JPH04370727A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH04370727A JPH04370727A JP17431691A JP17431691A JPH04370727A JP H04370727 A JPH04370727 A JP H04370727A JP 17431691 A JP17431691 A JP 17431691A JP 17431691 A JP17431691 A JP 17431691A JP H04370727 A JPH04370727 A JP H04370727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- metal base
- sensitive chip
- diaphragm
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車のガソリンタン
ク内のガソリン蒸気圧力、油圧機械の油圧力、各種の水
圧等の測定に用いられる半導体圧力センサの製造方法に
関する。
ク内のガソリン蒸気圧力、油圧機械の油圧力、各種の水
圧等の測定に用いられる半導体圧力センサの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体圧力センサは、圧力に応
じて変形するダイヤフラム部を形成した感圧チップの表
面にＩＣ（集積回路）の製造と同様の方法でピエゾ抵抗
ゲージを形成したものを用い、この感圧チップに例えば
測定媒体による圧力を印加して、圧力測定を行う。
じて変形するダイヤフラム部を形成した感圧チップの表
面にＩＣ（集積回路）の製造と同様の方法でピエゾ抵抗
ゲージを形成したものを用い、この感圧チップに例えば
測定媒体による圧力を印加して、圧力測定を行う。
【０００３】この半導体圧力センサの前記感圧チップの
ピエゾ抵抗ゲージ部分は、汚染に弱く、汚損により性能
が劣化する可能性がある。このため、汚染された液体、
それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性がある液
体等のように、前記感圧チップのピエゾ抵抗ゲージを汚
染し易い媒体の圧力を測定するための半導体圧力センサ
として、従来は、次のようなものが用いられていた。
ピエゾ抵抗ゲージ部分は、汚染に弱く、汚損により性能
が劣化する可能性がある。このため、汚染された液体、
それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性がある液
体等のように、前記感圧チップのピエゾ抵抗ゲージを汚
染し易い媒体の圧力を測定するための半導体圧力センサ
として、従来は、次のようなものが用いられていた。
【０００４】図３に示すものは、ゲージ圧型の正圧型と
称されるタイプの半導体圧力センサであり、金属ベース
１１上に台座１２を介して感圧チップ１３が設けられ、
この感圧チップ１３にリードワイヤ１４を介して外部接
続端子となるリードピン１５が接続されている。感圧チ
ップ１３は、先に述べたように圧力に応じて変形する第
１のダイヤフラム部を形成しており、その表面にピエゾ
抵抗ゲージが形成されている。金属ベース１１および台
座１２には、大気に連通して大気解放路を形成する貫通
孔が形成されている。
称されるタイプの半導体圧力センサであり、金属ベース
１１上に台座１２を介して感圧チップ１３が設けられ、
この感圧チップ１３にリードワイヤ１４を介して外部接
続端子となるリードピン１５が接続されている。感圧チ
ップ１３は、先に述べたように圧力に応じて変形する第
１のダイヤフラム部を形成しており、その表面にピエゾ
抵抗ゲージが形成されている。金属ベース１１および台
座１２には、大気に連通して大気解放路を形成する貫通
孔が形成されている。
【０００５】金属ベース１１の上面側には、台座１２、
感圧チップ１３、およびリードワイヤ１４を収容する凹
部が形成され、この凹部を覆って、台座１２、感圧チッ
プ１３、およびリードワイヤ１４を封入し且つ測定圧力
を直接受ける第２のダイヤフラム部である金属製の受圧
ダイヤフラム１６が設けられる。この受圧ダイヤフラム
１６と金属ベース１１、台座１２および感圧チップ１３
で形成される室内には、受圧ダイヤフラム１６で受けた
圧力を感圧チップ１３へ伝達する圧力媒体、例えば高純
度の油１７が充填される。
感圧チップ１３、およびリードワイヤ１４を収容する凹
部が形成され、この凹部を覆って、台座１２、感圧チッ
プ１３、およびリードワイヤ１４を封入し且つ測定圧力
を直接受ける第２のダイヤフラム部である金属製の受圧
ダイヤフラム１６が設けられる。この受圧ダイヤフラム
１６と金属ベース１１、台座１２および感圧チップ１３
