JPH04373138A - 樹脂封止半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置の製造方法Info
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- JPH04373138A JPH04373138A JP17745291A JP17745291A JPH04373138A JP H04373138 A JPH04373138 A JP H04373138A JP 17745291 A JP17745291 A JP 17745291A JP 17745291 A JP17745291 A JP 17745291A JP H04373138 A JPH04373138 A JP H04373138A
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止半導体装置の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止半導体装置の従来例としてピン
グッリドアレイ（以下ＰＧＡと略す）について説明する
。近来電気機器の広い分野に適用出来るようにピンを植
設したＰＧＡ樹脂基板が採用されるようになってきた。 当初、この分野では基板にセラミックを使用したＰＧＡ
が採用されていた。このセラミック基板は絶縁性に優れ
ていたが、その表面に配線パターンの印刷焼き付けを実
施すると収縮を生じ、細密パターンの形成は不可能であ
った。従ってパターンの本数を増加させることは必然的
に基板を大型化するか多層化するかに繋がり単価の高い
セラミックを多量に使用しなければならない問題を含ん
でいた。このセラミック基板に代わるものとして細密パ
ターン加工が可能で、廉価な基板として樹脂基板を使用
したＰＧＡの開発が発表されている。例えば特開昭６２
ー２４４１３９号公報は、下面側に複数のコンタクトピ
ンを有する樹脂基板の上面にＩＣチップを搭載して、成
形樹脂によってＩＣチップ搭載の上面と基板周囲の破断
面とを完全に被覆したパッケージ構造を開示している。
グッリドアレイ（以下ＰＧＡと略す）について説明する
。近来電気機器の広い分野に適用出来るようにピンを植
設したＰＧＡ樹脂基板が採用されるようになってきた。 当初、この分野では基板にセラミックを使用したＰＧＡ
が採用されていた。このセラミック基板は絶縁性に優れ
ていたが、その表面に配線パターンの印刷焼き付けを実
施すると収縮を生じ、細密パターンの形成は不可能であ
った。従ってパターンの本数を増加させることは必然的
に基板を大型化するか多層化するかに繋がり単価の高い
セラミックを多量に使用しなければならない問題を含ん
でいた。このセラミック基板に代わるものとして細密パ
ターン加工が可能で、廉価な基板として樹脂基板を使用
したＰＧＡの開発が発表されている。例えば特開昭６２
ー２４４１３９号公報は、下面側に複数のコンタクトピ
ンを有する樹脂基板の上面にＩＣチップを搭載して、成
形樹脂によってＩＣチップ搭載の上面と基板周囲の破断
面とを完全に被覆したパッケージ構造を開示している。
【０００３】尚、基板の下面にコンタクトピンを、上面
にＩＣチップを設けたこの構造はキャビティーアップ構
造と呼ばれており、又、前記のセラミック基板にＩＣチ
ップを搭載する場合には放熱特性の良好なコンタクトピ
ンを有する下面にＩＣを搭載する方法が普及し公用され
、このＩＣを成形樹脂で被覆する構造をキャビティーダ
ウンと呼んでいる。前記特開昭６２ー２４４１３９号公
報に開示されたキャビティーアップ構造のＰＧＡは廉価
であるにも拘わらずセラミック基板に代わって普及して
ない、その理由はキャビティーダウンで搭載していたＩ
Ｃチップをキャビティーアップで搭載するとＩＣチップ
のパッド配列をミラーイメージ化する必要が生じ、ＩＣ
チップ製造工程中のフォトマスクを変更しなければなら
ず、コストアップとなり廉価である樹脂基板のＰＧＡの
パッケージ構造の優位性が薄れてしまう問題を含んでい
た。
にＩＣチップを設けたこの構造はキャビティーアップ構
造と呼ばれており、又、前記のセラミック基板にＩＣチ
ップを搭載する場合には放熱特性の良好なコンタクトピ
ンを有する下面にＩＣを搭載する方法が普及し公用され
、このＩＣを成形樹脂で被覆する構造をキャビティーダ
ウンと呼んでいる。前記特開昭６２ー２４４１３９号公
報に開示されたキャビティーアップ構造のＰＧＡは廉価
であるにも拘わらずセラミック基板に代わって普及して
ない、その理由はキャビティーダウンで搭載していたＩ
Ｃチップをキャビティーアップで搭載するとＩＣチップ
のパッド配列をミラーイメージ化する必要が生じ、ＩＣ
チップ製造工程中のフォトマスクを変更しなければなら
ず、コストアップとなり廉価である樹脂基板のＰＧＡの
パッケージ構造の優位性が薄れてしまう問題を含んでい
た。
【０００４】一方、実開平１ー７０３５０号公報にはＩ
Ｃチップを搭載した基板に樹脂注入用の孔を設け、そこ
から樹脂を注入してＩＣチップを封止する樹脂封止半導
体装置が提案されている。しかし、この構造は樹脂の注
入が基板の一面に限られているので成形後に生じる、ゆ
がみの問題が残る。
Ｃチップを搭載した基板に樹脂注入用の孔を設け、そこ
から樹脂を注入してＩＣチップを封止する樹脂封止半導
体装置が提案されている。しかし、この構造は樹脂の注
入が基板の一面に限られているので成形後に生じる、ゆ
がみの問題が残る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記の如く従来例は樹
