JPH04369227A - 半導体装置の電極形成方法と実装方法 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法と実装方法Info
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- JPH04369227A JPH04369227A JP3145868A JP14586891A JPH04369227A JP H04369227 A JPH04369227 A JP H04369227A JP 3145868 A JP3145868 A JP 3145868A JP 14586891 A JP14586891 A JP 14586891A JP H04369227 A JPH04369227 A JP H04369227A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を回路基板
に実装する際の半導体装置の電極形成方法とその実装方
法に関するものであり、特にフェースダウンで実装して
なる半導体装置の電極形成方法とその実装方法に関する
。
に実装する際の半導体装置の電極形成方法とその実装方
法に関するものであり、特にフェースダウンで実装して
なる半導体装置の電極形成方法とその実装方法に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の回路基板上への実装
には半田付けがよく利用されていたが、近年、半導体装
置のパッケージの小型化と接続端子数の増加により、接
続端子間隔が狭くなり、従来の半田付け技術で対処する
ことが次第に困難になってきた。
には半田付けがよく利用されていたが、近年、半導体装
置のパッケージの小型化と接続端子数の増加により、接
続端子間隔が狭くなり、従来の半田付け技術で対処する
ことが次第に困難になってきた。
【０００３】そこで、最近では裸の半導体装置を回路基
板上に直付けして実装面積の小型化と効率的使用を図ろ
うとする方法が考案されてきた。
板上に直付けして実装面積の小型化と効率的使用を図ろ
うとする方法が考案されてきた。
【０００４】なかでも、半導体装置を回路基板に接続す
るに際し、あらかじめ半導体装置のアルミ電極パッド上
に密着金属や拡散防止金属の蒸着膜とこの上にメッキに
より形成した半田層とからなる電極構造を有する半導体
装置を下向き（フェースダウン）にして、高温に加熱し
て半田を回路基板の端子電極に融着する実装構造が、接
続後の機械的強度が強く、接続が一括にできることなど
から有効な方法であるとされている。（例えば、工業調
査会、１９８０年１月１５日発行、日本マイクロエレク
トロニクス協会編、『ＩＣ化実装技術』）以下図面を参
照しながら、上述した従来の半導体装置の電極形成方法
と実装方法の一例について説明する。
るに際し、あらかじめ半導体装置のアルミ電極パッド上
に密着金属や拡散防止金属の蒸着膜とこの上にメッキに
より形成した半田層とからなる電極構造を有する半導体
装置を下向き（フェースダウン）にして、高温に加熱し
て半田を回路基板の端子電極に融着する実装構造が、接
続後の機械的強度が強く、接続が一括にできることなど
から有効な方法であるとされている。（例えば、工業調
査会、１９８０年１月１５日発行、日本マイクロエレク
トロニクス協会編、『ＩＣ化実装技術』）以下図面を参
照しながら、上述した従来の半導体装置の電極形成方法
と実装方法の一例について説明する。
【０００５】（図５）は従来の半田バンプ電極を有する
半導体装置の電極形成方法の概略説明図であり、（図６
）は上記半田バンプ電極の電極構造の概略説明図であり
、（図７）は上記半導体装置の実装構造の概略説明図で
ある。
半導体装置の電極形成方法の概略説明図であり、（図６
）は上記半田バンプ電極の電極構造の概略説明図であり
、（図７）は上記半導体装置の実装構造の概略説明図で
ある。
【０００６】（図５）において、１９は半導体装置のＩ
Ｃ基板であり、２０はアルミ電極パッドである。２１は
密着金属膜であり、２２は拡散防止金属膜である。２３
はパッシベーション膜であり、２４はフォトレジスト膜
である。２５はメッキ後の半田バンプであり、２６はリ
フロー後の半田バンプである。（図７）において、２７
は回路基板であり、２８は端子電極である。