で形成される室内には、受圧ダイヤフラム１６で受けた
圧力を感圧チップ１３へ伝達する圧力媒体、例えば高純
度の油１７が充填される。
【０００６】金属ベース１１は、切削加工あるいはロス
トワックス法により所要の形状に成型され、受圧ダイヤ
フラム１６は、金属ベース１１に溶接され前記凹部の内
部に油１７が封入される。この半導体圧力センサの構造
は、シールダイヤフラム構造と称され、２重のダイヤフ
ラム構造により感圧チップ１３には、間接的に圧力が加
わり、感圧チップ１３が測定媒体に直接接することがな
い。
トワックス法により所要の形状に成型され、受圧ダイヤ
フラム１６は、金属ベース１１に溶接され前記凹部の内
部に油１７が封入される。この半導体圧力センサの構造
は、シールダイヤフラム構造と称され、２重のダイヤフ
ラム構造により感圧チップ１３には、間接的に圧力が加
わり、感圧チップ１３が測定媒体に直接接することがな
い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３の
ようなシールダイヤフラム構造の半導体圧力センサは、
その構造自体が持つ欠点として、２重のダイヤフラムを
有する構造であり且つ油を充填するために部品点数が増
え、製造コストが高くなり、全体として大型化しがちで
ある。特に、この構造は、金属ベースがハウジングを兼
ねており、形状が複雑であるために、金属ベースの加工
コストが高価になるという問題があった。
ようなシールダイヤフラム構造の半導体圧力センサは、
その構造自体が持つ欠点として、２重のダイヤフラムを
有する構造であり且つ油を充填するために部品点数が増
え、製造コストが高くなり、全体として大型化しがちで
ある。特に、この構造は、金属ベースがハウジングを兼
ねており、形状が複雑であるために、金属ベースの加工
コストが高価になるという問題があった。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、汚染された液体、それ自体がピエゾ抵抗ゲー
ジを汚染する可能性がある液体等を圧力媒体とする圧力
の測定に用いて、高い信頼性が得られ、小型で且つ安価
に製造することが可能な半導体圧力センサの製造方法を
提供することを目的としている。
たもので、汚染された液体、それ自体がピエゾ抵抗ゲー
ジを汚染する可能性がある液体等を圧力媒体とする圧力
の測定に用いて、高い信頼性が得られ、小型で且つ安価
に製造することが可能な半導体圧力センサの製造方法を
提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体圧力
センサの製造方法は、金属ベースに設けられた凹部に、
歪みゲージを備えた感圧チップを収容し、前記感圧チッ
プに接続された接続導体を、前記金属ベースの挿通孔に
挿通して外部に導出し、且つ前記金属ベースの前記凹部
の開口を受圧ダイヤフラムで閉塞するとともに、前記受
圧ダイヤフラムと前記金属ベースの凹部とで形成される
室内に、受圧ダイヤフラムで受けた圧力を感圧チップへ
伝達する圧力媒体液を充填した半導体圧力センサの製造
方法において、前記金属ベースを、樹脂バインダが混合
された金属の粉末を射出成型して、さらに焼結して成型
する金属射出成型法を用いることを特徴としている。
センサの製造方法は、金属ベースに設けられた凹部に、
歪みゲージを備えた感圧チップを収容し、前記感圧チッ
プに接続された接続導体を、前記金属ベースの挿通孔に
挿通して外部に導出し、且つ前記金属ベースの前記凹部
の開口を受圧ダイヤフラムで閉塞するとともに、前記受
圧ダイヤフラムと前記金属ベースの凹部とで形成される
室内に、受圧ダイヤフラムで受けた圧力を感圧チップへ
伝達する圧力媒体液を充填した半導体圧力センサの製造
方法において、前記金属ベースを、樹脂バインダが混合
された金属の粉末を射出成型して、さらに焼結して成型
する金属射出成型法を用いることを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明の半導体圧力センサの製造方法において
は、ハウジングを兼ねた金属製のベースを、金属射出成
型法により、樹脂バインダが混合された金属の粉末を加
熱し射出成型して、さらに焼結して成型することにより
、シールダイヤフラム式半導体圧力センサを製造するの
で、汚染された液体、それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚
染する可能性がある液体等を圧力媒体とする圧力の測定
に用いて、高い信頼性が得られる半導体圧力センサを、
小型で且つ安価に製造することができる。
は、ハウジングを兼ねた金属製のベースを、金属射出成
型法により、樹脂バインダが混合された金属の粉末を加
熱し射出成型して、さらに焼結して成型することにより
