合させるための構成について説
明する。半導体レーザー２０の後方端面２０ｂに対面す
る位置には、一例としてフォトダイオードからなる光検
出器２２が配設されている。この光検出器２２は、コー
ティング１７を透過したレーザービーム１３の光強度Ｐ
を検出する。そしてその出力Ｓは、帰還制御回路２３に
入力される。
４とを常に良好に位相整合させるための構成について説
明する。半導体レーザー２０の後方端面２０ｂに対面す
る位置には、一例としてフォトダイオードからなる光検
出器２２が配設されている。この光検出器２２は、コー
ティング１７を透過したレーザービーム１３の光強度Ｐ
を検出する。そしてその出力Ｓは、帰還制御回路２３に
入力される。
【００１４】ここで、半導体レーザー２０に供給される
駆動電流Ｉと、光検出器２２が検出するレーザービーム
１３の光強度Ｐとの関係は、概略図２に示すようなもの
となる。すなわち、レーザー発振するしきい値Ｉ０ 以
上の領域においては、基本的に、駆動電流Ｉの増大にと
もなって光強度Ｐが増大する。ただし、矢印Ｂで示した
ポイントの近傍領域においては、レーザービーム１３と
第２高調波１４とが位相整合するために、レーザービー
ム１３の光強度Ｐが部分的に落ち込むようになる。以下
、この点を詳しく説明する。
駆動電流Ｉと、光検出器２２が検出するレーザービーム
１３の光強度Ｐとの関係は、概略図２に示すようなもの
となる。すなわち、レーザー発振するしきい値Ｉ０ 以
上の領域においては、基本的に、駆動電流Ｉの増大にと
もなって光強度Ｐが増大する。ただし、矢印Ｂで示した
ポイントの近傍領域においては、レーザービーム１３と
第２高調波１４とが位相整合するために、レーザービー
ム１３の光強度Ｐが部分的に落ち込むようになる。以下
、この点を詳しく説明する。
【００１５】駆動電流Ｉの増大にともなってレーザービ
ーム１３の光強度Ｐが増大すると、それにつれてレーザ
ービーム１３の波長λも微小量ながら長波長側にシフト
する。この様子を図３に示す。同図中にａ、ｂ、ｃで示
すのがそれぞれ、図２中の矢印Ａ、Ｂ、Ｃで示す駆動電
流Ｉが供給された際の発振スペクトルである。また図３
中、曲線ｄで示すのは、レーザービーム１３の波長λと
第２高調波１４の光強度ＰＳＨＧ との関係である。図
示の通り、波長λ＝λ０ において最も良好に位相整合
がなされて、光強度ＰＳＨＧ が最大値をとる。一般に
は、この最大値の１／２以上の光強度ＰＳＨＧ が得ら
れる基本波波長範囲Δλを、位相整合範囲としている。 レーザービーム１３の波長が概ねこの波長範囲Δλにあ
ると、該レーザービーム１３と第２高調波１４との間で
良好に位相整合が取られ、効率良く波長変換がなされる
。そこで図２に示したように、レーザービーム１３の光
強度Ｐが部分的に落ち込む現象が生じるのである。
ーム１３の光強度Ｐが増大すると、それにつれてレーザ
ービーム１３の波長λも微小量ながら長波長側にシフト
する。この様子を図３に示す。同図中にａ、ｂ、ｃで示
すのがそれぞれ、図２中の矢印Ａ、Ｂ、Ｃで示す駆動電
流Ｉが供給された際の発振スペクトルである。また図３
中、曲線ｄで示すのは、レーザービーム１３の波長λと
第２高調波１４の光強度ＰＳＨＧ との関係である。図
示の通り、波長λ＝λ０ において最も良好に位相整合
がなされて、光強度ＰＳＨＧ が最大値をとる。一般に
は、この最大値の１／２以上の光強度ＰＳＨＧ が得ら
れる基本波波長範囲Δλを、位相整合範囲としている。 レーザービーム１３の波長が概ねこの波長範囲Δλにあ
ると、該レーザービーム１３と第２高調波１４との間で
良好に位相整合が取られ、効率良く波長変換がなされる
。そこで図２に示したように、レーザービーム１３の光
強度Ｐが部分的に落ち込む現象が生じるのである。
【００１６】帰還制御回路２３は光検出器２２の出力Ｓ
を受け、その値に応じて駆動電流Ｉを、図２の領域ΔＩ
内に収まるように制御する。この領域ΔＩは、上記の位
相整合波長範囲Δλに対応する領域、あるいはそれより
も狭い領域に設定される。駆動電流Ｉをこのように制御
することにより、レーザービーム１３の波長λは必ず位
相整合波長範囲Δλ、あるいはそれよりもさらに狭い範
囲内の値に保たれ、該レーザービーム１３が常に高い波
長変換効率で第２高調波１４に変換されるようになる。
を受け、その値に応じて駆動電流Ｉを、図２の領域ΔＩ
内に収まるように制御する。この領域ΔＩは、上記の位
相整合波長範囲Δλに対応する領域、あるいはそれより
も狭い領域に設定される。駆動電流Ｉをこのように制御
することにより、レーザービーム１３の波長λは必ず位
相整合波長範囲Δλ、あるいはそれよりもさらに狭い範
囲内の値に保たれ、該レーザービーム１３が常に高い波
長変換効率で第２高調波１４に変換されるようになる。
【００１７】なお駆動電流Ｉを上記領域ΔＩ内の値に制
御するため帰還制御回路２３は、一例として以下のよう
な制御操作を行なう。すなわち帰還制御回路２３はまず
、半導体レーザー２０の作動開始に際して、駆動電流Ｉ
を掃引し、そのときの光強度Ｐの変化特性を調べて、図
２の矢印Ｂで示すポイント、つまり光強度Ｐの落ち込み
が最大のポイントを求める。次に帰還制御回路２３は、
駆動電流Ｉをこのポイントの値に設定して、そのときの
光強度ＰＢ を記憶する。そして帰還制御回路２３は、
光検出器２２の出力Ｓが示す光強度Ｐが、この値ＰＢ
よりも大になったならば、駆動電流Ｉを所定の微小量だ
け増大方向に制御する。それにより光強度Ｐが低下した
ならば、帰還制御回路２３はこの制御動作を続け、一方
光強度Ｐがかえって増大したならば駆動電流Ｉを逆に減
小方向に制御する。 このようにすることによりレーザービーム１３の波長λ
