JPH04368458A - スナバ回路 - Google Patents
スナバ回路Info
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- JPH04368458A JPH04368458A JP14154491A JP14154491A JPH04368458A JP H04368458 A JPH04368458 A JP H04368458A JP 14154491 A JP14154491 A JP 14154491A JP 14154491 A JP14154491 A JP 14154491A JP H04368458 A JPH04368458 A JP H04368458A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スナバ回路のエネルギ
を直流回路に転送する、自己消弧形半導体素子のスナバ
回路に関する。
を直流回路に転送する、自己消弧形半導体素子のスナバ
回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術として、図６に自己消弧形半導
体素子のスナハナ回路の一構成例を示す。
体素子のスナハナ回路の一構成例を示す。
【０００３】自己消弧形半導体素子１には、ダイオ―ド
２が逆並列に接続されている。自己消弧形半導体素子１
には、更に図示極性のダイオ―ド１２とコンデンサ１１
からなる直列回路が並列に接続され、且つダイオ―ド１
２に並列に抵抗器１３が接続されている。
２が逆並列に接続されている。自己消弧形半導体素子１
には、更に図示極性のダイオ―ド１２とコンデンサ１１
からなる直列回路が並列に接続され、且つダイオ―ド１
２に並列に抵抗器１３が接続されている。
【０００４】自己消弧形半導体素子１がタ―ンオフする
と、それまで自己消弧形半導体素子１に流れていた電流
は、ダイオ―ド１２とコンデンサ１１から成る直列回路
に流れ、コンデンサ１１を充電し、自己消弧形半導体素
子１の両端の電圧は上昇率が一定値以下に制限される。 このとき、コンデンサ１１には、エネルギが蓄えられる
。
と、それまで自己消弧形半導体素子１に流れていた電流
は、ダイオ―ド１２とコンデンサ１１から成る直列回路
に流れ、コンデンサ１１を充電し、自己消弧形半導体素
子１の両端の電圧は上昇率が一定値以下に制限される。 このとき、コンデンサ１１には、エネルギが蓄えられる
。
【０００５】自己消弧形半導体素子１がタ―ンオンする
と、コンデンサ１１の電荷が、抵抗器１３、自己消弧形
半導体素子１を通して放電され、コンデンサ１１の両端
の電圧は、ほぼ０Ｖとなる。この時、コンデンサ１１に
蓄えられていたエネルギは、抵抗器１３によって消費さ
れる。
と、コンデンサ１１の電荷が、抵抗器１３、自己消弧形
半導体素子１を通して放電され、コンデンサ１１の両端
の電圧は、ほぼ０Ｖとなる。この時、コンデンサ１１に
蓄えられていたエネルギは、抵抗器１３によって消費さ
れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来のス
ナバ回路では、以下のような欠点があった。
ナバ回路では、以下のような欠点があった。
【０００７】図６はコンデンサ１１のエネルギを全て抵
抗器１３で消費してしまう回路である。自己消弧形半導
体素子１が遮断する電流が大きくなり、遮断の回数（ス
イッチング周波数）が大きくなるにつれて、抵抗器１３
で消費されるエネルギも大きくなり、装置全体の効率を
低下させてしまう。
抗器１３で消費してしまう回路である。自己消弧形半導
体素子１が遮断する電流が大きくなり、遮断の回数（ス
イッチング周波数）が大きくなるにつれて、抵抗器１３
で消費されるエネルギも大きくなり、装置全体の効率を
低下させてしまう。
【０００８】本発明は、上記の欠点を除去するためにな
されたもので、直列接続或いは並列接続された自己消弧
形半導体素子に対しても、スナバコンデンサに蓄えられ
たエネルギを抵抗器で消費してしまうことなく有効に利
用することができ、スナバコンデンサに蓄えられたエネ
ルギをリアクトルのエネルギに移動することにより直流
電圧にたいする自由度の高いスナバ回路を提供すること
を目的とすると共に、パルストランスを用いることによ
り自己消弧形半導体素子を直列に接続した回路に適用で
きるスナバ回路を提供することを目的とするものである
。 ［発明の構成］
されたもので、直列接続或いは並列接続された自己消弧