、シールダイヤフラム式半導体圧力センサを製造するの
で、汚染された液体、それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚
染する可能性がある液体等を圧力媒体とする圧力の測定
に用いて、高い信頼性が得られる半導体圧力センサを、
小型で且つ安価に製造することができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。図１は、本発明の第１の実施例に係るシールダ
イヤフラム式半導体圧力センサの構造を示している。
明する。図１は、本発明の第１の実施例に係るシールダ
イヤフラム式半導体圧力センサの構造を示している。
【００１２】図１に示す半導体圧力センサは、金属ベー
ス２１、台座２２、感圧チップ２３、リードワイヤ２４
、リードピン２５、受圧ダイヤフラム２６、および油２
７を有しており、これらは、金属ベース２１を除いて、
図３に示した台座１２、感圧チップ１３、リードワイヤ
１４、リードピン１５、受圧ダイヤフラム１６、および
油１７と基本的に同様である。
ス２１、台座２２、感圧チップ２３、リードワイヤ２４
、リードピン２５、受圧ダイヤフラム２６、および油２
７を有しており、これらは、金属ベース２１を除いて、
図３に示した台座１２、感圧チップ１３、リードワイヤ
１４、リードピン１５、受圧ダイヤフラム１６、および
油１７と基本的に同様である。
【００１３】すなわち、金属ベース２１上に台座２２を
介して感圧チップ２３が設けられ、この感圧チップ２３
にリードワイヤ２４を介してリードピン２５が接続され
ている。リードピン２５は、金属ベース２１に形成され
た挿通孔に挿通され、このリードピン２５が挿通された
挿通孔部分は例えばガラスを用いたハーメチックシール
２８によりシールされている。感圧チップ２３は、先に
述べたように圧力に応じて変形する第１のダイヤフラム
部を形成しており、その表面にピエゾ抵抗ゲージが形成
されている。金属ベース２１および台座２２には、大気
に連通して大気解放路を形成する貫通孔が形成されてい
る。
介して感圧チップ２３が設けられ、この感圧チップ２３
にリードワイヤ２４を介してリードピン２５が接続され
ている。リードピン２５は、金属ベース２１に形成され
た挿通孔に挿通され、このリードピン２５が挿通された
挿通孔部分は例えばガラスを用いたハーメチックシール
２８によりシールされている。感圧チップ２３は、先に
述べたように圧力に応じて変形する第１のダイヤフラム
部を形成しており、その表面にピエゾ抵抗ゲージが形成
されている。金属ベース２１および台座２２には、大気
に連通して大気解放路を形成する貫通孔が形成されてい
る。
【００１４】金属ベース２１の上面側には、台座２２、
感圧チップ２３、およびリードワイヤ２４を収容する凹
部が形成され、この凹部を覆って、台座２２、感圧チッ
プ２３、およびリードワイヤ２４を封入し且つ測定圧力
を直接受ける第２のダイヤフラム部である金属製の受圧
ダイヤフラム２６が設けられる。この受圧ダイヤフラム
２６と金属ベース２１、台座２２および感圧チップ２３
で形成される室内には、受圧ダイヤフラム２６で受けた
圧力を感圧チップ２３へ伝達する圧力媒体、例えば高純
度の油２７が充填される。
感圧チップ２３、およびリードワイヤ２４を収容する凹
部が形成され、この凹部を覆って、台座２２、感圧チッ
プ２３、およびリードワイヤ２４を封入し且つ測定圧力
を直接受ける第２のダイヤフラム部である金属製の受圧
ダイヤフラム２６が設けられる。この受圧ダイヤフラム
２６と金属ベース２１、台座２２および感圧チップ２３
で形成される室内には、受圧ダイヤフラム２６で受けた
圧力を感圧チップ２３へ伝達する圧力媒体、例えば高純
度の油２７が充填される。
【００１５】金属ベース２１は、金属射出成型法により
、所要の形状に成型される。金属射出成型法は、成型用
の金型を用い、樹脂バインダが混合された金属の微粉末
を加熱射出成型し、さらに焼結して成型する加工法であ
り、この加工法を用いれば、複雑な３次元形状品を大量
生産することが可能である。このような金属ベース２１
に、受圧ダイヤフラム２６が溶接されるとともに、前記
凹部の内部に油２７が封入される。
、所要の形状に成型される。金属射出成型法は、成型用
の金型を用い、樹脂バインダが混合された金属の微粉末
を加熱射出成型し、さらに焼結して成型する加工法であ
り、この加工法を用いれば、複雑な３次元形状品を大量
生産することが可能である。このような金属ベース２１
に、受圧ダイヤフラム２６が溶接されるとともに、前記
凹部の内部に油２７が封入される。
【００１６】ちなみに、金属ベース２１を金属射出成型
法で作製した場合、金属ベース１１を切削加工で加工し
た場合に比して、加工費用が約７０％削減される。この
