JPH0438735A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0438735A JPH0438735A JP14644090A JP14644090A JPH0438735A JP H0438735 A JPH0438735 A JP H0438735A JP 14644090 A JP14644090 A JP 14644090A JP 14644090 A JP14644090 A JP 14644090A JP H0438735 A JPH0438735 A JP H0438735A
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- JP
- Japan
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- magneto
- silicon nitride
- refractive index
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- magnetic layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーサービームと外部磁界とを用いて、反転
磁区のビットを形成することにより情報の記録を行ない
、偏光されたレーザービームを用い、磁気光学効果の利
用によって情報の読み出しを行なう光磁気記録媒体に関
する。
磁区のビットを形成することにより情報の記録を行ない
、偏光されたレーザービームを用い、磁気光学効果の利
用によって情報の読み出しを行なう光磁気記録媒体に関
する。
光磁気記録媒体において、光の入射される透明基板と磁
性層の間に誘電体層を挾み、光の干渉効果を利用して反
射率を下げる技術は古くから知られている。反射率が低
下すると、それだけ光の吸収量が増加するので、必要な
温度に加熱するための光量が少なくて済み、記録感度が
増加する。また、反射率が下がると読み出し信号のＣＮ
（キャリア対ノイズ）比が良くなることも知られてい
る。
性層の間に誘電体層を挾み、光の干渉効果を利用して反
射率を下げる技術は古くから知られている。反射率が低
下すると、それだけ光の吸収量が増加するので、必要な
温度に加熱するための光量が少なくて済み、記録感度が
増加する。また、反射率が下がると読み出し信号のＣＮ
（キャリア対ノイズ）比が良くなることも知られてい
る。
磁性層に希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気記
録媒体では、上記誘電体層として、不活性ガスと窒素ガ
スとの混合ガスによる反応スパッタリングにより作製さ
れた窒化シリコン膜が好適に用いられることが、特開昭
６２−１２１９４．５号で提案されている。この中では
、シリコンターゲットを用い、アルゴンガス９ｏ％、窒
素ガス】０％の混合ガスによる反応スパッタリングによ
って、安定した屈折率１．９を有する窒化シリコン膜が
形成出来る、と述べている。
録媒体では、上記誘電体層として、不活性ガスと窒素ガ
スとの混合ガスによる反応スパッタリングにより作製さ
れた窒化シリコン膜が好適に用いられることが、特開昭
６２−１２１９４．５号で提案されている。この中では
、シリコンターゲットを用い、アルゴンガス９ｏ％、窒
素ガス】０％の混合ガスによる反応スパッタリングによ
って、安定した屈折率１．９を有する窒化シリコン膜が
形成出来る、と述べている。
また、少なくとも、透明基板、誘電体層、磁性層を順次
有する光磁気記録媒体において、前記誘電体層が、２．
１〜２．４の屈折率を有する窒化シリコンを主成分とす
る誘電体である光磁気記録媒体が本願発明者によって提
案されている。
有する光磁気記録媒体において、前記誘電体層が、２．
１〜２．４の屈折率を有する窒化シリコンを主成分とす
る誘電体である光磁気記録媒体が本願発明者によって提
案されている。
一方、１００〜４００人の膜厚を有する希土類−鉄族非
晶質合金薄膜に対して、光の入射される面と反対の面に
金属層を設け、磁気光学カー回転角を増加させることも
良く知られている。
晶質合金薄膜に対して、光の入射される面と反対の面に
金属層を設け、磁気光学カー回転角を増加させることも
良く知られている。
〔発明が解決しようとしている問題点〕しかし、上記従
来例において、記録感度とＣＮ比が同じでも基板や記録
再生装置の違いによって、キャリア信号の大きさがかな
り異なることが分かった。
来例において、記録感度とＣＮ比が同じでも基板や記録
再生装置の違いによって、キャリア信号の大きさがかな
