JPH04368416A - 電力系統の絶縁劣化検出方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電力系統の絶縁劣化検
出方法及び装置に係り、特に、配電系統における絶縁劣
化発生検出と発生区間の判定を高感度で行うに好適な電
力系統の絶縁劣化検出方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に電力系統には、地絡や短絡などの
故障を検出して送電を停止する保護装置が設けられてい
る。このような保護装置は、例えば、配電系統の場合、
樹枝状構成になっている系統の根元の部分に設けられて
いるため、一旦故障がおこり保護装置が動作すると、広
範囲に亘る停電を招くことになる。このため、故障を未
然に防止すべく定期的な機器交換、巡回点検などが行わ
れているが、配電系統では多くの配電機材が広範囲にわ
たって配置されており、様々な環境に曝されていること
、機材の隠蔽化が進んでいることなどの理由により、十
分な効果を上げるに至っていない。

【０００３】実際の配電線で発生する故障の大部分は、
地絡故障であり、この種の故障は何らかの前駆現象を伴
うことが多い。そこで、この前駆現象をとらえて絶縁劣
化の発生や、その発生区間を検出することにより、重点
的に設備更新を行い、故障を未然に防止する技術が提案
されている。

【０００４】この従来技術としては、「配線系統の絶縁
劣化区間検出法にかんする基礎検討」（荒山、青柳、他
、平成２年電気学会電力エネルギー部門全国大会）が挙
げられる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、残留
分やパルス性ノイズにより発生する信号と絶縁劣化によ
り発生する信号との区別が困難であり、絶縁劣化の高感
度検出が難しかった。

【０００６】本発明の課題は、これらの残留分やパルス
性ノイズの影響を低減し、電力系統の絶縁劣化の発生及
びその区間を高感度で検出、判定するにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、零相電圧
、及びまたは、零相電流の電源周波数の整数倍周波数以
上の高周波成分を除去した信号をトリガとして、上記電
源周波数を除く帯域での零相電圧と零相電流との位相差
スペクトルを用いて、絶縁劣化の発生が検出されること
により達成される。

【０００８】上記の課題は、また、電源周波数とその整
数倍周波数との±１０Ｈｚ、及び０〜１０Ｈｚを除き、
かつ、電源周波数の４倍周波数以下の零相電圧と零相電
流との位相差スペクトルに関する平均値を用いて、絶縁
劣化の発生が検出されることにより達成される。

【０００９】上記の課題は、また、三相電力系統の絶縁
劣化を検出する装置に、送電線に間隔をおいて装着され
て該送電線に流れる電力の零相電圧及びまたは零相電流
の値を検出する複数のセンサ装置と、該センサ装置夫々
に対応して設けられ対応するセンサ装置が検出した前記
零相電圧及びまたは零相電流の値から電源周波数及びそ
の整数倍周波数を除く帯域での零相電圧と零相電流の発
生レベルの大きさを算出し、該発生レベルの大きさを予
め設定された値と比較してその結果を出力する演算手段
と、該複数の演算手段に接続して設けられ該複数の演算
手段の出力を入力されて絶縁劣化の発生の有無を判定す
る判定手段とを備えることによっても達成される。

【００１０】上記の課題は、また、演算手段は、入力さ
れた零相電圧と零相電流の値から零相電圧と零相電流の
位相差スペクトルパタ−ンを算出し、該位相差スペクト
ルパタ−ンから少なくとも電源周波数及びその整数倍周
波数を除く帯域での位相差平均値を算出するとともに該
位相差平均値と隣接する演算手段が算出した位相差平均
値との和差を算出し、該和差に基づいて絶縁劣化発生区
間を判定するものである請求項５に記載の電力系統の絶
縁劣化検出装置によっても達成される。

【００１１】上記の課題は、さらに、判定手段が、複数
の演算手段が出力する絶縁劣化発生区間を収集し、収集
した結果を総合的に判断して絶縁劣化発生区間を決定す
るものである請求項６に記載の電力系統の絶縁劣化検出
装置によっても達成される。