形半導体素子に対しても、スナバコンデンサに蓄えられ
たエネルギを抵抗器で消費してしまうことなく有効に利
用することができ、スナバコンデンサに蓄えられたエネ
ルギをリアクトルのエネルギに移動することにより直流
電圧にたいする自由度の高いスナバ回路を提供すること
を目的とすると共に、パルストランスを用いることによ
り自己消弧形半導体素子を直列に接続した回路に適用で
きるスナバ回路を提供することを目的とするものである
。 ［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明のスナバ回路は、自己消弧形半導体素子に並列
接続されるダイオ―ドとスナバコンデンサからなる直列
回路と、カソ―ドが前記自己消弧形半導体素子のカソ―
ドに接続されアノ―ドがリアクトルを介して前記ダイオ
―ドとスナバコンデンサの直列接続点に接続される第２
の自己消弧形半導体素子と、アノ―ドが前記第２の自己
消弧形半導体素子のアノ―ドに接続される第３の自己消
弧形半導体素子と、前記第２の自己消弧形半導体素子の
カソ―ドと前記第３の自己消弧形半導体素子のカソ―ド
の間に設けられ前記スナバコンデンサのエネルギが転送
される直流回路を具備したことを特徴とするものである
。
、本発明のスナバ回路は、自己消弧形半導体素子に並列
接続されるダイオ―ドとスナバコンデンサからなる直列
回路と、カソ―ドが前記自己消弧形半導体素子のカソ―
ドに接続されアノ―ドがリアクトルを介して前記ダイオ
―ドとスナバコンデンサの直列接続点に接続される第２
の自己消弧形半導体素子と、アノ―ドが前記第２の自己
消弧形半導体素子のアノ―ドに接続される第３の自己消
弧形半導体素子と、前記第２の自己消弧形半導体素子の
カソ―ドと前記第３の自己消弧形半導体素子のカソ―ド
の間に設けられ前記スナバコンデンサのエネルギが転送
される直流回路を具備したことを特徴とするものである
。
【００１０】
【作用】本発明は、スナバコンデンサの電荷を第２の自
己消弧形半導体素子のタ―ンオンにより、パルス電流と
し、リアクトルにエネルギを蓄え第２の自己消弧形半導
体素子をオフし、第３の自己消弧形半導体素子をタ―ン
オンすることによりスナバコンデンサのエネルギを直流
回路に、パルス電流として転送する。
己消弧形半導体素子のタ―ンオンにより、パルス電流と
し、リアクトルにエネルギを蓄え第２の自己消弧形半導
体素子をオフし、第３の自己消弧形半導体素子をタ―ン
オンすることによりスナバコンデンサのエネルギを直流
回路に、パルス電流として転送する。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例を図１を参照して説明
する。
する。
【００１２】自己消弧形半導体素子１には、ダイオ―ド
２が逆並列に接続されている。自己消弧形半導体素子１
のアノ―ドには、更にダイオ―ド１２のアノ―ドが接続
されダイオ―ドのカソ―ドはコンデンサ１１を介して自
己消弧形半導体素子１のカソ―ドに接続されている。リ
アクトル２２の一端はダイオ―ド１２のカソ―ドに接続
され、リアクトルの他端は第２の自己消弧形半導体素子
２１及び第３の自己消弧形半導体素子２３のそれぞれの
アノ―ドに接続されている。第２の自己消弧形半導体素
子２１のカソ―ドは自己消弧形半導体素子１のカソ―ド
及び直流回路の負側端子に接続されている。第３の自己
消弧形半導体素子２３のカソ―ドは直流回路４１の正側
端子に接続されている。次に前述のように構成された本
発明のスナバ回路の作用を説明する。
２が逆並列に接続されている。自己消弧形半導体素子１
のアノ―ドには、更にダイオ―ド１２のアノ―ドが接続
されダイオ―ドのカソ―ドはコンデンサ１１を介して自
己消弧形半導体素子１のカソ―ドに接続されている。リ
アクトル２２の一端はダイオ―ド１２のカソ―ドに接続
され、リアクトルの他端は第２の自己消弧形半導体素子
２１及び第３の自己消弧形半導体素子２３のそれぞれの
アノ―ドに接続されている。第２の自己消弧形半導体素
子２１のカソ―ドは自己消弧形半導体素子１のカソ―ド
及び直流回路の負側端子に接続されている。第３の自己
消弧形半導体素子２３のカソ―ドは直流回路４１の正側
端子に接続されている。次に前述のように構成された本
発明のスナバ回路の作用を説明する。
【００１３】自己消弧形半導体素子１がタ―ンオフする
と、図５と同様に、それまで自己消弧形半導体素子１に
流れていた電流は、ダイオ―ド１２とコンデンサ１１か
ら成る直列回路に流れ、コンデンサ１１を充電し、自己