り異なることが分かった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、基板
や記録再生装置の違いによるキャリア信号の変動を抑え
、安定した情報読み出しが可能な光磁気記録媒体を提供
することにある。
や記録再生装置の違いによるキャリア信号の変動を抑え
、安定した情報読み出しが可能な光磁気記録媒体を提供
することにある。
本発明の上記目的は、透明基板上に、第１の誘電体層、
磁性層、第２の誘電体層及び金属層を順に形成して成る
光磁気記録媒体において、前記第１及び第２の誘電体層
を、２．１〜２．４の屈折率を有する窒化シリコンを主
成分とする誘電体から形成し、前記磁性層を、６００〜
１２００人の膜厚を有する希土類−鉄非晶質合金を主成
分とする磁性体から形成することによって達成される。
磁性層、第２の誘電体層及び金属層を順に形成して成る
光磁気記録媒体において、前記第１及び第２の誘電体層
を、２．１〜２．４の屈折率を有する窒化シリコンを主
成分とする誘電体から形成し、前記磁性層を、６００〜
１２００人の膜厚を有する希土類−鉄非晶質合金を主成
分とする磁性体から形成することによって達成される。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明の光磁気記録媒体の一実施例を示す略
断面図である。図中、１は光の入射される透明基板、２
は第１の誘電体層、３は磁性層、４は第２の誘電体層、
５は金属層を示す。ここで、透明基板１の屈折率は通常
１．４〜１．６程度である。また、第１及び第２の誘電
体層２．４の屈折率は、２．１〜２．４の範囲となるよ
うに形成される。
断面図である。図中、１は光の入射される透明基板、２
は第１の誘電体層、３は磁性層、４は第２の誘電体層、
５は金属層を示す。ここで、透明基板１の屈折率は通常
１．４〜１．６程度である。また、第１及び第２の誘電
体層２．４の屈折率は、２．１〜２．４の範囲となるよ
うに形成される。
所望の屈折率を有する誘電体膜を得るためには、屈折率
の制御及び磁性膜に対する保護性能から、誘電体に窒化
シリコン、あるいは窒化シリコンを主成分とするものを
用いるのが良い。窒化シリコン膜を作製するためには、
シリコンまたは窒化シリコンターゲットを、アルゴンと
窒素の混合ガス雰囲気中で、反応スパッタリングすれば
良い。その際に、アルゴンと窒素の比率を調整すること
によって所望の屈折率を得られる。ターゲットにシリコ
ンを用いる場合には、多少の不純物（例えばホウ素、リ
ン）を添加して導電率を上げ、直流スパッタリング法を
用いてもよい。また、ターゲットに窒化シリコンを用い
る場合には、多少の焼結材（例えばアルミナ、イツトリ
ア）を含んでいてもよい。さらに、ターゲットに窒化シ
リコンを用いるかわりに、窒化シリコンが主成分である
サイアロンやセシオンを用いてもよい。
の制御及び磁性膜に対する保護性能から、誘電体に窒化
シリコン、あるいは窒化シリコンを主成分とするものを
用いるのが良い。窒化シリコン膜を作製するためには、
シリコンまたは窒化シリコンターゲットを、アルゴンと
窒素の混合ガス雰囲気中で、反応スパッタリングすれば
良い。その際に、アルゴンと窒素の比率を調整すること
によって所望の屈折率を得られる。ターゲットにシリコ
ンを用いる場合には、多少の不純物（例えばホウ素、リ
ン）を添加して導電率を上げ、直流スパッタリング法を
用いてもよい。また、ターゲットに窒化シリコンを用い
る場合には、多少の焼結材（例えばアルミナ、イツトリ
ア）を含んでいてもよい。さらに、ターゲットに窒化シ
リコンを用いるかわりに、窒化シリコンが主成分である
サイアロンやセシオンを用いてもよい。
磁性層３は、希土類−鉄族非晶質合金薄膜より形成され
る。このような薄膜としては、例えば、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、 Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ。
る。このような薄膜としては、例えば、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、 Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ。
等から成る単層膜、あるいはＧｄ −Ｆｅ −ＣｏとＴ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏの交換結合二層膜などが好適に用いられ
る。更に、これらの薄膜に、Ｃｒ、 ＡＩ、 Ｔｉ、、
Ｎｂなどの耐食性を向」ニさせる元素を数ａｔｍ、％添