【００１２】

【作用】配電系統において絶縁劣化を示す兆候は、単発
かつ間欠的な放電現象として現れることが多い。このこ
とについて、碍子の亀裂発生を例にとり説明する。まず
、碍子に亀裂発生しただけでは絶縁上何ら異常が発生し
ないが、亀裂部に塩水などがしみ込むと、絶縁耐力の低
下を招き地絡放電に至り放電々流が流れる。しかし、放
電がある程度持続すると、その部分が温度上昇するため
水分が蒸発してしまい一時的に正常な状態に戻る。この
ような瞬時地絡はその継続時間が短かいことから保護装
置も動作しないため、亀裂の発生はわからないままであ
る。その結果、単発的な放電を再び繰り返しながら、つ
いには永久故障に至ってしまう。この途中では、放電の
継続時間が比較的長く、そのために保護装置が動作する
場合もあり得るが、この場合でも再送電時には水分が蒸
発しており原因探索は困難を極めることになる。

【００１３】そこで、瞬時地絡をとらえて絶縁劣化の発
生を検出し、その区間を標定できれば永久故障に至る前
に、計画的に機器を交換することができる。しかし、前
述したように、実際の配電系統では、瞬時地絡信号の他
に、比較的大きい残留分や多くのパルス性ノイズが発生
しており、これらの現象と瞬時地絡信号を区別すること
が困難であった。

【００１４】発明者らは、瞬時地絡信号のスペクトルが
、残留分やパルス性ノイズのスペクトルと異なる特徴を
もつことを発見し、該特徴を利用して瞬時地絡を高感度
で検出してその区間を標定することができた。この特徴
は、瞬時地絡のような不連続現象に伴う零相電圧、零相
電流のスペクトルは、電源周波数とその整数倍周波数以
外にも多くの分数調波成分を含み、特に零相電圧のスペ
クトルは低周波数成分ほど大きくなる傾向を示す点にあ
る。一方、残留分は、電源周波数とその整数倍周波数で
のみ発生する。また、パルス性ノイズにより発生する分
数調波成分は零相電流には発生するが、零相電圧ではほ
とんど発生せず、低周波数ほど大きくなるという特徴も
ないことがわかった。

【００１５】本発明では、まず、電源周波数とその整数
倍周波数を除いた帯域での零相電圧およびまたは零相電
流の発生レベルにより劣化の発生が検出される。また、
前記帯域での零相電流と零相電圧のスペクトルパターン
が劣化発生地点と検出点の相対位置関係により変化する
ことを利用して劣化発生区間が標定される。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は、三相の配電系統に本発明に係る絶縁劣
化検出装置が装着された状態を示す。

【００１７】図に示す配電系統は、上位の高電圧系統か
ら供給される電力を配電電圧に変圧する変圧器１と、該
変圧器１に接続され図示されていない保護装置の遮断指
令により動作する遮断器２と、該遮断器２に接続された
三相母線３と、該三相母線３に遮断器７，８，９を介し
て接続された複数の送電線である三相フィーダ（ここで
は３フィーダとした）４，５，６を含んで形成されてい
る。この配電系統に装着された絶縁劣化検出装置は、前
記三相フィーダ４，５，６に所定の間隔をおいて装着さ
れたセンサ装置１０Ａ〜１０Ｃ，１１Ａ〜１１Ｃ，１２
Ａ〜１２Ｃと、これらセンサ装置にそれぞれ接続され該
センサ装置の出力信号を受信する演算手段である子局１
３Ａ〜１３Ｃ，１４Ａ〜１４Ｃ，１５Ａ〜１５Ｃと、同
一フィーダ上の隣接する子局を相互に接続する通信線１
６，１７，１８と、前記各フィーダの遮断器７，８，９
に最も接近して配置された子局１３Ａ，１４Ａ，１５Ａ
に接続して配置された判定手段である親局１９とを含ん
で構成されている。

【００１８】次に、センサ装置及び子局の機能と構成を
、前記センサ装置１０Ａ及び子局１３Ａを例に取って、
図２及び図３を参照して説明する。センサ装置１０Ａ〜
１０Ｃ，１１Ａ〜１１Ｃ，１２Ａ〜１２Ｃは全て同一構
成であり、子局１３Ａ〜１３Ｃ，１４Ａ〜１４Ｃ，１５
Ａ〜１５Ｃも全て同一構成である。

