JPH04378B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は改善されたコンデンサ用のアルミニウ
ム箔、かかる箔を入れた改善されたコンデンサ、
殊に、固体の合成樹脂の誘電体ストリツプと箔電
極ストリツプとが互いに補完し合う粗面化され模
様付けされた界面の表面を有しこれにより互いに
隔てられた関係が安定化されその間に於ける流体
の浸透が容易となつた、誘電体の流体で充填され
たコンデンサ構造に係わる。 コンデンサロールは占積率として定義される或
る程度の緩さで巻かれてはいるが、流体は両端よ
りロール内に浸透するだけでなしに、一緒に付着
し合つたフイルムストリツプ間や同じく付着し合
つたフイルムストリツプと箔ストリツプとの間の
界面にも浸透せねばならず、したがつて、電極箔
ストリツプと合成樹脂フイルムストリツプを緊密
なきついロール形態に交互に巻いて構成されてい
る流体で含浸されたコンデンサは誘電流体で含浸
するのが難しかつた。この周知にして共通の問題
を克服する為に、多くの解決が提案されており、
これ等はフイルムエンボス、摩耗被覆及びフイル
ム腐食等の如き機械的及び化学的方法を含めた
種々の表面変形法による箔及び／又はフイルム表
面の粗面化、及び複雑な含浸サイクルに係わるも
のであつた。 こうした解決に関連した問題は数々あり、全体
の流体含浸及び電気的試験結果に乏しく、所要の
コンデンサ占積率に相関関係なしにコンデンサロ
ールの厚さが不所望に増したり、余分な処理が必
要とされる為に経済性に乏しい等様々である。更
に重要なことは、通常の製造プロセスによつて製
造されたコンデンサに対する受容しうる電気試験
結果の信頼性及び反復性がこうした従来の解決に
よつて有害な影響を受けていた。 こうした前述の諸問題は、“Hazy”フイルム
（ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ商標）
（Hazyは霞んだ又は曇つたの意味）と呼ばれる特
に独特な表面をしたポリプロピレンフイルムと特
別な模様を付された金属電極箔表面とを、ロール
形態に一緒に巻くと、克服されるか最小となる。
この組合せを好ましい流体と共に使うと、ロール
の流体含浸が容易となり、合成樹脂フイルム例え
ばポリプロピレンフイルムが箔電極間の唯一の誘
電体である均一な占積率が改善されより安定とな
る。 以下の記載及び図面によれば、本発明の理解は
一層容易となろう。 第１図には、部分的にロールを巻ほどいた形で
コンデンサロール１０が例示されている。ロール
１０には１対の金属箔ストリツプ電極１１及び１
２が間隔をおかれ、中間にポリプロピレンフイル
ムストリツプ１３及び１４が含まれている。更
に、ポリプロピレンフイルムストリツプ１５及び
１６がロールを完了させ、その結果、ポリプロピ
レンフイルムストリツプの各対がロール全体にわ
たつて金属箔電極ストリツプの間に見られる。タ
ツプストラツプ１７及び１８がロール中に挿入さ
れて電極ストリツプに隣接して存在し電極に対し
電気的接続として働く。 １個若しくはそれより多くのコンデンサロール
１０が適当なケーシング内に挿入され、ケーシン
グを誘電流体で充填し、流体をロールに侵入浸透
してロール巻の間の空間を充填し又ポリプロピレ
ン材料自体の中にも浸透させる。こうしたコンデ
ンサ１９の一つが第２図に示されており、ここで
は、単一のロール１０がカン又はケーシング２０
に入れられ、ケーシング２０が誘電流体２１で充
填されている。カン２０は１対の電気端子２２及
び２３を含み、これにタツプ１７及び１８が接続
されている。カン２０にシールされたカバー２４
は小さな開口を含み、この開口を使つてカン２０
に流体を導入し、その後、カバーをハンダ２５で
示されるようにしてハンダ付けでシールする。 電力コンデンサ２６として別のコンデンサが第
３図に示されている。本発明はこの電力コンデン
サに特に適用しうる。第３図にあつて、コンデン
サ２６は複数のロールを含み、ロール１０は二装
填設計として上列及び下列に配列でき、これ等全
てのロールが流体２１内に浸漬される。ケーシン
グ２０は高さ65.0cmを越え、ロール１０は長さ約
10インチ（25.4cm）乃至12インチ（30.5cm）であ
る。ロール１０は又タツプ１７及び１８を含み、
これ等タツプが端子２７及び２８に電気的に一体
に結合される。一装填型の設計が使われる場合に
は、ロールは広いロールとし長さは約60cm若しく
はこれより大きい。各電極箔がロールの各端から
突出している場合には、この露出した箔構造を使
つて、タツプ１７及び１８を省略しうる。箔巻き
は各端でハンダつけで一緒にされ、次いで端子２
７及び２８へ結線される。 コンデンサロール１０の巻き取つたものが流体
密ゆえ、すなわち金属箔ストリツプ電極が基本的
には横方向から浸透が不可能であるような障壁を
なすという事実から、流体がコンデンサロール端
２９及び３０（第１図）から浸入しなければなら
ない。ここで、高温においてコンデンサロールの
真空乾燥及び含浸処理が行われるので、重なりあ
つたポリプロピレンフイルムストリツプの縁がコ
ンデンサロールの末端においてポリプロピレンフ
イルムストリツプ同士や電極ストリツプに対して
封じられ、流体を吸収する際に膨潤すると隣接す
るストリツプと流体密に緊密になつて、結局、流
体がコンデンサロールに浸透することが妨げられ
る。 本発明の好ましい実施の態様に於いては、曇つ
たポリプロピレンフイルムストリツプと特別な模
様付けをされた金属箔ストリツプの組合せによつ
て制御された浸透性のスペーサ手段が提供され、
ロール端からロール１０内への独特にして経済的
な流体浸透路が与えられる。曇つたフイルム
（Hazyフイルム）は米国特許出願第686832号の課
題である。 最も良く記述すれば、曇つたフイルムは吹管製
造法から得られたポリプロピレンフイルムからな
つており、この方法では、ポリプロピレン茎又は
管が押出器から出て来るときに外側表面にしばし
ばβ結晶と呼ばれるタイプの結晶構造から主に
なる連結かつ同延の均一な層を有するように温度
と速度を制御する。次いで茎に空気を吹き込んで
気泡形体にすると、フイルムの一表面にわたつて
完全に延びる表面小繊維として時々定義される表
面不連続又はクレータが生じる。こうした小繊維
は基礎フイルム厚から２〜３ミクロン程度延びう
る。記述のように、本発明の曇つたフイルムはそ
れ故１つの表面が全く粗面化されており、反対側
の表面は平滑又は光沢があつてよい。粗い面内の
開放空間を考慮する測定法が好ましいが、粗さは
ASTM試験D2457−70又はD10003で測定しうる。
