JPH0440837B2 - - Google Patents

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JPH0440837B2
JPH0440837B2 JP58014723A JP1472383A JPH0440837B2 JP H0440837 B2 JPH0440837 B2 JP H0440837B2 JP 58014723 A JP58014723 A JP 58014723A JP 1472383 A JP1472383 A JP 1472383A JP H0440837 B2 JPH0440837 B2 JP H0440837B2
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JP
Japan
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voltage
transformer
transistor
capacitor
winding
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JP58014723A
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JPS58223297A (ja
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Emu Hanretsuto Jatsukusu
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INTENTO PATENTO AG
Original Assignee
INTENTO PATENTO AG
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Publication date
Application filed by INTENTO PATENTO AG filed Critical INTENTO PATENTO AG
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Publication of JPH0440837B2 publication Critical patent/JPH0440837B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14Circuit arrangements
    • H05B41/26Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from DC by means of a converter, e.g. by high-voltage DC
    • H05B41/28Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from DC by means of a converter, e.g. by high-voltage DC using static converters
    • H05B41/282Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from DC by means of a converter, e.g. by high-voltage DC using static converters with semiconductor devices
    • H05B41/2821Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from DC by means of a converter, e.g. by high-voltage DC using static converters with semiconductor devices by means of a single-switch converter or a parallel push-pull converter in the final stage
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14Circuit arrangements
    • H05B41/36Controlling
    • H05B41/38Controlling the intensity of light
    • H05B41/39Controlling the intensity of light continuously
    • H05B41/392Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor

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  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) この発明は放電管の安定器に関し、特に電気エ
ネルギーを電磁スペクトルの可視バンド幅内に高
い効率で変換せしめる蛍光灯の安定器に関する。
