JPH0437113A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPH0437113A JPH0437113A JP2144908A JP14490890A JPH0437113A JP H0437113 A JPH0437113 A JP H0437113A JP 2144908 A JP2144908 A JP 2144908A JP 14490890 A JP14490890 A JP 14490890A JP H0437113 A JPH0437113 A JP H0437113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- alignment
- reference mark
- reticle
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程における露光工程にお
いて、フォトマスクを正確に装着するために有効な保護
部材を有する縮小投影露光装置に関するものである。
いて、フォトマスクを正確に装着するために有効な保護
部材を有する縮小投影露光装置に関するものである。
半導体装置の微細化に伴い、その製造工程において微小
な異物が大きな影響を及ぼすようになってきた。
な異物が大きな影響を及ぼすようになってきた。
第3図は従来の縮小投影露光装置を示す図である0図に
おいて、7は透明基体の主表面により形成され、内央部
に所定の回路パターン、その外側部にアライメント・マ
ーク8がそれぞれ配置されたフォトマスクであって、こ
の場合レチクル5はレチクル7の下方側に配置されたレ
ンズ系、4はレンズ系5の下方側に配置される半導体基
板(以下ウェハと称す)、lはウェハをセットするため
のウェハステージ、3は基体の主表面に遮光膜により所
定のアライメントパターンが形成された、ステージ上の
座標基準マーク、6はレチクル7の上側に配置されレチ
クル7を正確にセットするための3本のレチクル顕微鏡
である。
おいて、7は透明基体の主表面により形成され、内央部
に所定の回路パターン、その外側部にアライメント・マ
ーク8がそれぞれ配置されたフォトマスクであって、こ
の場合レチクル5はレチクル7の下方側に配置されたレ
ンズ系、4はレンズ系5の下方側に配置される半導体基
板(以下ウェハと称す)、lはウェハをセットするため
のウェハステージ、3は基体の主表面に遮光膜により所
定のアライメントパターンが形成された、ステージ上の
座標基準マーク、6はレチクル7の上側に配置されレチ
クル7を正確にセットするための3本のレチクル顕微鏡
である。
ところで、レチクル顕微鏡6はY方向のアライメントを
行う第1顕微鏡6aと、回転方向のアライメントを行う
第2顕微鏡6b、X方向のアライメントを行う第3顕微
鏡6Cからなっている。またレチクル7上には3個のア
ライメントマーク8が形成されており、それぞれ前記顕
微鏡6a、6b、6cに対応して、Y方向アライメント
マーク8a、回転方向アライメントマークsb、x方向
アライメントマーク8cが形成されている。
行う第1顕微鏡6aと、回転方向のアライメントを行う
第2顕微鏡6b、X方向のアライメントを行う第3顕微
鏡6Cからなっている。またレチクル7上には3個のア
ライメントマーク8が形成されており、それぞれ前記顕
微鏡6a、6b、6cに対応して、Y方向アライメント
マーク8a、回転方向アライメントマークsb、x方向
アライメントマーク8cが形成されている。
前記レチクル7のアライメントは次のように行う、まず
、レチクル7が図示しないレクチルホルダにより搬送さ
れる前にあらかじめレチクル顕微鏡6を座標基準マーク
3に合わせる。その後、レチクル7を図示しないレチク
ルホルダにより搬送し、レチクル顕微鏡6a、6b、6
cとこれらに対応したアライメントマーク8a、8b、
8cとを合わせ込み、レチクル7のアライメントを行う
。
、レチクル7が図示しないレクチルホルダにより搬送さ
れる前にあらかじめレチクル顕微鏡6を座標基準マーク
3に合わせる。その後、レチクル7を図示しないレチク
ルホルダにより搬送し、レチクル顕微鏡6a、6b、6
cとこれらに対応したアライメントマーク8a、8b、
8cとを合わせ込み、レチクル7のアライメントを行う
。
第4図は第3図の座標基準マーク3の斜視図である。第
5図は第4図の■−■線断面を示す図である。座標基準
マーク3は所定の厚さを有する平板状のガラスにA1等
でアライメントマークがバターニングされており、凸状
に形成されたウェハステージ1の上に配設されて、その