【００１９】図２は、センサ装置１０Ａと子局１３Ａの
機能を示すブロック図である。零相電圧検出ブロック２
０で検出点における送電線４の零相電圧が検出され、零
相電流検出ブロック２１で該検出点における零相電流が
検出される。検出された零相電圧から電源周波数成分及
びその整数倍周波数成分が、不要周波数成分として不要
周波数成分除去ブロック２３Ａで除去される。同様に、
零相電流検出ブロック２１で検出された零相電流からも
、不要周波数成分除去ブロック２３Ｂで電源周波数成分
及びその整数倍周波数成分が除去される。前記不要周波
数成分が除去された零相電圧及び零相電流（すなわち分
数調波成分及び非整数倍高調波成分）は、位相差スペク
トル変換ブロック３０で位相差スペクトルに変換される
。次に、位相差比較ブロック３１で、変換して得られた
当該検出点における前記位相差スペクトルと他の検出点
での零相電圧，零相電流に基づいて同様に変換された位
相差スペクトルとが比較される。この比較結果に基づい
て劣化判定ブロック３２で劣化の判定が行われる。

【００２０】センサ装置１０Ａは、三相フィーダ４に接
続された零相電圧センサ２０と、同じく三相フィーダ４
に結合された零相電流センサ２１とを含んで構成されて
いる。子局１３Ａは、前記零相電圧センサ２０の出力ｖ
０（ｔ）と零相電流センサ２１の出力ｉ０（ｔ）を入力
とするアンプ２２と、該アンプ２２の出力側にそれぞれ
接続された２チャンネルのフィルタ２３及びＡＤ変換器
２４と、該ＡＤ変換器２４の出力側に接続されたメモリ
２５と、前記フィルタ２３の出力側に接続された比較回
路２６と、該比較回路２６の出力側に接続され、その出
力側が前記メモリ２５に接続されたアンド回路２７と、
前記メモリ２５の出力側に接続された処理装置２８と、
該処理装置２８の出力側に接続された通信端末２９とを
含んで構成されている。通信端末２９は、親局１９と同
一フィーダ上の隣接子局１３Ｂに通信線１６を介して接
続されている。

【００２１】上記構成のセンサ装置及び子局は、次のよ
うに動作する。零相電圧センサ２０の出力ｖ０（ｔ）及
び零相電流センサ２１の出力ｉ０（ｔ）は、アンプ２２
に入力されて信号処理に適当な電圧信号に変換され出力
される。アンプ２２の出力信号は、２チャンネルのフィ
ルタ２３とＡＤ変換器２４にそれぞれ入力される。ＡＤ
変換器２４に入力されたｖ０（ｔ），ｉ０（ｔ）のアナ
ログ信号はディジタル信号ｖ０（ｔ）ｄ，ｉ０（ｔ）ｄ
に変換され、その出力はメモリ２５に書き込まれる。

【００２２】一方、フィルタ２３に入力された信号ｖ０
（ｔ），ｉ０（ｔ）は該フィルタ２３により、それぞれ
電源周波数の整数倍周波数成分（好ましくは２倍の周波
数）以上の高周波成分が除去された後ｖ０′（ｔ），ｉ
０′（ｔ）として比較回路２６に入力される。比較回路
２６では入力されたｖ０′（ｔ），ｉ０′（ｔ）がそれ
ぞれあらかじめ設定された閾値と比較され、ｖ０′（ｔ
），ｉ０′（ｔ）が、閾値を越えていれば信号がアンド
回路２７に出力される。ここでｖ０′（ｔ），ｉ０′（
ｔ）の双方共に閾値を越えていればアンド回路２７への
入力が双方共にオンとなり、アンド回路２７からメモリ
２５へ信号が出力され、メモリ２５の内容がホールドさ
れる。ホールドされたメモリの内容は、処理装置２８に
転送され、後に述べるアルゴリズムに従って処理された
後、処理結果が通信端末２９を介して、通信線１６によ
り、他の子局あるいは親局１９に伝送される。

【００２３】上述の子局の動作を、図４を参照してアル
ゴリズムを含めて詳述する。図４においてＳ１（ステッ
プ１）〜Ｓ３（ステップ３）の動作は零相電圧ｖ０（ｔ
）、零相電流ｉ０（ｔ）がメモリ２５にホールドされる
経過を示し、Ｓ４以降の動作が処理装置２８における処
理内容である。

