JPH04370947A - 電子ビーム装置用測定点変換方法及び装置 - Google Patents
電子ビーム装置用測定点変換方法及び装置Info
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- JPH04370947A JPH04370947A JP14774291A JP14774291A JPH04370947A JP H04370947 A JPH04370947 A JP H04370947A JP 14774291 A JP14774291 A JP 14774291A JP 14774291 A JP14774291 A JP 14774291A JP H04370947 A JPH04370947 A JP H04370947A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム装置に用い
られ、配線パターンのレイアウト図上の測定点を二次電
子像（ＳＥＭ像）上の測定点に変換する電子ビーム装置
用測定点変換方法及び装置に関する。
られ、配線パターンのレイアウト図上の測定点を二次電
子像（ＳＥＭ像）上の測定点に変換する電子ビーム装置
用測定点変換方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームテスタで半導体チップ上の配
線の電圧を測定する場合、チップ表面上を電子ビームで
走査してＳＥＭ像を取得し、これをディスプレイ装置に
表示させ、ＳＥＭ像を目視して測定点を指定した後に、
その点に電子ビームを照射して電圧測定を行う。ＳＥＭ
像には、最上層の配線パターンは明瞭に現れるが、最上
層の１つ下の層の配線パターンは、コントラストが低い
ため、明瞭ではない。
線の電圧を測定する場合、チップ表面上を電子ビームで
走査してＳＥＭ像を取得し、これをディスプレイ装置に
表示させ、ＳＥＭ像を目視して測定点を指定した後に、
その点に電子ビームを照射して電圧測定を行う。ＳＥＭ
像には、最上層の配線パターンは明瞭に現れるが、最上
層の１つ下の層の配線パターンは、コントラストが低い
ため、明瞭ではない。
【０００３】そこで、配線パターンのＣＡＤレイアウト
図をディスプレイ装置に表示させ、目視によりＳＥＭ像
との対応をとり、測定点を指定していた。
図をディスプレイ装置に表示させ、目視によりＳＥＭ像
との対応をとり、測定点を指定していた。
【０００４】この作業を自動化するために、レイアウト
図上で測定点を指定し、コンピュータでレイアウト図と
ＳＥＭ像とのパターンマッチングを行って、ＳＥＭ像上
の測定点を決定する方法が提案されている。
図上で測定点を指定し、コンピュータでレイアウト図と
ＳＥＭ像とのパターンマッチングを行って、ＳＥＭ像上
の測定点を決定する方法が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レイア
ウト図とＳＥＭ像の両者の倍率を同じにし、ＳＥＭ像の
画像の歪みを補正した後に、一方の画像データを１画素
移動させる毎に、比較的多量の両画像データについて相
関度を演算し、この画素移動及び相関度演算を多数回繰
り返さなければならないため、ＳＥＭ像上の測定点を決
定するのに長時間を要するという問題点があった。
ウト図とＳＥＭ像の両者の倍率を同じにし、ＳＥＭ像の
画像の歪みを補正した後に、一方の画像データを１画素
移動させる毎に、比較的多量の両画像データについて相
関度を演算し、この画素移動及び相関度演算を多数回繰
り返さなければならないため、ＳＥＭ像上の測定点を決
定するのに長時間を要するという問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、このような問題点に鑑み
、より短時間でレイアウト図上の測定点をＳＥＭ像上の
測定点に変換することができる電子ビーム装置用測定点
変換方法及び装置を提供することにある。
、より短時間でレイアウト図上の測定点をＳＥＭ像上の
測定点に変換することができる電子ビーム装置用測定点
変換方法及び装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及びその作用】本発明に係
る電子ビーム装置用測定点変換方法では、（１）電子ビ
ーム装置で試料上を走査して配線パターンの二次電子像
を取得し、（２）ＣＡＤデータに基づいて配線パターン