主面高さがウェハステージ1に載置されたウェハ4と同
じ高さとなっている。
5図は第4図の■−■線断面を示す図である。座標基準
マーク3は所定の厚さを有する平板状のガラスにA1等
でアライメントマークがバターニングされており、凸状
に形成されたウェハステージ1の上に配設されて、その
主面高さがウェハステージ1に載置されたウェハ4と同
じ高さとなっている。
次にウェハ系のアライメントを行う、レンズ系5とウェ
ハ4の間にはウェハ全体の位置を確認するためのセンサ
ーとして図示しないウェハ顕微鏡が配置されている。ま
たレンズ系5とレチクル7との間にはウェハステージ1
の位置座標の測定を行う、図示しないレーザステップア
ライメント部が配置されている。前記ウェハ顕微鏡(図
示省略)とレーザステップアライメント部(図示省略)
とは共に、座標基準マーク3上の任意のアライメントマ
ークに合わせ込む、この状態でウェハ4をウェハステー
ジ1上に搬送し、その後図示しないウェハステージ顕微
鏡で粗なアライメントを行い次いで図示しないレーザス
テップアライメント部で密なアライメントを行う。
ハ4の間にはウェハ全体の位置を確認するためのセンサ
ーとして図示しないウェハ顕微鏡が配置されている。ま
たレンズ系5とレチクル7との間にはウェハステージ1
の位置座標の測定を行う、図示しないレーザステップア
ライメント部が配置されている。前記ウェハ顕微鏡(図
示省略)とレーザステップアライメント部(図示省略)
とは共に、座標基準マーク3上の任意のアライメントマ
ークに合わせ込む、この状態でウェハ4をウェハステー
ジ1上に搬送し、その後図示しないウェハステージ顕微
鏡で粗なアライメントを行い次いで図示しないレーザス
テップアライメント部で密なアライメントを行う。
このように、レチクル系のアライメントとウェハ系のア
ライメントを座標基準マーク3で行うことにより、レチ
クル7とウェハ4とが相対的に位置合わせされる。この
後レチクル7上より例えば紫外光を照射し、レチクル7
上に形成されたパターンをウェハ4上に転写する。しか
し、すべてのアラインメントの原点的な役割を果たして
いる座標基準マーク3は露出状態で使用されていた。
ライメントを座標基準マーク3で行うことにより、レチ
クル7とウェハ4とが相対的に位置合わせされる。この
後レチクル7上より例えば紫外光を照射し、レチクル7
上に形成されたパターンをウェハ4上に転写する。しか
し、すべてのアラインメントの原点的な役割を果たして
いる座標基準マーク3は露出状態で使用されていた。
従来の縮小投影露光装置では、ウェハ4の近くに座標基
準マーク3が配置されているためにウェハ4の入替えが
産室なること等により、座標マーク3に異物が付着して
しまうことがある。ステージ上座標基準マーク3上に異
物が付着すると検知信号に疑似信号が入り込みアライン
メントで使用する顕微鏡の位置がそれぞれ正確な位置に
設定できない、その結果、レチクルが正しい位置に載置
されないというエラーが発生したり、あるいはレチクル
の設定不良のまま露光を行い、全ステップが転写不良と
なってしまう等の問題が発生した。
準マーク3が配置されているためにウェハ4の入替えが
産室なること等により、座標マーク3に異物が付着して
しまうことがある。ステージ上座標基準マーク3上に異
物が付着すると検知信号に疑似信号が入り込みアライン
メントで使用する顕微鏡の位置がそれぞれ正確な位置に
設定できない、その結果、レチクルが正しい位置に載置
されないというエラーが発生したり、あるいはレチクル
の設定不良のまま露光を行い、全ステップが転写不良と
なってしまう等の問題が発生した。
本発明は以上のような従来の問題点を解消するためにな
されたもので、座標基準マークを異物付着から保護し、
レチクルアライメントが好適に行われる縮小投影露光装
置を得ることを目的とする。
されたもので、座標基準マークを異物付着から保護し、
レチクルアライメントが好適に行われる縮小投影露光装
置を得ることを目的とする。
この発明に係る縮小投影露光装置はフォトマスクを固定
する際に正しい位置ぎめを確認するための座標基準マー
クに保護部材を装着したもので、この保護材は座標基準
マークの外周囲を取り囲み所定の高さを有する枠体と、
この枠体の前記座標基準マークに装着される面と反対側
の面に接着され光学的に所定の透過率を有する薄膜から
なるものである。
する際に正しい位置ぎめを確認するための座標基準マー
クに保護部材を装着したもので、この保護材は座標基準
マークの外周囲を取り囲み所定の高さを有する枠体と、
この枠体の前記座標基準マークに装着される面と反対側