Ｃ基板であり、２０はアルミ電極パッドである。２１は
密着金属膜であり、２２は拡散防止金属膜である。２３
はパッシベーション膜であり、２４はフォトレジスト膜
である。２５はメッキ後の半田バンプであり、２６はリ
フロー後の半田バンプである。（図７）において、２７
は回路基板であり、２８は端子電極である。
【０００７】以上のように構成された従来の半田バンプ
電極を有する半導体装置の電極形成方法と実装方法につ
いて、以下その概略を説明する。
電極を有する半導体装置の電極形成方法と実装方法につ
いて、以下その概略を説明する。
【０００８】まず、（図５）の（ａ）に示すように半導
体装置のＩＣ基板１９のアルミ電極パッド２０上にＣｕ
などの密着金属膜２１およびＣｒなどの拡散防止金属膜
２２を蒸着により形成する。その後、（図５）の（ｂ）
に示すように電極部以外をフォトレジスト２４で覆い、
メッキ法により半田を拡散防止金属膜２２上に析出させ
て（図５）の（ｃ）に示すキノコ状の半田バンプ２５を
得る。最後に、半田リフローを行うことにより、（図５
）の（ｄ）に示すように半田バンプ２６を形成して（図
６）の電極構造の半田バンプ電極を得る。
体装置のＩＣ基板１９のアルミ電極パッド２０上にＣｕ
などの密着金属膜２１およびＣｒなどの拡散防止金属膜
２２を蒸着により形成する。その後、（図５）の（ｂ）
に示すように電極部以外をフォトレジスト２４で覆い、
メッキ法により半田を拡散防止金属膜２２上に析出させ
て（図５）の（ｃ）に示すキノコ状の半田バンプ２５を
得る。最後に、半田リフローを行うことにより、（図５
）の（ｄ）に示すように半田バンプ２６を形成して（図
６）の電極構造の半田バンプ電極を得る。
【０００９】さらに、以上のようにして得た半田バンプ
電極を有する半導体装置を、回路基板２７の所定の位置
に位置合わせを行ってフェースダウンで積載した後、２
００〜３００℃の高温に加熱して半田バンプ２６を溶融
し、端子電極２８に融着することで（図７）の実装構造
で半導体装置の実装を行うものである。
電極を有する半導体装置を、回路基板２７の所定の位置
に位置合わせを行ってフェースダウンで積載した後、２
００〜３００℃の高温に加熱して半田バンプ２６を溶融
し、端子電極２８に融着することで（図７）の実装構造
で半導体装置の実装を行うものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな半導体装置の電極形成方法や実装方法においては、
１．メッキ法により半田バンプを形成するために、メッ
キ液からの半導体装置の汚染を洗浄により防ぐ必要があ
り、電極形成方法が複雑となり汎用性に欠ける。 ２．高温に加熱して半田を溶融して端子電極と接続する
際に、ＩＣ基板と回路基板とのギャップを維持すること
が出来ないため、半田が広がって隣接とショートする危
険がある。などといった課題を有していた。
うな半導体装置の電極形成方法や実装方法においては、
１．メッキ法により半田バンプを形成するために、メッ
キ液からの半導体装置の汚染を洗浄により防ぐ必要があ
り、電極形成方法が複雑となり汎用性に欠ける。 ２．高温に加熱して半田を溶融して端子電極と接続する
際に、ＩＣ基板と回路基板とのギャップを維持すること
が出来ないため、半田が広がって隣接とショートする危
険がある。などといった課題を有していた。
【００１１】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、半導体装置と回路基
板とを容易に信頼性良く、かつ、微細ピッチで接続する
ことを可能とする半導体装置の電極形成方法と実装方法
を提供することにある。
であり、その目的とするところは、半導体装置と回路基
板とを容易に信頼性良く、かつ、微細ピッチで接続する
ことを可能とする半導体装置の電極形成方法と実装方法
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するため、フェースダウンで回路基板に実装する半導
体装置において、半導体装置のアルミ電極パッド部上に
突起状のバンプ電極を備え、加熱装置を具備した吸着装
置で半導体装置の裏面を吸着した後、半導体装置の表面
のバンプ電極を低融点合金箔に接触させ、加熱装置によ
り半導体装置を加熱してバンプ電極と合金箔の接触部分
の低融点合金をバンプ電極上に転写した後、回路基板の
端子電極に位置合わせして積載して、再び加熱装置によ