加してもよい。また、磁性層３の膜厚は、６００〜１２
００人の範囲に形成される。
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏの交換結合二層膜などが好適に用いられ
る。更に、これらの薄膜に、Ｃｒ、 ＡＩ、 Ｔｉ、、
Ｎｂなどの耐食性を向」ニさせる元素を数ａｔｍ、％添
加してもよい。また、磁性層３の膜厚は、６００〜１２
００人の範囲に形成される。
金属層５の材料としては、Ａ１、Ｃｕなどが望ましく、
これらに、Ｃ５Ｔｉ、Ｎｂなとの耐食性を向」ニさせる
元素を数ａｔｍ、％添加してもよい。
これらに、Ｃ５Ｔｉ、Ｎｂなとの耐食性を向」ニさせる
元素を数ａｔｍ、％添加してもよい。
光磁気記録媒体からの情報の読み出しは、磁性体の磁気
光学効果を利用して行なっている。磁性体に直線偏光を
照射すると、その反射光または透過光は磁気光学効果に
よって楕円偏光になり、またその主軸の方向が回転する
。主軸の回転方向は、磁化の向きによって反対になるの
で、主軸の回転方向を検出することによって、磁化の方
向が検出できる。反射光の場合の磁気光学効果をカー効
果、透過光の場合の磁気光学効果をファラデー効果と呼
ぶ。磁性体に希土類−鉄族非晶質合金を用いる場合には
、金属であるので、通常、反射光、すなわちカー効果を
用いて読み出しがなされる。
光学効果を利用して行なっている。磁性体に直線偏光を
照射すると、その反射光または透過光は磁気光学効果に
よって楕円偏光になり、またその主軸の方向が回転する
。主軸の回転方向は、磁化の向きによって反対になるの
で、主軸の回転方向を検出することによって、磁化の方
向が検出できる。反射光の場合の磁気光学効果をカー効
果、透過光の場合の磁気光学効果をファラデー効果と呼
ぶ。磁性体に希土類−鉄族非晶質合金を用いる場合には
、金属であるので、通常、反射光、すなわちカー効果を
用いて読み出しがなされる。
カー回転角をθいカー楕円率を７２、光の強度反射率を
Ｒとすると、 ｔａｎ２θに＝ ｊａｎ２ ａ ｃｏｓφｋ
（］）ｓｉｎ２７ ｋ＝ ５ｉｎ２ ａ
ｓｉｎφＫ （２）Ｒ＝ ｌ ｒ−
１２＋ ｌ ｒｙｌ
（３）ｔａｎα １ｒｙｌ／ｌｒ、ｌ
（４）φに一φ、−φ８
（５）ｒｘ ＝ ｌ ｒｘ ｌ ｅｘｐ
（＋φｊ−（ｒ”＋ｒ→／２ｒ、＝ １ｒｙｌ ｅｘｐ
（ｉφｙ）−ｉ（ｒ”−ｒ→／２で与えられる。ここで
、ｒ８、ｒｙはそれぞれＸ方向、Ｘ方向の複素振幅反射
率である（入射偏光方向をＸ方向とする）。また、ｒ゛
、ｒ−はそれぞれ右と左の円偏光に対する複素振幅反射
率である。αをカー振幅比、φ□をカー位相差と呼ぶこ
とにする。
Ｒとすると、 ｔａｎ２θに＝ ｊａｎ２ ａ ｃｏｓφｋ
（］）ｓｉｎ２７ ｋ＝ ５ｉｎ２ ａ
ｓｉｎφＫ （２）Ｒ＝ ｌ ｒ−
１２＋ ｌ ｒｙｌ
（３）ｔａｎα １ｒｙｌ／ｌｒ、ｌ
（４）φに一φ、−φ８
（５）ｒｘ ＝ ｌ ｒｘ ｌ ｅｘｐ
（＋φｊ−（ｒ”＋ｒ→／２ｒ、＝ １ｒｙｌ ｅｘｐ
（ｉφｙ）−ｉ（ｒ”−ｒ→／２で与えられる。ここで
、ｒ８、ｒｙはそれぞれＸ方向、Ｘ方向の複素振幅反射
率である（入射偏光方向をＸ方向とする）。また、ｒ゛
、ｒ−はそれぞれ右と左の円偏光に対する複素振幅反射
率である。αをカー振幅比、φ□をカー位相差と呼ぶこ
とにする。
一般に、θいγいα（ｌであるので、
θに二 ａｃｏｓφｋ（８）
γに〜αＳｌｎφｋ（９）
α〜ｌｒ、ｌ／ ｌｒ、ｌ （１０）と
近似される。
近似される。
光磁気記録媒体から情報を読み出す光ヘッドは、通常、
媒体からの反射光を２分割し、分割された光束を各々検
光子を介して２つのセンサーで受光するように構成され
ている。ここで、各センサーの前に置かれた２つの検光
子は、媒体への入射光の偏光方向に対して、その透過軸
が夫々＋４５°及び４５°の角度を有している。また、
情報は、前記２つのセンサーの出力を差分することによ
って得られる。
媒体からの反射光を２分割し、分割された光束を各々検
光子を介して２つのセンサーで受光するように構成され
ている。ここで、各センサーの前に置かれた２つの検光
子は、媒体への入射光の偏光方向に対して、その透過軸
が夫々＋４５°及び４５°の角度を有している。また、
情報は、前記２つのセンサーの出力を差分することによ
って得られる。
まず、基板及び光学ヘッドにおいて位相差が発生せず、
差動検出のセンサーが完全にバランスが取れている理想
的な場合のキャリア信号について考える。この場合、そ
れぞれのセンサー出力は、ｒｌｌ １ｒ２１２に比
例する。ここで、ｒ、 ＝＝ ｒｘ ｓ ｉｎ ４５°
＋ｒｙｃｏｓ４５° （１１）ｒ２＝ ｒｘ
ｃｏｓ４５°−ｒ、５ｉｎ４５° （１２）
