JPH0439224B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体素子のエツチング装置に係り、
特にデイスク状の半導体素子のシリコン材外周端
面部のみにバラツキのない均一量のエツチングを
施し、かつエツチング後のクエンチ、洗浄を確実
に行なうのに好適な半導体素子のエツチング装置
に関する。

（従来の技術） デイスク状のサイリスタ半導体素子は、例えば
第４図に示されるように、主としてタングステン
材質又はモリブデン材質より成るアノード電極
１、主としてアルミニユム材膜より成る接着部材
２、拡散にてPNPNの４層構造に形成されたシ
リコン材本体部分３、アルミ膜のカソード電極
４、およびゲート電極５、ならびにシリコン材外
周端面部３′を被覆する表面処理剤６の各部分よ
り構成される。

このような半導体素子７の耐圧及び漏れ電流等
の電気特性は、シリコン材本体部分３の内部構
造、及び主として研磨機によつて形成される外周
端面部３′の形状、表面仕上状態、加工ひずみ層
厚、不純物の付着状況、電気絶縁用の表面処理剤
６の膜厚、密着度等によつて大きく左右される。

特にこの種の半導体素子７は、大電圧・大電流
制御用に用いられ、加えて長期にわたつて微小の
漏れ電流値と高信頼性特性とが要求される製品で
あるので、該半導体素子７は、極めて厳密な精度
および処理状態で製作される必要がある。

さて、研磨機等により形成されたシリコン材外
周端面部３′の内部に発生する加工ひずみ層は、
シリコン材外周端面部３′のみをエツチングする
ことにより、除去されることができる。

以下に、第５〜８図を参照して、従来のシリコ
ン材外周端面部３′のエツチング方法を説明する。

第５図は、エツチング前に行なわれるカソード
電極面４およびゲート電極面５のマスキングの様
子を示す、当該半導体素子７の断面図、第６〜８
図は半導体素子７のエツチング方法を説明するた
めの図である。

エツチングを行なう前には、まず第５図に示さ
れるように、当該半導体素子７のカソード電極面
４およびゲート電極面５に、手作業にて、アピエ
ゾンワツクス８（コールタールと同様の材質）を
マスキング塗布する。前記アピエゾンワツクスは
酸に侵されず、トリクロールエチレンに侵される
特性を有する。

このようにワツクスを用いてマスシングし、そ
の後エツチングを行なう手法は、例えば特開昭55
−153338号公報に開示されている。

その後、第６図に示されるように、半導体素子
７をエツチング液９中に浸し、上下に揺動させ
る。この動作を所定時間タンク１５内で行なうこ
とにより、浸漬エツチングが施され、シリコン材
外周端面部３′の加工ひずみ層が除去される。

なおこの時、当然のことながら、アノード電極
面１も同時にエツチングされる。しかし、アピエ
ゾンワツクス８はエツチング液に侵されない特性
を有しているので、カソード電極面４、およびゲ
ート電極面５はエツチングされない。

タンク１５内で所定時間エツチングを行なつた
ならば、その後極めてすばやく（例えば0.5秒以
内に）第７図のタンク１６内に充満している純水
１０中へ半導体素子７を浸漬し、エツチング時と
同様に上下に揺動させ、エツチング反応を止める
クエンチ洗浄作業を行なう。

次いで第８図に示されるように、タンク１７に
満たされたトリクロールエチレン１１中へ半導体
素子７を浸漬し、所定の時間上下に揺動させ、ア
ピエゾンワツクス８の除去を行なう。これによつ
て、所定のシリコン材外周端面部３′のエツチン
グ工程が終了する。

（発明が解決しようとする問題点） 前述の作業は全て手作業であり、次のような問
題点を有している。

(1) 作業者各々の個人差により、半導体素子７の
上下方向への揺動スピード、揺動ストローク
長、揺動・浸漬時間にばらつきが生じ、均一な
エツチング量が得られない。