消弧形半導体素子１の両端の電圧は上昇率が一定値以下
に制限される。この時、コンデンサ１１には、エネルギ
が蓄えられる。本発明では、自己消弧形半導体素子１の
タ―ンオン期間中に、コンデンサ１１のエネルギを直流
回路４１に転送する。次に、その転送の仕方を説明する
。
と、図５と同様に、それまで自己消弧形半導体素子１に
流れていた電流は、ダイオ―ド１２とコンデンサ１１か
ら成る直列回路に流れ、コンデンサ１１を充電し、自己
消弧形半導体素子１の両端の電圧は上昇率が一定値以下
に制限される。この時、コンデンサ１１には、エネルギ
が蓄えられる。本発明では、自己消弧形半導体素子１の
タ―ンオン期間中に、コンデンサ１１のエネルギを直流
回路４１に転送する。次に、その転送の仕方を説明する
。
【００１４】第２の自己消弧形半導体素子２１を点弧す
ると、コンデンサ１１、リアクトル２２、第２の自己消
弧形半導体素子２１より成る共振回路により、コンデン
サ１１の電荷が放電され、リアクトル２２に電流が流れ
、コンデンサ１１に蓄えられていたエネルギはリアクト
ル２２に移る。次に、第２の自己消弧形半導体素子２１
をオフし、第３の自己消弧形半導体素子をオンすると直
流回路４１へ回生される。
ると、コンデンサ１１、リアクトル２２、第２の自己消
弧形半導体素子２１より成る共振回路により、コンデン
サ１１の電荷が放電され、リアクトル２２に電流が流れ
、コンデンサ１１に蓄えられていたエネルギはリアクト
ル２２に移る。次に、第２の自己消弧形半導体素子２１
をオフし、第３の自己消弧形半導体素子をオンすると直
流回路４１へ回生される。
【００１５】このように、スナバコンデンサのエネルギ
の転送は、高速に行われる必要があるため、リアクトル
２２のインンダクタンスは、小さくてよく、小形化する
ことができる。従って、小形で軽量、安価なスナバ回路
を構成することができる。
の転送は、高速に行われる必要があるため、リアクトル
２２のインンダクタンスは、小さくてよく、小形化する
ことができる。従って、小形で軽量、安価なスナバ回路
を構成することができる。
【００１６】図２は本発明の他の実施例を示す構成図で
あり、図１と異る点はスナバコンデンサ１１のエネルギ
をパルストランス２４を介して直流回路４１へ転送した
点である。即ち、第２の自己消弧形半導体素子２１のカ
ソ―ドと第３の自己消弧形半導体素子２３のカソ―ドと
の間にパルストランス２４の１次巻線を接続し、パルス
トランス２４の２次巻線間に図示極性のダイオ―ド２５
を介して直流回路４１を接続している。
あり、図１と異る点はスナバコンデンサ１１のエネルギ
をパルストランス２４を介して直流回路４１へ転送した
点である。即ち、第２の自己消弧形半導体素子２１のカ
ソ―ドと第３の自己消弧形半導体素子２３のカソ―ドと
の間にパルストランス２４の１次巻線を接続し、パルス
トランス２４の２次巻線間に図示極性のダイオ―ド２５
を介して直流回路４１を接続している。
【００１７】コンデンサ１１、ダイオード１２、第２の
自己消弧形半導体素子２１、リアクトル２２、第３の自
己消弧形半導体素子２３、パルストランス２４、ダイオ
ード２５で構成される部分もスナバ回路３１と称する。 又、自己消弧形半導体素子１、ダイオード２、スナバ回
路３１、及び直流回路４１より構成される部分をアーム
回路３２ー１、３２ー２と称する。図２は２個のアーム
回路３２ー１、３２ー２で、電力変換装置のハーフブリ
ッジを構成した例である。
自己消弧形半導体素子２１、リアクトル２２、第３の自
己消弧形半導体素子２３、パルストランス２４、ダイオ
ード２５で構成される部分もスナバ回路３１と称する。 又、自己消弧形半導体素子１、ダイオード２、スナバ回
路３１、及び直流回路４１より構成される部分をアーム
回路３２ー１、３２ー２と称する。図２は２個のアーム
回路３２ー１、３２ー２で、電力変換装置のハーフブリ
ッジを構成した例である。
【００１８】自己消弧形半導体素子１がターンオフする
と、図１と同様に、それまで自己消弧形半導体素子１に
流れていた電流は、ダイオード１２とコンデンサ１１と
の直列回路に流れコンデンサ１１を充電し、自己消弧形
半導体素子１の両端の電圧は上昇率が一定値以下に制限
される。このとき、コンデンサ１１には、エネルギが蓄
えられる。本発明では、自己消弧形半導体素子１のター
ンオン期間中に、コンデンサ１１のエネルルギを直流回
路４１に転送する。次にその転送の仕方を説明する。
と、図１と同様に、それまで自己消弧形半導体素子１に
流れていた電流は、ダイオード１２とコンデンサ１１と