ロール１０中のコンデンサフイルムストリツプ上
のこの不規則な表面組織は、隣接する箔電極と誘
電体ストリツプの間又は隣接する誘電体ストリツ
プの間の流体路の形態として占積率を提供し、流
体の浸透を容易にする。ドラフト幅出し法及びフ
イルム注型法を含めた他のフイルム法から変性し
た形の曇りフイルムが得られる。しかし、曇りフ
イルムが最も好ましいが、表面粗さがフイルムに
約3.0％より大きな占積率を与えるならば、本発
明の範囲内で他の表面粗化ポリプロピレンフイル
ムが使用できる。 曇りフイルムは高度の表面不規則さを持つだけ
でなく大いに望ましい高い占積率を有する。占積
率は、例えば、曇りフイルムストリツプを互いに
重ねたときの容積測定値を、何等表面粗さのない
同じストリツプについての容積測定値と比べたと
きの、過剰な空間の測定値を記述する用語であ
る。別の言い方をすれば、望ましい粗さというの
は、ずつと少ない数の頂部と谷部（この場合、高
度の占積率と高度の含浸性を与えることになる）
について測定した頂部から谷部までの最大寸法に
関係するのであつて、寸法の小さな最大数の頂部
と谷部（この場合、比較的低度の占積率を与える
ことになる）の場合と対比されるべきものであ
る。既知のフイルムプロセスストリツプでは、例
えば、ASTMD10003によりフイルムの光透過率
を測定し、表面粗さが占積率に実験的に相関づけ
られ、得られた測定値は曇り（Haze）を表わす。 特別に模様付けされた箔電極を、曇りフイルム
と共に使うと改善された含浸性のコンデンサ構造
が与えられる。コンデンサ電極は種々の金属の箔
でよいが、アルミニウム箔が現在使われている主
な電極材料である。普通、こうした電極は約0.20
〜0.24ミル厚（5.1〜6.1ミクロン）で、軟アニー
ルアルミニウムである。変形、腐食、摩耗性によ
つてコンデンサロール中のアルミニウム電極の表
面を粗面化しロールの含浸を容易にすることは既
に知られている。米国特許3746953号及び3831234
号に例がある。多くのこうした粗面化された電極
箔は重大な欠点があり、即ち、粗化プロセスによ
つて不規則な突起、鋭い縁を形成し、あるいは箔
に大きな穴をいくつか生成して鋭い縁をもたら
し、この鋭い縁がコンデンサ中の高い電圧応力及
びコロナ放電領域となる。又、こうした鋭い縁は
隣接するポリプロピレンフイルムに切傷を生起
し、この為にこの箇所でフイルムの絶縁強度が弱
められる。更に不利益な点は、箔が巻縮法やロー
レツト切り法から得られる如き高度の粗さを要す
ると思われるときには、こうした粗面化された箔
はロール内に過剰な占積率を保持する。 本発明の具体的な側面に従つて、改善された独
特な模様を付された箔は前述の含浸及び占積率の
問題を最小にすることが見い出された。こうした
改善された隆起模様の箔が1978年10月19日付の
Dinicola等の米国特許出願第952947部に開示され
ている。第４図には、箔ストリツプ電極１１の断
片が示されており、ここにはくぼみ様の凹部３１
と突起３２の拡大表示されたエムポシングされ隆
起された模様が示されている。隆起されたくぼみ
模様は材料の両端から、しかも当初のさから等し
くかつ反対向きに突出した模様であり、その結
果、全体の厚さは初期の厚さより著しく大きい。
くぼみ構造は第５図にさらに明瞭に示されてい
る。第５図には第４図の箔１１の断面が線の形で
例示されている。本発明の１形態では、くぼみは
互いに同一であり、卵形様の断面を有し、箔スト
リツプの中心線の各側から約0.00025インチ（約
6.35ミクロン）延びている。各くぼみの基部の直
径は約0.01インチ（約0.254mm）未満であり、く
ぼみの基部の中心は、第４図に例示されているよ
うに約0.02インチ（約0.508mm）隔てて間を置か
れている。各くぼみは好ましい形態では円形の基
部を有し、徐々に水平円形断面を減少していき円
形又は卵形で終つている。くぼみを区画している
表面は、一つの突起としてのくぼみから隣の凹部
としてのくぼみまで平滑に流れる曲線状の連続的
な表面である。垂直断面は電気正弦波形に近似し
ており、一つのくぼみの表面から別のくぼみの表
面までの曲線に鋭い角や断部がないことを示して
いる。鋭い角や隆起が存在しない限りは曲線状の
基部及び断面の他の形態のものも使用しうる。記
載の円形が好ましい。この好ましさは一部、こう
した多くのくぼみを提供する為に箔ストリツプを
変形させることは、箔を実際に平滑にし、研磨し
そして加工硬化してコンデンサに使用する為に予
じめ条件づける工程を包含するという概念に基づ
いている。記載の箔は完全くぼみ模様の箔であ
る。この完全くぼみ模様により箔の全コンデンサ
表面がこの模様にあつて、中間の大して変形され
ていない領域はない。模様は例えば100／100又は
120／120として記述され、電極箔の各線上１イン
チ（2.54cm）につき、くぼみ、すなわち第５図に
示した電極箔の波状線形断面の中心線から右側へ
隆起する部分（電極箔の左側からは凹所に見え
る）と左側へ隆起する部分（電極箔の右側からは
凹所に見える）の合計が、それぞれ、200又は240
あることを示している。別の言いかたをすれば、
曲線面は箔にわたつて本質的に連続であり断続さ
れていない。これに関連して、条件が価値あるな
ら、模様を120／120より大きくできる。しかし、
好ましくは、各くぼみを隣りのくぼみと同じ概略
寸法とし、くぼみの例を互いに直交するようにし
て規則的な模様が得られる。 本発明に従うくぼみ模様で覆われた構造をとれ
ば、隣接するアルミニウム箔ストリツプと誘電体
フイルムストリツプの間隙によつて最大スペース
か生れかつ占積率の増大は全体として最小限にと
どめられる。このような特徴はアルミニウム箔の
独特の構造を採用することによつて得られるもの
である。第５図に示されているように、くぼみの
ドーム構造はアルミニウム箔の厚さを曲型的には
当初の約0.22ミル（5.6μ）の厚さから略１ミル
（25.4μ）に著しく増す。この厚みは、当初の厚み
の約５倍に相当し、圧縮不可能ないし固定された
ままの状態にあるとすれば、厚み全体を有効に利
用できないほどの厚みとなつている。これは又、
アルミニウム箔ストリツプを腐食したり、ローレ
ツト切りしたり摩耗したりしては通常得られない
条件でもある。同時に、くぼみがアーチ形の力学
構造をとることによつて、箔をロール張力下でコ
ンデンサーロールとして巻きとられる際にうける
押しつぶしやくぼみの消去とか底打ちに対して、
増大したあるいは統制のとれた抵抗力が備わるこ
とになる。しかし、巻き工程での望ましいクツシ
ヨンやレベリングが実質的な程度で許容され、そ
の結果、当初の厚にも拘らず、最終のコンデンサ
