JPH0438246Y2 - - Google Patents
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- JPH0438246Y2 JPH0438246Y2 JP5403687U JP5403687U JPH0438246Y2 JP H0438246 Y2 JPH0438246 Y2 JP H0438246Y2 JP 5403687 U JP5403687 U JP 5403687U JP 5403687 U JP5403687 U JP 5403687U JP H0438246 Y2 JPH0438246 Y2 JP H0438246Y2
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- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
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- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
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- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本考案は、物体表面に規則的に形成されたトレ
ンチもしくは孔等の凹部深さを測定する凹部深さ
測定装置に関する。
ンチもしくは孔等の凹部深さを測定する凹部深さ
測定装置に関する。
[従来技術およびその問題点]
数メガビツトの記憶容量を有するDRAMでは、
チツプ上の単位メモリーセルの静電容量を減少さ
せることなしに集積密度を向上させる必要がある
ため、種々のタイプの縦型容量セルが案出されて
いる。第5図にはその一例が示されており、トレ
ンチ(trench)10の深さは1〜10μm程度であ
り、トレンチ10により分画された単位セル12
の一辺の長さは数μm程度である。
チツプ上の単位メモリーセルの静電容量を減少さ
せることなしに集積密度を向上させる必要がある
ため、種々のタイプの縦型容量セルが案出されて
いる。第5図にはその一例が示されており、トレ
ンチ(trench)10の深さは1〜10μm程度であ
り、トレンチ10により分画された単位セル12
の一辺の長さは数μm程度である。
トレンチ深さ測定装置としては、走査型電子顕
微鏡(SEM)を用いたものがある。SEMによれ
ば、高精度測定ができるばかりでなく、トレンチ
内部の局所的形状に関する情報も得られる。
微鏡(SEM)を用いたものがある。SEMによれ
ば、高精度測定ができるばかりでなく、トレンチ
内部の局所的形状に関する情報も得られる。
しかし、SEMは高価であり、取り扱いが煩雑
である。そのうえ、シリコンウエーハを切断しな
ければ測定できないので、抜き取り検査が主であ
り、生産ラインにおいてリアルタイム測定を行う
ことは不可能である。
である。そのうえ、シリコンウエーハを切断しな
ければ測定できないので、抜き取り検査が主であ
り、生産ラインにおいてリアルタイム測定を行う
ことは不可能である。
そこで、第6図に示すような走査型フーリエ分
光器を用いたトレンチ深さ測定装置が案出されて
いる。
光器を用いたトレンチ深さ測定装置が案出されて
いる。
この測定装置では、連続した波長領域の光を放
射するハロゲンランプ14等が光源として用いら
れ、コリメータレンズ16により平行化された光
束はその一部がビームスプリツター18を透過
し、表面にトレンチが形成されたシリコンウーエ
ハ20に垂直照射され、その反射光の一部がビー
ムスプリツター18により反射され、次いで平面
鏡22により反射されてマイケルソン干渉計24
へ入射される。そして、マイケルソン干渉計24
の出射光強度が光センサ26により検出され、ア
ンプ28、フイルタ30を介してストレージオシ
ロスコープ32へ供給され、移動鏡34の走査に
同期してストレージオシロスコープ32が動作す
る。ストレージオシロスコープ32の管面には、
単位セル12の表面及びトレンチ10の底面から
の正反射により、メインピークMとサブピークS
を有するインターフエログラムが映し出される。
射するハロゲンランプ14等が光源として用いら
れ、コリメータレンズ16により平行化された光