の直列回路に流れコンデンサ１１を充電し、自己消弧形
半導体素子１の両端の電圧は上昇率が一定値以下に制限
される。このとき、コンデンサ１１には、エネルギが蓄
えられる。本発明では、自己消弧形半導体素子１のター
ンオン期間中に、コンデンサ１１のエネルルギを直流回
路４１に転送する。次にその転送の仕方を説明する。
【００１９】第２の自己消弧形半導体素子２１を点弧す
ると、コンデンサ１１、リアクトル２２、第２の自己消
弧形半導体素子２１より成る共振回路により、コンデン
サ１１の電荷が放電され、、リアクトル２２に電流が流
れ、コンデンサ１１に蓄えられていたエネルギはリアク
トル２２に移る。次に、第２の自己消弧形半導体素子２
１をオフし、第３の自己消弧形半導体素子２３をオンす
るとリアクトル２２のエネルギは、パルス状の電流とな
り、パルストランス２４の２次側からダイオ―ド２５を
介して直流回路４１に転送される。コンデンサ１１のエ
ネルギの放電は、自己消弧形半導体素子１のタ―ンオン
期間中に、次のタ―オフが発生するまでに完了する必要
がある。
ると、コンデンサ１１、リアクトル２２、第２の自己消
弧形半導体素子２１より成る共振回路により、コンデン
サ１１の電荷が放電され、、リアクトル２２に電流が流
れ、コンデンサ１１に蓄えられていたエネルギはリアク
トル２２に移る。次に、第２の自己消弧形半導体素子２
１をオフし、第３の自己消弧形半導体素子２３をオンす
るとリアクトル２２のエネルギは、パルス状の電流とな
り、パルストランス２４の２次側からダイオ―ド２５を
介して直流回路４１に転送される。コンデンサ１１のエ
ネルギの放電は、自己消弧形半導体素子１のタ―ンオン
期間中に、次のタ―オフが発生するまでに完了する必要
がある。
【００２０】スナバコンデンサのエネルギの転送は、高
速に行われる必要があるため、リアクトル２２のインダ
クタンスは小さくてよく、小形化することができる。パ
ルストランスも小形でよい。従って、小形で軽量、安価
なスナバ回路を構成することができる。又、パルストラ
ンスで絶縁しているので、自己消弧形半導体素子１と直
流回路４１が電気的に切り離され、自己消弧形半導体素
子１の構成と、直流回路４１の構成は、独立に決定する
ことができる。図３は本発明の更に別の実施例を示す構
成図で、図中、スナバ回路は図１と同じ構成である。
速に行われる必要があるため、リアクトル２２のインダ
クタンスは小さくてよく、小形化することができる。パ
ルストランスも小形でよい。従って、小形で軽量、安価
なスナバ回路を構成することができる。又、パルストラ
ンスで絶縁しているので、自己消弧形半導体素子１と直
流回路４１が電気的に切り離され、自己消弧形半導体素
子１の構成と、直流回路４１の構成は、独立に決定する
ことができる。図３は本発明の更に別の実施例を示す構
成図で、図中、スナバ回路は図１と同じ構成である。
【００２１】自己消弧形半導体素子１−１〜１−ｎは、
直列に接続されている。それぞれの自己消弧形半導体素
子１−１〜１−ｎには、ダイオ―ド２−１〜２−ｎが逆
並列に接続されている。又、夫々の自己消弧形半導体素
子１−１〜１−ｎには、図１と同じ構成のスナバ回路３
１−１〜３１−ｎが接続されている。各スナバ回路は、
パルストランスの２次側の一端が、次段のスナバ回路の
ダイオ―ド２４−ｉ（ｉ＝２〜ｎ）のカソ―ドに接続さ
れるという方法で、直列に接続され、直流回路４１に接
続されている。
直列に接続されている。それぞれの自己消弧形半導体素
子１−１〜１−ｎには、ダイオ―ド２−１〜２−ｎが逆
並列に接続されている。又、夫々の自己消弧形半導体素
子１−１〜１−ｎには、図１と同じ構成のスナバ回路３
１−１〜３１−ｎが接続されている。各スナバ回路は、
パルストランスの２次側の一端が、次段のスナバ回路の
ダイオ―ド２４−ｉ（ｉ＝２〜ｎ）のカソ―ドに接続さ
れるという方法で、直列に接続され、直流回路４１に接
続されている。
【００２２】スナバ回路３１−１〜３１−ｎの第２の自
己消弧形半導体素子２１−１〜２１−ｎは、自己消弧形
半導体素子１−１〜１−ｎのオン期間中に、同じタイミ
ングで点弧されオフ後、第３の自己消弧形半導体素子２
３−１〜２３−ｎがオンされる。スナバコンデンサ１１
−１〜１１−ｎのエネルギの転送のされ方は、図２と同
様である。
己消弧形半導体素子２１−１〜２１−ｎは、自己消弧形
半導体素子１−１〜１−ｎのオン期間中に、同じタイミ
ングで点弧されオフ後、第３の自己消弧形半導体素子２
３−１〜２３−ｎがオンされる。スナバコンデンサ１１