ロールは設計許容範囲に入る。本発明のコンデン
サにおいて有用な厚さの範囲は初めの厚さの約２
〜10倍、好ましくは２〜５倍増大しており、最も
好ましい厚さは初めの厚さの約２〜３倍である。
本発明に従う金属電極は厚みが可変ないしフレキ
シブルなスペーサとして作用することになり、こ
のことはコンデンサロールを巻きとる際や最終製
品としてのコンデンサにあつても言えることであ
る。この自在又は可変厚はコンデンサ製造法で加
えられる力と相関関係にあり、最終コンデンサに
望みの程度の厚さが保持される。ロールにされる
と、くぼみの輪郭が円滑な曲線を描いている為
に、フイルム誘導体に侵入するようなあるいは応
力集中領域として働くような孔や鋭い縁部はな
い。 この発見には本発明の誘電液体含浸コンデンサ
に使う為のエンボシングされた箔模様に於ける基
本的概念が含まれ、この概念は二重のものとな
る。第一に、くぼみの頂部から谷部の寸法が過大
だと、ロール巻きを全く困難にし早期の電気的破
壊の原因となる条件である大きな占積率に通ずる
ので、くぼみの頂部から谷部までの寸法には実際
面での限界がある。頂部から谷部までの寸法が最
大だと箔の長さ単位あたりのくぼみの数も限定さ
れる。第二に、くぼみの頂部から頂部の線形寸法
はくぼみの基部の直径に概して等しいべきであ
り、こうして、箔単位長あたりのくぼみの数も又
制限される。 上記概念の示すところによると、箔上の模様は
コンデンサに望まれる占積率と相関関係にあるべ
きで、占積率が高いとくぼみの高さが大きくなる
がくぼみの数が小さくなり、占積率が低いとくぼ
みの高さが小さくなるが単位長さあたりのくぼみ
が多くなる。重要な特徴は、長さと幅の両次元に
於いて及び全箔にわたつて正弦波模様を出来るだ
け近接させるべき点である。 本発明の目的にとつては、実施例及び特許請求
の範囲に示したコンデンサの占積率とは、ポリプ
ロピレンフイルムを含浸流体によつて十分に膨潤
させた後のコンデンサについて測定した占積率を
いうのである。コンデンサの占積率の基本となる
測定値は曇り又はその他の粗面化プロピレンフイ
ルムの占積率である。模様加工を施こした箔の占
積率については任意に除外してある。ポリプロピ
レンフイルムの占積率は、フイルムストリツプの
中実容積の値として粗面に沿つている平坦な理論
上の面を含ませた容積の理論値とそれの実測値と
の比である。この比は中実容積の百分率で与えら
れるので、占積率が10％とは空間が中実物質の10
％の場合の容積を示す。次いでフイルム占積率は
適当な処理温度での含浸流体によるフイルムの膨
潤を示す量だけ増大する。増加量は製造プロセス
及び材料での種々の許容を受け入れる確率曲線と
相関関係にあり、最終設計又はコンデンサ占積率
の決定値は上記の測定フイルム占積率より大き
い。 本発明のコンデンサについての占積率は重要で
あつて、材料の寸法公差の相違や材料の熱膨張率
の相違あるいは材料の流体による膨潤度の相違を
残らず調整せしめる。流体含浸に先立ちコンデン
サを高温で真空乾燥する時に水やその他の揮発性
物質を除去するのに都合のよいスペースを有し、
かつ含浸用流体がコンデンサロールを本質的に完
全に含浸するのに必要な通過スペースを有するこ
との要件と合致させるために占積率を考慮する必
要がある。 占積率はコンデンサロール全体に一定すなわ
ち、コンデンサロール全体を通してある最小限度
の占積率例えば平均占積率がなければならない。
しかもこの占積率は巻きとり工程を通じてあるい
は第１図に示したようにコンデンサロールを平べ
つたくする工程において保たれかつ統制されてい
なければならない。 流体の進入の為の空間を提供する為に単に粗い
フイルム及び箔表面を隣接させるだけではコンデ
ンサの製造には完全に十分とは言えない。占積率
が少なすぎたり多すぎたりすることは避けるべき
である。空間のみなら、一面に於いてはロールを
さらに緩めて巻けば得られる。しかし、その結
果、必要とされる占積率の均一性が損なわれより
軟質のロールが得られ、これ等は共に、引張巻き
工程及びロール平坦化プロセスの為に、コンデン
サ破壊にとつて臨界的な領域を提供する。 模様付けした箔と曇りフイルムの組合せは、本
発明の好ましい実施の態様に従つて曇りフイルム
の占積率をより都合よく利用し、コンデンサ中の
占積率を調節可能に制御する為の手段である。現
在入手しうる曇りポリプロピレンフイルムから得
られる占積率の量は約3.0％乃至約30％であつて
例えば電力コンデンサに要求される全占積率とし
て役立つには一般に十分であつたりあるいは他の
面で望ましくなかつたりしており、仮にフイルム
に利用しうるとしても、フイルムの膨潤の為にコ
ンデンサ製造プロセスに於いて若干変動が予想さ
れる。更に、ポリプロピレンフイルム上の粗さは
完全に均一なのではなく、或る領域は粗さが大き
く他は小さいといつたフイルム及び箔の厚さの変
動とは相関関係のない状態であつてコンデンサロ
ール全体にわたつて或る程度満足のいく均一な占
積率を得るという問題につながる。それ故、ポリ
プロピレンフイルムストリツプ中にすでに十分量
の占積率が存在するか否かに拘らわらず、補完的
占積率制御手段は本発明において使われる完全な
くぼみ模様箔である。模様を施こした箔は調節可
能な衝撃緩和手段として作用しコンデンサロール
全体に一定で望ましい程度の占積率が付与され
る。くぼみ付構造を平らにしようとするずつと大
きな力が要るものでそれは孔のないドーム状構造
に原因がある。それゆえくぼみ構造はコンデンサ
ロール全体にわたつて変化する圧または力に順応
して、設計した占積率を保全する。くぼみ構造は
圧搾変形可能であつて、単一ドームについてさえ
も面積を選択する余地がある。一層重要なこと
は、箔のコンデンサ領域全体がその模様のなかに
含まれることである。これはフイルムがドームと
ドームの間で箔に接触して占積率を減少させた
り、流体浸透を妨げることのないように各ドーム
がフイルムを支持することを意味する。 本発明の好ましい実施例では、曇りフイルムと
完全くぼみ模様箔とが種々の配列にてコンデンサ
ロールに巻かれる。一つの好ましい配列では箔電
極１１及び１２の間に誘電体材料ストリツプ１３
〜１６として曇りフイルムのみが使われる。こう
した配列は第６図に拡大して示されており、フイ
ルムと箔ストリツプが間隔をおかれた関係にあ
る。 第６図にあたつては、複合体３３は１対の模様
付けされたあるいはくぼみを付された箔３４及び
３５と、その中間の２つの曇りフイルムストリツ
プ３６及び３７よりなる。アルミニウム箔の商業
的製造に於いては、一面は通常極めて平滑で光沢
を帯び他方の面は粗い艷消表面である。箔の巻き