(2) 第６図に示された浸漬エツチング時において
は、半導体素子７とエツチング液９との化学反
応により、該エツチング液９の温度が上昇す
る。

この結果、次々とエツチングを行なう場合、
エツチング液９の温度が徐々に高くなるのと、
エツチング液９が劣化し、エツチング液９内に
投入される順番が遅くなる半導体素子７ほど、
エツチング量にばらつきが発生するおそれがあ
る。

(3) 第７図に示されたクエンチ作業においては、
タンク１６内に満たされた純水内で浸漬クエン
チを行なうため、微少ではあるが、タンク１６
内にエツチング液が残留する。この残留したエ
ツチング液は、半導体素子への不純物付着の要
因となり、電気的な特性不良をもたらす。

加えて半導体素子７を上下に揺動してクエン
チ洗浄する方式では、半導体素子とエツチング
液との間の相対的な流速が弱いため、完全なエ
ツチング液の除去が困難で、ときどきシリコン
外周端面部３′にしみが残り、電気的な特性不
良となる。この結果、歩留りが低下する。

(4) 第５図に示されたアピエゾンワツクス塗布
（マスキング）作業及び第８図のトリクロール
エチレンによるアピエゾンワツクス除去作業の
２工程は、主目的であるシリコン材外周端面部
３′のエツチング作業の、いわば前処理および
後処理工程であり、当該エツチング作業には直
接関係のない作業である。そして、これらの工
程が、生産性低下の要因となる。

本発明の目的は、前述の問題点を解消すべく、
ワツクスを塗布することなくマスキングを行な
い、かつ均一量のエツチング、ならびに高清浄ク
エンチおよび洗浄を行なうことのできる高信頼性
の半導体素子のエツチング装置を提供することに
ある。

（問題点を解決するための手段） 前記問題点を解決するため、本発明は、その下
部にドレン穴が形成されたタンクと、前記ドレン
穴を開閉するドレン穴開閉手段と、前記タンク内
に支持され、半導体素子を載置するためのワーク
ホルダと、該ワークホルダの上方に配置され、該
ワークホルダに載置された半導体素子をマスキン
グするためのシール部材と、該シール部材を前記
ワークホルダに載置された半導体素子のマスキン
グ部に押圧させる押圧手段とを具備し、半導体素
子が前記シール部材に押圧されているときに、エ
ツチング液を前記タンク内に注入し、所定量注入
後、該エツチング液を撹拌し、そして所定時間経
過して前記エツチング液を排出した後、前記半導
体素子に純水を噴射してクエンチを行なうと共
に、前記タンク内を純水で洗浄するという手段を
講じた。

（作用） 前記手段を講じたことにより、ワツクスを塗付
することなく半導体素子にマスキングを施すこと
ができ、また当該エツチング作業を手作業で行な
うことなく、常に一定の条件で行なうことができ
るので、極めて信頼性の高いエツチングを行なう
ことができるという作用効果が達成される。さら
にまた、エツチングを効率良く行なうことができ
るという作用効果も達成される。

（発明の実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図ないし第３図
の図面に基づいて説明する。

第１図は本発明に係るエツチング装置の一実施
例を示す全体縦断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ
矢視図である。

第１図においては、デイスク状の半導体素子７
（以下、試料７と称す）のカソード電極面７およ
びゲート電極面５は、シリンダ２０１の先端に固
着された、例えばフツ素ゴム等と耐薬品性ゴムリ
ング２０２により押圧・シールされている。

試料７は、この状態でエツチング液３００に浸
漬され、モータ２１３の付勢により回転し、そし
て、そのシリコン材外周端面部３′がエツチング
される。

エツチング液を満たすための円筒タンク１０１
は、ベース１００上にネジ止め固定されている。
前記円筒タンク１０１の底部１３０は、エツチン
グ液及び純水の排出がすばやくスムーズに行なわ
れるようにロート状に形成されている。