は、図３のλ０ 付近で安定するようになる。
御するため帰還制御回路２３は、一例として以下のよう
な制御操作を行なう。すなわち帰還制御回路２３はまず
、半導体レーザー２０の作動開始に際して、駆動電流Ｉ
を掃引し、そのときの光強度Ｐの変化特性を調べて、図
２の矢印Ｂで示すポイント、つまり光強度Ｐの落ち込み
が最大のポイントを求める。次に帰還制御回路２３は、
駆動電流Ｉをこのポイントの値に設定して、そのときの
光強度ＰＢ を記憶する。そして帰還制御回路２３は、
光検出器２２の出力Ｓが示す光強度Ｐが、この値ＰＢ
よりも大になったならば、駆動電流Ｉを所定の微小量だ
け増大方向に制御する。それにより光強度Ｐが低下した
ならば、帰還制御回路２３はこの制御動作を続け、一方
光強度Ｐがかえって増大したならば駆動電流Ｉを逆に減
小方向に制御する。 このようにすることによりレーザービーム１３の波長λ
は、図３のλ０ 付近で安定するようになる。
【００１８】なお本発明は、以上説明した導波−導波タ
イプの光波長変換素子のみならず、反転ドメインを用い
た擬似位相整合や、チェレンコフ放射タイプの光波長変
換素子にも適用可能である。
イプの光波長変換素子のみならず、反転ドメインを用い
た擬似位相整合や、チェレンコフ放射タイプの光波長変
換素子にも適用可能である。
【００１９】また本発明は、以上説明したＤＭＮＰに限
らず、その他の非線形光学材料によって光波長変換素子
を形成する場合にも、同様に適用され得るものである。
らず、その他の非線形光学材料によって光波長変換素子
を形成する場合にも、同様に適用され得るものである。
【００２０】さらに本発明は、３次元光導波路型の光波
長変換素子を使用する場合のみならず、その他ファイバ
ー型の光波長変換素子や、バルク結晶型の光波長変換素
子を用いる場合にも適用され得るものである。
長変換素子を使用する場合のみならず、その他ファイバ
ー型の光波長変換素子や、バルク結晶型の光波長変換素
子を用いる場合にも適用され得るものである。
【図１】本発明の一実施例による光波長変換装置を示す
概略側面図
概略側面図
【図２】上記実施例の装置における半導体レーザー駆動
電流と、基本波光強度との関係を示すグラフ
電流と、基本波光強度との関係を示すグラフ
【図３】上
記実施例装置における基本波波長の変化の様子と、基本
波波長対第２高調波光強度特性とを示すグラフ
記実施例装置における基本波波長の変化の様子と、基本
波波長対第２高調波光強度特性とを示すグラフ
１０ 光波長変換素子
１１ クラッド部
１２ ３次元光導波路
１３ レーザービーム（基本波）１４ 第
２高調波 ２０ 半導体レーザー ２１ 半導体レーザー用電源 ２２ 光検出器 ２３ 帰還制御回路
２高調波 ２０ 半導体レーザー ２１ 半導体レーザー用電源 ２２ 光検出器 ２３ 帰還制御回路
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザーの共振器内部に光波長
変換素子が組み込まれてなり、前記半導体レーザーから
発せられた基本波としてのレーザービームを光波長変換
素子により波長変換する光波長変換装置において、前記
基本波としてのレーザービームの光強度を検出する光検
出器と、この光検出器の出力が示す前記レーザービーム
の光強度を、このレーザービームの位相整合波長と対応
する値に収束させるように、前記半導体レーザーの駆動
電流を制御する制御回路とが設けられたことを特徴とす
る光波長変換装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143085A JP2805400B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 光波長変換装置 |
| US07/897,044 US5237636A (en) | 1991-06-14 | 1992-06-11 | Optical wavelength converting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143085A JP2805400B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 光波長変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04366928A true JPH04366928A (ja) | 1992-12-18 |
| JP2805400B2 JP2805400B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=15330565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3143085A Expired - Fee Related JP2805400B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 光波長変換装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5237636A (ja) |
| JP (1) | JP2805400B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5323411A (en) * | 1991-11-22 | 1994-06-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser diode array device |