ように、加工費用が削減できるので、汚染された液体、
それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性がある液
体等を圧力媒体とする圧力の測定に用いて、高い信頼性
が得られるシールダイヤフラム式半導体圧力センサを、
極めて安価に提供することができる。
法で作製した場合、金属ベース１１を切削加工で加工し
た場合に比して、加工費用が約７０％削減される。この
ように、加工費用が削減できるので、汚染された液体、
それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性がある液
体等を圧力媒体とする圧力の測定に用いて、高い信頼性
が得られるシールダイヤフラム式半導体圧力センサを、
極めて安価に提供することができる。
【００１７】図２は、本発明の第２の実施例に係るシー
ルダイヤフラム式半導体圧力センサの構造を示している
。図２に示す半導体圧力センサは、金属ベース３１、台
座３２、感圧チップ３３、リードワイヤ３４、リードピ
ン３５、受圧ダイヤフラム３６、油３７、およびハーメ
チックシール３８を有している。さらに、金属ベース３
１の基端部には、回路ハウジング部３１ａ（詳細は後述
する）が形成されている。
ルダイヤフラム式半導体圧力センサの構造を示している
。図２に示す半導体圧力センサは、金属ベース３１、台
座３２、感圧チップ３３、リードワイヤ３４、リードピ
ン３５、受圧ダイヤフラム３６、油３７、およびハーメ
チックシール３８を有している。さらに、金属ベース３
１の基端部には、回路ハウジング部３１ａ（詳細は後述
する）が形成されている。
【００１８】台座３２、感圧チップ３３、リードワイヤ
３４、リードピン３５、受圧ダイヤフラム３６、油３７
、ハーメチックシール３８、および金属ベース３１の回
路ハウジング部３１ａ以外の部分は、図１の台座２２、
感圧チップ２３、リードワイヤ２４、リードピン２５、
受圧ダイヤフラム２６、油２７、ハーメチックシール２
８、および金属ベース２１とほぼ同様の構成である。
３４、リードピン３５、受圧ダイヤフラム３６、油３７
、ハーメチックシール３８、および金属ベース３１の回
路ハウジング部３１ａ以外の部分は、図１の台座２２、
感圧チップ２３、リードワイヤ２４、リードピン２５、
受圧ダイヤフラム２６、油２７、ハーメチックシール２
８、および金属ベース２１とほぼ同様の構成である。
【００１９】金属ベース３１の回路ハウジング部３１ａ
は、回路基板３９およびシールド板４０を収容する。こ
の回路ハウジング部３１ａの開口端のカシメ部３１ｂに
は、他の回路装置等に結合するためのカプラ４１がカシ
メ固定され、カプラ４１により回路ハウジング部３１ａ
の開口端を閉塞している。
は、回路基板３９およびシールド板４０を収容する。こ
の回路ハウジング部３１ａの開口端のカシメ部３１ｂに
は、他の回路装置等に結合するためのカプラ４１がカシ
メ固定され、カプラ４１により回路ハウジング部３１ａ
の開口端を閉塞している。
【００２０】回路基板３９は、例えば厚膜ハイブリッド
ＩＣ回路基板であり、この圧力センサ本体部の感圧チッ
プ３３の駆動および調整用の回路を構成している。リー
ドワイヤ３４を介して感圧チップ３３に接続されたリー
ドピン３５は、この回路基板３９に直接結合されている
。
ＩＣ回路基板であり、この圧力センサ本体部の感圧チッ
プ３３の駆動および調整用の回路を構成している。リー
ドワイヤ３４を介して感圧チップ３３に接続されたリー
ドピン３５は、この回路基板３９に直接結合されている
。
【００２１】シールド板４０は、回路基板３９部分を電
磁シールドする。シールド板４０は、はんだＳにより金
属ベース３１の回路ハウジング部３１ａの内面に固定さ
れている。回路基板３９に接続されたリード導体４２は
シールド板４０を貫通し、カプラ４１の導電部材４３に
、はんだＳにより接続されている。リード導体４２のシ
ールド板４０貫通部は絶縁部材４４により絶縁されてい
る。
磁シールドする。シールド板４０は、はんだＳにより金
属ベース３１の回路ハウジング部３１ａの内面に固定さ
れている。回路基板３９に接続されたリード導体４２は
シールド板４０を貫通し、カプラ４１の導電部材４３に
、はんだＳにより接続されている。リード導体４２のシ
ールド板４０貫通部は絶縁部材４４により絶縁されてい
る。
【００２２】このような構成とすれば、圧力センサの駆
動および調整用の付加回路を別途に設ける必要がなく、
半導体圧力センサを用いる装置の構成の小型化および簡
略化することができる。この場合、センサの駆動および
調整用の外部回路を収めるハウジングまでも、上記金属
射出成型法により、圧力センサ本体の金属ベースと一体
に製作している。従来は、このような製品は、図３のよ
