JPH0437248A - 発光素子装置及び発光素子装置の製造方法及び画像読取装置 - Google Patents
発光素子装置及び発光素子装置の製造方法及び画像読取装置Info
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- JPH0437248A JPH0437248A JP2141297A JP14129790A JPH0437248A JP H0437248 A JPH0437248 A JP H0437248A JP 2141297 A JP2141297 A JP 2141297A JP 14129790 A JP14129790 A JP 14129790A JP H0437248 A JPH0437248 A JP H0437248A
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- light emitting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はファクシミリやイメージスキャナ等の画像人力
部に用いられる発光素子装置に係り、特に安価に製造す
ることができる厚膜プロセスで発光層を形成する発光素
子装置及びその製造方法及び画像読取装置に関するもの
である。
部に用いられる発光素子装置に係り、特に安価に製造す
ることができる厚膜プロセスで発光層を形成する発光素
子装置及びその製造方法及び画像読取装置に関するもの
である。
（従来の技術）
近年、画像読取装置の小型化を図るために、蛍光灯の代
わりにエレクトロルミネッセンス（ＥＬ発光）素子など
の固体光源を使用し、発光素子と受光素子とを一体化し
て形成されたものが提案されている。
わりにエレクトロルミネッセンス（ＥＬ発光）素子など
の固体光源を使用し、発光素子と受光素子とを一体化し
て形成されたものが提案されている。
この種の画像読取装置では、原稿面を照射する光が原稿
面に対して直角に照射するようにして照度むらを防せぐ
とともに、原稿面からの反射光が発光素子に入射する光
路長を短くするため、例えば第４図及び第５図に示すよ
うに、ライン状に配設された受光素子３１を有する受光
素子アレイ３０の直上に接着剤５０を介してＥＬ発光素
子装置４０を配置している。そして、各受光素子３１に
対応する位置のＥＬ発光素子装置４０に透光部６０を形
成し、この透光部６０を通して原稿面７゜からの反射光
８０が各受光素子３１に導かれるようになっている。
面に対して直角に照射するようにして照度むらを防せぐ
とともに、原稿面からの反射光が発光素子に入射する光
路長を短くするため、例えば第４図及び第５図に示すよ
うに、ライン状に配設された受光素子３１を有する受光
素子アレイ３０の直上に接着剤５０を介してＥＬ発光素
子装置４０を配置している。そして、各受光素子３１に
対応する位置のＥＬ発光素子装置４０に透光部６０を形
成し、この透光部６０を通して原稿面７゜からの反射光
８０が各受光素子３１に導かれるようになっている。
そして、ＥＬ発光素子装ｆｔ４０の透光部６０は次のよ
うにして構成される。すなわち、透明基板４１上に、薄
膜プロセスで透明電極４２．絶縁層４３、発光層４４．
絶縁層４５を着膜し、更に金属電極４６を着膜及び方形
上の開口部４６ａを有するようにエツチングによりパタ
ーンニングする。
うにして構成される。すなわち、透明基板４１上に、薄
膜プロセスで透明電極４２．絶縁層４３、発光層４４．
絶縁層４５を着膜し、更に金属電極４６を着膜及び方形
上の開口部４６ａを有するようにエツチングによりパタ
ーンニングする。
透明電極４２．絶縁層４３１発光層４４は、いずれも透
光性の部材で形成されているので、金属電極４６に設け
た開口部４６ａ上に位置する部分が透光部６０となる。
光性の部材で形成されているので、金属電極４６に設け
た開口部４６ａ上に位置する部分が透光部６０となる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上記構造によると、薄膜型のＥＬ発光素子
を使用するので、その製造コストが高価となるとともに
、薄膜プロセスの際の真空チャンバーの大きさ等により