とり操作には二つの重なりあつた箔ストリツプを
ロールの間に通すことも含まれていて、ストリツ
プ同士が接した方のストリツプ表面はロールの接
したストリツプ面とは相違して一層粗くなる。艷
消表面によつて追加の占積率がもたらされる為、
実際に含浸が改善される。その結果、含浸に対す
る更に助成手段として、アルミニウム箔の位置づ
けにあつては、平滑な光沢のある表面が曇りフイ
ルムの粗い表面に隣接される。これは平滑対対粗
さ関係と呼ばれる。曇りフイルムストリツプは片
側又は両側に所要の表面不連続性又は粗さを持
つ。ここで詳細に示される曇りフイルムは一表面
のみが粗い。この後述した場合には、２つのポリ
プロピレンフイルムストリツプを使うと、粗面対
平滑表面の関係とも呼ばれる関係に配列される。
こうして、各電極箔ストリツプは平滑な表面を有
し、この表面がロール全体にわたつて曇りフイル
ムストリツプの粗い表面に隣接され、ロールのよ
り均一な含浸を容易にしている。 第６図の具体例を更に変形したものが第７図に
例示されている。第７図では、複合体３８は１対
の曇りフイルムストリツプ３６及び３７を含み、
このストリツプを粗面対粗面の関係に配列され
る。この配置では、電極箔ストリツプの粗面の一
方又は両方ともが平滑なフイルムストリツプ表面
に隣接してもよい。ただし、一方を他方に対して
反転させておくことが好ましい。含浸流体はフイ
ルムストリツプの間の粗面域に浸透し、次いでフ
イルムストリツプ中を横方向に進みフイルムスト
リツプと箔ストリツプの間の領域に入る。流体は
又電極箔表面に沿つてロール端からこの領域で浸
透する。 更に別の変形が第８図に示されている。第８図
にあつては、複合体３９は一対のくぼみを付した
電極箔３４及び３５を１対の曇りフイルムストリ
ツプ３６及び３７によつて隔て、平滑面対平滑面
関係で配列してある。この変形では、平滑と粗い
電極箔ストリツプ面の配列は比較的重要でないが
１方を他方につき逆にするのが好ましい。 第９図には更に別の変形が例示されており、こ
こでは、複合体４０は１対のくぼみ付きの箔３４
及び３５が３つの曇りフイルムストリツプ３６，
３７及び４１により隔てられている。フイルムス
トリツプは全て好ましい具体例としては平滑対粗
い関係で配列されているが諸関係を混ぜ合せても
よい。電極箔ストリツプは平滑な箔表面をフイル
ムストリツプの粗い表面に隣接させて配列され
る。第６図の２枚のフイルムストリツプに代えて
３枚のフイルムストリツプを第９図で使つている
ことによつて、より高い絶縁強度のコンデンサを
もたらす追加の利益が提供される。１枚のフイル
ムストリツプと同様に３枚より多いフイルムスト
リツプが使用できることは明らかである。 場合によつては、そして記述の具体例のあるも
のにあつては、箔の縁で応力が増大するので箔電
極ストリツプの１方の縁を折り重ねるのが望まし
かろう。電極箔の縁は通常、箔が所定の幅に縦切
りしたときに得られる条件として鋭縁部と称され
る。この縦切りは通常ナイフの刃によつて為され
るがぎざぎざ様の突起の為に得られる電極箔の縁
は鋭くときには不規則で、これがコロナの開始部
位となる。第６図に見られるように、ロール端２
９及び３０では電極箔ストリツプ３４と３５の間
に高電圧応力の場が形成され、いかなる鋭い縁又
はその他の不連続がコロナ開始を起し支持する。
例えば塩素化ジフエニル及びエステルの如き誘電
率が約3.0より高い流体に比べて誘電率が2.0〜3.0
の範囲の誘電率の低い流体を使うと、流体がこう
した領域では比較的高い応力下にある為、これ等
の領域はコロナ放電にかかりやすい。第１０図で
示される具体例ではこうした高い応力作用が最小
となる。 第１０図に示される複合体４２は比較的広い電
極ストリツプ４３と狭い電極箔ストリツプ４４を
含み、これ等が互いに反対の軸方向関係に位置づ
けられている。電極箔はときには上方電極箔４３
及び下方電極箔４４と呼ばれる。こうした配列で
は、互いに反対側にある電極箔の縁の間の測定距
離が増す。しかし、電極が狭いとその縁の領域で
の電圧応力が高くなることが知られている。第１
０図に例示されているように、この狭い電極箔４
４はロール全体に沿つて折り重ねた縁４５を有す
る。この折り重ねた縁４５は高応力域に平滑で円
味帯びた表面を提供し円味帯びた表面での電界応
力を減少する。更に、縁を折り重ねることによつ
て、ロールにかけた縁とそれに隣接するプロピレ
ンフイルムストリツプとの間にある流体膜が減少
し、よつて、この領域において誘電率の低い流体
が絶縁破壊を起こしにくくなる。 電極箔を縁で折り重ねるときには、電極箔を出
発縁幅及び終了縁幅でも折り重ねるか他の手段を
使つてこうした箇所での応力を減少する。約
0.125インチ（0.3175cm）〜0.5インチ（1.27cm）
の折り重ね縁が満足な結果を与え、0.25インチ
（0.635cm）〜0.375インチ（0.95cm）の範囲が好ま
しい。追加の占積率を使つて折り重ね縁を収容し
うる。最終の占積率はコンデンサ中の流体による
ポリプロピレンフイルムの全体の未制限の膨潤を
許容する量に等しいかこれより大きいときに、折
り重ね電極箔の有無に拘らず、本発明で最良の結
果が得られる。通常の場合は、記載のポリプロピ
レンフイルムは、上記の流体を使つたときに、以
下の実施例に於ける如きコンデンサで、約10〜18
容量％の範囲で膨潤する。コンデンサ中、ポリプ
ロピレンフイルム中又は介在空間中の流体の進
入・流出はフイルム膨潤の制限によつて限定され
ない。 本発明では多くのエステルや炭化水素のコンデ
ンサ流体が効果的に使用できる。これ等には合成
流体例えばアルカン類及びビフエニル類が含まれ
る。これ等の流体の誘電率は約2.5〜約５更にこ
れにより大きい。誘電体系にかかる応力は材料の
誘電率に比例して割り当てられる。流体の誘電率
が高い程フイルムに対してより多くの応力がかか
る。ポリプロピレンフイルムの誘電率が約2.5だ
と、誘電率の低い流体程高い応力を受け、ロール
縁でのコロナ条件が悪くなる。 こうした流体に含まれるものに、アルキルベン
ゼン、アルキルナフタレン、アルキルビフエニ
ル、アルキルポリフエニル、アルキルアリールエ
ーテル及びこれ等のアルキル置換誘導体、ジアリ
ールアルカン及びこれ等のアルキル置換誘導体並
びにジアリールエーテル及びこれ等のアルキル置
換誘導体が含まれ、ここに、前記アルキル基及び
アルカンは１〜約20の炭素原子を含み、前記アリ
ール基はフエニル、ナフチル、ビフエニル又はポ
リフエニルであり、該ポリフエニルには３〜約５
のフエニル基が含まれる。本発明に使われる好ま
しい流体の一種はNippon Oil Company，Japan
