JPH0440458A - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
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- JPH0440458A JPH0440458A JP2147896A JP14789690A JPH0440458A JP H0440458 A JPH0440458 A JP H0440458A JP 2147896 A JP2147896 A JP 2147896A JP 14789690 A JP14789690 A JP 14789690A JP H0440458 A JPH0440458 A JP H0440458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- pattern
- position detection
- cover
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
縮小投影露光等に用いられるレチクルに関し、位置検出
用マーク形成パターンを素子形成パターンと同時に露光
する際、ウェーハ上の他の素子領域への不必要な露光を
防止できるレチクルを提供することを目的とし、 ウェーハ上の素子領域に素子パターンを露光する素子形
成パターンと、前記素子形成パターン周囲に設けられ、
露光装置の開口部の露光面積を決定するマスキングブレ
ードの開口ずれによる光の洩れを防止するレチクルカバ
ーと、前記レチクルカバー外に設けられ、前記ウェーハ
の位置合せ用の位置検出用マークを露光するための位置
検出用マーク形成パターンとを有するレチクルにおいて
、前記レチクルカバーは、前記マスキングブレードの移
動方向に対し、前記位置検出用マーク形成パターンの左
右に前記マスキングブレードの移動量分の張出し部を有
し、前記マスキングブレードを移動させて前記位置検出
用マーク形成パターンを前記素子形成パターンと同時に
露光する際、前記レチクルカバーにより前記ウェーハ上
の他の素子領域への露光を防止したように構成する。
用マーク形成パターンを素子形成パターンと同時に露光
する際、ウェーハ上の他の素子領域への不必要な露光を
防止できるレチクルを提供することを目的とし、 ウェーハ上の素子領域に素子パターンを露光する素子形
成パターンと、前記素子形成パターン周囲に設けられ、
露光装置の開口部の露光面積を決定するマスキングブレ
ードの開口ずれによる光の洩れを防止するレチクルカバ
ーと、前記レチクルカバー外に設けられ、前記ウェーハ
の位置合せ用の位置検出用マークを露光するための位置
検出用マーク形成パターンとを有するレチクルにおいて
、前記レチクルカバーは、前記マスキングブレードの移
動方向に対し、前記位置検出用マーク形成パターンの左
右に前記マスキングブレードの移動量分の張出し部を有
し、前記マスキングブレードを移動させて前記位置検出
用マーク形成パターンを前記素子形成パターンと同時に
露光する際、前記レチクルカバーにより前記ウェーハ上
の他の素子領域への露光を防止したように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は縮小投影露光等に用いられるレチクルに関する
。
。
近年、半導体装置のコストタウンの要求か強くなり、ウ
ェーハー枚から得られる有効チップ数を多くする必要性
か高まっている。
ェーハー枚から得られる有効チップ数を多くする必要性
か高まっている。
［従来の技術］
第３図に従来のネガ型レチクルを示す。
同図＜ａ）を用いて従来のレチクルを説明する同図はネ
ガ型レチクルのｍ造及びマスキングブレードの開口状態
を示している。
ガ型レチクルのｍ造及びマスキングブレードの開口状態
を示している。
ガラス基板上にクロム膜を塗布して形成されたレチクル
１の中央部に、ウェーハ上に１チップ若しくは数チップ
分の素子パターンを形成する素子形成パターン２か形成
されている。各素子を分離するスクライブラインをウェ
ーハ上に形成するために、レチクル１の素子形成パター
ン２の周囲にスクライブライン形成パターン４が形成さ
れている。
１の中央部に、ウェーハ上に１チップ若しくは数チップ