である。これより、（３）、（５）式の関数を使って、
ｒ１１２−Ｖ２Ｒ＋１ｒ！１１ｒｙＩＣＯ８φｋ
（１３）となる。ところで、（４）式より、 １’ｘｌ ｌ ｒｙｌ ＝ Ｖ２（旨！ｌ −１ｒｙ１
２）ｔａｎ２α（１４）であるから、（１）式を用いる
ことにより。
差動検出のセンサーが完全にバランスが取れている理想
的な場合のキャリア信号について考える。この場合、そ
れぞれのセンサー出力は、ｒｌｌ １ｒ２１２に比
例する。ここで、ｒ、 ＝＝ ｒｘ ｓ ｉｎ ４５°
＋ｒｙｃｏｓ４５° （１１）ｒ２＝ ｒｘ
ｃｏｓ４５°−ｒ、５ｉｎ４５° （１２）
である。これより、（３）、（５）式の関数を使って、
ｒ１１２−Ｖ２Ｒ＋１ｒ！１１ｒｙＩＣＯ８φｋ
（１３）となる。ところで、（４）式より、 １’ｘｌ ｌ ｒｙｌ ＝ Ｖ２（旨！ｌ −１ｒｙ１
２）ｔａｎ２α（１４）であるから、（１）式を用いる
ことにより。
＋、１２＝Ｖ２Ｒ＋！、４（ｂ、ｌ −１ｒ１２）ｔ
ａｎ２αＣＯ８φｋまたは、 ｒ＋ １２＝ Ｖ２Ｒ＋Ｖ２（ｌ ｒｘ ｌ −ｌ
ｒｙ ｌ”）ｔａｎ２θｋと求まる。ここで、１ｒｘ
ｌ −ｌ ｒ、 １２〜Ｒ，ｔａｎ２ ａ〜２αと近
似すると、 ｒ、１２＝ＨＲ＋Ｒα ｃｏｓφｋ （１
７）となる。同様にして、 ｒ２１２＝’４Ｒ−Ｒａ ｃｏｓφ、 （
１８）となり、キャリア信号はこれらの差、 ｒ＋ｌ−１ｒｚ１２＝２ＲαＣＯ３φｋ （１９
）に比例する。
ａｎ２αＣＯ８φｋまたは、 ｒ＋ １２＝ Ｖ２Ｒ＋Ｖ２（ｌ ｒｘ ｌ −ｌ
ｒｙ ｌ”）ｔａｎ２θｋと求まる。ここで、１ｒｘ
ｌ −ｌ ｒ、 １２〜Ｒ，ｔａｎ２ ａ〜２αと近
似すると、 ｒ、１２＝ＨＲ＋Ｒα ｃｏｓφｋ （１
７）となる。同様にして、 ｒ２１２＝’４Ｒ−Ｒａ ｃｏｓφ、 （
１８）となり、キャリア信号はこれらの差、 ｒ＋ｌ−１ｒｚ１２＝２ＲαＣＯ３φｋ （１９
）に比例する。
次に、基板及び光学ヘッドで位相差が発生し、差動検出
のセンサーにアンバランスがある場合のキャリア信号に
ついて考える。ただし、基板の複屈折の進相軸（または
、遅相軸）と、入射偏光方向が一致していると仮定する
。
のセンサーにアンバランスがある場合のキャリア信号に
ついて考える。ただし、基板の複屈折の進相軸（または
、遅相軸）と、入射偏光方向が一致していると仮定する
。
基板の複屈折による位相差をφ５（シングルパスの値）
、光学ヘッドによる位相差をφ７、差動検出のそれぞれ
のセンサーの光電変換及びアンプゲインをまとめて０１
、Ｇ２（Ｇ、≠Ｇ２）とする。
、光学ヘッドによる位相差をφ７、差動検出のそれぞれ
のセンサーの光電変換及びアンプゲインをまとめて０１
、Ｇ２（Ｇ、≠Ｇ２）とする。
複屈折の進相軸（または、遅相軸）と入射偏光方向が一
致している場合には、入射直線偏光は基板の複屈折の影
響を受けずに、そのまま基板を通過して、磁性層に達す
る。磁性層で磁気光学効果を受けた反射光は、Ｘ成分と
ともにＸ成分を持っているので、反射光が再び基板を通
過する際には、シングルパスに相当する位相差が加わる
。さらに、光学ヘッドを通過する際に、光学ヘッドによ
る位相差が加わる。
致している場合には、入射直線偏光は基板の複屈折の影
響を受けずに、そのまま基板を通過して、磁性層に達す
る。磁性層で磁気光学効果を受けた反射光は、Ｘ成分と
ともにＸ成分を持っているので、反射光が再び基板を通
過する際には、シングルパスに相当する位相差が加わる
。さらに、光学ヘッドを通過する際に、光学ヘッドによ
る位相差が加わる。
したがって、差動検出の第１のセンサー出力ＲＦ。
は、
ＲＦ、 ＝ Ｇ、 ｒ、 ’
（２０）で与えられる。ここで、ｒ、′ は（１１
）式のｒｙにｅｘｐ（ｌφｈ） ｅＸｐ （ｉφ５）を
かけた、ｒ１′−ｒ、５ｉｎ４５°＋ ｅｘｐ （ｉφ
ｈ） ｅｘｐ （＋φ、） ｒ、ｃｏｓ４５゜（２］） である。
（２０）で与えられる。ここで、ｒ、′ は（１１
）式のｒｙにｅｘｐ（ｌφｈ） ｅＸｐ （ｉφ５）を
かけた、ｒ１′−ｒ、５ｉｎ４５°＋ ｅｘｐ （ｉφ
ｈ） ｅｘｐ （＋φ、） ｒ、ｃｏｓ４５゜（２］） である。
これより、
ＲＦ＋＝Ｃｙ＋［！、４Ｒ＋Ｒａ ｃｏｓ（φ□＋φ、
十φｈ） ］ （２２）となる。（１７）式と比べる
と、ＣＯＳφ、がＣＯＳ （φ□＋φ、＋φｈ）に変わ
っている。同様にして、第２のセンサー出力ＲＦ２は、 ＲＦ ２ ＝ Ｇ ２ ［’Ａ ＲＲαｃｏｓ（φに十
φ、十φｈ） ］ （２３）となり、キャリア信号はこ
れらの差、 ＲＦＩ ＲＦ２ ＝ （ＧＩ Ｇ２） Ｖ２Ｒ＋
（Ｇｌ＋Ｇ２）Ｒαｃｏｓ（φに十φ５＋φｈ） （
２４）となる。この式の第１項は直流分、第２項は交流
分（キャリア信号）を表わす。
十φｈ） ］ （２２）となる。（１７）式と比べる