束はその一部がビームスプリツター18を透過
し、表面にトレンチが形成されたシリコンウーエ
ハ20に垂直照射され、その反射光の一部がビー
ムスプリツター18により反射され、次いで平面
鏡22により反射されてマイケルソン干渉計24
へ入射される。そして、マイケルソン干渉計24
の出射光強度が光センサ26により検出され、ア
ンプ28、フイルタ30を介してストレージオシ
ロスコープ32へ供給され、移動鏡34の走査に
同期してストレージオシロスコープ32が動作す
る。ストレージオシロスコープ32の管面には、
単位セル12の表面及びトレンチ10の底面から
の正反射により、メインピークMとサブピークS
を有するインターフエログラムが映し出される。
この装置によれば、シリコンウエーハ20を非
破壊で測定できる。
破壊で測定できる。
しかし、市販されているフーリエ分光器をこの
ような測定に適用しようとすると、メインピーク
MとサブピークSとの間のサンプリング点数mが
極端に少なく、測定精度が低い。すなわち、固定
鏡36に対する移動鏡34の最大移動量をX/
2、全データ点数をNとすると、トレンチ深さd
について、 d=Xm/N が成立し、X=1cm、N=8192のとき、d=1μ
mに対してm=0.8、d=10μmに対してm=8と
なり、測定精度が低い。
ような測定に適用しようとすると、メインピーク
MとサブピークSとの間のサンプリング点数mが
極端に少なく、測定精度が低い。すなわち、固定
鏡36に対する移動鏡34の最大移動量をX/
2、全データ点数をNとすると、トレンチ深さd
について、 d=Xm/N が成立し、X=1cm、N=8192のとき、d=1μ
mに対してm=0.8、d=10μmに対してm=8と
なり、測定精度が低い。
本考案の目的は、上記問題点に鑑み、高精度測
定が可能な凹部深さ測定装置を提供することにあ
る。
定が可能な凹部深さ測定装置を提供することにあ
る。
[問題点を解決するための手段]
本考案に係る凹部深さ装置では、
連続した波長領域の光を発する光源と、モノクロ
メータと、 光を反射し表面に凹部が規則的に形成された被
測定物体の該表面へ、凹面が斜めに向けて配設さ
れ、該光源からの光が通過され該表面からの正反
射光が通過される孔が該凹面に穿設され、該表面
からの零次以外の回折光を該凹面で反射させて該
モノクロメータへ入射させる凹面鏡と、 該モノクロメータからの出射光の光強度を検出
する光センサと、 波数又は波長に関する該光強度の曲線に含まれ
る複数のピークのピーク間距離から該凹部の深さ
を演算し出力する演算手段と、 を有することを特徴としている。
メータと、 光を反射し表面に凹部が規則的に形成された被
測定物体の該表面へ、凹面が斜めに向けて配設さ
れ、該光源からの光が通過され該表面からの正反
射光が通過される孔が該凹面に穿設され、該表面
からの零次以外の回折光を該凹面で反射させて該
モノクロメータへ入射させる凹面鏡と、 該モノクロメータからの出射光の光強度を検出
する光センサと、 波数又は波長に関する該光強度の曲線に含まれ
る複数のピークのピーク間距離から該凹部の深さ
を演算し出力する演算手段と、 を有することを特徴としている。
[実施例]
図面に基づいて本考案の実施例を説明する。
第1図には第1実施例の構成が示されている。
被測定物体としのシリコンウエーハ40の上方
には、球面鏡42がその凹面を斜め下方へ向けて
配設されている。このシリコンウエーハ40は
DRAM用であり、この表面には、第6図に示す
ようなトレンチ10が規則的に形成されている。
球面鏡42の中心部には円孔44が穿設され、円
孔44の上方には集光レンズ46を介して白色光
源48が配設されている。白色光源48からの白
色光は、集光レンズ46により屈折され、円孔4
4を通り、集光されてシリコンウエーハ40の表
面を略垂直に投射され、その零次以外の回折光が
球面鏡42の凹面により側方へ反射され、集光さ
れてモノクロメータ50へ入射される。
には、球面鏡42がその凹面を斜め下方へ向けて
配設されている。このシリコンウエーハ40は
DRAM用であり、この表面には、第6図に示す
ようなトレンチ10が規則的に形成されている。
球面鏡42の中心部には円孔44が穿設され、円
孔44の上方には集光レンズ46を介して白色光
源48が配設されている。白色光源48からの白
色光は、集光レンズ46により屈折され、円孔4
4を通り、集光されてシリコンウエーハ40の表