ＥＬ発光素子の面積が制限され大面積のものが得にくい
という問題点があった。
を使用するので、その製造コストが高価となるとともに
、薄膜プロセスの際の真空チャンバーの大きさ等により
ＥＬ発光素子の面積が制限され大面積のものが得にくい
という問題点があった。
一方、スクリーン印刷等の厚膜プロセスで発光層を形成
するＥＬ発光素子も存在し、このＥＬ発光素子によれば
上述の欠点は解消するが、発光層としてＺｎＳ等の発光
粒子を有機バインダー中に分散したものを使用するので
、ＺｎＳと有機バインダーとの屈折率の相違により発光
層中を原稿面からの反射光が散乱して効率良く透過する
ことができない。従って、前記した発光素子と受光素子
とを一体化した画像読取装置に厚膜型のＥＬ発光素子を
使用すると、受光素子上の発光層部分についても除去し
なければならない。しかしながら、厚膜プロセスで着膜
された発光層は１０〜１００μｍと厚くなるので微細パ
ターニングすることができず、従来例の画像読取装置の
構造及び製造方法においてＥＬ発光素子部分を単に厚膜
型に置き換えることはできなかった。
するＥＬ発光素子も存在し、このＥＬ発光素子によれば
上述の欠点は解消するが、発光層としてＺｎＳ等の発光
粒子を有機バインダー中に分散したものを使用するので
、ＺｎＳと有機バインダーとの屈折率の相違により発光
層中を原稿面からの反射光が散乱して効率良く透過する
ことができない。従って、前記した発光素子と受光素子
とを一体化した画像読取装置に厚膜型のＥＬ発光素子を
使用すると、受光素子上の発光層部分についても除去し
なければならない。しかしながら、厚膜プロセスで着膜
された発光層は１０〜１００μｍと厚くなるので微細パ
ターニングすることができず、従来例の画像読取装置の
構造及び製造方法においてＥＬ発光素子部分を単に厚膜
型に置き換えることはできなかった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、発光素子と
受光素子とを一体化した画像読取装置に使用することが
できる厚膜型のＥＬ発光素子装置及びその製造方法及び
厚膜型のＥＬ発光素子装置を用いた画像読取装置を提供
することを目的とする。
受光素子とを一体化した画像読取装置に使用することが
できる厚膜型のＥＬ発光素子装置及びその製造方法及び
厚膜型のＥＬ発光素子装置を用いた画像読取装置を提供
することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解決するため請求項１の発光素子
装置は、透明基板に複数の凹部を形成し、厚膜プロセス
で着膜された発光層と、発光層を挾む２つの電極とを前
記各凹部内に積層し、前記発光層を２つの電極で挟む発
光素子形成部と光が透過する透光部とを交互に配置する
ことを特徴としている。
装置は、透明基板に複数の凹部を形成し、厚膜プロセス
で着膜された発光層と、発光層を挾む２つの電極とを前
記各凹部内に積層し、前記発光層を２つの電極で挟む発
光素子形成部と光が透過する透光部とを交互に配置する
ことを特徴としている。
請求項２の発光素子装置の製造方法は、透明基板上にフ
ォトリソグラフィ法により複数の凹部を形成する凹部形
成工程と、凹部が形成された透明基板上に帯状の透明電
極を形成する電極形成工程と、発光粒子を分散した樹脂
を厚膜プロセスで着膜して成る発光層、該発光層上に位
置する金属電極を前記凹部に積層する発光素子形成工程
と、を具備することを特徴としている。
ォトリソグラフィ法により複数の凹部を形成する凹部形
成工程と、凹部が形成された透明基板上に帯状の透明電
極を形成する電極形成工程と、発光粒子を分散した樹脂
を厚膜プロセスで着膜して成る発光層、該発光層上に位
置する金属電極を前記凹部に積層する発光素子形成工程
と、を具備することを特徴としている。
請求項３の画像読取装置は、発光粒子を分散した樹脂を
厚膜プロセスで着膜して成る発光層と、発光層を挟む２
つの電極とを透明基板上に積層し、前記発光層を２つの
電極で挟む発光素子形成部と、光が透過する透光部とを
受光素子アレイの主走査方向に交互に設け、該透光部に
対応する位置に各受光素子を配設し、前記発光素子形成