| DE69221457T2 (de) * | 1991-12-30 | 1998-02-19 | Philips Electronics Nv | Einrichtung, in der Frequenzerhöhung von elektromagnetischer Strahlung auftritt, und eine solche Einrichtung enthaltendes Gerät zum optischen Abtasten einer Informationsebene |
| US5321718A (en) * | 1993-01-28 | 1994-06-14 | Sdl, Inc. | Frequency converted laser diode and lens system therefor |
| EP0698224A1 (en) * | 1994-03-11 | 1996-02-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Device for raising the frequency of electromagnetic radiation |
| WO1996024883A1 (en) * | 1995-02-09 | 1996-08-15 | Hitachi Metals, Ltd. | Second harmonic generator and laser application apparatus |
| US20060029120A1 (en) * | 2000-03-06 | 2006-02-09 | Novalux Inc. | Coupled cavity high power semiconductor laser |
| US6778582B1 (en) * | 2000-03-06 | 2004-08-17 | Novalux, Inc. | Coupled cavity high power semiconductor laser |
| US6845113B2 (en) * | 2000-10-31 | 2005-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Coherent light source and recording/reproducing apparatus using the same |
| US7322704B2 (en) * | 2004-07-30 | 2008-01-29 | Novalux, Inc. | Frequency stabilized vertical extended cavity surface emitting lasers |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637685A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ２次高調波発生装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286881A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光出力装置 |
| DE3707835A1 (de) * | 1986-03-11 | 1987-09-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Nichtlineares optisches material |
| JPH0514538Y2 (ja) * | 1986-10-08 | 1993-04-19 | ||
| US4930132A (en) * | 1987-12-28 | 1990-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Second harmonic wave generating device having active layer and second harmonic wave generating layer on same substrate |
| US4951293A (en) * | 1988-05-26 | 1990-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Frequency doubled laser apparatus |
| US5027361A (en) * | 1988-06-21 | 1991-06-25 | Board Of Trustees Of Leland Stanford, Jr., University | Efficient laser harmonic generation employing a low-loss external optical resonator |
| JP2520153B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1996-07-31 | 国際電信電話株式会社 | 半導体レ―ザ光源制御装置 |
| JPH033287A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Seiko Epson Corp | 二次高調波発生デバイス |
| US5175784A (en) * | 1989-12-19 | 1992-12-29 | Ibiden Co., Ltd. | Second harmonic wave generating device |