分の素子パターンを形成する素子形成パターン２か形成
されている。各素子を分離するスクライブラインをウェ
ーハ上に形成するために、レチクル１の素子形成パター
ン２の周囲にスクライブライン形成パターン４が形成さ
れている。
スクライブライン形成パターン４の周囲にレチクルカバ
ー６が形成されている。レチクルカバー６は、レチクル
１のカラス基板上のクロム膜を残したものである。レチ
クルカバー６は、ウェーハ上のある素子領域を露光する
場合、マスキングブレード１０ａ〜１０ｄの開口誤差に
より生じる露光光の洩れを遮光し、ウェーハ上の他の素
子領域への不必要な露光を防止するために用いられる。
ー６が形成されている。レチクルカバー６は、レチクル
１のカラス基板上のクロム膜を残したものである。レチ
クルカバー６は、ウェーハ上のある素子領域を露光する
場合、マスキングブレード１０ａ〜１０ｄの開口誤差に
より生じる露光光の洩れを遮光し、ウェーハ上の他の素
子領域への不必要な露光を防止するために用いられる。
さらに、レチクルカバー６は、レチクル内において素子
を形成するための無欠陥を保障する領域の範囲を示して
いる。従って、レチクルカバー６のクロム膜にはピンホ
ール等のない無欠陥領域を保障する必要がある。
を形成するための無欠陥を保障する領域の範囲を示して
いる。従って、レチクルカバー６のクロム膜にはピンホ
ール等のない無欠陥領域を保障する必要がある。
レチクルカバー６外に位置検出用マーク形成パターン８
ａ、８ｂか形成されている。位置検出用マーク形成パタ
ーン８ａ、８ｂは、露光時のウェーハの位置合せに用い
られる。
ａ、８ｂか形成されている。位置検出用マーク形成パタ
ーン８ａ、８ｂは、露光時のウェーハの位置合せに用い
られる。
通常の素子パターン露光時において、マスキングブレー
ド１０ａ〜１０ｄの４枚のブレードは、同図（ａ）のよ
うにレチクルマスク６内に配置され、レチクルカバー外
のマスクとして機能する。
ド１０ａ〜１０ｄの４枚のブレードは、同図（ａ）のよ
うにレチクルマスク６内に配置され、レチクルカバー外
のマスクとして機能する。
従って同図（ａ）の場合、素子形成パターン２とスクラ
イブライン形成パターン４の領域のみが露光される。
イブライン形成パターン４の領域のみが露光される。
同図（ｂ）は位置検出用マーク形成パターン８ａ露光時
のマスキングブレード１０ａ〜１０ｄの状態を示す。マ
スキングブレード１０ａがレチクルカバー６の外側まで
移動し位置検出用マーク形成パターン８ａをウェーハ上
に露光可能にしている。
のマスキングブレード１０ａ〜１０ｄの状態を示す。マ
スキングブレード１０ａがレチクルカバー６の外側まで
移動し位置検出用マーク形成パターン８ａをウェーハ上
に露光可能にしている。
同図（Ｃ）は、マスキングブレード１０ａが同図（ｂ）
の状態でウェーハ上に露光を行った図である。
の状態でウェーハ上に露光を行った図である。
ウェーハ上の素子領域２１に索子パターンか露光され、
素子領域２１間にスクライブライン４０が形成されてい
る。素子領域Ａの露光と同時に位置検出用マーク形成パ
ターン８ａの露光を行い、ウェーハ上に位置検出用マー
ク８０が形成されている。
素子領域２１間にスクライブライン４０が形成されてい
る。素子領域Ａの露光と同時に位置検出用マーク形成パ
ターン８ａの露光を行い、ウェーハ上に位置検出用マー
ク８０が形成されている。
素子領域Ａを含む斜線の領域は、レチクル１の素子形成
パターン２とスクライブライン形成パターン４で形成さ
れる領域である。
パターン２とスクライブライン形成パターン４で形成さ
れる領域である。
位置検出用マーク８０を含む斜線の領域Ｂ、Ｂａ及びＢ
ｂは位置検出用マーク形成パターン８ａの露光を行うた
めにマスキングブレード１０ａを移動させたため露光さ
れた領域である。即ち、マスキングブレード１０ａ、ｌ
０Ｃ１１０ｄ及びレチクルカバー６の外辺で囲まれた長
方形形状の領域である。
ｂは位置検出用マーク形成パターン８ａの露光を行うた
めにマスキングブレード１０ａを移動させたため露光さ
れた領域である。即ち、マスキングブレード１０ａ、ｌ
０Ｃ１１０ｄ及びレチクルカバー６の外辺で囲まれた長
方形形状の領域である。
次に、従来のポジ型レチクルを第４図に示す。