のレイアウト図を作成し、（３、４）該二次電子像上の
第１特徴点及び該レイアウト図上の第１特徴点を抽出し
、 （５）両第１特徴点を対応させて、該レイアウト
図上の座標を該二次電子像上の座標に変換する座標変換
式を求め、該座標変換式に基づいて、該レイアウト図上
の測定点を該二次電子像上の測定点に変換する。
る電子ビーム装置用測定点変換方法では、（１）電子ビ
ーム装置で試料上を走査して配線パターンの二次電子像
を取得し、（２）ＣＡＤデータに基づいて配線パターン
のレイアウト図を作成し、（３、４）該二次電子像上の
第１特徴点及び該レイアウト図上の第１特徴点を抽出し
、 （５）両第１特徴点を対応させて、該レイアウト
図上の座標を該二次電子像上の座標に変換する座標変換
式を求め、該座標変換式に基づいて、該レイアウト図上
の測定点を該二次電子像上の測定点に変換する。
【０００８】二次電子像及びレイアウト図の画像データ
量は比較的多い。また、電子ビーム装置の対物磁界レン
ズの収差、電子ビーム装置の偏向器のＸ軸方向偏向特性
とＹ軸方向偏向特性の差、Ｘ軸偏向器とＹ軸偏向器間の
非直交性等により、ＳＥＭ像には歪みがある。したがっ
て、従来のように、この歪みを修正した後に、一方の画
像を１画素移動させる毎に両画像間の相関度を演算して
位置ずれを求めると、長時間を要する。これに対し、本
方法発明では、二次電子像上及びレイアウト図上の特徴
点、例えばパターンの折曲点又はコンタクトを抽出し、
両特徴点を対応させて、レイアウト図上の座標を二次電
子像上の座標に変換する座標変換式を求めるので、従来
よりも短時間でレイアウト図上の測定点を二次電子像上
の測定点に変換することができる。
量は比較的多い。また、電子ビーム装置の対物磁界レン
ズの収差、電子ビーム装置の偏向器のＸ軸方向偏向特性
とＹ軸方向偏向特性の差、Ｘ軸偏向器とＹ軸偏向器間の
非直交性等により、ＳＥＭ像には歪みがある。したがっ
て、従来のように、この歪みを修正した後に、一方の画
像を１画素移動させる毎に両画像間の相関度を演算して
位置ずれを求めると、長時間を要する。これに対し、本
方法発明では、二次電子像上及びレイアウト図上の特徴
点、例えばパターンの折曲点又はコンタクトを抽出し、
両特徴点を対応させて、レイアウト図上の座標を二次電
子像上の座標に変換する座標変換式を求めるので、従来
よりも短時間でレイアウト図上の測定点を二次電子像上
の測定点に変換することができる。
【０００９】本方法発明の第１態様では、上記（５）に
おいて、（５ａ）二次電子像上及び前記レイアウト図上
において、直交座標を設定し、該直交座標の２軸の各々
に沿って第２特徴点のヒストグラムを作成し、（５ｂ）
該二次電子像についての該ヒストグラムと該レイアウト
図についての該ヒストグラムとのマッチングを行って両
直交座標間のずれを検出した後に、（５ｃ、５ｄ）前記
両第１特徴点を対応させて、該レイアウト図上の座標を
該二次電子像上の座標に変換する座標変換式を求める。 この第２特徴点は、第１特徴点と同一であってもよい。
おいて、（５ａ）二次電子像上及び前記レイアウト図上
において、直交座標を設定し、該直交座標の２軸の各々
に沿って第２特徴点のヒストグラムを作成し、（５ｂ）
該二次電子像についての該ヒストグラムと該レイアウト
図についての該ヒストグラムとのマッチングを行って両
直交座標間のずれを検出した後に、（５ｃ、５ｄ）前記
両第１特徴点を対応させて、該レイアウト図上の座標を
該二次電子像上の座標に変換する座標変換式を求める。 この第２特徴点は、第１特徴点と同一であってもよい。
【００１０】この構成によれば、二次電子像上のどの特
徴点がレイアウト図上のどの特徴点に対応するかを容易
に見つけることができ、従って、座標変換式をより容易
かつ短時間で求めることができる。
徴点がレイアウト図上のどの特徴点に対応するかを容易
に見つけることができ、従って、座標変換式をより容易
かつ短時間で求めることができる。
【００１１】本方法発明の第２態様では、上記（５ｃ、
５ｄ）において、（５ｃ）該ずれに基づいて、互いに対
応する前記二次電子像上の第１特徴点と前記レイアウト
図上の第１特徴点とを選択し、（５ｄ）該選択された互
いに対応する両特徴点に基づいて、該レイアウト図上の
座標を該二次電子像上の座標に変換する座標変換式を求
める。
５ｄ）において、（５ｃ）該ずれに基づいて、互いに対
応する前記二次電子像上の第１特徴点と前記レイアウト