と、ＣＯＳφ、がＣＯＳ （φ□＋φ、＋φｈ）に変わ
っている。同様にして、第２のセンサー出力ＲＦ２は、 ＲＦ ２ ＝ Ｇ ２ ［’Ａ ＲＲαｃｏｓ（φに十
φ、十φｈ） ］ （２３）となり、キャリア信号はこ
れらの差、 ＲＦＩ ＲＦ２ ＝ （ＧＩ Ｇ２） Ｖ２Ｒ＋
（Ｇｌ＋Ｇ２）Ｒαｃｏｓ（φに十φ５＋φｈ） （
２４）となる。この式の第１項は直流分、第２項は交流
分（キャリア信号）を表わす。
さて、（２４）式を見ると、φ５＝φｈ−〇の場合には
、Ｒαが大きくＣＯ３−，が小さくても、あるいはＲα
が小さく ｃｏｓφ３が大きくても、Ｒα ｃｏｓφ、
の値が同じであれば、キャリア信号は同じである。しか
し、φ、≠０、φ、≠０の場合には、φ８、φ、が変化
するとキャリア信号が変化してしまう。
、Ｒαが大きくＣＯ３−，が小さくても、あるいはＲα
が小さく ｃｏｓφ３が大きくても、Ｒα ｃｏｓφ、
の値が同じであれば、キャリア信号は同じである。しか
し、φ、≠０、φ、≠０の場合には、φ８、φ、が変化
するとキャリア信号が変化してしまう。
ゆえに、記録感度とＣＮ比が同じでも基板や記録再生装
置の違いによって、キャリア信号の大きさがかなり異な
るのは、φ５やφ、の違いによる。
置の違いによって、キャリア信号の大きさがかなり異な
るのは、φ５やφ、の違いによる。
したがって、φ５やφ、が変化してもキャリア信号があ
まり変化しないようにするためには、Ｒαが大きく、φ
□が小さいことが望まれる。なぜならば、キャリア信号
はＣＯＳ （φ２＋φ、十φｈ）に比例するので、φ５
やφゎが同じ値だけ変化しても、φ、が小さければ、キ
ャリア信号の低下は小さく抑えられるからである。ある
いは、φ、やφ、がある値を持っているが変動しない場
合には、φ□＋φ５十φ５がなるべく小さくなるように
φオを設定すればよい。
まり変化しないようにするためには、Ｒαが大きく、φ
□が小さいことが望まれる。なぜならば、キャリア信号
はＣＯＳ （φ２＋φ、十φｈ）に比例するので、φ５
やφゎが同じ値だけ変化しても、φ、が小さければ、キ
ャリア信号の低下は小さく抑えられるからである。ある
いは、φ、やφ、がある値を持っているが変動しない場
合には、φ□＋φ５十φ５がなるべく小さくなるように
φオを設定すればよい。
１の の ｎ、＝ ｎ
２）第２図（ａ）、（ｂ）は夫々、ガラス基板／第１の
誘電体層（屈折率ｎ、＝２．１）／希土類−鉄族非晶質
合金の磁性層（膜厚ｈＭ−ｓｏｏ人）／第２の誘電体層
（屈折率ｎ２ ＝ ２．１） ／ ＡＩ金属層の構成に
おいて、第２の誘電体層の膜厚ｈ２を７００人としたと
きの、第１の誘電体層の膜厚ｈ１に対するＲα、Ｒ（破
線で示す）及びφ□の変化を示している。ｈｌが約９７
５人で、φ３はほぼ０となり、そのときのＲは約０．３
１である。
２）第２図（ａ）、（ｂ）は夫々、ガラス基板／第１の
誘電体層（屈折率ｎ、＝２．１）／希土類−鉄族非晶質
合金の磁性層（膜厚ｈＭ−ｓｏｏ人）／第２の誘電体層
（屈折率ｎ２ ＝ ２．１） ／ ＡＩ金属層の構成に
おいて、第２の誘電体層の膜厚ｈ２を７００人としたと
きの、第１の誘電体層の膜厚ｈ１に対するＲα、Ｒ（破
線で示す）及びφ□の変化を示している。ｈｌが約９７
５人で、φ３はほぼ０となり、そのときのＲは約０．３
１である。
第３図（ａ）、（ｂ）第４図（ａ）、（ｂ）および第５
図（ａ）、（ｂ）は、第２図と同様の構成の媒体におい
て、第１、第２誘電体層の屈折率を、夫々２．２．２．
３および２．４とした場合のデータである。
図（ａ）、（ｂ）は、第２図と同様の構成の媒体におい
て、第１、第２誘電体層の屈折率を、夫々２．２．２．
３および２．４とした場合のデータである。
第２図から第５図の結果から、φ□−０となる条件をま
とめると、表１のようになる。
とめると、表１のようになる。
表 １
ｎ＋（＝１２）が変化すると、φ６がほぼ０となるｈｌ
及びＲは変化するが、Ｒαはあまり変化しない。
及びＲは変化するが、Ｒαはあまり変化しない。
したがって、所望の反射率のもとで、φｋを０にするた
めには、第１の誘電体層の屈折率と膜厚を制御ずれば良
いことが分かる。
めには、第１の誘電体層の屈折率と膜厚を制御ずれば良
いことが分かる。
２の の （ｎ＋＝１２）
第６図（ａ）、（ｂ）は夫々、ガラス基板／第１の誘電
体層（ｎ＋ ＝ ２．１） ／希土類−鉄族非晶質合金
の磁性層（膜厚１１＋ｚ＝８００人）／第２の誘電体層
（ｎ２＝２．１） ／Ａｌ金属層の構成において、ｈｌ
を７７５人としたときの、ｈ２に対するＲα、Ｒ（破線
で示す）及びφつの変化を示している。＋１２が変化す
ると、φ□はかなり変化し、０にすることもできるが、