同図（ａ）はポジ型レチクルの１ｒＩ４造及びマスキン
グブレードの開口状態を示している。
グブレードの開口状態を示している。
レチクル１の中火部に、索子形成パターン２及びスクラ
イプライン形成パターン４が形成されているのは前述の
従来のネガ型レチクルの場合と同様である。
イプライン形成パターン４が形成されているのは前述の
従来のネガ型レチクルの場合と同様である。
スクライプライン形成パターン４の周囲にレチクルカバ
ー６か形成されている。ポジ型レチクルの場合は、レチ
クルカバー外の領域にもクロム膜が塗布されている。従
来のネガ型レチクルの場合と同様にポジ型レチクルの場
合もレチクルカッへ−６のクロム膜にピンホール等の欠
陥が存在すると、露光時に欠陥が転写される恐れがある
ため、無欠陥を保障する必要がある。
ー６か形成されている。ポジ型レチクルの場合は、レチ
クルカバー外の領域にもクロム膜が塗布されている。従
来のネガ型レチクルの場合と同様にポジ型レチクルの場
合もレチクルカッへ−６のクロム膜にピンホール等の欠
陥が存在すると、露光時に欠陥が転写される恐れがある
ため、無欠陥を保障する必要がある。
そこでレチクルカバー６の領域とレチクルカッく一６外
の領域を識別するためにレチクル帯スリ・ント３０か形
成されている。レチクル帯スリ・ント３０は、レヂクル
欠陥検査において無欠陥を保障すべき領域の範囲を示す
役割を果たす。
の領域を識別するためにレチクル帯スリ・ント３０か形
成されている。レチクル帯スリ・ント３０は、レヂクル
欠陥検査において無欠陥を保障すべき領域の範囲を示す
役割を果たす。
レチクルカバー６外に位置検出用マーク形成ノくターン
８ａ、８ｂが形成されている。
８ａ、８ｂが形成されている。
通常の素子パターン露光時において、マスキングブレー
ド１０ａ〜１０ｄのそれぞれのブレードは、同図（ａ）
のようにレチクルマスク６内に配置されている。
ド１０ａ〜１０ｄのそれぞれのブレードは、同図（ａ）
のようにレチクルマスク６内に配置されている。
同図（ｂ）はマスキングブレード１０ａが位置検出用マ
ーク形成パターン８ａを露光できる開口状態でウェーハ
上に露光を行った図である。
ーク形成パターン８ａを露光できる開口状態でウェーハ
上に露光を行った図である。
素子領域２１に素子パターンが形成され、素子領域２１
間にスクライプライン４０が形成されている。素子領域
Ａの露光と同時に位置検出用マーク形成パターン８ａの
露光を行い、ウェーハ上に位置検出用マーク８０が形成
されている。
間にスクライプライン４０が形成されている。素子領域
Ａの露光と同時に位置検出用マーク形成パターン８ａの
露光を行い、ウェーハ上に位置検出用マーク８０が形成
されている。
Ａを含む斜線の領域は、レチクル１の素子形成パターン
２とスクライプライン形成パターン４で形成される領域
である。
２とスクライプライン形成パターン４で形成される領域
である。
領域Ｂ、Ｂａ及びＢｂは位置検出用マーク形成パターン
８ａの露光を行うためにマスキングブレード１０ａを開
いた結果としてレチクル帯スリット３０の一部か露光さ
れた領域である。
８ａの露光を行うためにマスキングブレード１０ａを開
いた結果としてレチクル帯スリット３０の一部か露光さ
れた領域である。
［発明が解決しようとする課題］
以上、第３図（Ｃ）及び第４図＜ｂ＞で示したように、
位置検出用マーク形成パターンをウェーハ上に露光しよ
うとすると、素子領域として使用されるべきＣ及びＤの
領域に不必要な露光Ｂａ及びＢｂをしてしまう結果、ウ
ェーハー枚当りの有効素子の数が低下するという問題が
あった。
位置検出用マーク形成パターンをウェーハ上に露光しよ
うとすると、素子領域として使用されるべきＣ及びＤの
領域に不必要な露光Ｂａ及びＢｂをしてしまう結果、ウ
ェーハー枚当りの有効素子の数が低下するという問題が
あった。
本発明の目的は、位置検出用マーク形成パターンを素子
形成パターンと同時に露光する際、ウェーハ上の他の素
子領域への不必要な露光を防止できるレチクルを提供す
ることにある。
形成パターンと同時に露光する際、ウェーハ上の他の素
子領域への不必要な露光を防止できるレチクルを提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、ウェーハ上の素子領域に素子パターンを露