更に詳細には、この発明は蛍光灯用安定器をトラ
ンジスタ化しようとするものであり、シングルモ
ード及びデユアルモード操作型蛍光灯用の改良さ
れたトランジスタ化安定器に係るものである。
(背景技術) 放電管、蛍光管用の安定器が従来技術において
よく知られている。単一の蛍光管及び複数の蛍光
管用の安定器も従来技術において知られている。
しかしながら多くの従来の安定器にあつては、回
路中に含まれる電気部品の数がかなり大きいこと
が知られている。このような多数の電気部品は安
定器の体積を比較的大きなものにする。このよう
に大きな体積になる理由の一つは、多数の電気部
品に加えて、多数の電気部品を使用する際の大き
い熱消費率に起因する不都合な熱効果による熱発
散のために使用される新たな電気部品の使用によ
る。
別のタイプの従来の安定器は一般にかなり低い
周波数で動作し、動作効率が低く、ほぼ同じ電力
入力に対してこの発明の安定器の約半分の可視光
しか得られない。
別のタイプの安定器として、特開昭55−
111674、特開昭56−107497、特開昭56−14692が
知られているが、これらはトランスの1次巻線と
2次巻線の巻線比により点燈に必要な高電圧を発
生させると共に、点燈後は低圧のランプ電圧を提
供するためにバラストにより電圧降下を行なわせ
るので、トランス及びバラストが大きく、かつ、
重量が重いと言う欠点を有する。
(発明の目的) 本発明は従来の技術の上記欠点を改善した安定
器を提供することを目的とする。
この発明の別の目的は、ある限定された体積内
における熱損失を低減させるために最小数の電気
部品でもつてトランジスタ化された安定器を提供
することにある。
この発明の更に別の目的は、低コストで取り扱
え、製造費用及び製造に付随する諸費用を最小に
できる、改良されたトランジスタ化安定器を提供
することにある。
この発明の更に別の目的はDC−ACインバータ
回路を用いて複数のランプを作動させる安定器を
提供し、この場合DC−ACインバータ回路は別々
の複数のインバータ変換器を用いることにより動
作トランジスタに加わるサージを防止し、磁気カ
ツプリングを最小にするような安定器を提供する
ことにある。
この発明の更に別の目的は、安定器から1つの
蛍光源を取除いたときに更にエネルギーを消費し
ないようにする安定器を提供することにある。
この発明の更に別の目的は、トランスをオート
トランス構成とし、誘起電圧が負荷電流に対応し
て自動調節されることにより、電子式自動バラス
トによる安定器を提供することにある。
(発明の効果) この発明はユニークな回路を用いたシングルモ
ードの蛍光灯用安定器を提供することができ、こ
の場合放電管は該回路中に、可視光を発するとと
もに、トランジスタが“オフ”モードとなり電流
がしや断されたときに変圧器の1次巻線に発生す
る振動を低減するごとく組込まれる。
この発明においては、一対の放電管のうちの少
なくとも一方のための安定器を電源に接続させ
た。そして各放電管は第1及び第2のフイラメン
トを有する。当該安定器は電源と接続される第1
の変圧機構を含み、該第1の変圧機構は振動信号
を形成するための一次巻線及び二次巻線を具備す
る。振動信号に応じて電流信号を切換えるために
第1の変圧機構とフイードバツク接続される第1
及び第2のトランジスタを当該安定器は含んでい
る。当該安定器は、更に、第1及び第2のインバ
ータ変圧器を具備しており、各インバータ変圧器
は電流信号に応じて誘起電圧信号を発生させるた
めのタツプの設けられた巻線を有している。各イ
ンバータ変圧器はまた一対の二次巻線を有してい
る。誘導電圧信号を放電管の第1のフイラメント
に放電するため第1及び第2の結合コンデンサが
インバータ変換器のタツプの設けられた巻線と放
電管の第1のフイラメントに接続される。第1及
び第2の容量同調手段が、インバータ変換器に発
生する信号パルスの発振周波数とデユーテイ係数
を変化させるためにインバータ変換器のタツプの
設けられた巻線と二次巻線に接続される。
(発明の構成及び作用) 以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。
第1図において、安定器200は一対の放電管
202,202′のうちの少なくとも一つを作動
する電源204に接続されている。放電管20
2,202′は第1のフイラメント206,20
8及び第2のフイラメント206,208′をそ
れぞれ含んでいる。放電管202,202′は前
述したような蛍光形ランプであつてよい。電源2
04は安定器200に電力を供給する。電源は
120V、240V、277Vもしくはあらゆる規格化され
た許容供給電圧の交流電源であつてよい。一般に
は電源204は直流電源であつて、後述するよう
な種々のブリツジ回路部品及びフイルター回路部
品を除いた状態で周知の方法により安定器200
内に直接適用される。
安定器200に対する電力は、電源204より
単極形のシングルスロースイツチ機構であるスイ
ツチ214を介して供給される。電力は電力線2
16を介して通常の全波ブリツジ回路218に入
力する。図中明示されるごとく、全波ブリツジ回
路218は、電力線216の途中に挿入された電
源204からの交流電圧の整流を行なうダイオー
ド220,222,224,226より構成され
