JPH0438425Y2 - - Google Patents

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JPH0438425Y2
JPH0438425Y2 JP1983160496U JP16049683U JPH0438425Y2 JP H0438425 Y2 JPH0438425 Y2 JP H0438425Y2 JP 1983160496 U JP1983160496 U JP 1983160496U JP 16049683 U JP16049683 U JP 16049683U JP H0438425 Y2 JPH0438425 Y2 JP H0438425Y2
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JP
Japan
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insulating layer
plastic tape
tape
wrapped
cable
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JP1983160496U
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JPS6067612U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、プラスチツクテープを巻いて絶縁
層を形成し、絶縁ガスを含浸した直流電力ケーブ
ルに関するものである。
従来技術 従来のこの種のケーブルの一例を「第1図」に
示す。10は導体、12と16は内外のしやへい
層(テープ巻きまたは押出し構造)、14は絶縁
層で、ポリエチレンまたはポリプロピレンテープ
を巻いて形成したものである。18は金属シー
ス、20は絶縁ガスで、SF6からなる。
しかし、この種のケーブルでは、絶縁層14の
厚みが大になると、プラスチツクテープ層に形成
される空間電荷による電界の変歪の影響が無視で
きなくなり、直流破壊特性が悪くなるという問題
がある。
この考案は、そのような点の改善を図つたもの
である。
考案の構成とその説明 プラスチツクテープ巻絶縁層の全体を、カーボ
ン粒子配合のプラスチツクテープによつて構成し
たこと、を特徴とする。
テープのプラスチツクとしては、従来と同様に
ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフ
イン系のものを使用する。暑さは70〜250μm程
度である。
配合するカーボンとしては、チヤンネル系やア
セチレン系が適当である。
配合量は、0.5〜10%程度の少量で、これによ
つてプラスチツクの抵抗率が90℃において1013
1015Ω・cmになるようにする。すなわち、カーボ
ンを配合しないときのポリエチレンやポリプロピ
レンの抵抗率は1016Ω・cm以上であるから、それ
よりも少し抵抗率を下げてやるわけである。ただ
し上記抵抗率以下にすると絶縁上の点から好まし
くない。
テープとして上記のものを用いるほかは、従来
の場合と同じである。すなわち断面図は「第1
図」と同じで、内部しやへい層12上に上記のカ
ーボンを配合したテープを巻き、その上に外部し
やへい層16を設け、さらにその上に金属シース
18を設けガス20を含浸して、ケーブルを構成
する。
実施例 第1図の断面構造で、粒径40nmのアセチレン
系のカーボンを2%配合した、暑さ100μmのポ
リエチレンテープを巻いて絶縁層14を形成し、
SF6ガスを含浸した、200mm2、6.6kv直流ケーブル
の直流破壊電圧はSF6ガス圧3.0Kg/cm(ゲージ
圧)で250kvであつた。
これにたいして、カーボンを混入しないポリエ
チレンテープを巻き、その他は同構造とした従来
ケーブルの場合の直流破壊電圧は200kvであつ
た。
考案の効果 プラスチツクテープ巻絶縁層の全体を、カーボ
ン粒子配合のプラスチツクテープによつて構成し
たので、 プラスチツクテープ内における空間電荷の形成が
カーボン粒子によつて押さえられて、空間電荷に
よる電界の変歪が軽減され、その結果、上記のよ
うに直流破壊特性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術および本考案の実施例に共通
の説明図である。 14……ケーブル絶縁層、20……絶縁ガス。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ケーブル導体の回りに、内部しやへい層、プラ
    スチツクテープ巻絶縁層、外部しやへい層、金属
    シースを順次設け、前記プラスチツクテープ巻絶
    縁層中にガスを含浸した直流電力ケーブルにおい
    て、 前記プラスチツクテープ巻絶縁層の全体を、カー
    ボン粒子配合のプラスチツクテープによつて構成
    したことを特徴とする、直流電力ケーブル。
JP16049683U 1983-10-17 1983-10-17 直流電力ケ−ブル Granted JPS6067612U (ja)

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JPS6067612U JPS6067612U (ja) 1985-05-14
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