光する素子形成パターンと、前記素子形成パターン周囲
に設けられ、露光装置の開口部の露光面積を決定するマ
スキングブレードの開口ずれによる光の洩れを防止する
レチクルカバーと、前記レチクルカバー外に設けられ、
前記ウェーハの位置合せ用の位置検出用マークを露光す
るための位置検出用マーク形成パターンとを有するレチ
クルにおいて、前記レチクルカバーは、前記マスキング
ブレードの移動方向に対し、前記位置検出用マーク形成
パターンの左右に前記マスキングブレードの移動量分の
張出し部を有し、前記マスキングブレードを移動させて
前記位置検出用マーク形成パターンを前記素子形成パタ
ーンと同時に露光する際、前記レチクルカバーにより前
記ウェーハ上の他の素子領域への露光を防止したことを
特徴とするレチクルによって達成される。
光する素子形成パターンと、前記素子形成パターン周囲
に設けられ、露光装置の開口部の露光面積を決定するマ
スキングブレードの開口ずれによる光の洩れを防止する
レチクルカバーと、前記レチクルカバー外に設けられ、
前記ウェーハの位置合せ用の位置検出用マークを露光す
るための位置検出用マーク形成パターンとを有するレチ
クルにおいて、前記レチクルカバーは、前記マスキング
ブレードの移動方向に対し、前記位置検出用マーク形成
パターンの左右に前記マスキングブレードの移動量分の
張出し部を有し、前記マスキングブレードを移動させて
前記位置検出用マーク形成パターンを前記素子形成パタ
ーンと同時に露光する際、前記レチクルカバーにより前
記ウェーハ上の他の素子領域への露光を防止したことを
特徴とするレチクルによって達成される。
［作用］
本発明によれは、位置検出用マーク形成パターンを素子
形成パターンと同時に露光する際、ウェーハ上の他の素
子領域への不必要な露光を防止することができる。
形成パターンと同時に露光する際、ウェーハ上の他の素
子領域への不必要な露光を防止することができる。
［実施例］
本発明の第１の実施例によるレチクルを第１図を用いて
説明する。同図（ａ）はネカ型レチクル及びマスキング
ブレード１０ａ〜１０ｄの開口状態を示す図である。
説明する。同図（ａ）はネカ型レチクル及びマスキング
ブレード１０ａ〜１０ｄの開口状態を示す図である。
例えばカラス基板上にクロム膜を塗布して形成されたレ
チクル１の中央部に素子形成パターン２が形成され、素
子形成パターン２の周囲にスクライブライン形成パター
ン４が形成されている。
チクル１の中央部に素子形成パターン２が形成され、素
子形成パターン２の周囲にスクライブライン形成パター
ン４が形成されている。
スクライブライン形成パターン４の周囲にレチクルカバ
ー７か形成され、レチクルカバー７外に位置検出用マー
ク形成パターン８ａ、８ｂが形成されている。
ー７か形成され、レチクルカバー７外に位置検出用マー
ク形成パターン８ａ、８ｂが形成されている。
本実施例のレチクルカバー７は、マスキングブレード１
０ａ〜１０ｂの移動方向に対し、位置検出用マーク形成
パターン８ａ及び８ｂの左右に、マスキングブレードの
移動量分の張出し部を設けたことを特徴とし、マスキン
グブレード１０ａ又は１０ｂを移動させて位置検出用マ
ーク形成パターンを素子形成パターンと同時に露光する
際、ウェーハ上の他の素子領域への不必要な露光を防止
したことに特徴がある。なお、本実施例のレチクルカバ
ー７はマスキングブレード１０ｃ及び１゜ｄの移動方向
、即ち図中上下方向に対しても張出し部を設け、全体の
形状は＃型形状をしている。
０ａ〜１０ｂの移動方向に対し、位置検出用マーク形成
パターン８ａ及び８ｂの左右に、マスキングブレードの
移動量分の張出し部を設けたことを特徴とし、マスキン
グブレード１０ａ又は１０ｂを移動させて位置検出用マ
ーク形成パターンを素子形成パターンと同時に露光する
際、ウェーハ上の他の素子領域への不必要な露光を防止
したことに特徴がある。なお、本実施例のレチクルカバ
ー７はマスキングブレード１０ｃ及び１゜ｄの移動方向
、即ち図中上下方向に対しても張出し部を設け、全体の
形状は＃型形状をしている。
こうすることにより、図中上下方向にマークを形成し利
用することもできるようにしている。