面を略垂直に投射され、その零次以外の回折光が
球面鏡42の凹面により側方へ反射され、集光さ
れてモノクロメータ50へ入射される。
この回折光は、第4図に示す如く、単位セル1
2の表面からの回折光と、トレンチ10の底面で
の反射後該底面上方かつ単位セル12の表面と同
一高さの面(相補的な面)からの回折光である。
また、球面鏡42の外周形状は円形が好ましい
が、楕円形又は矩形等であつてもよい。
2の表面からの回折光と、トレンチ10の底面で
の反射後該底面上方かつ単位セル12の表面と同
一高さの面(相補的な面)からの回折光である。
また、球面鏡42の外周形状は円形が好ましい
が、楕円形又は矩形等であつてもよい。
モノクロメータ50により、波数に応じて角
分散された光は、フオトダイオードアレイ52に
投射される。モノクロメータ50は、例えば凹面
回折格子で構成されており、この場合には、その
結像面に沿つてフオトダイオードアレイ52が配
設される。
分散された光は、フオトダイオードアレイ52に
投射される。モノクロメータ50は、例えば凹面
回折格子で構成されており、この場合には、その
結像面に沿つてフオトダイオードアレイ52が配
設される。
フオトダイオードアレイ52は、マイクロコン
ピユータ54によりドライバ56を介して走査さ
れ、各波数に対する受光強度が順次読み出され
てアンプ58へ供給され、A/D変換器60によ
りデジタル変換されてマイクロコンピユータ54
へ供給される。マイクロコンピユータ54はこれ
を読み取つて、内蔵RAMに順次書き込む。
ピユータ54によりドライバ56を介して走査さ
れ、各波数に対する受光強度が順次読み出され
てアンプ58へ供給され、A/D変換器60によ
りデジタル変換されてマイクロコンピユータ54
へ供給される。マイクロコンピユータ54はこれ
を読み取つて、内蔵RAMに順次書き込む。
この書き込まれたデータをプロツトして線で結
べば、第3図Aに示すような曲線が得られる。こ
の図の横軸は数波であり、縦軸は回折光強度I1
である。この曲線は複数のピークを有し、そのピ
ーク間距離は理論的には1/dとなる(ただし、
媒質の屈折率をを1とする。)。ここにdは第4図
に示す凹部深さである。
べば、第3図Aに示すような曲線が得られる。こ
の図の横軸は数波であり、縦軸は回折光強度I1
である。この曲線は複数のピークを有し、そのピ
ーク間距離は理論的には1/dとなる(ただし、
媒質の屈折率をを1とする。)。ここにdは第4図
に示す凹部深さである。
しかし、測定誤差によりピーク間距離はは一
定とならない。そこで、隣合うピークのピーク間
距離を順次求め、その平均値用いて凹部深さd=
1/を求める。または、両端のピークP1、Poの
ピーク間距離Lを求め、凹部深さd=(n−
1)/Lを求める。ここにnは全ピーク数であ
る。あるいは、別の手法として、フーリエ変換、
最大エントロピー法などの、周波数領域での解析
法を採用してもよい。
定とならない。そこで、隣合うピークのピーク間
距離を順次求め、その平均値用いて凹部深さd=
1/を求める。または、両端のピークP1、Poの
ピーク間距離Lを求め、凹部深さd=(n−
1)/Lを求める。ここにnは全ピーク数であ
る。あるいは、別の手法として、フーリエ変換、
最大エントロピー法などの、周波数領域での解析
法を採用してもよい。
トレンチ深さdの測定精度は、両端のピーク
P1とPoとの間にあるフオトダイオードアレイ5
2の素子数に比例する。一般に用いられるフオト
ダイオードアレイ52の素子数は1024個程度であ
り、トレンチ深さdを正確に測定することができ
る。
P1とPoとの間にあるフオトダイオードアレイ5
2の素子数に比例する。一般に用いられるフオト
ダイオードアレイ52の素子数は1024個程度であ
り、トレンチ深さdを正確に測定することができ
る。
マイクロコンピユータ54は、このトレンチ深
さdを表示器62に表示する。
さdを表示器62に表示する。
本第1実施例では、モノクロメータ50におい
て波数走査を行う機構を設ける必要がなく、従来
のように測定中に移動させる部分が存在しないの
で、構成及び調整が簡単である。
て波数走査を行う機構を設ける必要がなく、従来
のように測定中に移動させる部分が存在しないの
で、構成及び調整が簡単である。
次に、第2図に基づいて本考案の第2実施例を
説明する。
説明する。
この第2実施例では、球面鏡42と集光レンズ