図上の第１特徴点とを選択し、（５ｄ）該選択された互
いに対応する両特徴点に基づいて、該レイアウト図上の
座標を該二次電子像上の座標に変換する座標変換式を求
める。
【００１２】この構成によれば、互いに対応しない特徴
点、例えば二次電子像とレイアウト図の共通領域外にあ
る特徴点が除去されるので、より正確な座標変換式を求
めることができる。
点、例えば二次電子像とレイアウト図の共通領域外にあ
る特徴点が除去されるので、より正確な座標変換式を求
めることができる。
【００１３】本発明に係る電子ビーム装置用測定点変換
装置は、電子ビーム装置で試料上を走査して配線パター
ンの二次電子像を取得し、ＣＡＤデータに基づいて配線
パターンのレイアウト図を作成し、該二次電子像及び該
レイアウト図に基づいて該レイアウト図上の座標を該二
次電子像上の座標に変換する座標変換式を求め、該座標
変換式に基づいて該レイアウト図上の測定点を該二次電
子像上の測定点に変換する。この装置発明は、次のよう
な構成要素を備えたことを特徴としており、実施例図２
中の対応する符号を参照して説明する。
装置は、電子ビーム装置で試料上を走査して配線パター
ンの二次電子像を取得し、ＣＡＤデータに基づいて配線
パターンのレイアウト図を作成し、該二次電子像及び該
レイアウト図に基づいて該レイアウト図上の座標を該二
次電子像上の座標に変換する座標変換式を求め、該座標
変換式に基づいて該レイアウト図上の測定点を該二次電
子像上の測定点に変換する。この装置発明は、次のよう
な構成要素を備えたことを特徴としており、実施例図２
中の対応する符号を参照して説明する。
【００１４】ヒストグラム作成手段３２、３３で、該二
次電子像上及び該レイアウト図上において、直交座標を
設定し、該直交座標の２軸の各々に沿って第２特徴点の
ヒストグラムを作成する。ずれ検出手段３４で、該二次
電子像についての該ヒストグラムと該レイアウト図につ
いての該ヒストグラムとのマッチングを行って両直交座
標間のずれを検出する。特徴点座標抽出手段３５、３６
で、該二次電子像上の第１特徴点の座標及び該レイアウ
ト図上の第１特徴点の座標を抽出する。特徴点選択手段
３７で、検出された該ずれに基づき、互いに対応する該
二次電子像上の第１特徴点の座標と該レイアウト図上の
第１特徴点の座標とを選択する。そして、座標変換式決
定手段３８で、該選択された互いに対応する両第１特徴
点の座標に基づいて、該レイアウト図上の座標を該二次
電子像上の座標に変換する座標変換式を求める。
次電子像上及び該レイアウト図上において、直交座標を
設定し、該直交座標の２軸の各々に沿って第２特徴点の
ヒストグラムを作成する。ずれ検出手段３４で、該二次
電子像についての該ヒストグラムと該レイアウト図につ
いての該ヒストグラムとのマッチングを行って両直交座
標間のずれを検出する。特徴点座標抽出手段３５、３６
で、該二次電子像上の第１特徴点の座標及び該レイアウ
ト図上の第１特徴点の座標を抽出する。特徴点選択手段
３７で、検出された該ずれに基づき、互いに対応する該
二次電子像上の第１特徴点の座標と該レイアウト図上の
第１特徴点の座標とを選択する。そして、座標変換式決
定手段３８で、該選択された互いに対応する両第１特徴
点の座標に基づいて、該レイアウト図上の座標を該二次
電子像上の座標に変換する座標変換式を求める。
【００１５】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１６】（１）第１実施例
図３は、レイアウト図上の測定点を指定することにより
ＳＥＭ像上の測定点を自動的に決定して電圧測定する電
子ビーム装置のハードウエア構成を示す。
ＳＥＭ像上の測定点を自動的に決定して電圧測定する電
子ビーム装置のハードウエア構成を示す。
【００１７】電子ビーム照射装置１０は、ステージ１１
上に載置された試料１２に対し、電子銃１３から電子ビ
ーム１４を射出させると、偏向器１５及び対物磁界レン
ズ１６を通って試料１２上の測定点に電子ビーム１４が
収束照射され、照射点から放出された二次電子１７が検
出器１８で検出される。この電子ビーム１４の制御は、
電子ビーム制御装置２０により行われる。
上に載置された試料１２に対し、電子銃１３から電子ビ
ーム１４を射出させると、偏向器１５及び対物磁界レン
ズ１６を通って試料１２上の測定点に電子ビーム１４が
収束照射され、照射点から放出された二次電子１７が検
出器１８で検出される。この電子ビーム１４の制御は、