からNisseki Condenser Oil Ｓ（PXE）として市
販されているジアリールアルカン（フエニルキシ
リルエタン）である。 別の好ましい流体はメタ置換及びバラ置換ビフ
エニル誘導体の注意深く配合された混合物である
モノイソプロピルビフエニル（MIPB）である。
MIPBは次式 で表わされ、式G₁₅H₁₆を有し分子量は196.3であ
る。 その他の誘電率の高い流体には、クロロベンゼ
ン、クロロジフエニルオキシド、並びにエステル
と塩素化芳香族化合物の混合物が含まれる。 本発明のコンデンサの含浸は、例えば、米国特
許第3363156号に示されているように、ポリプロ
ピレンフイルムコンデンサに関連した通常の実施
法に従う。しかし、好ましくは、約30〜110℃好
ましくは90〜110℃の範囲、及び約60ミクロンＨ
ｇ圧以下の低温乾燥排気法を使い、充填過程をコ
ンデンサ30〜80℃、流体30〜50℃で行う。続い
て、コンデンサをオーブン中に入れ、温度を約40
〜100℃の範囲に好ましくは約60〜90℃に40時間
程上げる。 以下の実施例は本発明の教示に従つて得られる
優れた結果の代表例である。コンデンサの占積率
は約５〜約８％の範囲内である。曇りフイルムの
粗さはポリプロピレンフイルム単独の占積率の約
10〜30％である。使つた流体はPXE（流体Ａ）
で、Nippon Chemical CompanyからNisseki
Condeosor Oil Ｓという名で購入したもので約
97％のフエニルキシリルエタンと残部の異性体混
合物を含んでおり、又MIPB（流体Ｂ）として
Tanatex CompanyからSure−Sol 250という名
で購入したものを使つた。各場合に於いて、流体
は注意深く精留して高純度とし、これに、約0.6
〜0.8重量％のエポキシド例えばERL4221（Union
Carbide Company U.S.から市販）と約0.01〜
0.10重量％抗酸化剤例えば２，６−ジ−ｔ−ブチ
ル−ｐ−クレゾールを加えた。 実施例 １ 既に開示の好ましい実施に従つて、第３，５及
び６図の構造により多くのコンデンサを組み立て
た。コンデンサロールは長さが10.62インチ
（26.97cm）で、インチ（2.54cm）あたり100（50／
50）のくぼみをもち厚さ約0.22ミル（5.6ミクロ
ン）の模様付けアルミニウム箔電極と、占積率約
10〜30％で１枚は厚さ0.70ミル（18ミクロン）他
方は1.0ミル（25.4ミクロン）又は0.65ミル（17ミ
クロン）の２枚の曇りポリプロピレンフイルムと
からなつている。各コンデンサは高さが約26イン
チ（66.0cm）程度である。 組立てたコンデンサは85〜100℃の範囲の温度
及び60ミクロンＨｇ以下の真空で約26時間オーブ
ン乾燥された。コンデンサは次いで約50〜80℃の
範囲に冷却され、約40〜50℃の温度の含浸流体が
真空下でコンデンサ中に導入された。充填後、コ
ンデンサをオーブン中に置き、温度を約65〜85℃
に上げた。この温度で安定化後、コンデンサをオ
ーブン中で約20時間均浸させ、その後、温度を室
温に下げる。この均浸を更に20時間にわたり第２
回目として反復させた。その後、コンデンサを室
温にし、シールし、或るの電気的試験を施こし
た。 DIVはコロナ開始電圧としても知られる放電開
始電圧であり、与えられた値は３つの読みの平均
である。DEVはコロナ消滅電電圧としても知ら
れる放電消滅電圧である。散逸係数は％DF又は
tan δ（損失角）であり、ワツト損失百分率とし
て与えられる。結果は、これ等のコンデンサの設
計及び試験規準を過度に厳しくしたにも拘わら
ず、反復して優秀なコンデンサが示された。

【表】

【表】 上記データからわかるように、これ等のコンデ
ンサは厳しい電圧応力にかけられ、その結果、非
常に高く安定かつ反復性のDIV及びDEV値を示
した。記述した装置を寿命試験の為定格電圧に置
き250時間で第一の再試験を行うと、破損したも
のはなく目立つた変化は起きなかつた。次いで、
寿命試験を全部で1000時間続け各実施例について
代表的装置の再試験を為した。DIVとDEV値は
いぜん満足のいくものであり全体に改善されてい
た。散逸係数とキヤパシタンス試験は優れた値を
示しており散逸係数は時間と共に改善され、即
ち、定格電圧の120％で1000時間にて改善され、
85℃で約0.01％であつた。 実施例 ２ ロール幅22.5インチ（57.15cm）を使つて、前
記実施例１に従つて、更に、７個のコンデンサを
作つた。誘電体厚は１枚が0.7ミルで１枚が1.0ミ
ル（25.4ミクロン）であつた。これ等コンデンサ
の定格は52μf及び75KVARで、箔を横切る誘電
体系には1990ボルトがかかる。これ等のコンデン
サを2350〜3600ボルトの電圧、室温〜70℃の温度
で寿命試験に置かれた。こうして試験したコンデ
ンサは全て定格より高い電圧で500時間以上破損
することなく、誘電体系の能力が改善されている
ことを示している。 実施例 ３ 更に、種々の電圧定格のコンデンサが実施例１
に従つて作られ試験された。１つは広いロールで
22.5インチ（57.15cm）、他は全て11.25インチ
（28.58cm）であつた。パツド電圧、即ち、電極箔
を横切る電圧は1800〜1990ボルトの範囲だつた。
電極箔間の誘電体厚は1.5ミル（38ミクロン）乃
至1.7ミル（43ミクロン）だつた。全部のコンデ
ンサロール設計に対する全体の占積率は含浸前は
20〜30％の範囲だつた。結果は本発明によつて作
られたコンデンサの反復性及び確実性を示してい
る。

【表】 実施例 ４ 実施例１に従つていくつかのコンデンサを作つ
た。コンデンサロールは長さ11.25インチ（28.75
cm）で4μf容量だつた。コンデンサの箔を横切る
定格電圧は1990ボルトだつた。第８図に従い、内
側の１つの箔は0.375インチ（0.95cm）にわたり
各縁を折り重ねた。これ等のコンデンサについて
電気的試験を行つたところ、折り重ねない設計に
比べてDIV及びDEV値が著しく増していた。 実施例 ５ 第１１図に関して記載したように１インチあた
り120／120のくぼみを有する模様付き箔を使い、
15インチ（38.1cm）のロールから特別試験用のコ
ンデンサ装置を作つた。コンデンサ占積率は５〜
10％である。ロールは1670ボルトとして設計して
ある。第３，５及び６図に例示したように、占積
率５〜10％で0.65ミル（16.5ミクロン）のフイル
ム１枚と、占積率５〜10％で0.7ミル（17.8ミク
ロン）のフイルム１枚を誘導体系内に使つた。含
浸は実施例１の方法に従つた。 上記コンデンサ装置に−40℃〜25℃でコロナ開
始電圧試験を行つたところ定格電圧の180％を越
えていた。コロナ消滅電圧の試験を行つたところ
定格電圧の約160％であり、これら両方の値は全
てのフイルムコンデンサにとつて優れた値であ
る。 本発明の完全くぼみ模様付き箔と曇りフイルム
とを使うと、オールフイルムコンデンサの含浸を
容易にし確実にする。曇りフイルムと模様付き箔
を組合せて使うと結果に必要な確実さと反復性と
が付与され、他方が欠陥ある領域に於いてこれを
各自が支持し補完する。この手段によつて、
DEVの望ましい高い値が維持される。 この組合せはオールフイルムコンデンサにとつ
て非常に厳しくなる含浸パラメータを緩らげマニ
ホルド充填及び血液充填といつた種類のものを含
めた種々の含浸法に広く適合しうる構造を提供す
る。ポリプロピレンフイルム並びにその他の合成
樹脂フイルムは、本発明の好ましい曇りフイルム
より少ないか多い或る程度の表面粗さ、例えば約
5.0％未満にて、容易に製造しうる。本発明の模
様付き箔は、約3.0〜30.0％以上にわたる、合成
樹脂フイルムの表面粗さの全範囲にわたつて独特
なスペーサ結果を提供しよう。場合に応じて、く
ぼみ付き箔の占積率をフイルムの占積率と、高低
又は低高の関係に相関付けうる。好ましい範囲と
しては、フイルムに対する占積率約5.0〜30.0％、
より好ましくは10％〜30％、箔厚が当初の厚さの
約２〜約５倍である。組立てたコンデンサから取
り出した完全くぼみ模様の箔を検査したところ、
最小厚の領域は示されたが最高厚の領域は殆んど
なく、空間が曇りの変動、許容値の不整合又は不
均一な巻きによる場合、存在する空間や圧力に箔
が適応していることを示している。こうした検査
によつて又、くぼみが小さくインチあたりの数が
多い程製造過程にあつて減殺に対し極めて抵抗性
であり耐性が高いことも示されている。検査によ
つては又、減殺が過度なことは必要以上にくぼみ
の高さが高いことを示している。その結果、約
100／100以上のくぼみ密度が好ましい。前記実施
例中のコンデンサの殆んどは高圧力率修正コンデ
ンサである。こうしたコンデンサは約600ボルト
AC以上から約25000ボルトAC以下の定格で、そ
の誘導体系は高圧応力下にある。これ等のコンデ
ンサの定格はKVAR単位（キロボルト・アンペ
ア−リアクタンス）で約50KVAR〜400KVAR以
上である。本発明が最も適用でき望ましいのはこ
うしたコンデンサである。 占積率の提供に確実さが付与される為、本発明
では曇りフイルムを使うことが顕著に望まれる
が、満足のいくオールフイルムコンデンサは本発
明の完全くぼみ模様箔によつてのみ、殊に幅の狭
いロールコンデンサで、製造しうる。しかし、本
発明の模様付きの箔か曇りフイルムのいずれかで
改善された結果が与えられているような場合もあ
る。これ等を一緒に使うと、前述したようにこれ
等の補完機能に基づく、一方の他方への貢献をと
きには妨害する。以下の実施例は模様付き舶と曇
りフイルムの個々に寄与するところをいくつか示
している。 実施例 ６ 本例では、コンデンサロールが狭い設計の
10.62インチ幅（26.9cm）である以外はコンデン
サの構成及び処理は実施例１に於けると同様であ
り、比較的平滑なフイルム例えば占積率の低い
（LS）フイルムが使われている。占積率の高い
（HS）曇りフイルムの平均占積率は約20％であ
る。コンデンサ占積率は約５％である。誘導体の
電圧定格は中程度、即ち、約1200ボルトである。
DCは直流、ACは交流、Vrは定格電圧である。
コンデンサは7960ボルト及び200KVARの定格で
ある。

【表】 実施例 ７ 本例では、同様の２組のオールポリプロピレン
フイルムコンデンサを作つたが、これ等の唯一の
相違は一組には模様付き箔が含まれ、他の組には
含まれていない点である。試験結果は次のとおり
であり、模様箔の結果が勝れていることが示され
ている。

【表】 完全くぼみ模様箔の広範囲の適用性についての
主な理由の一つはくぼみ構造の平滑さとクツシヨ
ン効果である。巻縮、穴あけ、ローレツト切り、
あるいは砂吹きロールで形成した他の突起又は凹
部は箔中に鋭い縁のある突起や多くの裂傷及び破
裂を生じ、これ等の全ては高圧で高応力を受ける
オールフイルムコンデンサには記述の如くコロナ
の為に大きい不利益となる。本発明の完全くぼみ
模様付き箔の凹部及び突起のくぼみ又は土堤形状
は完全な変形又は押しつぶれに対し極めて抵抗性
の幾何学的卵形を形成する平滑に流れる表面を利
用している。これ等のくぼみは、好ましくは箔の
平面の両側から等距離に突起し、例示の如き幾何
学的又は規則的に反復した等距離に間隔をおいた
くぼみの模様を形成している。模様は連続してお
りコンデンサ内の活性箔表面と同延である。くぼ
み模様を使うと本発明のコンデンサに完全率が増
大されコンデンサの動作中に起りうる多くの小さ
な異常についてより信頼のおけるコンデンサが提
供される。DC誘電試験は絶縁耐力を増大を示し
ている。 コンデンサロールを巻くのに使われる巻上げ機
械でくぼみ付け工程を行うのが好ましい。この方
法の主な利点は、後にコンデンサロールに巻く為
に、ロール上で模様付き箔を再び巻くという必要
性が省かれる点である。こうした巻上げ及び再巻
上げは主に押しつぶしによつてくぼみを潜在的損
傷にさらす。エンボシングロールを駆動するのに
箔の張力を使う方法ではくぼみと模様に一様性と
均一性が付与される。 本発明の改善された箔の製法では、箔の全域を
変形し、箔表面にわたつて延びる選定域の箔を研
磨し物理的に加工する。この改善された箔は第１
１及び１２図を参照して記載する２つのより重要
な方法で製造される。いずれの場合にも、アルミ
ニウム箔（U.S.Grade 1143）が使われる。これ
は純度90.43＋％の軟アニールした箔の商品名で
ある。 第１１図には、コンデンサロール巻機械４６が
示されており、該機械上にエンボシング装置４７
が適当に装置されている。装置４７にあつて、ロ
ール４８は調製ロールでその表面４９上に、イン
チ（2.54cm）あたり望みの数のくぼみ、好ましく
は約100以上のくぼみを含んだ突出くぼみ模様が
ある。各くぼみ構造は第４及び第５図のくぼみに
ついて記載したと概して同じ構造をしており、全
てのくぼみの高さは好ましくは同じである。機械
４６上にはロール４８と平行関係に第２のロール
５０が装着されている。ロール５０の外側表面は
硬いが弾性のある材料である。この材料はプラス
チツクかゴム様材料であり、約60〜80ジユロメー
タ硬度の硬度ゴムにより優秀な結果が得られた。
ロール５０は適当なバイアス又はバネ手段５１に
よつてエンボシングロール４８に対して偏圧され
ている。 アルミニウム箔３７が駆動装置又はコンデンサ
巻ロール５３によつて供給ロール５２から、ロー
ル４８と５０との間に引つ張られる。他の供給ロ
ールが他の箔電極とポリプロピレン誘導体ストリ
ツプをコンデンサロール５３へ送る。エンボシン
グローラ４９の突出くぼみのロール５０のゴム材
料中への侵入深さは約0.2ミル（5.1μ）〜約1.0ミ
ル（25.4μ）の範囲である。その結果、約5.0〜6.0
ミクロン厚のアルミニウム箔厚で始めたとき、エ
ンボシングされた箔３７の最終厚さはアルミニウ
ム箔の当初の厚さの約２〜５倍の範囲である。 占積率の一部が微細組織の又は曇り表面のポリ
プロピレンフイルムにとつて占められている含浸
前の本発明のオールフイルムコンデンサに対する
占積率の示すところでは、好ましくは本発明のく
ぼみ模様は箔長１インチ（2.54cm）あたり約
100／100くぼみ乃至500／500くぼみの範囲にあ
る。 本発明の方法によつて箔中に押印されたエンボ
ス模様は断面が第５図に例示した如き正弦波模様
をしており、個々のくぼみは互いに近接していて
弾性ロール表面中に押圧されて円味帯びたくぼみ
先端を与え、ロール５０の弾性材料が隣接くぼみ
間の領域内に若干押込まれる。これに関連して、
このエンボシング法ではエンボシングロール５０
にとり込まれるロール４８にくぼみの全深さは得
られない。ロール４８にできたくぼみの高さは
50.0μあるいはそれ以上の程度でよいが、侵入は
その端数値に限定される。その結果、エンボシン
グ法は箔の当初の平面を変え隆起したくぼみ模様
表面の反対側の箔面にもくぼみ突起が生じる。こ
の結果、断面に於いては、こうした模様を付され
ない平面がくぼみの中心を通り、第５図の断面図
即ち正弦波模様が得られる。又、くぼみが完全に
形成され箔の当初の平面が変化を受けるのでエン
ボシングくぼみ模様には全箔表面が係わつてい
る。 平方インチ（6.45cm²）あたり14000以上のくぼ
みがある場合、電気的に箔の動作をより効果的に
する為には、箔表面とくぼみ先端の外面を加工
し、研磨し平滑にすると共に、箔の若干の開口、
裂傷縁及び他の不規則性をも平滑にする。本質的
に箔の全面が加工及び研磨され、殊に、ポリプロ
ピレンフイルム誘導体に圧入するくぼみ先端の加
工及び硬化の為に、このような箔は予じめ条件づ
け箔と言う。 試験によつて示されるところでは、箔１インチ
あたり120／120くぼみのくぼみ濃度は第１図の方
法と共に、より小さいくぼみ濃度及び第１２図の
方法よりも多くの点で勝れ、従つて好ましい。く
ぼみの平坦化が少なく、ロール巻も容易でありし
かも弾性スペーサ概念が保持される。好ましいく
ぼみの範囲は約100／100より上で始まり、上限は
箔加工の実際の上限できまり、明瞭な模様が保持
され模様が望みの深さに維持される。通常、この
上限は約500／500くぼみ／インチである。くぼみ
の数が増すと、仕上り箔の全体の厚さは当初の厚
さの２倍より若干小さくなる。しかし、ロール巻
技術及び張力を変えることによつて、弾性スペー
サ概念が保持される。 第１２図に例示されているような方法及び装置
を使つても本発明の箔を提供しうる。 第１２図にあつて点線で輪郭づけられているの
はコンデンサロール巻機械４６であり、箔模様装
置５４が適当に結合されている。装置５４は１対
のエンボシングロール５５及び５６を有し、これ
等が機械４６上で回転するよう装着されている。
各ロール面は鋼製であり精密に腐食又は彫刻され
て堤様突起が与えられている。別の態様では、い
ずれか又は両方のロールが硬化プラスチツク又は
ゴムの如き非金属材料でよい。適当な調節装置に
よつて精密に組立てられたロール面は互いに整合
係合関係にもたらされて１つのロールの突起が対
応ロール上の突起間に嵌合する。外部からのギア
操作でロールを互いに対に合わせて整合を維持す
る。断面では、ロールの突起は対向ロール上の同
じ突起と若干かみ合つた堤様突起を区画してい
る。ロールは互いに調節可能で互いに間隔をおか
れた距離を変え、箔中に、くぼみの頂部から箔の
平面まで約0.00025インチ（約6.35ミクロン）の
くぼみ構造を与える。くぼみ５５及び５６を調節
して、箔厚より大部大きなすきまを形成し、ロー
ル上のくぼみの一部のみが箔中に突入するように
する。金属を加工、平滑及び研磨する対向面によ
つてくぼみ先端が外面に係合されない為、第１２
図の内では、第１１図の方法から得られる種類の
予備条件づけが提供されない。

【図面の簡単な説明】

第１図は誘導体フイルムと電極箔の関係を示す
為に部分的にロールをほどいた形のコンデンサロ
ールの拡大図、第２図は第１図の単一のコンデン
サロールを使つたコンデンサ組立体の図、第３図
は第１図に示した複数のコンデンサロールを使つ
た高圧力率修正コンデンサ組立体の図、第４図は
電極箔の模様の配置の示す箔電極の断片の平面
図、第５図は第４図の模様を付された電極箔の線
形断面図、第６図はコンデンサ中の単独誘導体と
して模様電極箔と曇りフイルムを平滑面−粗面関
係で使つた例の拡大図、第７図は２枚の曇りフイ
ルムストリツプを粗面−粗面関係で使つた例を示
す第６図の具体例の変形の図、第８図は２枚の曇
りフイルムストリツプを平滑面−平滑又は頭−頭
関係で使つた例を示す第７図の具体例の変形の
図、第９図は３枚の曇りフイルムストリツプを平
滑面−粗面関係で使つた例を示す第６図の変形の
図、第１０図は第６図の具体例の箔を折り重ねた
変形例の図、第１１図はコンデンサロール巻機械
上に装置した電極箔エンボシングロール装置の略
図、そして第１２図は第１１図の装置の変形例の
図。 １０…コンデンサロール、１１，１２…金属箔
電極、１３，１４，１５，１６…ポリプロピレン
フイルム、２０…ケーシング、２２，２３…端
子、２６…電力コンデンサ、３１…凹部、３２…
突起、３４，３５，４３，４４…箔、３６，３
７，４１…フイルム、４６…コンデンサロール巻
機械、４７，５４…エンボシング装置、４８，５
０，５５，５６…ロール。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ アルミニウム箔ストリツプからなるコンデン
   サ用アルミニウム箔電極であつて、このアルミニ
   ウム箔ストリツプ１１はこの箔の平面から個々に
   曲線状となつて現われた複数のくぼみが突起３２
   及び凹部３１をなし、これらの突起及び凹部は、
   コンデンサ内の有効な箔表面に縦横に隣接して存
   在しており、しかも、なめらかでほぼ連続した曲
   線をなす箔表面が一つの凹部から隣接する突起へ
   と導かれるように、離隔して形成されて、一つの