4路との間にビームスプリーター64が配設され
ており、シリコンウエーハ40により正反射され
た光の一部はビームスプリツター64で反射さ
れ、光結合レンズ66で集光されて光フアイバ6
8の一端に入射され、光フアイバ68により案内
されてその他端から出射され、光結合レンズ70
により集光されてモノクロメータ72へ入射され
る。モノクロメータ72はモノクロメータ50と
同一の構成であり、モノクロメータ72により波
数に応じて角分散された光はフオトダイオード
アレイ74上に投射される。フオトダイオードア
レイ74はフオトダイオードアレイ52と同一構
成であり、ドライバ56によりフオトダイオード
アレイ52に対応して走査され、各波数に対す
る光強度信号が順次アンプ76、A/D変換器7
8を介してマイクロコンピユータ54へ供給され
る。マイクロコンピユータ54はA/D変換器6
0、78からのデータを読取つて内蔵RAMに順
次書き込む。
4路との間にビームスプリーター64が配設され
ており、シリコンウエーハ40により正反射され
た光の一部はビームスプリツター64で反射さ
れ、光結合レンズ66で集光されて光フアイバ6
8の一端に入射され、光フアイバ68により案内
されてその他端から出射され、光結合レンズ70
により集光されてモノクロメータ72へ入射され
る。モノクロメータ72はモノクロメータ50と
同一の構成であり、モノクロメータ72により波
数に応じて角分散された光はフオトダイオード
アレイ74上に投射される。フオトダイオードア
レイ74はフオトダイオードアレイ52と同一構
成であり、ドライバ56によりフオトダイオード
アレイ52に対応して走査され、各波数に対す
る光強度信号が順次アンプ76、A/D変換器7
8を介してマイクロコンピユータ54へ供給され
る。マイクロコンピユータ54はA/D変換器6
0、78からのデータを読取つて内蔵RAMに順
次書き込む。
この書き込まれたデータをプロツトして線でつ
なげば、第3図A、Bに示すような曲線が得られ
る。Aには波数に対する回折光強度I1が示され
ており、Bには波数に対する正反射光強度I2が
示されている。
なげば、第3図A、Bに示すような曲線が得られ
る。Aには波数に対する回折光強度I1が示され
ており、Bには波数に対する正反射光強度I2が
示されている。
マイクロコンピユータ54は、各波数につい
てI1−αI2を演算し、内蔵RAMに書き込む。ここ
にαは定数である。横軸を波数としてこのI1−
αI2をプロツトし、線で結べば、第3図Cに示す
ような曲線が得られる。
てI1−αI2を演算し、内蔵RAMに書き込む。ここ
にαは定数である。横軸を波数としてこのI1−
αI2をプロツトし、線で結べば、第3図Cに示す
ような曲線が得られる。
このように、I1−αI2を用いれば、ピーク位置
を第1実施例の場合よりもより正確に求めること
ができるので、第1実施例と同様の演算を行つ
て、トレンチ深さdをより高精度で測定すること
ができる。
を第1実施例の場合よりもより正確に求めること
ができるので、第1実施例と同様の演算を行つ
て、トレンチ深さdをより高精度で測定すること
ができる。
なお、上記実施例では光センサとしてフオトダ
イオードアレイ52を用いた場合を説明したが、
本考案はこれに限定されず、光電子増倍管等を用
いてモノクロメータ50で波数走査を行うように
してもよい。フオトダイオードアレイ74につい
ても同様である。
イオードアレイ52を用いた場合を説明したが、
本考案はこれに限定されず、光電子増倍管等を用
いてモノクロメータ50で波数走査を行うように
してもよい。フオトダイオードアレイ74につい
ても同様である。
また、セクタミラーを用いて、球面鏡42の反
射光及びビームスプリーター64の反射光を順次
切り換え、単一のモノクロメータ50へ供給する
ように構成してもよい。この場合には、第2図に
示す構成要素72〜78が不要になる。
射光及びビームスプリーター64の反射光を順次
切り換え、単一のモノクロメータ50へ供給する
ように構成してもよい。この場合には、第2図に
示す構成要素72〜78が不要になる。
[考案の効果]
本考案に係る凹部深さ測定装置では、凹部が規
則的に形成された被測定物体の表面へ連続した被
数域の光を照射し、その回折光のみを凹面鏡で反
射させてモノクロメータへ入射させ、モノクロメ
ータの出射光の強度を光センサで検出し、波数又
は波長に関するこの光強度の曲線に含まれる複数