部から発光した光が透明基板の反発光素子側に配置され
た原稿面で反射し、反射光が前記透光部を透過して前記
受光素子に入射することを特徴としている。
厚膜プロセスで着膜して成る発光層と、発光層を挟む２
つの電極とを透明基板上に積層し、前記発光層を２つの
電極で挟む発光素子形成部と、光が透過する透光部とを
受光素子アレイの主走査方向に交互に設け、該透光部に
対応する位置に各受光素子を配設し、前記発光素子形成
部から発光した光が透明基板の反発光素子側に配置され
た原稿面で反射し、反射光が前記透光部を透過して前記
受光素子に入射することを特徴としている。
（作用）
請求項１の発光素子装置によれば、透明基板に複数の凹
部を形成し、この凹部にＥＬ発光素子が形成されるので
、ＥＬ発光素子の発光層をエツチングすることなしに前
記凹部間に透光部を形成することができる。
部を形成し、この凹部にＥＬ発光素子が形成されるので
、ＥＬ発光素子の発光層をエツチングすることなしに前
記凹部間に透光部を形成することができる。
請求項２の発光素子装置の製造方法によれば、透明基板
に複数の凹部を形成し、この凹部にＥＬ発光素子を形成
するようにしたので、ＥＬ発光素子の発光層を厚膜プロ
セスで着膜することができる。
に複数の凹部を形成し、この凹部にＥＬ発光素子を形成
するようにしたので、ＥＬ発光素子の発光層を厚膜プロ
セスで着膜することができる。
請求項３の画像読取装置によれば、発光素子形成部と透
光部とを受光素子アレイの主走査方向に交互に設け、該
透光部に対応する位置に各受光素子を配設したので、原
稿面からの反射光は前記透光部を介して各受光素子に導
かれる。
光部とを受光素子アレイの主走査方向に交互に設け、該
透光部に対応する位置に各受光素子を配設したので、原
稿面からの反射光は前記透光部を介して各受光素子に導
かれる。
（実施例）
本発明の発光素子装置の一実施例について第１図（ｇ）
及び第２図（ａ）を参照しながら説明する。
及び第２図（ａ）を参照しながら説明する。
第１図（ｇ）は第２図（ａ）のＩ−Ｉ’断面説明図であ
る。
る。
このＥＬ発光素子装置は、透明基板１の長尺方向に周期
的に複数の凹部２を形成し、これらの各凹部２内に発光
素子形成部３を設け、この発光素子形成部３と光が透過
する透光部４とを交互に配置することするように構成し
ている。各凹部２には、透明電極５２発光粒子を分散し
た樹脂を厚膜プロセスで着膜して成る発光層６．誘電体
層７゜金属電極８を順次積層し、発光層６を挾む透明電
極５及び金属電極８との間に交流電圧が供給されたとき
、その極性変化時に発光層６から光が放射される。
的に複数の凹部２を形成し、これらの各凹部２内に発光
素子形成部３を設け、この発光素子形成部３と光が透過
する透光部４とを交互に配置することするように構成し
ている。各凹部２には、透明電極５２発光粒子を分散し
た樹脂を厚膜プロセスで着膜して成る発光層６．誘電体
層７゜金属電極８を順次積層し、発光層６を挾む透明電
極５及び金属電極８との間に交流電圧が供給されたとき
、その極性変化時に発光層６から光が放射される。
次に、このＥＬ発光素子装置の製造方法について第１図
（ａ）乃至（ｇ）を参照しながら説明する。
（ａ）乃至（ｇ）を参照しながら説明する。
ガラス等から成る厚さ１００μｍの透明基板１上の全面
にレジスト１０を塗布しく第１図（ａ））、露光、現像
してパターニングを行ない前記発光素子形成部に相当す
る部分のレジストを除去してレジストパターン１０′を
形成する。
にレジスト１０を塗布しく第１図（ａ））、露光、現像
してパターニングを行ない前記発光素子形成部に相当す
る部分のレジストを除去してレジストパターン１０′を
形成する。
次いて、フッ酸等のエツチング液を用いて、レジスト除
去部分の下方の透明基板１をウェットエツチングして深
さ５０〜６０μｍの複数の凹部２を形成しく第１図（ｂ
）） 、レジストパターン１０′を除去する。
去部分の下方の透明基板１をウェットエツチングして深
さ５０〜６０μｍの複数の凹部２を形成しく第１図（ｂ
）） 、レジストパターン１０′を除去する。
スプレーブレーティング法、ＣＶＤ法あるいは物理蒸着
法により、前記凹部２を覆うようにＩＴＯ等の透明電極