り半導体装置を加熱してバンプ電極上の低融点合金と端
子電極を接合して半導体装置の実装を行うことを特徴と
して、信頼性の高い半導体装置の回路基板への実装を実
現しようとするものである。
決するため、フェースダウンで回路基板に実装する半導
体装置において、半導体装置のアルミ電極パッド部上に
突起状のバンプ電極を備え、加熱装置を具備した吸着装
置で半導体装置の裏面を吸着した後、半導体装置の表面
のバンプ電極を低融点合金箔に接触させ、加熱装置によ
り半導体装置を加熱してバンプ電極と合金箔の接触部分
の低融点合金をバンプ電極上に転写した後、回路基板の
端子電極に位置合わせして積載して、再び加熱装置によ
り半導体装置を加熱してバンプ電極上の低融点合金と端
子電極を接合して半導体装置の実装を行うことを特徴と
して、信頼性の高い半導体装置の回路基板への実装を実
現しようとするものである。
【００１３】
【作用】本発明は、半導体装置のアルミ電極パッド部上
に形成した突起形状のバンプ電極上に低融点合金箔を溶
融させて低融点合金の接合層を形成することにより、半
導体装置を汚染することなく電極形成でき、半導体装置
を回路基板の端子電極に接合する際に接合層が隣接とシ
ョートすることなく微細ピッチでの接合が可能となり、
かつ、信頼性の高い半導体装置の実装構造が実現できる
。
に形成した突起形状のバンプ電極上に低融点合金箔を溶
融させて低融点合金の接合層を形成することにより、半
導体装置を汚染することなく電極形成でき、半導体装置
を回路基板の端子電極に接合する際に接合層が隣接とシ
ョートすることなく微細ピッチでの接合が可能となり、
かつ、信頼性の高い半導体装置の実装構造が実現できる
。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例の半導体装置の電極
形成方法と実装方法について、図面を参照しながら説明
する。
形成方法と実装方法について、図面を参照しながら説明
する。
【００１５】（図１）は、本発明の一実施例における半
導体装置の電極形成方法の概略説明図であり、（図２）
は、上記実施例の電極形成方法による半導体装置の電極
構造の概略説明図であり、（図３）は、本発明の一実施
例における半導体装置の実装方法の概略説明図であり、
（図４）は上記実施例により実装された半導体装置の実
装構造の概略説明図である。
導体装置の電極形成方法の概略説明図であり、（図２）
は、上記実施例の電極形成方法による半導体装置の電極
構造の概略説明図であり、（図３）は、本発明の一実施
例における半導体装置の実装方法の概略説明図であり、
（図４）は上記実施例により実装された半導体装置の実
装構造の概略説明図である。
【００１６】（図１）において、１は半導体装置のＩＣ
基板であり、２はアルミ電極パッドである。３は突起状
のバンプ電極であり、４はパッシベーション膜である。 ５は低融点合金箔であり、６は吸着装置である。７は加
熱装置であり、８は低融点合金の接合層である。（図３
）において、９は本実施例の電極が形成された半導体装
置である。１０は吸着装置であり、１１は加熱装置であ
る。１２はロール状の低融点合金箔の供給リールであり
、１３は巻き取りリールである。１４は水平に張られた
低融点合金箔であり、１５は転写ステージである。１６
は半導体装置と回路基板の位置合わせ用のステージであ
る。１７は回路基板であり、１８は端子電極である。
基板であり、２はアルミ電極パッドである。３は突起状
のバンプ電極であり、４はパッシベーション膜である。 ５は低融点合金箔であり、６は吸着装置である。７は加
熱装置であり、８は低融点合金の接合層である。（図３
）において、９は本実施例の電極が形成された半導体装
置である。１０は吸着装置であり、１１は加熱装置であ
る。１２はロール状の低融点合金箔の供給リールであり
、１３は巻き取りリールである。１４は水平に張られた
低融点合金箔であり、１５は転写ステージである。１６
は半導体装置と回路基板の位置合わせ用のステージであ
る。１７は回路基板であり、１８は端子電極である。
【００１７】以上のように構成された半導体装置の電極
形成方法と実装方法について、以下図面を用いて説明す
る。
形成方法と実装方法について、以下図面を用いて説明す
る。
【００１８】まず、（図１）の（ａ）に示すように公知
の方法により半導体装置のＩＣ基板１のアルミ電極パッ