| CA2028506C (en) * | 1990-10-25 | 2001-07-17 | National Research Council Of Canada | Optical multilayer structures for harmonic laser emission |
| JP2942619B2 (ja) * | 1990-11-15 | 1999-08-30 | パイオニア株式会社 | 高調波発生装置 |
| US5164947A (en) * | 1991-02-28 | 1992-11-17 | Amoco Corporation | Single-frequency, frequency doubled laser |
| US5185752A (en) * | 1992-02-18 | 1993-02-09 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Coupling arrangements for frequency-doubled diode lasers |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3143085A patent/JP2805400B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-11 US US07/897,044 patent/US5237636A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637685A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ２次高調波発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2805400B2 (ja) | 1998-09-30 |
| US5237636A (en) | 1993-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0857997B1 (en) | Tunable optical parametric oscillator | |
| US5463647A (en) | Broadband multi-wavelength narrow linewidth laser source using an electro-optic modulator | |
| US7463664B2 (en) | Coherent light source and optical device | |
| US20090232169A1 (en) | Wavelength converting laser device | |
| US6839376B2 (en) | Laser light source | |
| US5450429A (en) | Efficient linear frequency doubled solid-state laser | |
| JP3423761B2 (ja) | 光波長変換装置 | |
| US7039077B2 (en) | Optical wavelength converting apparatus, and optical wavelength converting method | |
| US6097540A (en) | Frequency conversion combiner system for diode lasers | |
| JP2805400B2 (ja) | 光波長変換装置 | |
| Kozlovsky et al. | Blue light generation by resonator‐enhanced frequency doubling of an extended‐cavity diode laser | |
| US6751010B1 (en) | Low finesse, tri-etalon, optical parametric oscillator | |
| JPH11233894A (ja) | 波長可変外部共振器型レーザ | |
| JP3833179B2 (ja) | 光波長変換装置、及び光波長変換方法 | |
| JP2002303904A (ja) | 光波長変換装置およびその調整方法 | |
| JP4766775B2 (ja) | テラヘルツ光発生デバイス及びテラヘルツ光発生方法 | |
| JP2005345949A (ja) | 波長変換光源、およびその駆動方法 | |
| JPH09246642A (ja) | 狭スペクトル線幅レーザ光源 | |
| US7760775B2 (en) | Apparatus and method of generating laser beam | |
| JP2001318396A (ja) | 光波長変換ユニット及び光波長変換モジュール | |
| JP4176860B2 (ja) | 外部共振器型レーザ | |
| JP2000208849A (ja) | 半導体レ―ザ励起固体レ―ザ装置 | |
| JP2004157217A (ja) | 波長変換レーザ光源 | |
| JP3145504B2 (ja) | レーザ周波数掃引装置 | |
| JP2000357833A (ja) | 波長変換レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980609 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |