JPH0437028A - シリコン製ウエハ支持ボート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はシリコン製ウェハ支持ボートに関し、少なくと
も半導体ウェハを支持する保持ロッドの溝部分を少なく
とも化学液により処理したシリコン製ウェハ支持ボート
に関わる。

［従来の技術と課題］ 周知の如く、半導体デバイスの高集積化、高性能化か進
むにつれて高温熱処理に使用可能で、かつ高純度である
ウェハ支持ボートの要求が高まっている。これに伴い、
特に炉内温度の均熱性に優れ、高集積・高性能デバイス
の製造に適している縦型炉が使用されている。

従来、ウェハ支持ボート（組立式支持具）としては、特
開昭８０−１０７８４３号公報が知られている。

このボートは、２個の端板、複数の保持ロッド及び案内
ロッドからなるもので、各部材の材質として石英やシリ
コンを用いた構成となっている。

しかしながら、従来のウェハ支持ボートによれば、保持
ロッドの保持溝、案内ロッドの案内溝は棒状のシリコン
結晶部材を切断、研削等の加工を施すことにより製造さ
れているため、保持溝及び案内溝に破砕層が残存する。

従って、半導体ウェハをこれらの溝に移動する際、ウェ
ハか前記破砕層とこすれてダストが発生したり、ウェハ
に損傷を与えて、ウェハの転位欠陥発生の原因となる。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、少なくとも
保持溝部分をエツチング液により処理することにより、
溝部分の破砕層を除去して、ダストの発生やウェハの損
傷を抑制し、もってウェハの転位欠陥発生を著しく減少
できるウェハ支持ボ−トを提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、半導体ウェハを保持する、複数の保持溝を有
する保持ロッドと、これを固定するための少なくとも２
つの固定板とを具備し、少なくとも前記保持溝の露出面
がエツチング処理されていることを特徴とするシリコン
製ウニ／Ｘ支持ボートである。

本発明において、上記ウェハ支持ボートの表面光沢度は
エツチング処理により１以上の値となり、本発明の効果
を奏する。より好ましくは、光沢度が１０以上であると
よい。

また、ウェハ支持ボートの材質としては、多結晶シリコ
ン及び単結晶シリコン等が挙げられる。

本発明は、いずれにも適応可能とするものであるが、好
ましくは単結晶シリコンである。更に好ましくは、含有
酸素濃度が２　Ｘ　１０”〜２　Ｘ　Ｉ　Ｑ　ｌ　８ａ
ｔｏｍｓ　／　ｃｌ３である単結晶シリコンである。そ
の理由は、濃度が２　Ｘ　１０１０１６ａｔｏ　／　ｃ
ｌを越えるとウェハ支持ボートに結晶欠陥、スリップが
入り易く・逆に２　Ｘ　ｉｏ”ａｔｏｍｓ　／ＣＭ３未
満の場合本発明効果が得られないからであり、この効果
と本発明の効果の相乗効果によりより耐用寿命の長いウ
ェハ支持ボートが得られるからである。。

本発明において、エツチング液としては、例えばＮａＯ
Ｈ＋Ｈ２０液、ＮＨ３＋Ｈ２０液、ＨＦ十ＨＮＯＢ液等
が挙げられる。

本発明において、エツチング液によるエツチング速度は
、ウェハの結晶方位、伝導形、ドーピングされている不
純物元素、格子欠陥、及び結晶の表面構造によって左右
され、適宜選択して定める。

［作用］ 本発明によれば、少なくとも保持ロッドの保持溝部分か
エツチング液により処理されているため、従来のように
溝部分に破砕層が残存する事なく、実質上その表面にお
いて１以上の光沢度となり、ダストの発生やウニ／％の
損傷を抑制し、もってウェハの転位欠陥発生を著しく減
少できる。

［実施例］ 以下、本発明の一実施例に係る縦型ボートを第１図〜第
３図を参照して説明する。ここで、第１図は縦型ボート
の全体図、第２図は第１図の略平面図、第３図は第１図
のボートに用いられる保持ロッドの説明図である。

図中のｌａ、１ｂは、互いに平行に配置された円形の固
定板である。これらの固定板には、夫々例えば４本の保
持ロッド２の両端部を装着するための開口部３が平板の
外周部に沿って設けられている。前記保持ロッド２は例
えばＣＺ法により形成された単結晶シリコンからなる。

前記保持ロッド２の両端には、該ロッドをコ字型の止め
ピン４を用いて前記固定板に固定するための環状の溝５
が設けられている。前記保持ロッド２の長手方向には、
夫々等間隔で半導体ウェハ６の周縁部を係止する保持溝
７が設けられている。

ここで、前記保持溝７の露出面は、例えばＨＦ＋ＨＮＯ
，液によりエツチング処理され、これにより溝付近の破
砕層は除去されている。

上記実施例に係る縦型ボートは、固定板１ａ、　１．ｂ
と、これらの固定板に両端が固定される単結晶シリコン
からなる保持ロッド２とを有し、かつ保持ロッド２の保
持溝７の露出面がＨＦ　＋　ＨＮ　Ｏ３液によりエツチ
ング処理された構成となっているため、従来のように溝
部分に破砕層が残存する事なく、ダストの発生やウェハ
のｊＭ　！１７４を抑制し、もってウェハの転位欠陥発
生を著しく減少できる。なお、スガ試験機■製ＵＧＶ−
５Ｄ光沢度測定器を用い、測定角度２０度によって測定
したところ、光沢度は１５てあった。

事実、エツチング処理しない同上測定法による光沢度が
０．５であった従来の縦型ボート及び本発明に係る縦型
ボートに、半導体ウニノ１を搬送し、熱処理後のウェハ
のダスト、転位欠陥について調べたところ、下記第１表
に示す結果が得られた。

但し７、熱処理条件は、９００℃に保持した炉内に（エ
レベータ速度２００■／分て）ボートを入れ、炉内で１
０℃／分で１２０（１℃まで昇温し、この温度で１時間
、１００枚のウニノーをドライ酸化し、更に炉内を５℃
／分で９００℃まで降温した後、炉内から（エレベータ
速度２００ｍ１７分で）取り出すものとする。

第１表 但し、第１表でダストは０．１６μｍ以上のものの平均
値を、転位欠陥のＰは個数を夫々示す。また、上記転位
欠陥とはボート溝のウェハ接触部に発生したスリップを
示す。

なお、上記実施例においては、保持ロッドの保持溝の露
出面がエツチング処理されている場合について述べたが
、保持ロッドの固定板との嵌合部の加工精度を重視しな
い場合は保持ロッド全体をエツチングしてもよい。

［発明の効果］ 以上詳述した如く本発明によれば、少なくとも保持ロッ
ドの保持溝部分かエツチング液により処理することによ
り、溝部分の破砕層を除去して、ダストの発生やウェハ
の損傷を抑制し、更に加工の際表面に付着した金属汚染
を除去でき、もってウェハの転位欠陥発生を著しく減少
できる信頼性の高いウェハ支持ボートを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る縦型ボートの全体図、
第２図は第１図の略平面図、第３図は第１図のボートに
用いられる保持ロッドの説明図である。 ｌａ、ｌｂ・・・固定板、２・・・保持ロッド、３・・
・開口部、４・・・止めピン、５・・・保持溝。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体ウェハを保持する、複数の保持溝を有する保持
   ロッドと、これを固定するための少なくとも２つの固定
   板とを具備し、少なくとも前記保持溝の露出面がエッチ
   ング処理されていることを特徴とするシリコン製ウェハ
   支持ボート。