【００２４】まず、Ｓ１では零相電圧、零相電流のディ
ジタル信号ｖ０（ｔ）ｄ，ｉ０（ｔ）ｄがメモリ２５へ
書き込まれる。Ｓ２では既に述べたように、メモリ２５
のメモリ内容をホールドするかどうかの判断がなされ、
ホールドの必要がなければＳ１に戻って新しいデータが
メモリ２５に重ね書きされる。Ｓ２でフィルタ２３の出
力ｖ０′（ｔ），ｉ０′（ｔ）が共に閾値を越えている
場合には、劣化発生の可能性が強いと判定され、Ｓ３に
示されるように、閾値を越えた時間を中心とする前後の
ｖ０（ｔ）ｄ，ｉ０（ｔ）ｄデータのメモリ内容がホー
ルドされる。本実施例では、閾値として、健全時のｖ０
′（ｔ），ｉ０′（ｔ）の３倍の値が設定された。

【００２５】ここでは、ｖ０（ｔ），ｉ０（ｔ）データ
が共に閾値を越えている場合にメモリ２５の内容がホー
ルドされるが、どちらか、一方のデータが閾値を越えた
場合に劣化発生の可能性大と判定してもよく、更に、ｖ
０（ｔ），ｉ０（ｔ）のうちの一方のデータのみで判定
するようにしてもよい。

【００２６】Ｓ４では、メモリ２５の内容が処理装置２
８に転送された後、ｖ０（ｔ）ｄ，ｉ０（ｔ）ｄに対し
てフーリエ分析が行われ、その結果がＶ０（ｆ），Ｉ０
（ｆ）に格納される。ここで、Ｖ０（ｆ），Ｉ０（ｆ）
は絶対値と位相からなる複素量である。Ｓ５では、Ｖ０
（ｆ），Ｉ０（ｆ）の位相を用いて、それらの位相差θ
１が各周波数毎に計算される。

【００２７】図５から〜図７は実際に配電機器を劣化さ
せ、Ｓ５までの処理で得られた結果の一例を示す。電源
周波数は５０Ｈｚである。図５は、零相電圧｜Ｖ０（ｆ
）｜の値を、周波数Ｈｚの関数としてｄＢで表し、図６
は、零相電流｜Ｉ０（ｆ）｜の値を、同じく周波数Ｈｚ
の関数としてｄＢで表している。図５、図６において、
５０Ｈｚとその整数倍、特に奇数倍の周波数で発生して
いるピークは、健全時にもほぼ同じレベルで発生してお
り、いわゆる残留分が支配的な｜Ｖ０（ｆ）｜，｜Ｉ０
（ｆ）｜である。図５、図６の場合、前述の残留分にま
じって多くの分数調波成分すなわち、電源周波数以下及
び電源周波数とその整数倍周波数成分間に多くの周波数
成分が発生しており、さらに零相電圧のスペクトルが低
い周波数成分ほど大きくなる傾向を示している。既に述
べたように、これらの特徴は間欠的な瞬時地絡信号に見
られる共通なものであり、本発明は、この特徴に着目し
てなされたものである。

【００２８】図７は、Ｖ０（ｆ）とＩ０（ｆ）の位相差
θ１を示す。図に示されるように、位相差θ１のスペク
トルパターンは、数百Ｈｚ以下の帯域で９０度付近に分
布する傾向を示す。このパターンは劣化点とセンサー位
置によりさまざまに変化するものであり、Ｓ６以降の手
順では、このようなパターンの特徴を使用して劣化発生
区間が判定される。

【００２９】Ｓ６では、電源周波数とその整数倍周波数
の±１０Ｈｚ及び０〜１０Ｈｚを除く電源周波数の４倍
周波数（電源周波数が５０Ｈｚのときには２００Ｈｚ）
以下の位相差スペクトルθ１の総和を求め、その平均値
《θ１》が算出される。ここで、平均値を使用する理由
は、位相差を算出するためのデータにノイズが含まれて
いる場合でも、ノイズによる位相差は零度付近に分布す
るため、その平均値は零に近くなりノイズの影響を低減
できるためである。また、周波数帯域として、０〜１０
Ｈｚ及び電源周波数やその整数倍周波数の±１０Ｈｚを
除く理由は、それぞれ位相測定精度が、残留分によって
支配される帯域であるためである。さらに、２００Ｈｚ
以下の帯域に限って平均をとる理由は、この帯域に零相
電圧が主に分布し、この帯域以上ではＳＮ比が悪化する
ためである。