ドレン穴１３１は前記底部１３０の最下部に形
成され、制御装置４００から出力される制御信号
にて開閉動作する耐薬品性の電磁弁１１０に接続
されている。前記電磁弁１１０には、さらにパイ
プ１１１が接続され、用済みのエツチング液、純
水等は該パイプ１１１より排出される。

オーバーフローせき１３２は、円筒タンク１０
１の側面部に形成され、該オーバーフローせき１
３２を越えた液体は、オーバーフローパイプ１０
２を通つて排出される。

円筒タンク１０１の内部には、液を瞬時に排出
するために、その底部４ケ所に切込み部１３３が
設けられたベツド１０３がネジ止め固定されてい
る。

前記ベツド１０３上には耐薬品性のボール（こ
の実施例ではフツ素樹脂製）１０５が載置され、
さらにその上には、円筒タンク１０１内に供給さ
れたエツチング液を撹拌するための、プロペラ羽
根１０４Ａを有するワークホルダ１０４が載置さ
れている。

前記ボール１０５は、後述するエアシリンダ２
０７のシール押圧力に耐える強度を有し、ワーク
ホルダ１０４がスムーズに回転できるように、い
わゆる玉軸受として機能する。

前記円筒タンク１０１には、エツチング液供給
口１０６、および純水供給口１１１が形成されて
いる。前記エツチング液供給口１０６および純水
供給口１１１は、第２図に示されるように、前記
円筒タンク１０１内壁の接線方向に、かつ試料７
の回転方向（矢印ａ方向）にエツチング液および
純水が流出するように、円筒タンク１０１内に開
口している。

また、前記エツチング液供給口１０６は、第１
図に示されるように、ベツド１０３、およびワー
クホルダ１０４に形成されたプロペラ羽根の１０
４Ａの間にエツチング液を流出させることができ
るように形成されている。

したがつて、前記エツチング液供給口１０６か
ら流出するエツチング液は、ワークホルダ１０４
が回転しても、円筒タンク１０１内壁に沿つて、
ほぼ定常流に近い状態で流れることができ、また
前記流出時にエツチング液が点滴となつて飛散し
たりしない。この結果、エツチングむらやしみが
生じない。

前記純水供給口１１１は、試料７の斜め上方か
ら純水を流出させることができるように形成さ
れ、また流出された純水は、前記エツチング液と
同様に、前記円筒タンク１０１内壁に沿つて、ほ
ぼ定常流に近い状態で流れることができる。

当該エツチング装置は、更にエツチング終了
時、瞬時にエツチング反応を止めるクエンチのた
めの、ジエツト噴射の純水噴射ノズル１１５、及
び洗浄完了後、試料７の水切り乾燥を行なうため
の窒素噴射ノズル１１８を具備している。

前記純水噴射ノズル１１５は、第１図より明ら
かなように、試料７の斜め上方から、該試料７の
シリコン材外周端面部３′にジエツト水流を噴出
させることができるように配置されている。

次に試料７をシールする押圧機構、及び該試料
７を回転させる回転機構について説明する。

試料７をシールするゴムリング２０２は、前述
したように耐薬品性ゴムより成型され、シリンダ
２０１の先端に形成された溝部にはめこまれてい
る。

ハウジング２０４，２０６はボデイ２００に組
付けられ、前記シリンダ２０１は、ハウジング２
０４に内蔵されたすべり軸受２０３、およびハウ
ジング２０６に内蔵されたすべり軸受２０５に支
持されている。

比較的小ストロークのエアーシリンダ２０７
は、前記シリンダ２０１の上方で、ボデイ２００
に取付けられている。そして、前記エアーシリン
ダ２０７のプランジヤ２０７Ａは、ブロツク２２
１により、前記シリンダ２０１の後端に接続され
ている。

前記シリンダ２０１の外周には、歯車２１１が
形成または固着されている。そして前記歯車２１
１は、ボデイ２００に固着されたモータ２１３の
出力軸に固着された歯車２１２にかみ合つてい
る。