   凹部の基部の端と隣接する突起の基部の端とがほ
   ぼ合致することを特徴とするコンデンサ用アルミ
   ニウム箔電極。 ２ 下記の工程からなるエンボス加工を施こした
   コンデンサ用アルミニウム箔電極の製造方法： (a) 一対のエンボシングロールの表面上にくぼみ
   突起を設け、 (b) 上記エンボシングロールが自由に回転でき、
   しかも互いに調整可能なように上記エンボシン
   グロールを装着し、 (c) 一方の上記エンボシングロールのくぼみが他
   方の上記エンボシングロールのくぼみと相補的
   にはまり合うように上記エンボシングロールを
   調整し、 (d) 係合する上記エンボシングロールの間にアル
   ミニウム箔ストリツプを位置ぎめし、そして、 (e) 上記エンボシングロールの間にある上記アル
   ミニウム箔ストリツプを引つぱるだけで上記エ
   ンボシングロールを駆動して、上記アルミニウ
   ム箔ストリツプにエンボス加工によるくぼみ模
   様をつける。 ３ ケーシング、該ケーシング上の電気的端子、
   前記ケーシング内にあつて前記端子に接続された
   １つ又はそれ以上のコンデンサロール、及び前記
   ケーシング内にあつて前記ロールを含浸している
   誘導体流体を含むコンデンサにおいて、 前記ロールが１対の間隔をおいた金属製電極箔
   ストリツプと、その間にあつて合成樹脂材料のみ
   からなり少なくとも１枚の合成樹脂ストリツプで
   構成される誘電体とから成つており、前記樹脂ス
   トリツプがポリプロピレンからなつてその表面の
   １つが約3.0％以上のフイルム占積率を与える粗
   い構造を有し、 前記流体はエステル及び炭化水素からなる群か
   ら選ばれ、 前記電極箔ストリツプの平面から個々に曲線状
   となつて現われた複数のくぼみが突起３２及び凹
   部３１をなし、これらの突起及び凹部は、コンデ
   ンサ内の有効な箔表面に縦横に隣接して存在して
   おり、しかも、なめらかでほぼ連続した曲線をな
   す箔表面が一つの凹部から隣接する突起へと導か
   れるように、離隔して形成されて、一つの凹部の
   基部の端と隣接する突起の基部の端とがほぼ合致
   することにより、前記電極箔ストリツプの両表面
   いつぱいに突起と凹部とが隣接して連続で均一な
   模様を形成し、前記電極箔ストリツプの厚みが、
   ロールに巻く前にもとの厚みの約２〜10倍になつ
   ているコンデンサ。 ４ くぼみの数は各表面上に箔１インチ長あたり
   約100以上であり、くぼみの高さが基部の直径に
   ほぼ等しい特許請求の範囲第３項記載のコンデン
   サ。 ５ 流体が一成分としてエステルを含む特許請求
   の範囲第３項又は第４項のいずれかに記載のコン
   デンサ。 ６ 流体が炭化水素である特許請求の範囲第３項
   又は第４項のいずれかに記載のコンデンサ。 ７ 誘電体が１対のポリプロピレンフイルムスト
   リツプよりなり、各々の一面は粗面でもう一面は
   平滑面で、粗面が平滑面に隣接するよう配置され
   ている特許請求の範囲第６項記載のコンデンサ。 ８ 炭化水素がフエニルキシリルエタンである特
   許請求の範囲第６項又は第７項のいずれかに記載
   のコンデンサ。 ９ 炭化水素がイソプロピルビフエニルである特
   許請求の範囲第６項又は第７項のいずれかに記載
   のコンデンサ。 １０ 前記ロールが１対の間隔をおいたアルミニ
   ウム箔電極と、その間にあつて専ら合成樹脂から
   なり一対の隣接ポリプロピレンフイルムストリツ
   プで構成される誘電体とからなり、各フイルムス
   トリツプの一表面上に表面不規則があつてこの不
   規則によつて約10〜30％のフイルム占積率が与え
   られ、前記電極箔ストリツプの両表面いつぱいに
   非常に小さな突起と凹部とが密な間隔で隣接して
   模様を形成することにより、前記電極箔ストリツ
   プの厚みが、ロールに巻く前にもとの厚み0.22ミ
   ル（5.6ミクロン）の２〜５倍になつている、特
   許請求の範囲第３項記載のコンデンサ。 １１ 組立てそして含浸したコンデンサの占積率
   が約５〜10％である特許請求の範囲第１０項記載
   のコンデンサ。 １２ くぼみが各表面上に電極箔１インチ線上あ
   たりくぼみ約100〜500個のほぼ連続模様で配列さ
   れている特許請求の範囲第１０項又は第１１項の
   いずれかに記載のコンデンサ。 １３ アルミニウム箔電極が一つの平滑面と一つ
   のマツト面を有し、ロール中で一つの平滑面がマ
   ツト面と対向するように配列され、フイルムスト
   リツプの粗面が隣接箔ストリツプの平滑面に隣接
   している、特許請求の範囲第１０項又は第１１項
   のいずれかに記載のコンデンサ。 １４ ロール上の鋼製くぼみが箔を塑性ロール中
   に刻印させる相互作用により、これ等ロール間よ
   り箔を引つ張つて起る滑動関係にてくぼみの内部
   表面と外部表面とが平滑にされている特許請求の
   範囲第１０項乃至第１３項のいずれか１項に記載
   のコンデンサ。 １５ 上部に電気端子を有し内部に前記端子に接
   続された１つ以上のコンデンサロールを含むケー
   シングを有し、前記ケーシング内にあつて前記ロ
   ールが誘電体流体で含浸されており、前記ロール
   が１対の間隔をおいたアルミニウム箔電極ストリ
   ツプとその間の合成樹脂ストリツプよりなり、前
   記合成樹脂ストリツプ上には曇り表面の形で不規
   則部分があつて約10〜30％のフイルム占積率が提
   供されており、前記アルミニウム箔電極ストリツ
   プの平面から個々に曲線状となつて現われた複数
   のくぼみが突起３２及び凹部３１をなし、これら
   の突起及び凹部は、コンデンサ内の有効な箔表面
   に縦横に隣接して存在しており、しかも、なめら
   かでほぼ連続した曲線をなす箔表面が一つの凹部
   から隣接する突起へと導かれるように、離隔して
   形成されて、一つの凹部の基部の端と隣接する突
   起の基部の端とがほぼ合致することにより、前記
   アルミニウム箔電極ストリツプの両表面に突起と
   凹部とが隣接して規則的な模様を形成し、各表面
   上には箔長１インチ（2.54cm）あたり約100〜約
   500のくぼみがあり、前記くぼみの高さと基部直
   径とが概して等しく、これによつて約0.22ミル
   （5.6ミクロン）未満のもとの箔厚が約２〜５倍の
   箔厚に増大されている、50乃至400KVAR定格の
   高電圧力率修正コンデンサ。