うな半導体圧力センサを、別途に作製したハウジングに
、外部回路等と一緒に組み込んでいたが、金属射出成型
法を用いることにより、センサの駆動および調整用の外
部回路を収めるハウジングと、圧力センサ本体の金属ベ
ースとを、一体に成型加工することが可能となった。
動および調整用の付加回路を別途に設ける必要がなく、
半導体圧力センサを用いる装置の構成の小型化および簡
略化することができる。この場合、センサの駆動および
調整用の外部回路を収めるハウジングまでも、上記金属
射出成型法により、圧力センサ本体の金属ベースと一体
に製作している。従来は、このような製品は、図３のよ
うな半導体圧力センサを、別途に作製したハウジングに
、外部回路等と一緒に組み込んでいたが、金属射出成型
法を用いることにより、センサの駆動および調整用の外
部回路を収めるハウジングと、圧力センサ本体の金属ベ
ースとを、一体に成型加工することが可能となった。
【００２３】このように、加工費用を削減することがで
きるので、安価にシールダイヤフラム式半導体圧力セン
サを製造することができる。なお、金属射出成型法を用
いて製造される金属ベースの形状は、上述し且つ図面に
示す実施例に限らず、種々変形して実施することができ
る。
きるので、安価にシールダイヤフラム式半導体圧力セン
サを製造することができる。なお、金属射出成型法を用
いて製造される金属ベースの形状は、上述し且つ図面に
示す実施例に限らず、種々変形して実施することができ
る。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ハ
ウジングを兼ねた金属製のベースを、金属射出成型法に
より、樹脂バインダが混合された金属の粉末を射出成型
し、さらに焼結して成型することにより、汚染された液
体、それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性があ
る液体等を圧力媒体とする圧力の測定に用いて、高い信
頼性が得られ、小型で且つ安価に製造することが可能な
半導体圧力センサの製造方法を提供することができる。
ウジングを兼ねた金属製のベースを、金属射出成型法に
より、樹脂バインダが混合された金属の粉末を射出成型
し、さらに焼結して成型することにより、汚染された液
体、それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性があ
る液体等を圧力媒体とする圧力の測定に用いて、高い信
頼性が得られ、小型で且つ安価に製造することが可能な
半導体圧力センサの製造方法を提供することができる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係るシールダイヤ
フラム式半導体圧力センサの構成を示す断面図である。
フラム式半導体圧力センサの構成を示す断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施例に係るシールダイヤ
フラム式半導体圧力センサの構成を示す断面図である。
フラム式半導体圧力センサの構成を示す断面図である。
【図３】 従来のシールダイヤフラム式半導体圧力セ
ンサの一例の構成を示す断面図である。
ンサの一例の構成を示す断面図である。
２１，３１…ベース、２２，３２…台座、２３，３３…
感圧チップ、２４，３４…リードワイヤ、２５，３５…
リードピン、２６，３６…受圧ダイヤフラム、２７，３
７…油、２８，３８…ハーメチックシール、３９…回路
基板、４０…シールド板、４１…カプラ、４２…リード
導体、４３…導電部材、４４…絶縁部材。
感圧チップ、２４，３４…リードワイヤ、２５，３５…
リードピン、２６，３６…受圧ダイヤフラム、２７，３
７…油、２８，３８…ハーメチックシール、３９…回路
基板、４０…シールド板、４１…カプラ、４２…リード
導体、４３…導電部材、４４…絶縁部材。
Claims (1)
- 【請求項１】 金属ベースに設けられた凹部に、歪み
ゲージを備えた感圧チップを収容し、前記感圧チップに
接続された接続導体を、前記金属ベースの挿通孔に挿通
して外部に導出し、且つ前記金属ベースの前記凹部の開
口を受圧ダイヤフラムで閉塞するとともに、前記受圧ダ
イヤフラムと前記金属ベースの凹部とで形成される室内
に、受圧ダイヤフラムで受けた圧力を感圧チップへ伝達
する圧力媒体液を充填した半導体圧力センサの製造方法
において、前記金属ベースを、樹脂バインダが混合され
た金属の粉末を射出成型して、さらに焼結して成型する
