JPH0437106A - 薄膜コンデンサ - Google Patents
薄膜コンデンサInfo
- Publication number
- JPH0437106A JPH0437106A JP2144782A JP14478290A JPH0437106A JP H0437106 A JPH0437106 A JP H0437106A JP 2144782 A JP2144782 A JP 2144782A JP 14478290 A JP14478290 A JP 14478290A JP H0437106 A JPH0437106 A JP H0437106A
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- JP
- Japan
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- substrate
- thin film
- film capacitor
- electrodes
- internal electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器等に使用する薄膜コンデンサに関
する。
する。
従来の技術
近年、電子機器の急速な小型化、高性能化にともない電
子部品の小型化の要請が強まってきている。コンデンサ
の小型化には、誘電体の誘電率を大きくしたり誘電体の
厚さを薄くする方法がある。
子部品の小型化の要請が強まってきている。コンデンサ
の小型化には、誘電体の誘電率を大きくしたり誘電体の
厚さを薄くする方法がある。
従来の薄膜コンデンサで誘電体として有機材料を使用し
たフィルムコンデンサなどではフィルムを薄くすること
によって小型化している。また誘電体が有機材料の薄膜
コンデンサは内部電極として導電性のよいＡｅまたはＡ
ｅ合金が使用され、外部電極はＣｕ等の金属を溶射して
形成されている。
たフィルムコンデンサなどではフィルムを薄くすること
によって小型化している。また誘電体が有機材料の薄膜
コンデンサは内部電極として導電性のよいＡｅまたはＡ
ｅ合金が使用され、外部電極はＣｕ等の金属を溶射して
形成されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では、ＡｅまたはＡｅ合
金の耐食性が弱いので、高温多湿下で基板や有機薄膜か
らのアルカリ成分等の影響で内部電極の腐食が発生する
という問題点、および内部電極の膜厚が十分でないと外
部電極形成時に内部電極が外部電極の溶射金属に喰われ
やすいという問題点を有していた。
金の耐食性が弱いので、高温多湿下で基板や有機薄膜か
らのアルカリ成分等の影響で内部電極の腐食が発生する
という問題点、および内部電極の膜厚が十分でないと外
部電極形成時に内部電極が外部電極の溶射金属に喰われ
やすいという問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、内部電極
の表面が腐食せず、かつ外部電極の溶射金属に喰われな
い薄膜コンデンサを提供することを目的とする。
の表面が腐食せず、かつ外部電極の溶射金属に喰われな
い薄膜コンデンサを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の薄膜コンデンサは、
絶縁性を有する基板（以下基板という）の表面にニッケ
ルまたはニッケルクロム合金を１層毎に基板の端部まで
配設した２層以上の内部電極と、この内部電極と交互に
積層された有機薄膜の誘電体とを保護膜で被覆し、基板
の両端部に外部電極を備えた構成を有している。
絶縁性を有する基板（以下基板という）の表面にニッケ
ルまたはニッケルクロム合金を１層毎に基板の端部まで
配設した２層以上の内部電極と、この内部電極と交互に
積層された有機薄膜の誘電体とを保護膜で被覆し、基板
の両端部に外部電極を備えた構成を有している。
作用
この構成によって基板あるいは有機薄膜からのアルカリ
成分等による電極の腐食はな（なり外部電極による内部
電極の喰われは発生しないこととなる。
成分等による電極の腐食はな（なり外部電極による内部
電極の喰われは発生しないこととなる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図に示すように基板１の上に内部電極２と誘電体３
を交互に積層し内部電極３の両端部を除いた表面を保護
膜４で被覆し基板１の両端部に内部電極３に導通した外
部電極５を形成する。
を交互に積層し内部電極３の両端部を除いた表面を保護
膜４で被覆し基板１の両端部に内部電極３に導通した外
部電極５を形成する。
以下に実施例を示しさらに詳しく本発明について説明す
る。
る。
（実施例１）
両端部を除く表面に膜厚寸法が２０ａｍのガラスを被覆
したアルミナ製の基板１の上に内部電極２として真空蒸
着法で膜厚寸法が０．０３μｍのＮｉを、誘電体３とし
て蒸着重合法で膜厚寸法が０．４μｍの芳香族ボリュリ
ア膜を交互に積層した後、保護膜４としてプラズマＣＶ
Ｄ法で窒化シリコン膜を２μｍの厚さで形成し、外部電
極５を減圧プラズマ溶射法で膜厚寸法が２０μｍの銅合
金で形成する。
したアルミナ製の基板１の上に内部電極２として真空蒸
着法で膜厚寸法が０．０３μｍのＮｉを、誘電体３とし
て蒸着重合法で膜厚寸法が０．４μｍの芳香族ボリュリ
ア膜を交互に積層した後、保護膜４としてプラズマＣＶ
Ｄ法で窒化シリコン膜を２μｍの厚さで形成し、外部電
極５を減圧プラズマ溶射法で膜厚寸法が２０μｍの銅合
金で形成する。
（実施例２）
アルミナ製の基板１上に内部電極２としてスパッタリン
グ法で膜厚寸法が０．１μｍのニッケルクロム合金を、
誘電体３として、蒸着重合法により膜厚寸法が０．２μ
ｍの芳香族ポリイミド膜を交互に２０層積層した後、保
護膜４としてプラズマＣＶＤ法で窒化シリコン膜を２μ
ｍの厚さで形成し、外部電極５を減圧プラズマ溶射法で
膜厚寸法が１０μｍの鋼合金で形成する。
グ法で膜厚寸法が０．１μｍのニッケルクロム合金を、
誘電体３として、蒸着重合法により膜厚寸法が０．２μ
ｍの芳香族ポリイミド膜を交互に２０層積層した後、保
護膜４としてプラズマＣＶＤ法で窒化シリコン膜を２μ
ｍの厚さで形成し、外部電極５を減圧プラズマ溶射法で
膜厚寸法が１０μｍの鋼合金で形成する。
以上のように構成された薄膜コンデンサについて高湿ラ
イフ試験（温度６０℃、湿度９５％で１０００時間放置
）を行った結果、内部電極の腐食は見られずコンデンサ
の容量変化もなく安定していた。
イフ試験（温度６０℃、湿度９５％で１０００時間放置
）を行った結果、内部電極の腐食は見られずコンデンサ
の容量変化もなく安定していた。
以上のように本発明によれば、内部電極の材料を耐食性
の強いニッケルまたはニッケルクロム合金とすることに
より高湿試験においても内部電極の表面が腐食されず、
さらに外部電極の溶射金属による内部電極の喰われをな
くすることができ、高品質で信頼性の高いものにするこ
とができる。
の強いニッケルまたはニッケルクロム合金とすることに
