JPH04372177A - 光起電力装置 - Google Patents

光起電力装置

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JPH04372177A
JPH04372177A JP3150366A JP15036691A JPH04372177A JP H04372177 A JPH04372177 A JP H04372177A JP 3150366 A JP3150366 A JP 3150366A JP 15036691 A JP15036691 A JP 15036691A JP H04372177 A JPH04372177 A JP H04372177A
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JP
Japan
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film
photovoltaic device
electrode film
semiconductor film
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP3150366A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Noguchi
繁 能口
Hiroshi Iwata
浩志 岩多
Keiichi Sano
景一 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
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Priority to US07/983,562 priority patent/US5387007A/en
Publication of JPH04372177A publication Critical patent/JPH04372177A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60R—VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B60R21/00—Arrangements or fittings on vehicles for protecting or preventing injuries to occupants or pedestrians in case of accidents or other traffic risks
    • B60R21/02—Occupant safety arrangements or fittings, e.g. crash pads
    • B60R21/16—Inflatable occupant restraints or confinements designed to inflate upon impact or impending impact, e.g. air bags
    • B60R21/26—Inflatable occupant restraints or confinements designed to inflate upon impact or impending impact, e.g. air bags characterised by the inflation fluid source or means to control inflation fluid flow
    • B60R21/264—Inflatable occupant restraints or confinements designed to inflate upon impact or impending impact, e.g. air bags characterised by the inflation fluid source or means to control inflation fluid flow using instantaneous generation of gas, e.g. pyrotechnic
    • B60R21/2644—Inflatable occupant restraints or confinements designed to inflate upon impact or impending impact, e.g. air bags characterised by the inflation fluid source or means to control inflation fluid flow using instantaneous generation of gas, e.g. pyrotechnic using only solid reacting substances, e.g. pellets, powder