の面に接着され光学的に所定の透過率を有する薄膜から
なるものである。
この発明によれば、上述のように構成された保護部材を
装着したことにより、ステージ上座標基準マーク上に異
物が付着すると、検知信号に疑似信号が入り込み、装置
がマーク位置を元来のマーク位置と誤認識してマスク合
わせを行うことができなくなったり、またステージ上座
標基準マーク保護部材上に異物が付着してもレンズ系の
焦点からずれた位置に異物があるため、レチクル顕微鏡
の検知信号に対する影響が発生したりするのが低減され
る。
装着したことにより、ステージ上座標基準マーク上に異
物が付着すると、検知信号に疑似信号が入り込み、装置
がマーク位置を元来のマーク位置と誤認識してマスク合
わせを行うことができなくなったり、またステージ上座
標基準マーク保護部材上に異物が付着してもレンズ系の
焦点からずれた位置に異物があるため、レチクル顕微鏡
の検知信号に対する影響が発生したりするのが低減され
る。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例による縮小投影露光装置を
示す図であり、特に保護材を座標基準マークに装着した
状態を示す斜視図、第2図は第1図のI−1線における
断面図を示す図である。なお、従来の技術の説明と重複
する部分は適宜その説明を省略する0図において、1.
3は従来のものとおなしもの、2は保護部材である。そ
してこの保護部材2は薄膜(座標基準マーク用保護体)
2aとフレーム(枠体)2bから構成されている。
示す図であり、特に保護材を座標基準マークに装着した
状態を示す斜視図、第2図は第1図のI−1線における
断面図を示す図である。なお、従来の技術の説明と重複
する部分は適宜その説明を省略する0図において、1.
3は従来のものとおなしもの、2は保護部材である。そ
してこの保護部材2は薄膜(座標基準マーク用保護体)
2aとフレーム(枠体)2bから構成されている。
膜2aは数μmの均一な膜厚を有し、透明なニトロセル
ロースなどの材質で形成されている。フレーム2bは数
閣の高さを有し、アルミニウムなどからなり、この場合
、円形状に形成されている。
ロースなどの材質で形成されている。フレーム2bは数
閣の高さを有し、アルミニウムなどからなり、この場合
、円形状に形成されている。
保護材2のフレーム2bがステージ1の凸部にはめ込ま
れることにより、座標基準マーク3上のマーク形成面は
保護部材2により密封状態となる。
れることにより、座標基準マーク3上のマーク形成面は
保護部材2により密封状態となる。
これによりマーク形成部が異物の付着から保護されるも
のである。この座標基準マーク保護部材2の使用による
位置合わせ露光原理は従来の技術で示すものと同様であ
る。しかし、座標基準マーク3上の所定の読み取りを行
うとき、座標基準マーク保護部材2の上に所定寸法の異
物が付着しても、異物が座標基準マーク面から数■ずれ
た位置であるため、焦点位置が異物からずれ、所定マー
クのより良好な信号認識ができ、適切なアラインメント
が可能である。従って信親性の高い半導体製造装置がで
きる。
のである。この座標基準マーク保護部材2の使用による
位置合わせ露光原理は従来の技術で示すものと同様であ
る。しかし、座標基準マーク3上の所定の読み取りを行
うとき、座標基準マーク保護部材2の上に所定寸法の異
物が付着しても、異物が座標基準マーク面から数■ずれ
た位置であるため、焦点位置が異物からずれ、所定マー
クのより良好な信号認識ができ、適切なアラインメント
が可能である。従って信親性の高い半導体製造装置がで
きる。
なお、この方法による保護材のはりつけに限らずはめ合
い式、ネジ式等剥着自在のものが考えられる。
い式、ネジ式等剥着自在のものが考えられる。
また保護膜の材質はニトロセルロース等の他にガラス薄
板等、材質の異なるものが考えられる。
板等、材質の異なるものが考えられる。
以上のように、本発明に係る縮小投影露光装置によれば
、座標基準マークに保護部材を装着するようにしたので
、フォトマスクのアライメントエラーを抑制でき、より
適切な露光が安定して得られる効果がある。
、座標基準マークに保護部材を装着するようにしたので
、フォトマスクのアライメントエラーを抑制でき、より
適切な露光が安定して得られる効果がある。
第1図は座標基準マークを有する基板にマーク保護部材
を装着した状態の斜視図、第2図は第1図の1−I線に
おける断面図、第3図は縮小投影露光装置の概略図、第
4図は第3図の座標基準マークの斜視図、第5図は第4
図の■−■線断面図である。 図において、1はうエバステージ、3は座標基準マーク