５を着膜する（第１図（Ｃ））。
法により、前記凹部２を覆うようにＩＴＯ等の透明電極
５を着膜する（第１図（Ｃ））。
あるいはレジストパターン１０′を形成後にＩＴＯ等を
着膜しく第１図（Ｃ−１）） 、リフトオフ法により凹
部２のみに透明電極５を形成してもよい（第１図（Ｃ−
２） ）。
着膜しく第１図（Ｃ−１）） 、リフトオフ法により凹
部２のみに透明電極５を形成してもよい（第１図（Ｃ−
２） ）。
次に発光部材６ａをスクリーン印刷またはスプレーブレ
ーティング法等により全面塗布した後（第１図（ｄ））
、スクレッパ−１１あるいは研磨等により前記凹部２
部分以外に塗布された膜を除いて発光層６を形成する（
第１図（ｅ））。発光部材６ａは、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＣＩ
ＺｎＳ：Ｃｕ、ＡＩ ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｂｒ Ｚ
ｎＳ：Ｃｕ。
ーティング法等により全面塗布した後（第１図（ｄ））
、スクレッパ−１１あるいは研磨等により前記凹部２
部分以外に塗布された膜を除いて発光層６を形成する（
第１図（ｅ））。発光部材６ａは、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＣＩ
ＺｎＳ：Ｃｕ、ＡＩ ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｂｒ Ｚ
ｎＳ：Ｃｕ。
Ｍｎ、ＣＩ ＺｎＣｄ５：Ｃｕ、Ｂｒのいずれがの材
料若しくはこれらのうちの複数をブレンドしたものを分
級した後、アセタール樹脂、エポキシ樹脂、メチルメタ
アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、シアノエチルセ
ルロース樹脂、フッ素系樹脂等のバインダー材のうちい
ずれかに分散混合したものを用いる。
料若しくはこれらのうちの複数をブレンドしたものを分
級した後、アセタール樹脂、エポキシ樹脂、メチルメタ
アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、シアノエチルセ
ルロース樹脂、フッ素系樹脂等のバインダー材のうちい
ずれかに分散混合したものを用いる。
更に、低融点ガラス、シアノエチルゼロース。
フッ化ビニリデン系３元共重合体、フッ化ビニリデン−
トリフッ化エチレン共重合体、エポキシ樹脂、シリコー
ン樹脂等のいずれかの誘電体部材をスクリーン印刷また
はスプレーブレーティング法等の厚膜プロセスにより全
面塗布した後、前工程と同様にスクレッパーあるいは研
磨等により前記凹部２部分以外に塗布された膜を削り取
り誘電体層７を形成する（第１図（ｆ））。
トリフッ化エチレン共重合体、エポキシ樹脂、シリコー
ン樹脂等のいずれかの誘電体部材をスクリーン印刷また
はスプレーブレーティング法等の厚膜プロセスにより全
面塗布した後、前工程と同様にスクレッパーあるいは研
磨等により前記凹部２部分以外に塗布された膜を削り取
り誘電体層７を形成する（第１図（ｆ））。
最後にＡ１等の金属をスプレーブレーティング法あるい
はＣＶＤ法あるいは物理蒸着法等により全面に着膜し、
透明基板１の凸部上に方形状の開口部８ａが位置するよ
うにフォトリソ法によるエツチング処理によりパターニ
ングして金属電極８を形成し、各凹部２内に形成された
発光素子形成部３と前記開口部８ａ下方に形成された透
光部４とを交互に配置するようにする（第１図（ｇ））
。
はＣＶＤ法あるいは物理蒸着法等により全面に着膜し、
透明基板１の凸部上に方形状の開口部８ａが位置するよ
うにフォトリソ法によるエツチング処理によりパターニ
ングして金属電極８を形成し、各凹部２内に形成された
発光素子形成部３と前記開口部８ａ下方に形成された透
光部４とを交互に配置するようにする（第１図（ｇ））
。
第３図は上述したＥＬ発光素子装置を画像読取装置に適
用した例を示す。
用した例を示す。
すなわち、上述したＥＬ発光素子装置と受光素子アレイ
２０とを透光性の接着剤５０を介して一体化する。受光
素子アレイ２０を構成する主走査方向に多数配設された