ド２上に突起状のバンプ電極３を形成する。
の方法により半導体装置のＩＣ基板１のアルミ電極パッ
ド２上に突起状のバンプ電極３を形成する。
【００１９】次に、（図１）の（ｂ）に示すように突起
状のバンプ電極３の頂上部を半田からなる低融点合金箔
５に接触させた後、（図１）の（ｃ）に示すように半導
体装置のＩＣ基板１を加熱装置７により２００〜３００
℃に加熱してバンプ電極３と低融点合金箔５の接触部分
の低融点合金を溶融させて、バンプ電極３上に低融点合
金の接合層８を転写する。
状のバンプ電極３の頂上部を半田からなる低融点合金箔
５に接触させた後、（図１）の（ｃ）に示すように半導
体装置のＩＣ基板１を加熱装置７により２００〜３００
℃に加熱してバンプ電極３と低融点合金箔５の接触部分
の低融点合金を溶融させて、バンプ電極３上に低融点合
金の接合層８を転写する。
【００２０】上記の方法により、（図２）に示すような
半導体装置のアルミ電極パッド２上に突起状のバンプ電
極３と低融点合金の接合層８からなる電極構造が容易に
形成できる。
半導体装置のアルミ電極パッド２上に突起状のバンプ電
極３と低融点合金の接合層８からなる電極構造が容易に
形成できる。
【００２１】また、本実施例の半導体装置の実装方法は
、（図３）の（ａ）に示すようにパルスヒータなどの加
熱装置１１を具備した吸着装置１０で半導体装置９の裏
面を吸着した後、（図３）の（ｂ）に示すようにロール
状の低融点合金箔の供給リール１２から供給されて転写
ステージ１５上で水平に張られた半田からなる低融点合
金箔１４に半導体装置９の表面に形成した突起状のバン
プ電極を接触させる。
、（図３）の（ａ）に示すようにパルスヒータなどの加
熱装置１１を具備した吸着装置１０で半導体装置９の裏
面を吸着した後、（図３）の（ｂ）に示すようにロール
状の低融点合金箔の供給リール１２から供給されて転写
ステージ１５上で水平に張られた半田からなる低融点合
金箔１４に半導体装置９の表面に形成した突起状のバン
プ電極を接触させる。
【００２２】この状態で加熱装置１１により半導体装置
９を２００〜３００℃に加熱して低融点合金をバンプ電
極上に転写する。
９を２００〜３００℃に加熱して低融点合金をバンプ電
極上に転写する。
【００２３】この後、転写済みの低融点合金箔は巻き取
りリール１３によって巻き取られる。
りリール１３によって巻き取られる。
【００２４】さらに、以上のようにして低融点合金の接
合層を転写した半導体装置９を、（図３）の（ｃ）に示
すように回路基板１７の所定の位置に位置合わせ用のス
テージ１６により位置合わせを行ってフェースダウンで
積載した後、再度吸着治具１０の加熱装置１１によって
２００〜３００℃に加熱して低融点合金の接合層を溶融
し、端子電極１８に接合することによって半導体装置の
実装を行う。
合層を転写した半導体装置９を、（図３）の（ｃ）に示
すように回路基板１７の所定の位置に位置合わせ用のス
テージ１６により位置合わせを行ってフェースダウンで
積載した後、再度吸着治具１０の加熱装置１１によって
２００〜３００℃に加熱して低融点合金の接合層を溶融
し、端子電極１８に接合することによって半導体装置の
実装を行う。
【００２５】上記の方法により、（図４）に示すように
低融点合金の接合層を端子電極１８と接合する際に、Ｉ
Ｃ基板１と回路基板１７とのギャップを突起状のバンプ
電極３により維持することができ、かつ、頂上部にのみ
低融点合金の接合層８を形成しているため、接合層の広
がりを規制することが可能となって隣接とショートする
危険がなく、微細ピッチでの接続が可能な半導体装置の
実装構造が得られる。
低融点合金の接合層を端子電極１８と接合する際に、Ｉ
Ｃ基板１と回路基板１７とのギャップを突起状のバンプ
電極３により維持することができ、かつ、頂上部にのみ
低融点合金の接合層８を形成しているため、接合層の広
がりを規制することが可能となって隣接とショートする
危険がなく、微細ピッチでの接続が可能な半導体装置の
実装構造が得られる。
【００２６】本発明の半導体装置の実装構造は、上記し
た方法により、従来の半田バンプ電極による実装構造で
は不可能であった半田の広がりの規制が突起状のバンプ
電極により可能となり、極めて安定で信頼性良く、かつ
、高密度に半導体装置を実装できる。
た方法により、従来の半田バンプ電極による実装構造で