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Air Bags (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽光発電や光検出等
に利用される光起電力装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光エネルギーを電気エネルギーに変換す
る光起電力装置は、一般的に、光を透過する透明電極膜
、非晶質シリコン等の光活性層を含む半導体膜及び裏面
電極膜を積層した構造を備えており、半導体膜に入射さ
れた光を吸収することにより、光起電力を発生している
。従って、光エネルギーから電気エネルギーへの光電変
換効率を向上させるには、半導体膜での光吸収を増大さ
せればよい。
【０００３】このために、ガラス基板の表面に、透明電
極膜、半導体膜及び裏面電極膜を形成した光起電力装置
において、裏面電極膜をＩＴＯ／Ａｇ、ＳｎＯ２／Ａｇ
等の構造とすることにより、透明電極膜を通して一旦半
導体膜に入射されたにも係わらず、半導体膜にて吸収さ
れずに裏面電極膜にまで達した光を、裏面電極膜で反射
して再度半導体膜に入射し、入射光を有効に利用するよ
うにした光起電力装置がある。例えば、特公昭６０−４
１８７８号公報に詳しい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
裏面電極膜として用いられているＩＴＯやＳｎＯ２は、
共に屈折率が１．９と大きい。そのために、この裏面電
極膜にて光を反射していると言えども、ＩＴＯ／Ａｇや
ＳｎＯ２／Ａｇの界面での反射率は約９０％程度であり
、十分に反射による光の有効利用を行っているとは言え
ない。
【０００５】そこで、本発明は、裏面の金属電極膜にお
ける光の反射をより有効に行い、光の有効利用を高め、
光起電力装置の光電変換効率を向上するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、光活性層を含
む半導体膜と、この半導体膜の一方の面に形成された金
属電極膜とを備えた光起電力装置において、上記半導体
膜と金属電極膜との間に、透明絶縁膜を介挿したことを
特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明は、半導体膜とこれの一方の面に形成さ
れた金属電極膜との間に介挿された透明絶縁膜が、半導
体膜を通過した光の反射率を高める。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す断面図であり
、１はガラス、耐熱性プラスチック等からなる透明基板
、２は透明基板１上に形成された膜厚５０００ÅのＩＴ
Ｏ、ＳｎＯ２等からなる透明電極膜、３は透明電極膜２
上に形成された半導体膜であり、透明電極膜２側から順
に、ボロン（Ｂ）をドープした膜厚１００Åの非晶質シ
リコンカーバイド膜３ｐ、ノンドープの膜厚５０００Å
の非晶質シリコン膜３ｉ及びリン（Ｐ）をドープした膜
厚２００Åの非晶質シリコン膜３ｎが積層された構造で
ある。４は半導体膜３上に形成された膜厚１０Åの酸化
シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化
チタン（ＴｉＯ）等からなる透明絶縁膜、５はＡｇから
なる金属電極膜である。
【０００９】透明絶縁膜４は、例えばプラズマＣＶＤ法
を用いて形成される。透明絶縁膜４がＳｉＯ２からなる
場合、原料ガスとして、ＳｉＨ４の流量：５〜３０ｃｃ
、Ｏ２の流量：１〜１０ｃｃが用いられ、ＳｉＮからな
る場合、原料ガスとして、ＳｉＨ４の流量：５〜３０ｃ
ｃ、Ｏ２の流量：１〜１０ｃｃが用いられる。その他の
形成条件としては、いずれの場合も、基板温度：１５０
〜２５０℃、反応圧力：５０〜４００ｍＴｏｒｒ、ＲＦ
パワー：５０〜３００Ｗである。
【００１０】以上の構成の光起電力装置によれば、その
短絡電流が、従来の光起電力装置（即ち、裏面電極膜と
して、ＩＴＯ／Ａｇ、ＳｎＯ２／Ａｇ等の構造を用いた
光起電力装置）において１５ｍＡ／ｃｍ２であるのに対
し、１５．８ｍＡ／ｃｍ２へと向上した。
【００１１】こうした特性の向上は、波長５００ｎｍの
光に対する透明絶縁膜４の屈折率が１．４６であって、
ＩＴＯやＳｎＯ２の１．９より小さく、その結果、金属
電極膜５における反射率が約９５％に増大したためと考
えられる。
【００１２】ところで、本発明の光起電力装置において
は、半導体膜３と金属電極膜５との間に電流（本発明に
おいてはトンネル電流）が流れるようにする必要があり
、このために透明絶縁膜４の膜厚はある値に制限される
。
【００１３】図２は、透明絶縁膜４としてＳｉＯ２を用
いた場合のその膜厚と光電変換効率との関係を示してい
る。
【００１４】この図から明らかなように、透明絶縁膜４
の膜厚が１０Åを越えると、もはや半導体膜３と金属電
極膜５との間にトンネル電流は流れず、光電変換効率は
０となってしまう。従って、透明絶縁膜４の膜厚は１０
以下である必要があり、５〜１０Åであるのが特に好ま
しい。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、光活性層を含む半導体膜と、
この半導体膜の一方の面に形成された金属電極膜とを備
えた光起電力装置において、上記半導体膜と金属電極膜
との間に、透明絶縁膜を介挿したので、裏面の金属電極
膜における光の反射をより有効に行い、光の有効利用を
高め、光起電力装置の光電変換効率を向上することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例における透明絶縁膜の膜厚と
光電変換効率との関係を示す特性図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　光活性層を含む半導体膜と、この半導
    体膜の一方の面に形成された金属電極膜とを備えた光起
    電力装置において、上記半導体膜と金属電極膜との間に
    、透明絶縁膜を介挿したことを特徴とする光起電力装置
    。
  2. 【請求項２】　　上記透明絶縁膜は、膜厚１０Å以下で
    あることを特徴とする請求項１記載の光起電力装置。
JP3150366A 1991-06-21 1991-06-21 光起電力装置 Pending JPH04372177A (ja)

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JP3150366A JPH04372177A (ja) 1991-06-21 1991-06-21 光起電力装置
US07/983,562 US5387007A (en) 1991-06-21 1992-06-22 Gas generator of thin-walled structure

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