脂基板にＩＣチップをキャビティーダウン構造で搭載し
、ゆがみの問題を内在させ、樹脂封止を廉価に実施する
ことが出来ないという課題を有していた、また、配線パ
ターンの一部が露出している問題も含むものであった。 本発明の目的は上記課題を解決し、樹脂成形の金型及び
工程のコストダウンが可能なキャビティーダウン構造の
樹脂封止半導体装置の製造方法を提供することにある。
脂基板にＩＣチップをキャビティーダウン構造で搭載し
、ゆがみの問題を内在させ、樹脂封止を廉価に実施する
ことが出来ないという課題を有していた、また、配線パ
ターンの一部が露出している問題も含むものであった。 本発明の目的は上記課題を解決し、樹脂成形の金型及び
工程のコストダウンが可能なキャビティーダウン構造の
樹脂封止半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の構成は複数のコンタクト端子を有する樹脂基
板の前記コンタクト端子側にＩＣチップを搭載し、前記
樹脂基板には少なくとも下面に配線パターンを設け、前
記配線パターンをコンタクト端子に電気的に接続すると
ともに、成形樹脂が流動する貫通孔を通し前記ＩＣチッ
プ搭載部の反対側より前記成形樹脂を注入し前記ＩＣ及
び配線パターンを被覆することを特徴とする。
に本発明の構成は複数のコンタクト端子を有する樹脂基
板の前記コンタクト端子側にＩＣチップを搭載し、前記
樹脂基板には少なくとも下面に配線パターンを設け、前
記配線パターンをコンタクト端子に電気的に接続すると
ともに、成形樹脂が流動する貫通孔を通し前記ＩＣチッ
プ搭載部の反対側より前記成形樹脂を注入し前記ＩＣ及
び配線パターンを被覆することを特徴とする。
【０００７】
【実施例】以下図面により本発明の一実施例を詳述する
。図１は本発明のＰＧＡの樹脂成形中の要部断面を示す
金型図、図２は図１で成形されたＰＧＡの要部断面図で
ある。両図において、１はＩＣチップ、２は樹脂基板、
３は成形樹脂、４はコンタクトピン、５は配線パターン
、６は流入孔、９０は上金型、９１は下金型、９２は湯
口、９３はパーティングライン（以下ＰＬと略す）であ
る。以下に本発明の製造方法について説明する。図１に
おいて、上金型９０が下金型９１に対して開口する状態
で、ＩＣチップ１をコンタクトピン４側に搭載した、樹
脂基板２を下金型９１に載置する、この時図示の如く下
金型９１の孔がコンタクトピン４をガイドして、樹脂基
板２を正しい位置にセットする。次に、上金型９０と下
金型９１をＰＬ９３まで移動、当接させる。そして、湯
口９２から成形樹脂３が矢印の向きに注入され、流入孔
６を通過し樹脂基板２の上下面を回りＩＣチップ１を完
全に被覆する。成形樹脂３が変形しない程度に冷却する
と上金型と下金型、９０、９１が開口し樹脂封止された
半導体装置であるＰＧＡが取り出すことができる。湯口
９２を切断し整形することにより図２に示すＰＧＡを完
成させることが出来る。このＰＧＡは前述のキャビティ
ダウンの構造で、成形樹脂３を樹脂基板２の上下面に成
形しているため、樹脂厚の不均等に起因するゆがみの発
生を回避することができ、ＩＣチップ１と、それと配線
パターン５を接続するワイヤー７を完全に被覆し、配線
パターン５の要部も被覆している。
。図１は本発明のＰＧＡの樹脂成形中の要部断面を示す
金型図、図２は図１で成形されたＰＧＡの要部断面図で
ある。両図において、１はＩＣチップ、２は樹脂基板、
３は成形樹脂、４はコンタクトピン、５は配線パターン
、６は流入孔、９０は上金型、９１は下金型、９２は湯
口、９３はパーティングライン（以下ＰＬと略す）であ
る。以下に本発明の製造方法について説明する。図１に
おいて、上金型９０が下金型９１に対して開口する状態
で、ＩＣチップ１をコンタクトピン４側に搭載した、樹
脂基板２を下金型９１に載置する、この時図示の如く下
金型９１の孔がコンタクトピン４をガイドして、樹脂基
板２を正しい位置にセットする。次に、上金型９０と下
金型９１をＰＬ９３まで移動、当接させる。そして、湯
口９２から成形樹脂３が矢印の向きに注入され、流入孔
６を通過し樹脂基板２の上下面を回りＩＣチップ１を完
全に被覆する。成形樹脂３が変形しない程度に冷却する
と上金型と下金型、９０、９１が開口し樹脂封止された
半導体装置であるＰＧＡが取り出すことができる。湯口
９２を切断し整形することにより図２に示すＰＧＡを完
成させることが出来る。このＰＧＡは前述のキャビティ
ダウンの構造で、成形樹脂３を樹脂基板２の上下面に成
形しているため、樹脂厚の不均等に起因するゆがみの発
生を回避することができ、ＩＣチップ１と、それと配線
パターン５を接続するワイヤー７を完全に被覆し、配線
パターン５の要部も被覆している。
【０００８】図１および図３により本発明の第２の実施
例を説明する。両図において図１と図２の同一要素には
同一番号を付けて説明を省略する。図３において、配線
パターン５はＩＣチップ１の搭載側に形成されるのみで
なく、流入孔６を介して上面に形成され、さらにコンタ
クトピン４に接続している。このように配線パターンが
形成された樹脂基板２を前述の第１実施例と全く同様に
金型にセットし、樹脂成形すれば図３に示す樹脂封止半
導体装置が完成する。第１実施例と同様にキャビティダ
ウン構造、ゆがみ回避構造で配線パターン５が全て被覆
されている。
例を説明する。両図において図１と図２の同一要素には
同一番号を付けて説明を省略する。図３において、配線
パターン５はＩＣチップ１の搭載側に形成されるのみで
なく、流入孔６を介して上面に形成され、さらにコンタ
クトピン４に接続している。このように配線パターンが
形成された樹脂基板２を前述の第１実施例と全く同様に
金型にセットし、樹脂成形すれば図３に示す樹脂封止半
導体装置が完成する。第１実施例と同様にキャビティダ
ウン構造、ゆがみ回避構造で配線パターン５が全て被覆
されている。
【０００９】
【発明の効果】上記のごとく本発明によれば、複数のコ
ンタクト端子を有する樹脂基板の前記コンタクト端子側
にＩＣチップを搭載し、前記樹脂基板に少なくとも下面
に配線パターンを設け、前記配線パターンをコンタクト
端子に電気的に接続するとともに、成形樹脂が貫流する
流入孔を設けることにより成形樹脂が樹脂基板を挟んで
上下面に回りＩＣ及び配線パターンを被覆することが可
能となり、ゆがみを生じることなく、配線パターンの損
傷腐食を避けた、廉価な樹脂封止半導体装置を提供する
ことができた。
ンタクト端子を有する樹脂基板の前記コンタクト端子側
にＩＣチップを搭載し、前記樹脂基板に少なくとも下面
に配線パターンを設け、前記配線パターンをコンタクト
端子に電気的に接続するとともに、成形樹脂が貫流する
流入孔を設けることにより成形樹脂が樹脂基板を挟んで
上下面に回りＩＣ及び配線パターンを被覆することが可
能となり、ゆがみを生じることなく、配線パターンの損
傷腐食を避けた、廉価な樹脂封止半導体装置を提供する
ことができた。
【図１】本発明の樹脂封止半導体装置の製造方法の樹脂
成形金型の要部断面図である。
成形金型の要部断面図である。
【図２】図１に示す製造方法による第１の樹脂封止半導
体装置の要部断面図である。
体装置の要部断面図である。
【図３】図１に示す製造方法による第１の樹脂封止半導
体装置の要部断面図である。
体装置の要部断面図である。
１ ＩＣチップ
２ 樹脂基板
３ 成形樹脂
４ コンタクトピン
５ 配線パターン
６ 流入孔
９０ 上金型
９１ 下金型
９２ 湯口
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のコンタクト端子を有する樹脂基
板の前記コンタクト端子側にＩＣチップを搭載し、前記
樹脂基板に成形樹脂が流動する少なくとも１つの貫通す
る孔を設け、前記樹脂基板の前記コンタクト端子側の反
対側より前記成形樹脂を注入することを特徴とする樹脂
封止半導体装置の製造方法 - 【請求項２】 前記樹脂基板には上下面に配線パター
ンを設け、前記上下の配線パターンを前記貫通孔を介し
て電気的に接続するとともに、成形樹脂が前記上下の配
線パターンを被覆することを特徴とする請求項１の樹脂
封止半導体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17745291A JPH04373138A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17745291A JPH04373138A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04373138A true JPH04373138A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16031198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17745291A Pending JPH04373138A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04373138A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996001495A1 (en) * | 1994-07-01 | 1996-01-18 | Fico B.V. | Method, carrier and mould parts for encapsulating a chip |
| US6309575B1 (en) | 1996-07-09 | 2001-10-30 | International Business Machines Corporation | Transfer molding method for forming integrated circuit package |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP17745291A patent/JPH04373138A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996001495A1 (en) * | 1994-07-01 | 1996-01-18 | Fico B.V. | Method, carrier and mould parts for encapsulating a chip |
| NL9401104A (nl) * | 1994-07-01 | 1996-02-01 | Fico Bv | Werkwijze, drager en matrijsdelen voor het omhullen van een chip. |
| US6309575B1 (en) | 1996-07-09 | 2001-10-30 | International Business Machines Corporation | Transfer molding method for forming integrated circuit package |
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