ＲαおよびＲはあまり変化しない。
第６図（ａ）、（ｂ）は夫々、ガラス基板／第１の誘電
体層（ｎ＋ ＝ ２．１） ／希土類−鉄族非晶質合金
の磁性層（膜厚１１＋ｚ＝８００人）／第２の誘電体層
（ｎ２＝２．１） ／Ａｌ金属層の構成において、ｈｌ
を７７５人としたときの、ｈ２に対するＲα、Ｒ（破線
で示す）及びφつの変化を示している。＋１２が変化す
ると、φ□はかなり変化し、０にすることもできるが、
ＲαおよびＲはあまり変化しない。
第７図（ａ）、（ｂ）、第９図（ａ）、（ｂ）および第
１１図（ａ）、（ｂ）は、第６図と同様の構成の媒体に
おいて、第１、第２誘電体層の屈折率を、夫々２．２．
２．３および２．４とした場合のデータである。第７図
、第９図および第１１図において、第１の誘電体層の膜
厚は、夫々６７５人、５２５人および４５０人である。
１１図（ａ）、（ｂ）は、第６図と同様の構成の媒体に
おいて、第１、第２誘電体層の屈折率を、夫々２．２．
２．３および２．４とした場合のデータである。第７図
、第９図および第１１図において、第１の誘電体層の膜
厚は、夫々６７５人、５２５人および４５０人である。
同様に、第８図（ａ）、（ｂ）、第１０図（ａ）、（ｂ
）および第１２図（ａ）、（ｂ）は、第６図と同様の構
成の媒体において、第１、第２誘電体層の屈折率を、夫
々２．２．２．３および２．４とした場合のデータであ
る。第８図、第１０図および第１２図において、第１の
誘電体層の膜厚は、夫々８００人、８５０人および８５
０人である。
）および第１２図（ａ）、（ｂ）は、第６図と同様の構
成の媒体において、第１、第２誘電体層の屈折率を、夫
々２．２．２．３および２．４とした場合のデータであ
る。第８図、第１０図および第１２図において、第１の
誘電体層の膜厚は、夫々８００人、８５０人および８５
０人である。
したがって、第２の誘電体層の屈折率と膜厚を制御する
ことによっても、φ３を変化させることができ、０にす
ることもできる。
ことによっても、φ３を変化させることができ、０にす
ることもできる。
２の の （ｎ＋≠ｎｚ
）第１３図（ａ）、（ｂ）及び第１４図（ａ）、（１〕
）は、ガラス基板／第１の誘電体層（ｎ＋ ＝ ２．２
） ／希土類−鉄族非晶質合金の磁性層（膜厚ｈＭ−８
００人）／第２の誘電体層（ｎｚ ＝ ２．４） ／Ａ
ｌ金属層の構成において、ｈｌを夫々６７５人及び８０
０人としたときの、＋１２に対するＲα、Ｒ（破線で示
す）及びφ□の変化を示している。この場合にも、φ□
を０にすることができ、ｎｌと！〕２が異なっていても
構わないことが分かる。
）第１３図（ａ）、（ｂ）及び第１４図（ａ）、（１〕
）は、ガラス基板／第１の誘電体層（ｎ＋ ＝ ２．２
） ／希土類−鉄族非晶質合金の磁性層（膜厚ｈＭ−８
００人）／第２の誘電体層（ｎｚ ＝ ２．４） ／Ａ
ｌ金属層の構成において、ｈｌを夫々６７５人及び８０
０人としたときの、＋１２に対するＲα、Ｒ（破線で示
す）及びφ□の変化を示している。この場合にも、φ□
を０にすることができ、ｎｌと！〕２が異なっていても
構わないことが分かる。
第１５図（ａ）、（ｂ）および第１６図（ａ）、（ｂ）
は、第１３図と同様の構成の媒体において、第１および
第２の誘電体層の屈折率を、夫々２，４および２．２と
した場合のデータである。第１の誘電体層の膜厚り。
は、第１３図と同様の構成の媒体において、第１および
第２の誘電体層の屈折率を、夫々２，４および２．２と
した場合のデータである。第１の誘電体層の膜厚り。
は、第１５図の場合が４５０人、第１６図の場合が８５
０人である。
０人である。
このように、第１の誘電体層と第２の誘電体層の屈折率
が異なっていても、φ□を変化させることができ、０に
することもできる。
が異なっていても、φ□を変化させることができ、０に
することもできる。
磁 の ｎ＋＝１２第１７図（
ａ）、（ｂ）乃至第２２図（ａ）、（ｂ）は、ガラス基
板／第１の誘電体層（ｎ＋ ＝ ２．２） ／希土類−
鉄族非晶質合金の磁性層／第２の誘電体層（ｎ２２．２
） ／Ａｌ金属層の構成において、第２の誘電体層の膜
厚ｈ２に対するＲα、Ｒ（破線で示す）及びφ□の変化
を示す図である。
ａ）、（ｂ）乃至第２２図（ａ）、（ｂ）は、ガラス基
板／第１の誘電体層（ｎ＋ ＝ ２．２） ／希土類−
鉄族非晶質合金の磁性層／第２の誘電体層（ｎ２２．２
） ／Ａｌ金属層の構成において、第２の誘電体層の膜
厚ｈ２に対するＲα、Ｒ（破線で示す）及びφ□の変化
を示す図である。
第１の誘電体層の膜厚ｈ１は、第１７図、第１９図およ
び第２１図の場合が６７５人、第１８図、第２０図およ
び第２２図の場合が８００人である。また、磁性層の膜