る。全波ブリツジ回路218内に設けられたダイ
オード220,222,224,226は、脈動
直流電圧信号を供給し、この脈動信号はフイルタ
ーコンデンサ228によりろ波される。フイルタ
ーコンデンサ228はこの脈動信号を平均化し、
平滑な信号を出力する。全波ブリツジ回路218
を構成するダイオード220,222,224,
226はIN4005と表示される市販のダイオード
であつてよい。全波ブリツジ回路218の一端は
接地点230に接続され、他端はライン232を
介してシステム200に直流電力を供給してい
る。フイルターコンデンサ228は電力入力線2
32と接続され、直流信号駆動システム200の
3波を行なつている。フイルターコンデンサ22
8は市販の200μF、450Vのコンデンサである。
電力入力線232を通過する電圧信号は抵抗2
34に入力され、次いで第1の変圧器238のセ
ンタータツプライン236を通過する。変圧器2
38は、一次巻線240と、センタータツプライ
ン236によりセンタータツプが設けられた二次
巻線242を有している。このように変圧器23
8は電源204と接続されており、安定器200
のための振動信号を形成する一次巻線240及び
二次巻線242を含んでいることが明らかであ
る。二次巻線242はセンタータツプ点に対して
反対の極性の振動信号を形成するためにセンター
タツプライン236によつてセンタータツプされ
ている。抵抗234は単なる電流制限用抵抗素子
であり、例えば約200000Ωの値の抵抗素子であつ
てよい。コンデンサ244は一端が接地点230
に接続され、他端がセンタータツプライン236
に接続される。コンデンサ244は、その位置に
て接地点230に対する交流基準を提供し、単な
る交流結合コンデンサである。本質的には、この
回路は、スイツチ214を閉じたとき安定器20
0の動作を開始させるためのものである。
コンデンサ244は接地点230に対する交流
基準を与え、抵抗234と関連して放電管202
または202′の点灯の際に数秒のオーダーの時
間遅延を与える。この遅延時間中にコンデンサ2
44は指数関数的に充電を行ない、変圧器23
8,210または212内に発生する電圧パルス
の振幅をほぼ指数関数的に増加させ、もつて放電
管202または202′が放電を開始するまでの
間、フイラメント206,208または206′,
208′を前記指数関数に従つて徐々に加熱させ、
放電管202,202′の寿命を改善する効果を
有する。第1のパルスに次いで、振動信号が形成
され、コンデンサ244は交流信号に関して接地
点230に対する基準としてのみ作用する。なお
コンデンサ244の両端間の直流電位は無視でき
る。
変圧器238は更に所定の抵抗値を有する抵抗
246を含んでいて、この抵抗246は振動信号
の所定の周波数値を確立するために変圧器238
の一次巻線240に直列に接続されている。抵抗
246については後に安定器200の全般の説明
をするときに詳細に述べる。なお、一次巻線24
0は巻数が172であり、第1の変圧器238は安
定器200及び放電管202,202′の動作時
に飽和モードにて作動するようなフエライトコア
形変圧器であつてよい。
安定器200は、更に、第1の変圧器238に
フイードバツク接続されかつ形成される振動信号
に応じて電流信号のスイツチングを行なう第1及
び第2のトランジスタ回路252,254を具備
している。センタータツプの設けられた二次巻線
242にて電流が分配され、ライン248,25
0をそれぞれ流れる。第1及び第2のトランジス
タ回路252,254はそれぞれ第1及び第2の
トランジスタ256,258を有している。第1
のトランジスタ256はベース260、エミツタ
264、コレクタ266を有している。第2のト
ランジスタ258はベース262、エミツタ26
8、コレクタ270を有している。第1及び第2
のトランジスタ256,258は例えば市販の
NPN形のものであつてよい。
ライン248及び250を流れる電流は、それ
ぞれ第1及び第2のトランジスタ256,258
のベース260,262に供給される。第1及び
第2のトランジスタ256及び258のうちの一
方は他方に比べてゲインが若干高くなり導通状態
となる。第1のトランジスタ256と第2のトラ
ンジスタ258のどちらか一方が導通状態になつ
たとき、その一方が導通状態あるいは“オン”状
態となつている所定期間中、他方のトランジスタ
は非導通状態に保持される。例えば、第2のトラ
ンジスタ258が導通状態になつたとすると、そ
のコレクタ270の約1.0V以下の電圧レベルが
エミツタ268の近傍にもたらされる。回路図か
ら分かるように、エミツタ268は接地点230
に接続されているので、コレクタ270が接地点
230と接続されることになる。同様にして、第
1のトランジスタ256のエミツタ264は接地
点230と接続されており、導通状態の間、コレ
クタ266も接地点230に接続されることにな
る。ライン232からの電流は第1及び第2のイ
ンバータ変圧器(オートトランス)210,21
2に供給される。第1及び第2のトランジスタ2
56,258のコレクタ266,270は、それ
ぞれオフセンタータツプライン272,274を
介して第1及び第2のインバータ変圧器210,
212に接続される。エミツタ264,268は