【００３０】Ｓ７では、自局の電源側（上流側）に子局
があれば、自局の位相差平均値《θ１》を電源側の隣接
子局に伝送する。また、負荷側（下流側）の隣接子局か
ら同様な計算により得られた位相差平均値《θ２》を受
信し処理装置２８に取り込む。ここで、もっとも電源側
に位置する子局の場合には、負荷側の隣接子局のデータ
《θ２》を受信するだけで、自局の算出した《θ１》を
親局に送信することはしない。　　Ｓ８では、処理装置
２８に取込まれた位相差平均値《θ１》，《θ２》を用
いて劣化判定処理を実施する。この処理内容について、
図８、図９をもとに説明する。

【００３１】図８は図１において、フィーダ４のセンサ
装置１０Ａと１０Ｂの間の区間で劣化が発生した時に、
各子局で得られた位相差平均値《θ１》を示す。図８に
示されるように、劣化点より電源側のセンサ装置１０Ａ
の出力信号により子局１３Ａで得られた位相差平均値《
θ１》のみが−９０度付近の値を示すほかは、他の全て
の子局の値は９０度付近の値となっている。この理由は
、一般の抵抗性劣化では、零相電圧に対して−９０度の
位相を持つ洩れ電流が大地に流れる結果として、劣化点
より電源側の地点では零相電流が零相電圧に対して−９
０度の位相差を持ち、劣化点より負荷側の地点では、零
相電流が零相電圧に対して９０度の進み位相となるため
である。

【００３２】以上のように、零相電圧に対する零相電流
の位相は、劣化点をはさんで約１８０度異なり、電源側
では約−９０度、負荷側及び他フィーダでは約９０度と
なる。　　そこで、図４のＳ８の判定アルゴリズムとし
ては、図９に示すように、まず、Ｓ８−１で、《θ１》
と《θ２》の和αと差βが求められる。Ｓ８−２では、
βの絶対値が９０度以上か否かが判断され、９０度以上
であれば《θ２》を発信した子局、すなわち「負荷側隣
接子局と自局の間で劣化発生」と判定してＳ９へ進む。 もし、βの絶対値が９０度以下ならば、Ｓ８−３に進む
。 Ｓ８−３では、αの絶対値が９０度以下ならば、αはノ
イズによって発生しているものと判定してＳ９へ進み、
αの絶対値が９０度以上ならば、他区間（負荷側隣接子
局と自局との間の区間以外の区間）で劣化発生と判定し
、Ｓ８−４に進む。Ｓ８−４では、αの符号の正負が調
べられ、αの値が正であれば「電源側区間または他フィ
ーダで劣化発生」と判定してＳ９へ進み、αの値が負で
あれば、「負荷側他区間で劣化発生」と判定してＳ９へ
進む。

【００３３】Ｓ９では、判定結果が通信端末２９及び通
信線１６を介して親局１９へ伝送される。親局１９は各
子局から伝送される判定結果を収集し、全子局の判定結
果を総合的に見て「劣化発生の有無」及び「劣化発生区
間」を判定するとともに、劣化発生回数の累計値などを
もとに、劣化警報信号のランク付など保守上の参考デー
タを出力する。

【００３４】本発明の上記一実施例によれば、残留分や
パルス性ノイズの影響を低減でき、絶縁劣化の発生及び
その区間を高感度で検出できる他、各子局で算出された
位相差平均値、及び判定結果が伝送されるだけなので伝
送量が少なくてすむなどの効果がある。

【００３５】上記、一実施例では劣化判定に演算の結果
得られた値があらかじめ設定されたある値より大きいか
否かという２値的な判断法が採用されているが、この判
定法としてはファジー的なすなわち劣化の度合を連続量
で示す方法でも良い。

【００３６】また、位相差の平均値を求める帯域を２０
０Ｈｚ以下としたが、この帯域は任意に変化して良く例
えば９０Ｈｚ以下の場合には、電源周波数付近の帯域の
データを除去するだけでも良い。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電力系統から検出される零相電流及びまたは零相電圧に
おける残留分やパルス性ノイズの影響が低減されるので
、該電力系統の絶縁劣化の発生及びその発生区間の検出
、判定が高感度で行われる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例が配電系統に適用された状態
を示す回路図である。