ここで、前記歯車２１１の歯幅は、エアーシリ
ンダ２０７が動作し、前記シリンダ２０１が上下
動した場合においても、該歯車２１１が歯車２１
２からはずれないように十分大きく設定されてい
る。

この構成を有することにより、モータ２１３を
付勢してシリンダ２０１を回転させている時で
も、エアーシリンダ２０７を動作させて、該シリ
ンダ２０１を上下動させることが可能になる。す
なわち、試料７を所定の力で押圧しながら回転さ
せることが可能になる。

当該エツチング装置の壁面２５０には、スクリ
ユー２１５が軸受２１６，２１７に回動自在に支
持されている。前記スクリユー２１５の一端は、
モータ２２０の出力軸に接続されている。

ブロツク２１４は前記スクリユー２１５に螺合
していて、かつ、前記ボデイ２００に固着されて
いる。前記ブロツク２１４は、スクリユー２１５
が回動（矢印ｂ方向）することにより、上下動
（矢印ｃ方向）することができる。

センサ２１８および２１９は、ブロツク２１４
の位置検知用センサである。

前記ボデイ２００に固着されたブロツク２１
４、スクリユー２１５、軸受２１６，２１７、セ
ンサ２１８，２１９、およびモータ２２０は、所
定のエツチング処理が完了後、円筒タンク１０１
内の試料７が容易にとりだせるようにボデイ２０
０を大きなストロークで上下動させる機構を構成
する。

なお、これらの構成要素を用いるかわりに、大
ストロークの動作が可能なエアーシリンダ等を用
いることによつても、本機能を達成することがで
きる。

制御装置４００は、シーケンスコントローラを
主体とした当該エツチング装置の制御回路を備え
ている。

前記制御装置４００には、円筒タンク１０１内
の液体ドレン用の電磁弁１１０、エアーホース２
０８および２０９により前記エアーシリンダ２０
７に接続され、該エアーシリンダに加圧空気を供
給する電磁弁２１０、前記シリンダ２０１を回転
させるモータ２１３、ボデイ２００を大きく上下
動させるモータ２２０、ならびにボデイ２００の
上限および下限の位置検出用のセンサ２１８，２
１９が接続されている。

またさらに、前記制御装置４００には、チユー
ブ１０８およびチユーブ継手１０７により前記エ
ツチング液供給口１０６に接続され、円筒タンク
１０１内にエツチング液を供給する耐薬品性の電
磁弁１０９、同様にチユーブ１１３およびチユー
ブ継手１１２により前記純水供給口１１１に接続
され、円筒タンク１０１内に洗浄のための純水を
供給する電磁弁１１４、クエンチ用の純水噴射ノ
ズル１１５にチユーブ１１６で接続された電磁弁
１１７、ならびに水切り乾燥用の窒素噴射ノズル
１１８にチユーブ１１９で接続された電磁弁１２
０が接続されている。

以上の構成を有する本発明の一実施例のエツチ
ング処理動作を、前掲した第１図および第２図、
ならびに第３図を参照して説明する。

第３図は本発明の一実施例の動作を示すフロー
チヤートである。

なお、第３図に示された動作に入る前は、シリ
ンダ２０１、およびブロツク２１４（すなわちボ
デイ２００）は上限位置に停止しているものと
し、また電磁弁１１０はドレン穴１３１を閉塞し
ているものとする。

この状態のとき、ワークホルダ１０４上に、カ
ソード電極面４およびゲート電極面５が上向きに
なるように、試料７をセツトする。そして、作業
者が制御装置４００のスイツチを投入することに
より、以下に述べるように、自動にてエツチング
処理が行なわれる。

最初にステツプS1において、モータ２２０が
正回転動作し、ボデイ２００が下降する。

そして、ステツプS2において、ブロツク２１
４がセンサ２１９をオンにしたことが判別される
と、ステツプS3において、前記モータ２２０が
停止する。

つぎに、ステツプS4において、電磁弁２１０
が開となり、エアーシリンダ２０７が動作し、シ
リンダ２０１を下降させ、ゴムリング２０２で試
料７のカソード電極面４及びゲート電極面５を押
圧、シールする。