電子ビーム制御装置２０により行われる。
【００１８】画像入力装置２１は、検出器１８の出力を
増幅した後デジタル値に変換し、一方、電子ビーム制御
装置２０から供給される電子ビーム走査位置をアドレス
に変換して、フレームメモリ２２に対しこのアドレスに
該デジタル値を格納する。これにより、フレームメモリ
２２に、ＳＥＭ像が格納される。このＳＥＭ像は、コン
ピュータ３０により読み出される。
増幅した後デジタル値に変換し、一方、電子ビーム制御
装置２０から供給される電子ビーム走査位置をアドレス
に変換して、フレームメモリ２２に対しこのアドレスに
該デジタル値を格納する。これにより、フレームメモリ
２２に、ＳＥＭ像が格納される。このＳＥＭ像は、コン
ピュータ３０により読み出される。
【００１９】一方、ＣＡＤデータ記憶装置４０にはネッ
ト図及び回路図のＣＡＤデータが格納されている。コン
ピュータ３０は、このＣＡＤデータを読み出して、ＳＥ
Ｍ像に対応したレイアウト図を作成し、これをフレーム
メモリ４１に格納する。このレイアウト図は、ディスプ
レイ装置４２に表示される。
ト図及び回路図のＣＡＤデータが格納されている。コン
ピュータ３０は、このＣＡＤデータを読み出して、ＳＥ
Ｍ像に対応したレイアウト図を作成し、これをフレーム
メモリ４１に格納する。このレイアウト図は、ディスプ
レイ装置４２に表示される。
【００２０】操作者は、ディスプレイ装置４２に表示さ
れたレイアウト図を見ながら、例えばキーボード及びマ
ウスからなる入力装置４３を操作して、コンピュータ３
０に対し測定点を指定する。
れたレイアウト図を見ながら、例えばキーボード及びマ
ウスからなる入力装置４３を操作して、コンピュータ３
０に対し測定点を指定する。
【００２１】コンピュータ３０は、レイアウト図上の測
定点の座標を、後述のような画像処理により、ＳＥＭ像
上の測定点の座標に変換して、これを電子ビーム制御装
置２０に供給する。電子ビーム制御装置２０は、この座
標に基づいて、電子ビーム１４を試料１２上の該測定点
に照射させる。電子ビーム照射点の電圧は、検出器１８
の出力を、公知の不図示の回路で処理することにより検
出される。
定点の座標を、後述のような画像処理により、ＳＥＭ像
上の測定点の座標に変換して、これを電子ビーム制御装
置２０に供給する。電子ビーム制御装置２０は、この座
標に基づいて、電子ビーム１４を試料１２上の該測定点
に照射させる。電子ビーム照射点の電圧は、検出器１８
の出力を、公知の不図示の回路で処理することにより検
出される。
【００２２】図２は、コンピュータ３０のソフトウエア
構成を、機能ブロック３１〜３９で示す。
構成を、機能ブロック３１〜３９で示す。
【００２３】フレームメモリ２２及び４１上の画像は、
例えば図４（Ａ）に示す如くなっている。
例えば図４（Ａ）に示す如くなっている。
【００２４】レイアウト図作成部３１は、フレームメモ
リ２２に格納されたＳＥＭ像に対応する部分のネット図
及び回路図のＣＡＤデータを、ＣＡＤデータ記憶装置４
０から読み出し、ＳＥＭ像と同倍率のレイアウト図を作
成して、これをフレームメモリ４１に格納する。コンピ
ュータ３０は、ステージ１１の移動量を不図示のステー
ジコントローラに指示し、電子ビーム制御装置２０に電
子ビーム走査範囲を指示するので、この対応部分の範囲
及び倍率は、コンピュータ３０にとっては既知の情報で
ある。しかし、ＳＥＭ像とレイアウト図との間には、ス
テージ１１の停止精度（例えば１０μｍ）等により、位
置ずれがある。
リ２２に格納されたＳＥＭ像に対応する部分のネット図
及び回路図のＣＡＤデータを、ＣＡＤデータ記憶装置４
０から読み出し、ＳＥＭ像と同倍率のレイアウト図を作
成して、これをフレームメモリ４１に格納する。コンピ
ュータ３０は、ステージ１１の移動量を不図示のステー
ジコントローラに指示し、電子ビーム制御装置２０に電
子ビーム走査範囲を指示するので、この対応部分の範囲
及び倍率は、コンピュータ３０にとっては既知の情報で
ある。しかし、ＳＥＭ像とレイアウト図との間には、ス
テージ１１の停止精度（例えば１０μｍ）等により、位
置ずれがある。
【００２５】フレームメモリ２２及び４１上の画像デー
タは比較的多量であり、かつ、対物磁界レンズ１６の収
差、偏向器１５のＸ軸方向偏向特性とＹ軸方向偏向特性
の差、Ｘ軸偏向器とＹ軸偏向器間の非直交性等により、
ＳＥＭ像には歪みがあるので、従来のように、この歪み