用することもできるようにしている。
通常の素子パターン露光時において、マスキングブレー
ド１０ａ〜１０ｄのそれぞれのブレードは、同図（ａ）
のようにレチクルカバー７内に配置されている。
ド１０ａ〜１０ｄのそれぞれのブレードは、同図（ａ）
のようにレチクルカバー７内に配置されている。
同図（ｂ）は、位置検出用マーク露光時のマスキングブ
レード１０ａ〜１０ｄの状態を示す図である。マスキン
グブレード１０ａがレチクルカバー７の張出し部端まで
移動し位置検出用マーク形成パターン８ａをウェーハ上
に露光可能にしている。
レード１０ａ〜１０ｄの状態を示す図である。マスキン
グブレード１０ａがレチクルカバー７の張出し部端まで
移動し位置検出用マーク形成パターン８ａをウェーハ上
に露光可能にしている。
同図（Ｃ）は、マスキングブレード１０ａ〜１０ｄが同
図（ｂ）の状態で露光が行われたウェーハを示す図であ
る。
図（ｂ）の状態で露光が行われたウェーハを示す図であ
る。
素子領域２１に素子パターンが露光され、素子領域２１
間にスクライブライン４０が形成されている。素子領域
Ａの露光と同時に位置検出用マーク形成パターン８ａの
露光を行い、ウェーハ上に位置検出用マーク８０が形成
されている。
間にスクライブライン４０が形成されている。素子領域
Ａの露光と同時に位置検出用マーク形成パターン８ａの
露光を行い、ウェーハ上に位置検出用マーク８０が形成
されている。
Ａを含む斜線の領域は、レチクル１の素子形成パターン
２とスクライブライン形成パターン４で形成される領域
である。
２とスクライブライン形成パターン４で形成される領域
である。
位置検出用マーク８０を含む斜線の領域Ｂは位置検出用
マーク形成パターン８ａの露光を行うためにマスキング
ブレード１０ａを移動させたため露光された領域である
。即ち、マスキングブレード１０ａ及び張出し部を有す
るレチクルカバー７の外辺で囲まれた領域である。
マーク形成パターン８ａの露光を行うためにマスキング
ブレード１０ａを移動させたため露光された領域である
。即ち、マスキングブレード１０ａ及び張出し部を有す
るレチクルカバー７の外辺で囲まれた領域である。
このように、張出し部を有するレチクルカバー７を用い
ることにより、従来のレチクルカバー使用時に素子領域
Ｃ及びＤに生じていた、不必要な露光領域Ｂａ及びＢｂ
の発生を防止することができる。
ることにより、従来のレチクルカバー使用時に素子領域
Ｃ及びＤに生じていた、不必要な露光領域Ｂａ及びＢｂ
の発生を防止することができる。
また、必要最低限の面積の張出し部を有する＃型形状の
レチクルカバー７を設けたので、レチクルカバー７のク
ロム膜の無欠陥保障領域を最小限に抑えることができレ
チクル欠陥検査時間もそれ程増えないという利点がある
。
レチクルカバー７を設けたので、レチクルカバー７のク
ロム膜の無欠陥保障領域を最小限に抑えることができレ
チクル欠陥検査時間もそれ程増えないという利点がある
。
本発明の第２の実施例によるレチクルを第２図を用いて
説明する。
説明する。
同図（ａ）はポジ型レチクル及びマスキングブレードの
開口状態を示す図である。
開口状態を示す図である。
レチクル１の中央部に、素子形成パターン２及びスクラ
イブライン形成パターン４が形成されているのは第１の
実施例の場合と同様である。
イブライン形成パターン４が形成されているのは第１の
実施例の場合と同様である。
本実施例のレチクルカバー７は、マスキングブレード１
０ａ〜１０ｂの移動方向に対し、位置検出用マーク形成
パターン８ａ及び８ｂの左右に、マスキングブレードの
移動量分の張出し部を設けたことに特徴を有するのは第
１の実施例と同様である。しかしながら、本実施例のレ
チクルはポジ型レチクルであるため、レチクルカバーと
レチクルカバー外の領域のどちらにもクロム膜が塗布さ
れている。そこでレチクル帯スリット３’Ｏａ〜３０ｄ
及びレチクルカバー領域識別用スリット３１ａ〜３１０
を設け、レチクルカバー７の領域を明確にしている。
０ａ〜１０ｂの移動方向に対し、位置検出用マーク形成
パターン８ａ及び８ｂの左右に、マスキングブレードの
移動量分の張出し部を設けたことに特徴を有するのは第
１の実施例と同様である。しかしながら、本実施例のレ