各受光素子２０ａがＥＬ発光素子装置の透光部４の直下
に位置するようにＥＬ発光素子装置と受光素子アレイ２
０とを接着している。受光素子アレイ２０は、その長さ
が原稿幅に対応するように基板２１上に形成され、各受
光素子２０ａは、主走査方向に離散的に形成されたクロ
ム（Ｃｒ）から成る個別電極２２と、酸化インジウム・
スズ（ＩＴＯ）から成る帯状の共通電極２４とで、アモ
ルファスシリコン（ａ−５ｔ）から成る帯状の光導電層
２３を挟持した薄膜のサンドイッチ構造で構成されてい
る。また、受光素子はこれに限定されることなく、ＣＣ
Ｄ等の受光素子でもよい。
２０とを透光性の接着剤５０を介して一体化する。受光
素子アレイ２０を構成する主走査方向に多数配設された
各受光素子２０ａがＥＬ発光素子装置の透光部４の直下
に位置するようにＥＬ発光素子装置と受光素子アレイ２
０とを接着している。受光素子アレイ２０は、その長さ
が原稿幅に対応するように基板２１上に形成され、各受
光素子２０ａは、主走査方向に離散的に形成されたクロ
ム（Ｃｒ）から成る個別電極２２と、酸化インジウム・
スズ（ＩＴＯ）から成る帯状の共通電極２４とで、アモ
ルファスシリコン（ａ−５ｔ）から成る帯状の光導電層
２３を挟持した薄膜のサンドイッチ構造で構成されてい
る。また、受光素子はこれに限定されることなく、ＣＣ
Ｄ等の受光素子でもよい。
ＥＬ発光素子装置の透明電極５と金属電極８とに５０〜
２５０ｖ程度の交流電圧を印加すると、画電極に挟まれ
た発光層６が発光し、透明基板１上に配置された原稿面
７０を照射する。原稿面７０からの反射光８０は、各透
光部４を通過し透光部４の直下に配置された各受光素子
２０ａに入射して電荷を発生させ、駆動用ＩＣ（図示せ
ず）の制御により各受光素子から信号として出力して画
像情報を得る。
２５０ｖ程度の交流電圧を印加すると、画電極に挟まれ
た発光層６が発光し、透明基板１上に配置された原稿面
７０を照射する。原稿面７０からの反射光８０は、各透
光部４を通過し透光部４の直下に配置された各受光素子
２０ａに入射して電荷を発生させ、駆動用ＩＣ（図示せ
ず）の制御により各受光素子から信号として出力して画
像情報を得る。
上述した実施例によれば、発光層６を透明基板１の凹部
２に形成したので、原稿面７０と受光素子２０ａとの距
離を近づけることができ、原稿面７０からの反射光８０
を効率良く利用することができる。また、発光素子形成
部３と透光部４とを交互に形成して発光部分を離散的に
し、特定発光部分が特定原稿面部分を照射するようにし
たので、原稿面７０を均一に照射する場合に比較して不
要な照射光を発生させない。従って、特定原稿面からの
反射光が本来入射すべき受光素子に隣接する受光素子に
入射するのを防ぎ、不要な反射光の割合を減少させて分
解能（ＭＴＦ）を向上させることができる。
２に形成したので、原稿面７０と受光素子２０ａとの距
離を近づけることができ、原稿面７０からの反射光８０
を効率良く利用することができる。また、発光素子形成
部３と透光部４とを交互に形成して発光部分を離散的に
し、特定発光部分が特定原稿面部分を照射するようにし
たので、原稿面７０を均一に照射する場合に比較して不
要な照射光を発生させない。従って、特定原稿面からの
反射光が本来入射すべき受光素子に隣接する受光素子に
入射するのを防ぎ、不要な反射光の割合を減少させて分
解能（ＭＴＦ）を向上させることができる。
更に、透明基板１及び金属電極８はフォトリソ法による
エツチングを行なうが、他の着膜工程は通常の厚膜プロ
セスで形成することができるので、安価で大面積のＥＬ
発光素子を得ることができる。
エツチングを行なうが、他の着膜工程は通常の厚膜プロ
セスで形成することができるので、安価で大面積のＥＬ
発光素子を得ることができる。
また、湿度に弱い発光層６を透明基板１の凹部２に埋没
させた構造とするので、外部から影響を受けにくく耐環
境に対して信頼性の高いＥＬ発光素子とすることができ
る。
させた構造とするので、外部から影響を受けにくく耐環
境に対して信頼性の高いＥＬ発光素子とすることができ
る。
本実施例では１ラインの受光素子及びＥＬ発光素子の例
について説明したが、例えばカラーの画像読取装置とす