ステツプS5においては、モータ２１３が後述
するエツチング液供給方向と同方向（矢印ａ方
向）へワークホルダ１０４を回転させる。ワーク
ホルダ１０４は、試料７の押圧力及びボール１０
５の回転によつて、スムーズに試料７とスリツプ
することなしに回転することができる。以下、説
明があるまで試料７は、このシール・回転状態を
保つ。

この押圧シール及び回転状態時、ステツプS6
において、電磁弁１０９が開となり、円筒タンク
１０１の接続方向に設けられたエツチング液供給
口１０６より、該円筒タンク１０１の内壁に沿つ
てエツチング液３００（弗酸、硝酸を主成分とす
る混酸）が供給される。

そして、ステツプS7において、あらかじめプ
ログラミングされた制御装置４００のタイマによ
つて所定の時間が計測されるまで、電磁弁１０９
は開状態を保ち、オーバーフローせき１３２の位
置付近までエツチング液３００が供給される。

その後、ステツプS8において、前記電磁弁１
０９は閉となる。以下、説明があるまでドレン用
電磁弁１０９は閉状態を保つ。

なお、前述したように、エツチング液供給口１
０６は、ワークホルダ１０４のプロペラ羽根１０
４Ａ及びベツド１０３の中間に位置し、更にエツ
チング液３００は円筒タンク１０１の内壁に沿つ
て供給される。

したがつて、エツチング液３００は、円筒タン
ク１０１の底部から静的に徐々に上方に満たさ
れ、試料７も、その下部から徐々にエツチング液
３００に浸漬される。このエツチング液３００の
流入の際に、該エツチング液が点滴となつて試料
７に飛散しないので、エツチングむらやしみが発
生することがない。

ステツプS9において、予定のエツチング時間
が経過したと判断されるまで、この状態が維持さ
れ、試料７のシリコン材外周端面部３′のエツチ
ングが行なわれる。エツチングの際には、シリコ
ン材外周端面部３′とエツチング液３００との化
学反応により、該反応部の温度が上昇し、またエ
ツチング液３００の劣化も生ずる。

しかし、この実施例においては、ワークホルダ
１０４の外周４ケ所にプロペラ羽根１０４Ａを設
け、エツチング液３００の撹拌を行なつているの
で、常に均一量のエツチングが得られる。

予定のエツチング時間が経過すると、ステツプ
S10において、大口径オリフイスを有するドレン
用電磁弁１１０が開動作し、ベツド１０３の切込
部１３３及びロート状の底部１３０を通つて、エ
ツチング液３００が瞬時に排出される。

ステツプS11においては、その後すばやく電磁
弁１１７が開動作し、純水を試料７のシリコン材
外周端面部３′めがけて純水噴射ノズル１１５よ
り噴出させ、クエンチ作用を施す。

ステツプS12において、予定時間経過するまで
クエンチを行なつたのち、ステツプS13において
電磁弁１１４も開動作する。前記電磁弁１１４の
開動作により、円筒タンク１０１の接続方向に設
けられた純水供給口１１１から、円筒タンク１０
１内の残エツチング液３００を洗浄するためのド
レン量を上まわる量の純水が円筒タンク内壁から
傾斜して供給され、これにより試料７のクエンチ
及び円筒タンク１０１内の洗浄が同時に行なわれ
る。

ステツプS14において、この電磁弁１１４が開
動作してから所定の時間（約２〜５秒）経過した
ことが判断されると、つぎにステツプS15におい
てドレン用電磁弁１１０が閉動作し、円筒タンク
１０１内に純水が満たされる。所定量以上の純水
はオーバーフローせき１３２より排出される。

ステツプS16において、前記電磁弁１１０の閉
動作から予定時間経過したことが判別されると、
ステツプS17においてクエンチ用電磁弁１１７が
閉動作する。その後は純水供給口１１１から連続
供給される純水にて試料７の洗浄を行なう。