より高湿試験においても内部電極の表面が腐食されず、
さらに外部電極の溶射金属による内部電極の喰われをな
くすることができ、高品質で信頼性の高いものにするこ
とができる。
したがって薄膜コンデンサの高性能化・小形化・低コス
ト化を図ることができる。
ト化を図ることができる。
発明の効果
以上の実施例の説明からも明らがなように本発明は、基
板の表面にニッケルまたはニッケルクロム合金を１層毎
に基板の端部まで配設した２層以上の内部電極とこの内
部電極と交互に積層された有機薄膜の誘電体を保護膜で
被覆し、基板の両端部に外ｉｔ極を備えた構成により内
部電極の表面が腐食されず、かつ外部電極の溶射金属に
喰われない高品質で信頼性の高い優れた薄膜コンデンサ
を実現できるものである。
板の表面にニッケルまたはニッケルクロム合金を１層毎
に基板の端部まで配設した２層以上の内部電極とこの内
部電極と交互に積層された有機薄膜の誘電体を保護膜で
被覆し、基板の両端部に外ｉｔ極を備えた構成により内
部電極の表面が腐食されず、かつ外部電極の溶射金属に
喰われない高品質で信頼性の高い優れた薄膜コンデンサ
を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例の薄膜コンデンサの構成を示
す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・内部電極、３・・
・・・・誘電体、４・・・・・・保護膜、５・・・・・
・外部電極。
す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・内部電極、３・・
・・・・誘電体、４・・・・・・保護膜、５・・・・・
・外部電極。
Claims (2)
- （１）絶縁性を有する基板の表面にニッケルまたはニッ
ケルクロム合金を１層毎に前記基板の端部まで配設した
２層以上の内部電極と、前記内部電極と交互に積層され
た有機薄膜の誘電体とを保護膜で被覆し、前記基板の両
端部に外部電極を備えた薄膜コンデンサ。 - （２）基板の表面のうち両端部以外の表面にガラスの被
覆層を設けた請求項１記載の薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144782A JPH0437106A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 薄膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144782A JPH0437106A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 薄膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437106A true JPH0437106A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15370315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2144782A Pending JPH0437106A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 薄膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0437106A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997030326A1 (en) * | 1996-02-14 | 1997-08-21 | Bicc Public Limited Company | Capacitive gap measurement device |
| JP2009267376A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Tdk Corp | 薄膜コンデンサ、及び薄膜コンデンサの製造方法 |
| EP3031848A1 (en) | 2014-12-09 | 2016-06-15 | ABB Technology Ltd | Dielectric material and dielectric film |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4930865A (ja) * | 1972-07-20 | 1974-03-19 | ||
| JPS5498952A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-04 | Nippon Electric Co | Method of producing thin film condenser |
| JPH02121313A (ja) * | 1988-10-29 | 1990-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層薄膜コンデンサ |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP2144782A patent/JPH0437106A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4930865A (ja) * | 1972-07-20 | 1974-03-19 | ||
| JPS5498952A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-04 | Nippon Electric Co | Method of producing thin film condenser |
| JPH02121313A (ja) * | 1988-10-29 | 1990-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層薄膜コンデンサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997030326A1 (en) * | 1996-02-14 | 1997-08-21 | Bicc Public Limited Company | Capacitive gap measurement device |
| JP2009267376A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Tdk Corp | 薄膜コンデンサ、及び薄膜コンデンサの製造方法 |
| EP3031848A1 (en) | 2014-12-09 | 2016-06-15 | ABB Technology Ltd | Dielectric material and dielectric film |
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