は不可能であった半田の広がりの規制が突起状のバンプ
電極により可能となり、極めて安定で信頼性良く、かつ
、高密度に半導体装置を実装できる。
【００２７】なお、本実施例においてバンプ電極の形状
を２段突起形状とすればその効果がより顕著に発揮でき
る。
を２段突起形状とすればその効果がより顕著に発揮でき
る。
【００２８】また、本実施例においては突起状のバンプ
電極をメッキ法を用いて形成するとしたが、その形状が
突起状であればワイヤボンディングなど他の方法で形成
しても良い。
電極をメッキ法を用いて形成するとしたが、その形状が
突起状であればワイヤボンディングなど他の方法で形成
しても良い。
【００２９】さらに、半導体装置をパルスヒータにより
必要時のみ加熱するとしたが、通常のヒータにより常時
加熱しても良い。
必要時のみ加熱するとしたが、通常のヒータにより常時
加熱しても良い。
【００３０】また、低融点合金箔を半田からなるとした
が、その材質は半田に限られる物でなく、低融点合金か
らなるものであれば他の金属から形成しても良い。
が、その材質は半田に限られる物でなく、低融点合金か
らなるものであれば他の金属から形成しても良い。
【００３１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の半導体
装置の電極形成方法と実装方法によれば、半導体装置の
アルミ電極パッド部上に形成した突起状のバンプ電極上
に低融点合金箔を溶融させて低融点合金の接合層を形成
することにより、メッキ液などにより半導体装置を汚染
することなく半導体装置にバンプ電極と接合層からなる
電極を形成することができるため、極めて汎用性が高い
。
装置の電極形成方法と実装方法によれば、半導体装置の
アルミ電極パッド部上に形成した突起状のバンプ電極上
に低融点合金箔を溶融させて低融点合金の接合層を形成
することにより、メッキ液などにより半導体装置を汚染
することなく半導体装置にバンプ電極と接合層からなる
電極を形成することができるため、極めて汎用性が高い
。
【００３２】さらに、突起状のバンプ電極の頂上部にの
み低融点合金の接合層を形成した電極構造を有すること
により、半導体装置を回路基板の端子電極に接合する際
に接合層の広がりの規制が可能となり、接合層が隣接と
ショートすることなく微細ピッチでの接合が可能となり
、極めて安定で信頼性良く、かつ、高密度に半導体装置
を実装できる。
み低融点合金の接合層を形成した電極構造を有すること
により、半導体装置を回路基板の端子電極に接合する際
に接合層の広がりの規制が可能となり、接合層が隣接と
ショートすることなく微細ピッチでの接合が可能となり
、極めて安定で信頼性良く、かつ、高密度に半導体装置
を実装できる。
【図１】本発明の一実施例における半導体装置の電極形
成方法の概略説明図である。
成方法の概略説明図である。
【図２】本発明の電極形成方法による半導体装置の電極
構造の概略説明図である。
構造の概略説明図である。
【図３】本発明の一実施例における半導体装置の実装方
法の概略説明図である。
法の概略説明図である。
【図４】本発明の実施例により実装された半導体装置の
実装構造の実装構造の概略説明図である。
実装構造の実装構造の概略説明図である。
【図５】従来の半田バンプ電極を有する半導体装置の電
極形成方法の概略説明図である。
極形成方法の概略説明図である。
【図６】従来の半田バンプ電極の電極構造の概略説明図
である。
である。
【図７】従来の半田バンプ電極により実装された半導体
装置の実装構造の概略説明図である。
装置の実装構造の概略説明図である。
１ 半導体装置のＩＣ基板
２ アルミ電極パッド
３ 突起状のバンプ電極
４ パッシベーション膜
５ 低融点合金箔
６ 吸着装置
７ 加熱装置
８ 低融点合金の接合層
９ 半導体装置
１０ 吸着装置
１１ 加熱装置
１２ 供給リール
１３ 巻き取りリール
１４ 低融点合金箔
１５ 転写ステージ
１６ 位置合わせ用のステージ
１７ 回路基板
１８ 端子電極
１９ ＩＣ基板
２０ アルミ電極パッド
２１ 密着金属膜
２２ 拡散防止金属膜
２３ パッシベーション膜
２４ フォトレジスト膜
２５ メッキ後の半田バンプ
２６ リフロー後の半田バンプ
２７ 回路基板
２８ 端子電極
Claims (9)
- 【請求項１】 フェースダウンで回路基板に実装する