のピークのピーク間距離から該凹部の深さを演算
するようになつており、ピーク間距離を高精度で
測定することが可能であるので、該凹部の深さを
高精度で測定することができるという優れた効果
がある。
則的に形成された被測定物体の表面へ連続した被
数域の光を照射し、その回折光のみを凹面鏡で反
射させてモノクロメータへ入射させ、モノクロメ
ータの出射光の強度を光センサで検出し、波数又
は波長に関するこの光強度の曲線に含まれる複数
のピークのピーク間距離から該凹部の深さを演算
するようになつており、ピーク間距離を高精度で
測定することが可能であるので、該凹部の深さを
高精度で測定することができるという優れた効果
がある。
第1図乃至第5図は本考案の実施例に係り、第
1図は第1実施例の凹部深さ測定装置の構成図、
第2図は第2実施例の凹部深さ測定装置の構成
図、第3図は波数に対する光強度の関係を示す
線図、第4図は表面にトレンチが形成されたシリ
コンウエーハの表面部の部分断面図、第5図は該
表面部の部分斜視図、第6図は従来例のトレンチ
深さ測定装置の構成図である。 10……トレンチ、40……シリコンウエー
ハ、42……球面鏡、44……円孔、48……白
色光源、52……フオトダイオードアレイ、64
……ビームスプリツター、66……光結合レン
ズ、68……光フアイバ、70……光結合レン
ズ、74……フオトダイオードアレイ。
1図は第1実施例の凹部深さ測定装置の構成図、
第2図は第2実施例の凹部深さ測定装置の構成
図、第3図は波数に対する光強度の関係を示す
線図、第4図は表面にトレンチが形成されたシリ
コンウエーハの表面部の部分断面図、第5図は該
表面部の部分斜視図、第6図は従来例のトレンチ
深さ測定装置の構成図である。 10……トレンチ、40……シリコンウエー
ハ、42……球面鏡、44……円孔、48……白
色光源、52……フオトダイオードアレイ、64
……ビームスプリツター、66……光結合レン
ズ、68……光フアイバ、70……光結合レン
ズ、74……フオトダイオードアレイ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 連続した波長領域の光を発する光源と、モノク
ロメータと、 光を反射し表面に凹部が規則的に形成された被
測定物体の該表面へ、凹面が斜めに向けて配設さ
れ、該光源からの光が通過され該表面からの正反
射光が通過される孔が該凹面に穿設され、該表面
からの零次以外の回折光を該凹面で反射させて該
モノクロメータへ入射させる凹面鏡と、 該モノクロメータからの出射光の光強度をを検
出する光センサと、 波数又は波長に関する該光強度の曲線に含まれ
る複数のピークのピーク間距離から該凹部の深さ
を演算し出力する演算手段と、 を有することを特徴とする凹部深さ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5403687U JPH0438246Y2 (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5403687U JPH0438246Y2 (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63161307U JPS63161307U (ja) | 1988-10-21 |
| JPH0438246Y2 true JPH0438246Y2 (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=30880653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5403687U Expired JPH0438246Y2 (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438246Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-09 JP JP5403687U patent/JPH0438246Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63161307U (ja) | 1988-10-21 |
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