JPH0438131B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0438131B2
JPH0438131B2 JP59004111A JP411184A JPH0438131B2 JP H0438131 B2 JPH0438131 B2 JP H0438131B2 JP 59004111 A JP59004111 A JP 59004111A JP 411184 A JP411184 A JP 411184A JP H0438131 B2 JPH0438131 B2 JP H0438131B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
pattern
film
processed
resist pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59004111A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60148116A (ja
Inventor
Yoshikazu Tsujino
Juji Hamada
Hisao Mori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP59004111A priority Critical patent/JPS60148116A/ja
Publication of JPS60148116A publication Critical patent/JPS60148116A/ja
Publication of JPH0438131B2 publication Critical patent/JPH0438131B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は、パターン形成方法に係わり、被加工
膜のエツチングに先立つレジストパターン形成方
法の改良に関する。
(ロ) 従来技術 超LSI等を構成する薄膜に微細パターンを蝕刻
する方法としてエツチング液による湿式エツチン
グ法がある。この方法でパターンを形成するに
は、まず被加工膜上にレジスト膜を形成し、次い
で電子線露光装置等で所望のパターンを描画し現
像処理を施してレジストパターンを形成し、次い
でポストベークした後、このレジストパターンを
マスクにしてエツチング液で被加工膜をエツチン
グ除去してパターンを形成している。
この方法において特に問題となる点は、レジス
トパターンと被加工膜の密着性である。密着性が
悪いと、エツチング時にエツチング液がレジスト
パターン下部に廻り込み、パターン寸法の広がり
や、パターンの消失につながる。
レジストパターンと被加工膜の密着性を高める
方法の一つとして、ポストベークをレジストのガ
ラス転移温度（Tg）より十分高い温度で行うこ
とが有効である。しかしながら、この方法におい
ては、密着性の向上と共にレジストパターンの流
れが起こり、現像によつて形成したレジストパタ
ーンが変形するため初期のパターン形成が困難と
なる問題があつた。
(ハ) 発明の目的 本発明はこのような点に鑑みて為されたもので
あつてレジストパターンの形状変化を招くことな
くレジストと被加工膜の密着性を高め、良好なパ
ターンを形成することを目的とする。
(ニ) 発明の構成 本発明は、レジストパターンをマスクにして被
加工膜をエツチングしてパターンを形成するに際
して、現像処理によつて形成したレジストパター
ン上に、金属薄膜を形成した後、ポストベークを
行うものである。
(ホ) 実施例 第１図乃至第４図は、本発明の一実施例による
パターン形成方法を示す工程別断面図であつて、
これ等の図を用いて本発明を詳述する。ガラス基
板１上に被加工膜としてクロミウム２を形成した
基板上にレジストとしてポリメタクリル酸メチル
（PMMA）３を形成し、180℃で60分のプリベー
クを行つてレジスト塗布基板を得る（第１図）。
次に電子線露光装置を用いて所望のパターンをレ
ジスト３に描画し、現像処理してパターン寸法ｘ
のレジストパターン３′を形成する（第２図）。次
いで現像後のレジストパターン３′に厚さ200Åの
クロミウム薄膜４を蒸着した後、180℃でポスト
ベークする。このようにクロミウム薄膜４を蒸着
した状態でポストベークすると、ポストベーク後
のレジストパターン３″は変形せず、しかもクロ
ミウムとの密着性も良好となる（第３図）。しか
る後、クロムエツチング液でレジストパターン
３′上に形成したクロミウム薄膜４と共に被加工
膜のクロミウム膜２をエツチングし、初期レジス
トパターン寸法ｘに忠実な寸法x′のクロムパター
ン２′が得られる（第４図）。
(ヘ) 発明の効果 本発明は以上の説明から明らかな如く、ポスト
ベーク前にレジストパターン上に金属薄膜を形成
してポストベークにおけるレジストの軟化による
レジストパターンの変形を防止している為、レジ
ストパターンの変形を伴わずにレジストと被加工
膜の密着性を高めることが出来、良好なパターン
を形成することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図は本発明パターン形成方法を
示す工程別断面図である。 ２……クロミウム膜、３……レジスト膜、４…
…クロミウム薄膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 被加工膜上に塗布されたレジストを所望パタ
    ーンに露光した後、該レジストを現像処理してレ
    ジストパターンを形成し、次いで蒸着等により上
    記レジスト表面に金属薄膜層を形成し、次いで上
    記レジストを少なくとも上記レジストのガラス転
    移温度以上の温度でポストベークし、然る後エツ
    チングにより前記金属薄膜を除去し、続いて前記
    レジストパターンをマスクとして前記被加工膜を
    エツチングすることを特徴とするパターン形成方
    法。
JP59004111A 1984-01-12 1984-01-12 パタ−ン形成方法 Granted JPS60148116A (ja)

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JPS60148116A JPS60148116A (ja) 1985-08-05
JPH0438131B2 true JPH0438131B2 (ja) 1992-06-23

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JPS60148116A (ja) 1985-08-05

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