−１〜１１−ｎのエネルギの転送のされ方は、図２と同
様である。
【００２３】自己消弧形半導体素子１−１〜１−ｎ、ダ
イオ―ド２−１〜２−ｎ、スナバ回路３１−１〜３１−
ｎ、直流回路４１から成る部分をア―ム回路３３−１〜
３３−２と称する。
イオ―ド２−１〜２−ｎ、スナバ回路３１−１〜３１−
ｎ、直流回路４１から成る部分をア―ム回路３３−１〜
３３−２と称する。
【００２４】図３は、直列接続された自己消弧形半導体
素子に対して、本発明を適用した一実施例である。この
実施例で、直流回路４１はア―ム回路３３−１、３３−
２毎に独立である必要はなく、ア―ム回路３３−１、３
３−２の直流回路４１の部分を並列接続することで、共
通にしても構わない。図４は本発明の別の実施例を示す
構成図で、図中、スナバ回路は図１と同じ構成である。 この実施例は、スナバ回路を並列接続した例である。
素子に対して、本発明を適用した一実施例である。この
実施例で、直流回路４１はア―ム回路３３−１、３３−
２毎に独立である必要はなく、ア―ム回路３３−１、３
３−２の直流回路４１の部分を並列接続することで、共
通にしても構わない。図４は本発明の別の実施例を示す
構成図で、図中、スナバ回路は図１と同じ構成である。 この実施例は、スナバ回路を並列接続した例である。
【００２５】自己消弧形半導体素子１−１〜１−ｎには
、ダイオ―ド２−１〜２−ｎが逆並列に接続されている
。自己消弧形半導体素子１−１〜１−ｎは、直列接続或
いは並列接続されていても構わない。スナバ回路の出力
は、ダイオ―ド２５−１〜２５−ｎのカソ―トがそれぞ
れ接続され、パルストランス２４−１〜２４−ｎのダイ
オ―ド２５−１〜２５−ｎの接続されていない他の一端
がそれぞれ接続されるという方法で、並列に接続され、
直流回路４１に接続されている。
、ダイオ―ド２−１〜２−ｎが逆並列に接続されている
。自己消弧形半導体素子１−１〜１−ｎは、直列接続或
いは並列接続されていても構わない。スナバ回路の出力
は、ダイオ―ド２５−１〜２５−ｎのカソ―トがそれぞ
れ接続され、パルストランス２４−１〜２４−ｎのダイ
オ―ド２５−１〜２５−ｎの接続されていない他の一端
がそれぞれ接続されるという方法で、並列に接続され、
直流回路４１に接続されている。
【００２６】スナバ回路３１−１〜３１−ｎの第２の自
己消弧形半導体素子２１−１〜２１−ｎは、それぞれが
接続された自己消弧形半導体素子のオンの期間中に、点
弧されオフ後第３の自己消弧形半導体素子２３−１〜２
３−ｎがオンされる。第２の自己消弧形半導体素子２１
−１〜２１−ｎの点弧タイミングは、自己消弧形半導体
素子１−１〜１−ｎの構成によって規定される。スナバ
回路が並列接続された場合は、スナバ回路構成上は、第
２の自己消弧形半導体素子２１−１〜２１−ｎの点弧タ
イミングは、規制を受けない。図５は、スナナバ回路の
エネルギを直流回路４１のかわりに、自己消弧形半導体
素子が接続されいてる直流電源へ回生した例である。
己消弧形半導体素子２１−１〜２１−ｎは、それぞれが
接続された自己消弧形半導体素子のオンの期間中に、点
弧されオフ後第３の自己消弧形半導体素子２３−１〜２
３−ｎがオンされる。第２の自己消弧形半導体素子２１
−１〜２１−ｎの点弧タイミングは、自己消弧形半導体
素子１−１〜１−ｎの構成によって規定される。スナバ
回路が並列接続された場合は、スナバ回路構成上は、第
２の自己消弧形半導体素子２１−１〜２１−ｎの点弧タ
イミングは、規制を受けない。図５は、スナナバ回路の
エネルギを直流回路４１のかわりに、自己消弧形半導体
素子が接続されいてる直流電源へ回生した例である。
【００２７】スナバ回路３１中の、ダイオ―ド２５のカ
ソ―ドは、直流電源の正側へ接続されている。パルスト
ランス２４のダイオ―ド２４に接続されていない一端は
、直流電源の負側へ接続されている。コンデンサ１１の
エネルギの転送のされ方は、図１と同様である。
ソ―ドは、直流電源の正側へ接続されている。パルスト
ランス２４のダイオ―ド２４に接続されていない一端は
、直流電源の負側へ接続されている。コンデンサ１１の
エネルギの転送のされ方は、図１と同様である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明のように、本発明では、自己消
弧形半導体素子の構成によらず適用することができ、効
率よく、小形、軽量で、安価なスナバ回路を構成するこ
とができる。又ねスナバコンデンサに蓄えられたエネル