半導体装置の電極形成方法において、半導体装置のアル
ミ電極パッド部上に突起状のバンプ電極を備え、上記バ
ンプ電極を低融点合金箔に接触させた後、半導体装置を
加熱してバンプ電極と合金箔の接触部分を溶融させて低
融点合金をバンプ電極上に転写して接合層を形成するこ
とを特徴とする半導体装置の電極形成方法。 - 【請求項２】 突起状のバンプ電極が２段突起形状で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の電極
形成方法。 - 【請求項３】 突起状のバンプ電極の材質がＡｕから
なることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の電極
形成方法。 - 【請求項４】 低融点合金箔の材質が半田からなるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の電極形成方
法。 - 【請求項５】 低融点合金箔が２０〜１００μｍの厚
みの箔からなることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の電極形成方法。 - 【請求項６】 半導体装置をパルスヒータにより加熱
して低融点合金を転写することを特徴とする請求項１記
載の半導体装置の電極形成方法。 - 【請求項７】 フェースダウンで回路基板に実装する
半導体装置の実装方法において、加熱装置を具備した吸
着装置で半導体装置の裏面を吸着した後、半導体装置の
表面に形成したバンプ電極を低融点合金箔に接触させ、
加熱装置により半導体装置を加熱して低融点合金をバン
プ電極上に転写した後、回路基板の端子電極に位置合わ
せして積載して、再び加熱装置により半導体装置を加熱
してバンプ電極上の低融点合金と端子電極を接合して半
導体装置の実装を行うことを特徴とする半導体装置の実
装方法。 - 【請求項８】 低融点合金箔がロール状であり、供給
部と巻き取り部により連続的に低融点合金箔を供給する
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の実装方法
。 - 【請求項９】 低融点合金が半田からなることを特徴
とする請求項７記載の半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145868A JP2953111B2 (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 半導体装置の電極形成方法と実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145868A JP2953111B2 (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 半導体装置の電極形成方法と実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369227A true JPH04369227A (ja) | 1992-12-22 |
| JP2953111B2 JP2953111B2 (ja) | 1999-09-27 |
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ID=15394916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3145868A Expired - Fee Related JP2953111B2 (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 半導体装置の電極形成方法と実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2953111B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-18 JP JP3145868A patent/JP2953111B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2953111B2 (ja) | 1999-09-27 |
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