を修正した後に、一方の画像を１画素移動させる毎に両
画像間の相関度を演算して位置ずれを求めると、長時間
を要する。
タは比較的多量であり、かつ、対物磁界レンズ１６の収
差、偏向器１５のＸ軸方向偏向特性とＹ軸方向偏向特性
の差、Ｘ軸偏向器とＹ軸偏向器間の非直交性等により、
ＳＥＭ像には歪みがあるので、従来のように、この歪み
を修正した後に、一方の画像を１画素移動させる毎に両
画像間の相関度を演算して位置ずれを求めると、長時間
を要する。
【００２６】そこで、特徴点座標抽出部３５及び３６は
それぞれ、フレームメモリ２２及び４１上のパターンか
ら、特徴点の座標を抽出する。この特徴点は、例えば、
図４（Ａ）に示す配線パターン５０〜５４のアウトライ
ンの折曲点Ａ〜Ｊである。但し、配線パターン５０〜５
４の両端部の折曲点の座標は、本実施例では検出しない
。パターン端部の折曲点であるかどうかは、パターンの
アウトラインを走査し、前後の折曲点が互いに一定距離
内に存在するかどうかにより知り得る。
それぞれ、フレームメモリ２２及び４１上のパターンか
ら、特徴点の座標を抽出する。この特徴点は、例えば、
図４（Ａ）に示す配線パターン５０〜５４のアウトライ
ンの折曲点Ａ〜Ｊである。但し、配線パターン５０〜５
４の両端部の折曲点の座標は、本実施例では検出しない
。パターン端部の折曲点であるかどうかは、パターンの
アウトラインを走査し、前後の折曲点が互いに一定距離
内に存在するかどうかにより知り得る。
【００２７】ここで、フレームメモリ２２上のＳＥＭ像
には、上記歪みがあるので、フレームメモリ２２上の特
徴点の座標とフレームメモリ４１上の特徴点の座標との
関係は、厳密には非線形であるが、線形近似する。そし
て、フレームメモリ２２上の座標（ｘ，ｙ）を、ｘ’＝
ａｘ＋ｂｙ＋ｃ ｙ’＝ｄｘ＋ｅｙ＋ｆ で一次変換した座標（ｘ’，ｙ’）が、フレームメモリ
４１上の対応する座標（Ｘ、Ｙ）にほぼ等しくなるとす
る。
には、上記歪みがあるので、フレームメモリ２２上の特
徴点の座標とフレームメモリ４１上の特徴点の座標との
関係は、厳密には非線形であるが、線形近似する。そし
て、フレームメモリ２２上の座標（ｘ，ｙ）を、ｘ’＝
ａｘ＋ｂｙ＋ｃ ｙ’＝ｄｘ＋ｅｙ＋ｆ で一次変換した座標（ｘ’，ｙ’）が、フレームメモリ
４１上の対応する座標（Ｘ、Ｙ）にほぼ等しくなるとす
る。
【００２８】ＳＥＭ像上のどの特徴点がレイアウト図上
のどの特徴点に対応するかを見つけるために、まず、上
記変換式のｃ及びｆの値を、以下の機能ブロック３２〜
３４で近似的に決定する。
のどの特徴点に対応するかを見つけるために、まず、上
記変換式のｃ及びｆの値を、以下の機能ブロック３２〜
３４で近似的に決定する。
【００２９】ヒストグラム作成部３２及び３３はそれぞ
れ、フレームメモリ２２及び４１上のＳＥＭ像及びレイ
アウト図について、図４（Ｂ）及び（Ｃ）に示す如く、
全画素につきＸ軸及びＹ軸に沿った明点のヒストグラム
を作成する。
れ、フレームメモリ２２及び４１上のＳＥＭ像及びレイ
アウト図について、図４（Ｂ）及び（Ｃ）に示す如く、
全画素につきＸ軸及びＹ軸に沿った明点のヒストグラム
を作成する。
【００３０】ずれ検出部３４は、両ヒストグラム間のマ
ッチングを行う。すなわち、ずれ検出部３４は、ヒスト
グラム作成部３２で作成された、Ｘ軸に沿ったヒストグ
ラムと、ヒストグラム作成部３３で作成された、Ｘ軸に
沿ったヒストグラムとの間の相関度を求めた後、一方の
ヒストグラムをＸ軸に沿って階級幅だけ移動させる。こ
のような処理を繰り返し、相関度が最大となるＸ軸のず
れｃを近似的に求める。同様にして、Ｙ軸のずれｆを近
似的に求める。
ッチングを行う。すなわち、ずれ検出部３４は、ヒスト
グラム作成部３２で作成された、Ｘ軸に沿ったヒストグ
ラムと、ヒストグラム作成部３３で作成された、Ｘ軸に
沿ったヒストグラムとの間の相関度を求めた後、一方の
ヒストグラムをＸ軸に沿って階級幅だけ移動させる。こ
のような処理を繰り返し、相関度が最大となるＸ軸のず
れｃを近似的に求める。同様にして、Ｙ軸のずれｆを近
似的に求める。
【００３１】上記変換式の定数は、理想的な場合にはａ
及びｅは１、ｂ及びｄは０になるが、実際にはＳＥＭ像
に上記歪みがあるため、これらの値からずれる。
及びｅは１、ｂ及びｄは０になるが、実際にはＳＥＭ像
に上記歪みがあるため、これらの値からずれる。
【００３２】特徴点選択部３７は、変換定数ａ及びｅが