この純水によるオーバーフロー洗浄は、ステツ
プS18に関して後述するように、あらかじめプロ
グラミングされた制御装置４００によつて所定時
間行なわれる。

ここで重要なことは、この実施例においては、
クエンチ時に、ドレン用電磁弁１１０を開動作さ
せ、また、純水噴出ノズル１１５及び純水供給口
１１１は試料７の斜上方から純水を供給し、エツ
チング液を上方から下方へと流下させる、いわゆ
る流下洗浄法が採用されていることである。

このように、流下洗浄法を採用したことによ
り、シリコン材外周端面部３′に付着したエツチ
ング液が、その上部へまわりこまず下方へ流下
し、同時にエツチング液内に懸濁した微量のシリ
コン残も流下されるので、クエンチを確実に行な
うことができると同時に、高い洗浄度を得ること
ができる。

また、ワークホルダ１０４の回転方向と同方向
へ純水を流出させることができるように純水供給
口１１１を設置し、円筒タンク１０１内を、純水
が定常流でうず巻状に流動させるので、さらに高
清浄の洗浄を達成することができる。

更に、クエンチは純水を比較的高速でシリコン
材外周端面部３′にぶつけることにより行なわれ
るので、すなわち高エネルギのクエンチ法を採用
したので、さらに、確実にクエンチを行なうこと
ができる。

さて、ステツプS18において、電磁弁１１７が
閉となつてから予定時間が経過したことが判断さ
れ、洗浄が終了したならば、ステツプS19におい
て、洗浄用の電磁弁１１４が閉動作する。

そして、ステツプS20において、ドレン用電磁
弁１１０が開動作し、円筒タンク１０１内の純水
が排出される。さらに、ステツプS21において、
水切り乾燥用の電磁弁１２０が開動作し、窒素噴
射ノズル１１８より試料７のシリコン材外周端面
部３′をめがけて窒素が噴出される。この窒素噴
出により、試料７が乾燥される。

ステツプS22において、電磁弁１２０が開いて
から予定時間が経過したことが計測されると、ス
テツプS23およびS24において、水切り乾燥用の
電磁弁１２０及びドレン用電磁弁１１０が閉動作
する。

つぎに、ステツプS25において、モータ２１３
が停止される。

そして、ステツプS26において、モータ２１３
が完全に停止したことが判別されると、すなわち
試料７の回転が完全に停止したことが判断される
と、ステツプS27において電磁弁２１０が閉動作
し、シリンダ２０１が上昇する。このシリンダ２
０１の上昇により、試料７への押圧およびシール
が解除される。

つぎに、ステツプS28において、モータ２２０
が逆回転し、ボデイ２００が上昇する。

そして、ステツプS29において、ボデイ２００
が上限位置に達し、ブロツク２１４がセンサ２１
８をオンにしたことが判別されると、ステツプ
S30において、前記モータ２２０が停止する。

これにて当該エツチング装置による一連のエツ
チング処理が終了し、あとは作業者が試料７を取
りだし、次工程への処理へと進むことになる。

このように、本発明の一実施例により、一連の
エツチング処理がすべて自動的に処理される。ま
た、極めて安定したエツチング量を得ることがで
きると共に、高洗浄度のクエンチを行なうことが
できる。

（発明の効果） 以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ばつぎのような効果が達成される。

(1) 一連のエツチング処理動作をすべて自動的に
行ない、またエツチング時にエツチング液の撹
拌を行なうので、常に均一のエツチング量を得
ることができる。

(2) 試料をエツチングする毎に、エツチング液を
入換えるので、エツチング処理を行なう毎にエ
ツチング液の温度が変化することがない。した
がつて、常に所定のエツチング量を得ることが
できる。