る場合、上記した画像読取装置を複数ライン並設し、各
ＥＬ発光素子装置同士を主走査方向に１ビツトづつずら
し、副走査方向においても発光部と透光部が交互に配置
するようことにより副走査方向のＭＴＦの向上を図るこ
とができる。
について説明したが、例えばカラーの画像読取装置とす
る場合、上記した画像読取装置を複数ライン並設し、各
ＥＬ発光素子装置同士を主走査方向に１ビツトづつずら
し、副走査方向においても発光部と透光部が交互に配置
するようことにより副走査方向のＭＴＦの向上を図るこ
とができる。
（発明の効果）
上述したように本発明によれば、発光層を厚膜プロセス
で着膜可能な発光素子を得ることができるので、発光素
子装置及びこれを用いた画像読取装置を安価に製造する
ことができる。また、厚膜プロセスにおいては着膜面積
を制限されることがないので、発光素子装置の大面積化
を図ることができる。更に、発光層を透明基板の凹部内
に形成するので、耐環境信頼性の高い発光素子装置を得
ることができるとともに、装置全体を薄型化することが
できる。
で着膜可能な発光素子を得ることができるので、発光素
子装置及びこれを用いた画像読取装置を安価に製造する
ことができる。また、厚膜プロセスにおいては着膜面積
を制限されることがないので、発光素子装置の大面積化
を図ることができる。更に、発光層を透明基板の凹部内
に形成するので、耐環境信頼性の高い発光素子装置を得
ることができるとともに、装置全体を薄型化することが
できる。
また、本発明の画像読取装置によれば、発光素子形成部
と透光部とを交互に形成して発光部分を離散的にし、特
定発光部分が特定原稿面部分を照射するようにしたので
、原稿面を均一に照射する場合に比較して不要な照射光
を発生させず、不要な反射光の割合を減少させて分解能
（ＭＴＦ）を向上させることができる。
と透光部とを交互に形成して発光部分を離散的にし、特
定発光部分が特定原稿面部分を照射するようにしたので
、原稿面を均一に照射する場合に比較して不要な照射光
を発生させず、不要な反射光の割合を減少させて分解能
（ＭＴＦ）を向上させることができる。
第１図（ａ）乃至（ｇ）は本発明の発光素子装置の製造
プロセスを示す工程図、第２図は本発明の発光素子装置
の平面説明図、第３図は第１図で得られる発光素子装置
を用いた画像読取装置の一部断面説明図、第４図は従来
の発光素子−受光素子一体型の画像読取装置の平面説明
図、第５図は第４図のｖ−ｖ’線断面説明図である。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・凹部 ３・・・・・・発光素子形成部 ４・・・・・・透光部 ５・・・・・・透明電極 ６・・・・・・発光層 ７・・・・・・誘電体層 ８・・・・・・金属電極 ８ａ・・・開口部 ２０・・・・・・受光素子アレイ ７０・・・・・・原稿面 ８０・・・・・・反射光 第１ 図 第２図
プロセスを示す工程図、第２図は本発明の発光素子装置
の平面説明図、第３図は第１図で得られる発光素子装置
を用いた画像読取装置の一部断面説明図、第４図は従来
の発光素子−受光素子一体型の画像読取装置の平面説明
図、第５図は第４図のｖ−ｖ’線断面説明図である。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・凹部 ３・・・・・・発光素子形成部 ４・・・・・・透光部 ５・・・・・・透明電極 ６・・・・・・発光層 ７・・・・・・誘電体層 ８・・・・・・金属電極 ８ａ・・・開口部 ２０・・・・・・受光素子アレイ ７０・・・・・・原稿面 ８０・・・・・・反射光 第１ 図 第２図
Claims (3)
- （１）透明基板に複数の凹部を形成し、厚膜プロセスで
着膜された発光層と、発光層を挾む２つの電極とを前記
各凹部内に積層し、前記発光層を２つの電極で挟む発光
素子形成部と光が透過する透光部とを交互に配置するこ
とを特徴とする発光素子装置。 - （２）透明基板上にフォトリソグラフィ法により複数の
凹部を形成する凹部形成工程と、凹部が形成された透明
基板上に帯状の透明電極を形成する電極形成工程と、発
光粒子を分散した樹脂を厚膜プロセスで着膜して成る発