１、ｂ及びｄが０であると近似して、上記変換式に基づ
き、互いに対応するＳＥＭ像上特徴点の座標（ｘｉ，ｙ
ｉ）とレイアウト図上特徴点の座標（Ｘｉ，Ｙｉ）をペ
アにして選択し、対応しない位置座標、例えば二次電子
像とレイアウト図の共通領域外にある特徴点の座標を除
外する。すなわち、（ｘｉ’−Ｘｉ）２ ＋（ｙｉ’−
Ｙｉ）２ が一定値以下になる特徴点の座標（ｘｉ，ｙ
ｉ）及び（Ｘｉ，Ｙｉ）を選択する。これにより、より
正確な座標変換式を求めることが可能となり、局所電界
効果の影響低減に寄与する。
１、ｂ及びｄが０であると近似して、上記変換式に基づ
き、互いに対応するＳＥＭ像上特徴点の座標（ｘｉ，ｙ
ｉ）とレイアウト図上特徴点の座標（Ｘｉ，Ｙｉ）をペ
アにして選択し、対応しない位置座標、例えば二次電子
像とレイアウト図の共通領域外にある特徴点の座標を除
外する。すなわち、（ｘｉ’−Ｘｉ）２ ＋（ｙｉ’−
Ｙｉ）２ が一定値以下になる特徴点の座標（ｘｉ，ｙ
ｉ）及び（Ｘｉ，Ｙｉ）を選択する。これにより、より
正確な座標変換式を求めることが可能となり、局所電界
効果の影響低減に寄与する。
【００３３】座標変換式決定部３８は、これら対応する
特徴点の間の距離の平方の和Ｓ、 Ｓ＝Σ｛（ｘｉ’−Ｘｉ）２ ＋（ｙｉ’−Ｙｉ）２
｝が最小となるように、変換定数ａ〜ｆを決定する。こ
のΣは、ｉについての総和を意味している。変換定数ｃ
、ｆはずれ検出部３４で既に決定されているが、変換定
数ｃ、ｆは他の変換定数の決定に影響するので、正確化
のため、この座標変換式決定部３８で再度決定すること
になる。
特徴点の間の距離の平方の和Ｓ、 Ｓ＝Σ｛（ｘｉ’−Ｘｉ）２ ＋（ｙｉ’−Ｙｉ）２
｝が最小となるように、変換定数ａ〜ｆを決定する。こ
のΣは、ｉについての総和を意味している。変換定数ｃ
、ｆはずれ検出部３４で既に決定されているが、変換定
数ｃ、ｆは他の変換定数の決定に影響するので、正確化
のため、この座標変換式決定部３８で再度決定すること
になる。
【００３４】座標変換部３９は、このようにして決定さ
れた上記変換式に基づき、レイアウト図上の測定点をＳ
ＥＭ像上の測定点に変換する。
れた上記変換式に基づき、レイアウト図上の測定点をＳ
ＥＭ像上の測定点に変換する。
【００３５】（２）第２実施例
本発明の第２実施例では、図２に示すヒストグラム作成
部３２及び３３、特徴点座標抽出部３５及び３６の処理
が、上記第１実施例と異なっており、他の点は第１実施
例と同一になっている。
部３２及び３３、特徴点座標抽出部３５及び３６の処理
が、上記第１実施例と異なっており、他の点は第１実施
例と同一になっている。
【００３６】すなわち、特徴点座標抽出部は、図５（Ａ
）に示す如く、コンタクトＰ〜Ｕの位置座標を、特徴点
の座標として抽出する。また、ヒストグラム作成部は、
図５（Ｂ）及び（Ｃ）に示す如く、Ｘ軸に沿ったコンタ
クトのヒストグラム及びＹ軸に沿ったコンタクトのヒス
トグラムを作成する。
）に示す如く、コンタクトＰ〜Ｕの位置座標を、特徴点
の座標として抽出する。また、ヒストグラム作成部は、
図５（Ｂ）及び（Ｃ）に示す如く、Ｘ軸に沿ったコンタ
クトのヒストグラム及びＹ軸に沿ったコンタクトのヒス
トグラムを作成する。
【００３７】なお、本発明には他にも種々の変形例が含
まれる。例えば、ＳＥＭ像の非線型歪みを考慮するため
に、座標変換式決定部３８において、特徴点の座標を、
画像を複数の領域に分割したときの各領域に属するグル
ープに分け、各グループについて、上記変換式を求める
ことにより、より正確に座標変換を行うようにしてもよ
い。また、局所電界効果が最小となる測定点を選択する
ためのアルゴリズムをコンピュータ３０に予め与えてお
き、入力装置４３でレイアウト図上の測定点を指定する
代わりに、ネット名を指定し、コンピュータ３０でレイ
アウト図上の指定ネットの測定点を決定した後に、上記
座標変換を行う構成であってもよい。
まれる。例えば、ＳＥＭ像の非線型歪みを考慮するため
に、座標変換式決定部３８において、特徴点の座標を、
画像を複数の領域に分割したときの各領域に属するグル
ープに分け、各グループについて、上記変換式を求める
ことにより、より正確に座標変換を行うようにしてもよ
い。また、局所電界効果が最小となる測定点を選択する
ためのアルゴリズムをコンピュータ３０に予め与えてお
き、入力装置４３でレイアウト図上の測定点を指定する