(3) 試料のエツチング部に、純水を高速で噴付け
ることによりクエンチを行なうので、該クエン
チ処理を確実に行なうことができる。

また、前記クエンチ時に、タンク内壁に沿つ
て純水を流出させるので、タンク内壁に付着し
たシリコン等の不純物を除去し、該タンク内を
洗浄することができる。この結果、次回のエツ
チング処理を確実に行なうことができる。

(4) シリンダ先端部に配置されたシール部材を試
料のエツチング不要部に当接させてマスキング
を行なうので、従来行なわれていたマスキング
剤の塗付、およびその除去作業が不要となる。

この結果、当該エツチング処理を安価に行なう
ことができ、またエツチング処理に要する時間が
短縮されるので、半導体素子の生産性を向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の概略縦断面図、第
２図は第１図のＡ−Ａ矢視図、第３図は本発明の
一実施例の動作を示すフローチヤート、第４図は
デイスク状のサイリスタ半導体素子の一部破断断
面図、第５図は従来の手法によりマスキングされ
たデイスク状半導体素子の一部破断断面図、第６
図ないし第８図は従来の半導体素子のエツチング
の手法を説明するための図である。 ３′……シリコン材外周端面部、７……半導体
素子、１０１……円筒タンク、１０４……ワーク
ホルダ、１０４Ａ……プロペラ羽根、１０６……
エツチング液供給口、１０９，１１０，１１４，
１１７，１２０，２１０……電磁弁、１１１……
純水供給口、１１５……純水噴射ノズル、１１８
……窒素噴射ノズル、１３１……ドレン穴、２０
１……シリンダ、２０２……ゴムリング、２０７
……エアシリンダ、２１１，２１２……歯車、２
１３……モータ、３００……エツチング液、４０
０……制御装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ その下部にドレン穴が形成されたタンクと、 前記ドレン穴を開閉するドレン穴開閉手段と、 前記タンク内に支持され、半導体素子を載置す
   るためのワークホルダと、 前記ワークホルダの上方に配置され、該ワーク
   ホルダに載置された半導体素子をマスキングする
   ためのシール部材と、 前記シール部材を、前記ワークホルダに載置さ
   れた半導体素子のマスキング部に押圧させる押圧
   手段と、 前記タンク内にエツチング液を供給するエツチ
   ング液供給手段と、 前記タンク内に純水を供給する純水供給手段
   と、 前記ワークホルダに載置された半導体素子に純
   水を噴射する純水噴射手段と、 前記タンク内に満たされたエツチング液および
   純水を撹拌する撹拌手段と、 半導体素子が前記押圧手段により前記シール部
   材に押圧されているときに、前記エツチング液供
   給手段を付勢し、エツチング液を供給させる手段
   と、 前記タンク内に満たされたエツチング液が前記
   ドレン穴から排出された後に、前記純水供給手段
   および前記純水噴射手段を付勢し、純水を供給さ
   せ、噴射させる手段とを具備したことを特徴とす
   る半導体素子のエツチング装置。 ２ 前記撹拌手段は、前記ワークホルダおよび前
   記シール部材の少なくとも一方を回動させ、前記
   シール部材に押圧された半導体素子を回動させる
   回動手段と、前記ワークホルダに形成されたプロ
   ペラ羽根とであることを特徴とする前記特許請求
   の範囲第１項記載の半導体素子のエツチング装
   置。 ３ 前記エツチング液供給手段は、前記タンクの
   内壁に沿つて、かつ前記プロペラ羽根の回動方向
   にエツチング液を供給することを特徴とする前記
   特許請求の範囲第２項記載の半導体素子のエツチ
   ング装置。 ４ 前記純水供給手段は、前記タンクの内壁に沿
   つて、かつ前記プロペラ羽根の回動方向に純水を
   供給することを特徴とする前記特許請求の範囲第
   ２項あるいは第３項記載の半導体素子のエツチン
   グ装置。 ５ 前記純水噴射手段による純水の噴射が停止さ
   れた後に、前記半導体素子を乾燥させる乾燥手段
   をさらに備えたことを特徴とする前記特許請求の
   範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の半導
   体素子のエツチング装置。