チクルはポジ型レチクルであるため、レチクルカバーと
レチクルカバー外の領域のどちらにもクロム膜が塗布さ
れている。そこでレチクル帯スリット３’Ｏａ〜３０ｄ
及びレチクルカバー領域識別用スリット３１ａ〜３１０
を設け、レチクルカバー７の領域を明確にしている。
通常の素子パターン露光時において、マスキングブレー
ド１０ａ〜１０ｄのそれぞれのブレードは、同図（ａ）
のようにレチクルマスク７内に配置されている。
ド１０ａ〜１０ｄのそれぞれのブレードは、同図（ａ）
のようにレチクルマスク７内に配置されている。
同図（ｂ）は、マスキングブレード１０ａが位置検出用
マーク形成パターン８ａを露光できる開口状態の下でウ
ェーハ上に露光が行われた図である。
マーク形成パターン８ａを露光できる開口状態の下でウ
ェーハ上に露光が行われた図である。
素子領域２１に素子パターンが露光され、素子領域２１
間にスクライブライン４０が形成されている。素子領域
Ａの露光と同時に位置検出用マーク形成パターン８ａの
露光を行い、ウェーハ上に位置検出用マーク８０が形成
されている。
間にスクライブライン４０が形成されている。素子領域
Ａの露光と同時に位置検出用マーク形成パターン８ａの
露光を行い、ウェーハ上に位置検出用マーク８０が形成
されている。
Ａを含む斜線の領域は、レチクル１の素子形成パターン
２とスクライブライン形成パターン４で形成される領域
である。
２とスクライブライン形成パターン４で形成される領域
である。
領域Ｂは位置検出用マーク形成パターン８ａの露光を行
うためにマスキングブレード１０ａを開いた結果として
レチクル帯スリット３０ｂが露光された領域である。周
囲の素子領域Ｃ，Ｄ等に不必要な露光をするという問題
は生じていない。
うためにマスキングブレード１０ａを開いた結果として
レチクル帯スリット３０ｂが露光された領域である。周
囲の素子領域Ｃ，Ｄ等に不必要な露光をするという問題
は生じていない。
このように、張出し部を有するレチクルカバー７を用い
ることにより、従来のレチクルカバー使用時に素子領域
Ｃ及びＤに生じていた、不必要な露光領域Ｂａ、Ｂｂの
発生を防止することができる。また、レチクル帯スリッ
ト３０ａ〜３０ｄ及びレチクルカバー領域識別用スリッ
ト３１ａ〜３１０を設けたことにより、レチクル欠陥検
査領域が明確になり、レチクル欠陥検査に要する時間も
かからない。
ることにより、従来のレチクルカバー使用時に素子領域
Ｃ及びＤに生じていた、不必要な露光領域Ｂａ、Ｂｂの
発生を防止することができる。また、レチクル帯スリッ
ト３０ａ〜３０ｄ及びレチクルカバー領域識別用スリッ
ト３１ａ〜３１０を設けたことにより、レチクル欠陥検
査領域が明確になり、レチクル欠陥検査に要する時間も
かからない。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である。
例えば、位置検出用マーク形成パターンの代わりに素子
モニタ形成パターンを設けて、ウェーハ上の素子形成領
域外に素子モニタを形成してもよい ［発明の効果コ 以上の通り、本発明によれば、位置検出用マーり形成パ
ターンを素子形成パターンと同時に露光する際、ウェー
ハ上の他の素子領域への不必要な露光を防止することが
できるので、ウェーへ当りの有効素子の製造量を増加す
ることができる。
モニタ形成パターンを設けて、ウェーハ上の素子形成領
域外に素子モニタを形成してもよい ［発明の効果コ 以上の通り、本発明によれば、位置検出用マーり形成パ
ターンを素子形成パターンと同時に露光する際、ウェー
ハ上の他の素子領域への不必要な露光を防止することが
できるので、ウェーへ当りの有効素子の製造量を増加す
ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例によるレチクルを示す図
、 第２図は本発明の第２の実施例によるレチクルを示す図
、 第３図は従来のネガ型レチクルを示す図、第４図は従来
のポジ型レチクルを示す図である。 図において、 １・・・レチクル ２・・・素子形成パターン ４・・・スクライブライン形成パターン６・・・レチク
ルカバー ７・・・レチクルカバー ８ａ、８ｂ・・・位置検出用マーク形成パターン１０ａ