ギをリアクトルのエネルギに移動することにより、直流
電圧に対する自由度の高いスナバ回路を構成することが
できる。
弧形半導体素子の構成によらず適用することができ、効
率よく、小形、軽量で、安価なスナバ回路を構成するこ
とができる。又ねスナバコンデンサに蓄えられたエネル
ギをリアクトルのエネルギに移動することにより、直流
電圧に対する自由度の高いスナバ回路を構成することが
できる。
【図１】本発明の一実施例を示すスナバ回路の構成図。
【図２】本発明の他の実施例を示すスナバ回路の構成図
。
。
【図３】本発明の他の実施例を示すスナバ回路の構成図
。
。
【図４】本発明の他の実施例を示すスナバ回路の構成図
。
。
【図５】本発明の他の実施例を示すスナバ回路の構成図
。
。
【図６】従来のスナバ回路の構成図。
１，１−１〜１−ｎ …自己消弧形半導体素
子２，２−１〜２−ｎ …ダイオ―ド１１，
１１−１〜１１−ｎ…コンデンサ１２，１２−１〜１２
−ｎ…ダイオ―ド１３，１３−１〜１３−ｎ…抵抗器
子２，２−１〜２−ｎ …ダイオ―ド１１，
１１−１〜１１−ｎ…コンデンサ１２，１２−１〜１２
−ｎ…ダイオ―ド１３，１３−１〜１３−ｎ…抵抗器
Claims (1)
- 【請求項１】 自己消弧形半導体素子に並列接続され
るダイオ―ドとスナバコンデンサからなる直列回路と、
カソ―ドが前記自己消弧形半導体素子のカソ―ドに接続
されアノ―ドがリアクトルを介して前記ダイオ―ドとス
ナバコンデンサの直列接続点に接続される第２の自己消
弧形半導体素子と、アノ―ドが前記第２の自己消弧形半
導体素子のアノ―ドに接続される第３の自己消弧形半導
体素子と、前記第２の自己消弧形半導体素子のカソ―ド
と前記第３の自己消弧形半導体素子のカソ―ドの間に設
けられ、前記スナバコンデンサのエネルギが転送される
直流回路を具備したことを特徴とするスナバ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14154491A JPH04368458A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | スナバ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14154491A JPH04368458A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | スナバ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04368458A true JPH04368458A (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=15294441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14154491A Pending JPH04368458A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | スナバ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04368458A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701326A3 (en) * | 1994-09-08 | 1998-02-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power conversion device with snubber energy regenerating circuit |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14154491A patent/JPH04368458A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701326A3 (en) * | 1994-09-08 | 1998-02-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power conversion device with snubber energy regenerating circuit |
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