厚ｈＭは、第１７図および第１８図の場合が６００人、
第１９図および第２０図の場合が１０００人、第２１図
および第２２図の場合が１２００人である。
び第２１図の場合が６７５人、第１８図、第２０図およ
び第２２図の場合が８００人である。また、磁性層の膜
厚ｈＭは、第１７図および第１８図の場合が６００人、
第１９図および第２０図の場合が１０００人、第２１図
および第２２図の場合が１２００人である。
このように、ｈ２を制御することによって、φ、を変化
させることができる。
させることができる。
したがって、磁性層の膜厚ｈＭが６００〜１０００人の
範囲において、ｈ２を変化させてφ１を変化させること
ができ、０にすることもできる。
範囲において、ｈ２を変化させてφ１を変化させること
ができ、０にすることもできる。
動り叙風層
第２３図（ａ）、（ｂ）及び第２４図（ａ）、（ｂ）は
、ガラス基板／第１の誘電体層（ｎ＋ ＝ ２．２）
／希土類−鉄族非晶質合金の磁性層（膜厚ｈＭ＝８００
人）／第２の誘電体層（ｒ＋ｚ ＝ ２．２） ／ Ｃ
ｕ金属層の構成において、ｈｌを夫々６７５人及び８０
０人としたときの、ｈ２に対するＲα、Ｒ（破線で示す
）及びφ□の変化を示している。ｈ２を制御することに
よって、φ、を変化させることができる。
、ガラス基板／第１の誘電体層（ｎ＋ ＝ ２．２）
／希土類−鉄族非晶質合金の磁性層（膜厚ｈＭ＝８００
人）／第２の誘電体層（ｒ＋ｚ ＝ ２．２） ／ Ｃ
ｕ金属層の構成において、ｈｌを夫々６７５人及び８０
０人としたときの、ｈ２に対するＲα、Ｒ（破線で示す
）及びφ□の変化を示している。ｈ２を制御することに
よって、φ、を変化させることができる。
したがって、金属層がＣｕでも、ｈ２を変化させてφ、
を変化させることができ、０に対することもできる。
を変化させることができ、０に対することもできる。
測】Ｊ１果
通常のマグネトロンスパッタリング法を用いて、前述の
如き構成の光磁気記録媒体を作製し、Ｒα、Ｒ及びφ、
の測定を行なった。
如き構成の光磁気記録媒体を作製し、Ｒα、Ｒ及びφ、
の測定を行なった。
窒化シリコンの作製に使用したターゲットは、１２５ｍ
ｍφの窒化シリコンで、投入ＲＦパワーは５００Ｗとし
た。アルゴンガス圧は約０．３Ｐａとし、窒素ガス分圧
比を０．０．６５、■、０．１．６５％と変化させると
、作製された窒化シリコン膜の屈折率はそれぞれ２゜５
２．２．３５．２．２７．２．１３と変化した。
ｍφの窒化シリコンで、投入ＲＦパワーは５００Ｗとし
た。アルゴンガス圧は約０．３Ｐａとし、窒素ガス分圧
比を０．０．６５、■、０．１．６５％と変化させると
、作製された窒化シリコン膜の屈折率はそれぞれ２゜５
２．２．３５．２．２７．２．１３と変化した。
光磁気記録媒体は、ガラス基板上に保護兼干渉用の誘電
体層として窒化シリコンの下地層を作製し、次に磁性層
としてＴｂ （Ｆｅ、９２．ＣＯ，ｏ□５）を作製し
、次に保護兼干渉用の誘電体層として窒化シリコンを作
製し、最後にＡ１またはＣｕ金属層を作製した。上記の
窒化シリコンについて屈折率と膜厚を変え、また、磁性
層の膜厚を変えて数種類作製した。
体層として窒化シリコンの下地層を作製し、次に磁性層
としてＴｂ （Ｆｅ、９２．ＣＯ，ｏ□５）を作製し
、次に保護兼干渉用の誘電体層として窒化シリコンを作
製し、最後にＡ１またはＣｕ金属層を作製した。上記の
窒化シリコンについて屈折率と膜厚を変え、また、磁性
層の膜厚を変えて数種類作製した。
Ｒα、Ｒ及びφ、の測定では、波長８３０ｎｍの平行光
の半導体レーサーの光源と、ＰＩＮフォトダイオードの
差動検出系を有する測定器を用いて行なった。楕円率の
測定は、反射光と検出器の間に４分の１波長板を入れて
測定し、角度の校正は、ファラデーセルを用いて行なっ
た。結果を表２及び表３に示す。
の半導体レーサーの光源と、ＰＩＮフォトダイオードの
差動検出系を有する測定器を用いて行なった。楕円率の
測定は、反射光と検出器の間に４分の１波長板を入れて
測定し、角度の校正は、ファラデーセルを用いて行なっ
た。結果を表２及び表３に示す。
表２（Ａｆｆ金属層）
表３ （Ｃｕ金属層）
上記の結果かられかるように、誘電体層の屈折効果率が
２．５２の場合には、Ｒαが小さくなるので好ましくな
い。これは、誘電体層に吸収が出てくるためである。
２．５２の場合には、Ｒαが小さくなるので好ましくな
い。これは、誘電体層に吸収が出てくるためである。
以上説明したように、本発明は透明基板上に、第１の誘
電体層、磁性層、第２の誘電体層及び金属層を順に形成
して成る光磁気記録媒体において、第１及び第２の誘電
体層を、２．１〜２．４の屈折率を有する窒化シリコン
を主成分とする誘電体から形成し、磁性層を、６００〜