【図２】図１に示す実施例の機能ブロック図である。

【図３】図２に示された機能を実現する装置の例の詳細
を示す回路図である。

【図４】本発明の実施例である手順図である。

【図５】図４による処理の途中結果を示すグラフである
。

【図６】図４による処理の途中結果を示すグラフである
。

【図７】図４による処理の途中結果を示すグラフである
。

【図８】図１に示す実施例で得られたデータの例を示す
図である。

【図９】図４に示された手順の部分の詳細を示す手順図
である。

【符号の説明】

４，５，６　　送電線（三相フィーダ）１０Ａ〜１０Ｃ
，１１Ａ〜１１Ｃ，１２Ａ〜１２Ｃ　　センサ装置 １３Ａ〜１３Ｃ，１４Ａ〜１４Ｃ，１５Ａ〜１５Ｃ　　
演算手段（子局） １９　　判定手段（親局）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　三相電力系統の絶縁劣化を検出するも
   のにおいて、零相電圧、及びまたは、零相電流の電源周
   波数の整数倍周波数以上の高周波成分を除去した信号を
   トリガとして、上記電源周波数を除く帯域での零相電圧
   と零相電流との位相差スペクトルを用いて、絶縁劣化の
   発生が検出されることを特徴とする電力系統の絶縁劣化
   検出方法。
2. 【請求項２】　　請求項１において、上記零相電圧と零
   相電流との位相差スペクトルは、電源周波数及びその整
   数倍周波数を除く帯域での零相電圧と零相電流との位相
   差スペクトルであることを特徴とする電力系統の絶縁劣
   化検出方法。
3. 【請求項３】　　請求項１において、上記零相電流の電
   源周波数の整数倍周波数以上の高周波成分は、零相電流
   の電源周波数の２倍周波数以上の高周波成分であること
   を特徴とする電力系統の絶縁劣化検出方法。
4. 【請求項４】　　三相電力系統の絶縁劣化を検出するも
   のにおいて、電源周波数とその整数倍周波数との±１０
   Ｈｚ、及び０〜１０Ｈｚを除き、かつ、電源周波数の４
   倍周波数以下の零相電圧と零相電流との位相差スペクト
   ルに関する平均値を用いて、絶縁劣化の発生が検出され
   ることを特徴とする電力系統の絶縁劣化検出方法。
5. 【請求項５】　　三相電力系統の絶縁劣化を検出する装
   置において、送電線に間隔をおいて装着されて該送電線
   に流れる電力の零相電圧及びまたは零相電流の値を検出
   する複数のセンサ装置と、該センサ装置夫々に対応して
   設けられ対応するセンサ装置が検出した前記零相電圧及
   びまたは零相電流の値から電源周波数及びその整数倍周
   波数を除く帯域での零相電圧と零相電流の発生レベルの
   大きさを算出し、該発生レベルの大きさを予め設定され
   た値と比較してその結果を出力する演算手段と、該複数
   の演算手段に接続して設けられ該複数の演算手段の出力
   を入力されて絶縁劣化の発生の有無を判定する判定手段
   とを含んでなることを特徴とする電力系統の絶縁劣化検
   出装置。
6. 【請求項６】　　演算手段は、入力された零相電圧と零
   相電流の値から零相電圧と零相電流の位相差スペクトル
   パタ−ンを算出し、該位相差スペクトルパタ−ンから少
   なくとも電源周波数及びその整数倍周波数を除く帯域で
   の位相差平均値を算出するとともに該位相差平均値と隣
   接する演算手段が算出した位相差平均値との和差を算出
   し、該和差に基づいて絶縁劣化発生区間を判定するもの
   であることを特徴とする請求項５に記載の電力系統の絶
   縁劣化検出装置。
7. 【請求項７】　　判定手段は、複数の演算手段が出力す
   る絶縁劣化発生区間を収集し、収集した結果を総合的に
   判断して絶縁劣化発生区間を決定するものであることを
   特徴とする請求項６に記載の電力系統の絶縁劣化検出装
   置。