金属射出成型法を用いることを特徴とする半導体圧力セ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431691A JPH04370727A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431691A JPH04370727A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04370727A true JPH04370727A (ja) | 1992-12-24 |
Family
ID=15976522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17431691A Pending JPH04370727A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04370727A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005195590A (ja) * | 2003-12-29 | 2005-07-21 | Robert Bosch Gmbh | 圧力センサを製造する方法及び圧力センサ |
| WO2005085777A1 (de) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Kraftmessvorrichtung |
| EP1681544A1 (de) * | 2005-01-14 | 2006-07-19 | Trafag AG | Drucksensor mit durch Metallpulver-Spritzgussverfahren hergestelltem Verformungskörper |
| DE102006033266A1 (de) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Trafag Ag | Profiliertes Bauelement aus Metall für Fluidumhüllungen sowie Verfahren zum Vorsehen eines Drucksensors daran |
| JP2008026268A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Kyowa Electron Instr Co Ltd | ケーブルホルダ付き変換器およびその製造方法。 |
| CN103836191A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 北京航天试验技术研究所 | 一种低温传感器密封方法 |
| CN109540374A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-03-29 | 中南大学 | 超声烧结封装装置 |
| CN118549015A (zh) * | 2024-07-25 | 2024-08-27 | 昆山灵科传感技术有限公司 | 压力传感器及其制作方法 |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP17431691A patent/JPH04370727A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005195590A (ja) * | 2003-12-29 | 2005-07-21 | Robert Bosch Gmbh | 圧力センサを製造する方法及び圧力センサ |
| WO2005085777A1 (de) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Kraftmessvorrichtung |
| US7402763B2 (en) | 2004-03-03 | 2008-07-22 | Siemens Aktiengesellschaft | MIM force measuring device |
| EP1681544A1 (de) * | 2005-01-14 | 2006-07-19 | Trafag AG | Drucksensor mit durch Metallpulver-Spritzgussverfahren hergestelltem Verformungskörper |
| DE102006033266A1 (de) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Trafag Ag | Profiliertes Bauelement aus Metall für Fluidumhüllungen sowie Verfahren zum Vorsehen eines Drucksensors daran |