代わりに、ネット名を指定し、コンピュータ３０でレイ
アウト図上の指定ネットの測定点を決定した後に、上記
座標変換を行う構成であってもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係る電子ビ
ーム装置用測定点変換方法及び装置によれば、二次電子
像上及びレイアウト図上の特徴点を抽出し、両特徴点を
対応させて、レイアウト図上の座標を二次電子像上の座
標に変換する座標変換式を求めるので、従来よりも短時
間でレイアウト図上の測定点を二次電子像上の測定点に
変換することができるという効果を奏し、電子ビーム装
置の操作性向上に寄与するところが大きい。
ーム装置用測定点変換方法及び装置によれば、二次電子
像上及びレイアウト図上の特徴点を抽出し、両特徴点を
対応させて、レイアウト図上の座標を二次電子像上の座
標に変換する座標変換式を求めるので、従来よりも短時
間でレイアウト図上の測定点を二次電子像上の測定点に
変換することができるという効果を奏し、電子ビーム装
置の操作性向上に寄与するところが大きい。
【００３９】本方法発明の上記第１態様によれば、二次
電子像上のどの特徴点がレイアウト図上のどの特徴点に
対応するかを容易に見つけることができるので、座標変
換式をより容易かつ短時間で求めることができるという
効果を奏する。
電子像上のどの特徴点がレイアウト図上のどの特徴点に
対応するかを容易に見つけることができるので、座標変
換式をより容易かつ短時間で求めることができるという
効果を奏する。
【００４０】本方法発明の上記第２態様によれば、互い
に対応しない特徴点、例えば二次電子像とレイアウト図
の共通領域外にある特徴点が除去されるので、より正確
な座標変換式を求めることができるという効果を奏する
。
に対応しない特徴点、例えば二次電子像とレイアウト図
の共通領域外にある特徴点が除去されるので、より正確
な座標変換式を求めることができるという効果を奏する
。
【図１】本発明に係る電子ビーム装置用測定点変換方法
の原理構成を示すブロック図である。
の原理構成を示すブロック図である。
【図２】図３中のコンピュータ３０のソフトウエア構成
を示す機能ブロックである。
を示す機能ブロックである。
【図３】本発明に係る測定点変換装置が適用された第１
実施例の電子ビーム装置の構成図である。
実施例の電子ビーム装置の構成図である。
【図４】図２の機能ブロック３２、３３、３５及び３６
での処理の説明図である。
での処理の説明図である。
【図５】本発明の第２実施例に係り、図２の機能ブロッ
ク３２、３３、３５及び３６での処理の説明図である。
ク３２、３３、３５及び３６での処理の説明図である。
１０ 電子ビーム照射装置
１１ ステージ
１２ 試料
１３ 電子銃
１４ 電子ビーム
１５ 偏向器
１６ 対物磁界レンズ
１７ 二次電子
１８ 検出器
２０ 電子ビーム制御装置
２１ 画像入力装置
２２、４１ フレームメモリ
３０ コンピュータ
４０ ＣＡＤデータ記憶装置
４２ ディスプレイ装置
４３ 入力装置
５０〜５４ 配線パターン
Ａ〜Ｊ 折曲点
Ｐ〜Ｕ コンタクト
Claims (4)
- 【請求項１】 電子ビーム装置で試料上を走査して配
線パターンの二次電子像を取得し（１）、ＣＡＤデータ
に基づいて配線パターンのレイアウト図を作成し（２）
、該二次電子像上の第１特徴点及び該レイアウト図上の
第１特徴点を抽出し（３、４）、 両第１特徴点を対
応させて、該レイアウト図上の座標を該二次電子像上の
座標に変換する座標変換式を求め（５）、該座標変換式
に基づいて、該レイアウト図上の測定点を該二次電子像
上の測定点に変換することを特徴とする電子ビーム装置
用測定点変換方法。 - 【請求項２】 前記二次電子像上及び前記レイアウト
図上において、直交座標を設定し、該直交座標の２軸の
各々に沿って第２特徴点のヒストグラムを作成し（５ａ
）、該二次電子像についての該ヒストグラムと該レイア
ウト図についての該ヒストグラムとのマッチングを行っ
て両直交座標間のずれを検出した後に（５ｂ）、前記両
第１特徴点を対応させて、該レイアウト図上の座標を該
二次電子像上の座標に変換する座標変換式を求める（５
ｃ、５ｄ）ことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム
装置用測定点変換方法。 - 【請求項３】 前記両直交座標間のずれを検出した後
に（５ｂ）、該ずれに基づいて、互いに対応する前記二