１２００人の膜厚を有する希土類−鉄族非晶合金を主成
分とする磁性体から形成することによって、位相差を減
少させて、基板や記録再生装置の違いによるキャリア信
号の大きさの変動を抑える効果がある。
電体層、磁性層、第２の誘電体層及び金属層を順に形成
して成る光磁気記録媒体において、第１及び第２の誘電
体層を、２．１〜２．４の屈折率を有する窒化シリコン
を主成分とする誘電体から形成し、磁性層を、６００〜
１２００人の膜厚を有する希土類−鉄族非晶合金を主成
分とする磁性体から形成することによって、位相差を減
少させて、基板や記録再生装置の違いによるキャリア信
号の大きさの変動を抑える効果がある。
第１図は、本発明の光磁気記録媒体の一実施例を示ず略
断面図である。 第２図牟劫千嘲球乃至第２４同右ゆＦ抽すは、夫々本発
明の光磁気記録媒体における誘電体の膜厚と、反射率と
カー振幅比との積との関係を示す図および誘電体の膜厚
と反射率との関係を示す図である。 ゼ ロこ 馴匝 娑 ６′ お３ 馴３ Ｒ Ｊ匝 ｐ ：ｌ：１．ｇ ゼ 智 ζ１３ ｉ：ｌ こ ゼ 馴Ｓ ：ｌ＋−＋ ８ Ｒ 罪 昂′ Ｓ 七 ９匝 娑 郡′ Ｕこ ｗ６′ ：１．１３
断面図である。 第２図牟劫千嘲球乃至第２４同右ゆＦ抽すは、夫々本発
明の光磁気記録媒体における誘電体の膜厚と、反射率と
カー振幅比との積との関係を示す図および誘電体の膜厚
と反射率との関係を示す図である。 ゼ ロこ 馴匝 娑 ６′ お３ 馴３ Ｒ Ｊ匝 ｐ ：ｌ：１．ｇ ゼ 智 ζ１３ ｉ：ｌ こ ゼ 馴Ｓ ：ｌ＋−＋ ８ Ｒ 罪 昂′ Ｓ 七 ９匝 娑 郡′ Ｕこ ｗ６′ ：１．１３
Claims (1)
- （１）透明基板上に、第１の誘電体層、磁性層、第２の
誘電体層及び金属層を順に形成して成る光磁気記録媒体
において、 前記第１及び第２の誘電体層が、２．１〜２．４の屈折
率を有する窒化シリコンを主成分とする誘電体から成り
、前記磁性層が、６００〜１２００Åの膜厚を有する希
土類−鉄族非晶質合金を主成分とする磁性体から成るこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14644090A JPH0438735A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14644090A JPH0438735A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0438735A true JPH0438735A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15407711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14644090A Pending JPH0438735A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438735A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0837464A3 (en) * | 1996-10-18 | 2000-10-11 | Mitsubishi Chemical Industries Limited | Magneto-optical recording medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0386951A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-11 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-06-04 JP JP14644090A patent/JPH0438735A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0386951A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-11 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0837464A3 (en) * | 1996-10-18 | 2000-10-11 | Mitsubishi Chemical Industries Limited | Magneto-optical recording medium |
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