| DE102006033266B4 (de) * | 2006-07-18 | 2009-12-31 | Trafag Ag | Profiliertes Bauelement aus Metall für Fluidumhüllungen sowie Verfahren zum Vorsehen eines Drucksensors daran |
| JP2008026268A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Kyowa Electron Instr Co Ltd | ケーブルホルダ付き変換器およびその製造方法。 |
| CN103836191A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 北京航天试验技术研究所 | 一种低温传感器密封方法 |
| CN109540374A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-03-29 | 中南大学 | 超声烧结封装装置 |
| CN109540374B (zh) * | 2019-01-10 | 2024-03-15 | 中南大学 | 超声烧结封装装置 |
| CN118549015A (zh) * | 2024-07-25 | 2024-08-27 | 昆山灵科传感技术有限公司 | 压力传感器及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7762139B2 (en) | Pressure transducer apparatus adapted to measure engine pressure parameters | |
| US6255728B1 (en) | Rigid encapsulation package for semiconductor devices | |
| US6521966B1 (en) | Semiconductor strain sensor | |
| CN1332190C (zh) | 压力传感器组件 | |
| CN111638002B (zh) | 一种mems压力传感器充油芯体及其封装方法 | |
| US5581226A (en) | High pressure sensor structure and method | |
| EP2316008B1 (en) | Sensor device packaging and corresponding method | |
| US6153070A (en) | Sensor packaging using heat staking technique | |
| CN105236343B (zh) | 介质隔离式压力传感器封装结构 | |
| JP3198773B2 (ja) | 半導体圧力検出器及びその製造方法 | |
| US10969287B2 (en) | Filling body for reducing a volume of a pressure measurement chamber | |
| CN107144391A (zh) | 一种集成式mems充油压力传感器 | |
| CN110174209A (zh) | 介质隔离式压力传感器 | |
| JPH04370727A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| US6313514B1 (en) | Pressure sensor component | |
| CN210089909U (zh) | 介质隔离式压力传感器 | |
| EP3660476B1 (en) | Cost overmolded leadframe force sensor with multiple mounting positions | |
| US7168326B2 (en) | Compact pressure sensor with high corrosion resistance and high accuracy | |
| CN206590896U (zh) | 一种压力传感器的封装结构 | |
| CN221077886U (zh) | 一种小型化硅压阻压力传感器 | |
| JP2600863B2 (ja) | 高圧用半導体式圧力センサの取付け構造 | |
| CN115144124B (zh) | 传感器和阀组件 | |
| CN210571153U (zh) | 封装模块及采用该封装模块的压力传感器 | |
| JPH04370726A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6111625A (ja) | 液封型圧力センサとその製造方法 |