次電子像上の第１特徴点と前記レイアウト図上の第１特
徴点とを選択し（５ｃ）、次に、該選択された互いに対
応する両特徴点に基づいて、該レイアウト図上の座標を
該二次電子像上の座標に変換する座標変換式を求める（
５ｄ）ことを特徴とする請求項２記載の電子ビーム装置
用測定点変換方法。 - 【請求項４】 電子ビーム装置（１０）で試料（１２
）上を走査して配線パターンの二次電子像を取得し、Ｃ
ＡＤデータに基づいて配線パターンのレイアウト図を作
成し、該二次電子像及び該レイアウト図に基づいて該レ
イアウト図上の座標を該二次電子像上の座標に変換する
座標変換式を求め、該座標変換式に基づいて該レイアウ
ト図上の測定点を該二次電子像上の測定点に変換する電
子ビーム装置用測定点変換装置において、該二次電子像
上及び該レイアウト図上において、直交座標を設定し、
該直交座標の２軸の各々に沿って第２特徴点のヒストグ
ラムを作成するヒストグラム作成手段（３２、３３）と
、該二次電子像についての該ヒストグラムと該レイアウ
ト図についての該ヒストグラムとのマッチングを行って
両直交座標間のずれを検出するずれ検出手段（３４）と
、該二次電子像上の第１特徴点の座標及び該レイアウト
図上の第１特徴点の座標を抽出する特徴点座標抽出手段
（３５、３６）と、検出された該ずれに基づき、互いに
対応する該二次電子像上の第１特徴点の座標と該レイア
ウト図上の第１特徴点の座標とを選択する特徴点選択手
段（３７）と、該選択された互いに対応する両第１特徴
点の座標に基づいて、該レイアウト図上の座標を該二次
電子像上の座標に変換する座標変換式を求める座標変換
式決定手段（３８）と、 を有することを特徴とする
電子ビーム装置用測定点変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14774291A JPH04370947A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 電子ビーム装置用測定点変換方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14774291A JPH04370947A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 電子ビーム装置用測定点変換方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04370947A true JPH04370947A (ja) | 1992-12-24 |
Family
ID=15437121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14774291A Withdrawn JPH04370947A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 電子ビーム装置用測定点変換方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04370947A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8090186B2 (en) * | 2008-04-04 | 2012-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and manufacturing method of semiconductor device |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP14774291A patent/JPH04370947A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8090186B2 (en) * | 2008-04-04 | 2012-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and manufacturing method of semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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