〜１０ｄ・・・マスキングブレード２１・・・素子領域 ３０・・・レチクル帯スリット ３０ａ〜３０ｄ・・・レチクル帯スリット３１ａ〜３１
ｏ・・・レチクルカバー領域識別用スリット ４０・・・スクライブライン領域 ８０・・・位置検出用マーク 出願人 富 士 通 株 式 会 社代理
人 弁理士 北 野 好 人ｉ −−−−ｉ、チ
クル ２−−ｍ−素子形成パターン ／：３０−一一一位石検出用フーク 」 し−一」 Ｌ−一」 Ｌ−ｍ−」 コロ−目−ニアｒ 心Ｈ−く
、 第２図は本発明の第２の実施例によるレチクルを示す図
、 第３図は従来のネガ型レチクルを示す図、第４図は従来
のポジ型レチクルを示す図である。 図において、 １・・・レチクル ２・・・素子形成パターン ４・・・スクライブライン形成パターン６・・・レチク
ルカバー ７・・・レチクルカバー ８ａ、８ｂ・・・位置検出用マーク形成パターン１０ａ
〜１０ｄ・・・マスキングブレード２１・・・素子領域 ３０・・・レチクル帯スリット ３０ａ〜３０ｄ・・・レチクル帯スリット３１ａ〜３１
ｏ・・・レチクルカバー領域識別用スリット ４０・・・スクライブライン領域 ８０・・・位置検出用マーク 出願人 富 士 通 株 式 会 社代理
人 弁理士 北 野 好 人ｉ −−−−ｉ、チ
クル ２−−ｍ−素子形成パターン ／：３０−一一一位石検出用フーク 」 し−一」 Ｌ−一」 Ｌ−ｍ−」 コロ−目−ニアｒ 心Ｈ−く
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェーハ上の素子領域に素子パターンを露光する素
子形成パターンと、前記素子形成パターン周囲に設けら
れ、露光装置の開口部の露光面積を決定するマスキング
ブレードの開口ずれによる光の洩れを防止するレチクル
カバーと、前記レチクルカバー外に設けられ、前記ウェ
ーハの位置合せ用の位置検出用マークを露光するための
位置検出用マーク形成パターンとを有するレチクルにお
いて、 前記レチクルカバーは、前記マスキングブレードの移動
方向に対し、前記位置検出用マーク形成パターンの左右
に前記マスキングブレードの移動量分の張出し部を有し
、前記マスキングブレードを移動させて前記位置検出用
マーク形成パターンを前記素子形成パターンと同時に露
光する際、前記レチクルカバーにより前記ウェーハ上の
他の素子領域への露光を防止したことを特徴とするレチ
クル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147896A JPH0440458A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147896A JPH0440458A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440458A true JPH0440458A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15440606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2147896A Pending JPH0440458A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0440458A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102445859A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种测试光刻机遮光挡板的方法 |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP2147896A patent/JPH0440458A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102445859A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种测试光刻机遮光挡板的方法 |
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