光層、該発光層上に位置する金属電極を前記凹部に積層
する発光素子形成工程と、を具備することを特徴とする
発光素子装置の製造方法。 - （３）発光粒子を分散した樹脂を厚膜プロセスで着膜し
て成る発光層と、発光層を挟む２つの電極とを透明基板
上に積層し、前記発光層を２つの電極で挾む発光素子形
成部と、光が透過する透光部とを受光素子アレイの主走
査方向に交互に設け、該透光部に対応する位置に各受光
素子を配設し、前記発光素子形成部から発光した光が透
明基板の反発光素子側に配置された原稿面で反射し、反
射光が前記透光部を透過して前記受光素子に入射するこ
とを特徴とする画像読取装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14129790A JPH0693726B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 発光素子装置及び発光素子装置の製造方法及び画像読取装置 |
| US08/080,587 US5479070A (en) | 1990-05-18 | 1993-06-24 | Light-emitting element device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14129790A JPH0693726B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 発光素子装置及び発光素子装置の製造方法及び画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437248A true JPH0437248A (ja) | 1992-02-07 |
| JPH0693726B2 JPH0693726B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=15288609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14129790A Expired - Fee Related JPH0693726B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-06-01 | 発光素子装置及び発光素子装置の製造方法及び画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693726B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198167A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Seiko Epson Corp | 照明装置及びその製造方法、表示装置、並びに電子機器 |
| JP2009224304A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Shi-Chiun Chen | 微細孔基板およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP14129790A patent/JPH0693726B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198167A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Seiko Epson Corp | 照明装置及びその製造方法、表示装置、並びに電子機器 |
| JP2009224304A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Shi-Chiun Chen | 微細孔基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0693726B2 (ja) | 1994-11-16 |
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