を有する基板、2は座標基準マーク保護部材、2aは膜
、2bはフレーム、4はウェハ、5はレンズ系、6はレ
チクル顕微鏡、6aは第1顕微鏡、6bは第2顕微鏡、
6cは第3顕微鏡、7はレチクル、8はレチクルアライ
ンメント、8aはY方向アラインメントマーク、8bは
回転方向アラインメントマーク、8cはX方向アライン
メントマークである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1図 1、りr///?ゲージ 第2図
を装着した状態の斜視図、第2図は第1図の1−I線に
おける断面図、第3図は縮小投影露光装置の概略図、第
4図は第3図の座標基準マークの斜視図、第5図は第4
図の■−■線断面図である。 図において、1はうエバステージ、3は座標基準マーク
を有する基板、2は座標基準マーク保護部材、2aは膜
、2bはフレーム、4はウェハ、5はレンズ系、6はレ
チクル顕微鏡、6aは第1顕微鏡、6bは第2顕微鏡、
6cは第3顕微鏡、7はレチクル、8はレチクルアライ
ンメント、8aはY方向アラインメントマーク、8bは
回転方向アラインメントマーク、8cはX方向アライン
メントマークである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1図 1、りr///?ゲージ 第2図
Claims (1)
- (1)縮小投影露光装置において、 フォトマスクを固定する際に正しい位置ぎめを確認する
ためのステージ上の座標基準マークの外周部を取り囲む
枠体と、 この枠体の上記座標基準マークに装着される面と反対側
の面に装着され、光学的に所定の透過率を有する座標基
準マーク用保護体とを備えたことを特徴とする縮小投影
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144908A JPH0437113A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144908A JPH0437113A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437113A true JPH0437113A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15373086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2144908A Pending JPH0437113A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0437113A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002008962A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Canon Inc | 基準プレート、露光装置、デバイス製造システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
| JP2010004040A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP2144908A patent/JPH0437113A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002008962A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Canon Inc | 基準プレート、露光装置、デバイス製造システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
| EP1168085A3 (en) * | 2000-06-19 | 2005-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Reference plate for exposure apparatus |
| JP2010004040A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| US8243259B2 (en) | 2008-06-18 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
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