実質的に接地点230と接続され、ベース26
0,262は変圧器238の二次巻線242に接
続される。
トランジスタ258が導通状態となつたときに
は、コレクタ270がほぼ接地電位となり、電流
は電源線232から、トランジスタ210のタツ
プ付き巻線300、タツプ272、線320、ト
ランス238の1次巻線240、トランジスタ2
58のコレクタ270を介して、接地点230に
流れる。コレクタ266からの電流はライン32
0、抵抗246、ライン278を通り第1の変圧
器238の一次巻線240に供給される。抵抗2
46は振動の発生する周波数を定め制御する。周
波数の制御は、ライン278、一次巻線240、
コレクタライン276を通り、第2のトランジス
タ258のコレクタ270及びエミツタ268に
達し、最終的には接地点230に達する。ダイオ
ード280,282は市販のIN156形のものであ
つてよく、ベース262,260に生じるあらゆ
る負のパルスに対する接地点230への径路を提
供し、トランジスタ258,256のベース・エ
ミツタ接合の電圧保護を行なつている。
電流がトランジスタ256のコレクタ266か
ら第1の変圧器238の一次巻線240を通つて
ライン276を流れ、トランジスタ258のコレ
クタ270に供給されるとき、変圧器238は、
二次巻線242の極性が第2のトランジスタ25
8のベース262に正の信号を供給するように巻
装されている。トランジスタ回路252及び25
4は可変抵抗284及び286をそれぞれ具備し
ており、それらの一端部はそれぞれベース26
0,262に接続され、他端部はそれぞれ第1の
変圧器238の二次巻線242にされている。可
変抵抗284,286はそこを通過する振動信号
の振幅値を制御する。既に述べたように、ダイオ
ード282,280は、それぞれベース260,
262と並列に接続されるとともに、エミツタ2
64,268とも並列に接続されている。図面か
ら分かるように、ダイオード282,280は、
ベース260,264及びエミツタ262,26
8の接合の極性と反対の極性を有している。
更に、第1及び第2のトランジスタ256,2
58の各コレクタ266,270は、それぞれ第
1の変圧器238の一次巻線240に接続される
とともに、インバータ変圧器210,212のタ
ツプの設けられた一次巻線にそれぞれ接続されて
いる。
安定器200は、更に、第1及び第2のインバ
ータ変圧器210,212を具備しており、各イ
ンバータ変圧器210,212は入力する電流信
号の変化に応じた誘導電圧信号を形成するための
タツプの設けられた巻線(以下タツプ巻線と称す
る)288,290をそれぞれ有している。また
インバータ変圧器210,212はそれぞれ二次
巻線292,294及び296,298を有して
いる。第1図から分かるように、インバータ変圧
器210と212は別々のものであり互いに離間
して設けられている。インバータ変圧器210と
212を別々にかつ離間して設けるこの技術は従
来技術にはなく、非常に重要である。何故なら
ば、インバータ変圧器210と212を別々に設
けることにより、各変圧器210,212の各巻
線間の磁気カツプリングを取除くことができ、ト
ランジスタが同時に“オン”状態になり導通状態
が重複してしまう可能性を最小化することができ
るからである。2つのトランジスタが同時にオン
になるとインバータ変圧器210,212の巻線
中に高いレベルの電圧が発生するが、本発明はこ
れを最小化することができる。更に、インバータ
変圧器210,212のタツプ巻線288,29
0は単巻変圧器構成となるように分岐される。タ
ツプライン272,274はそれぞれ巻線28
8,290のオフセンタータツプラインである。
このように、タツプ巻線288,290はそれ
ぞれライン272,274により分岐され、各タ
ツプ巻線288,290について一次巻線部分3
00,302及び二次巻線部分304,306が
それぞれ形成される。従つて実際には、インバー
タ変圧器210,212はそれぞれ3つの二次巻
線292,294,304及び296,298,
306を有するとともに、一次巻線部分300及
び302をそれぞれ有している。このように、タ
ツプ巻線288,290は、第3の二次巻線30
4,306と直列になるごとく接続された一次巻
線300,302を与えるように分岐される。こ
のタイプの構成では、一次巻線部分300,30
2の電圧は第3の二次巻線304,306の二次
電圧及び電流にそれぞれ加えられる。インバータ
変圧器212では、電流は一次巻線部分302を
介して、導通状態にあるトランジスタ258のコ
レクター270に流れる。スイツチングが行なわ
れたときには、トランジスタ258が非導通モー
ドとなり、その結果電流の急激な変化が起こり、
一次巻線部分302に約400.0V、二次巻線部分
306に約200.0Vの高電圧が発生し、これらの
高電圧は互いに加算されて、この加算された電圧
は第2の結合コンデンサ310に出現する。
第1及び第2の結合コンデンサ308,310
は、第1及び第2のインバータ変圧器210,2
12のタツプ巻線288,290にそれぞれ接続
されるとともに、放電管202,202′の第1
のフイラメント206,206′にそれぞれ接続
されて第1のフイラメント206,206′に誘
導電圧信号を放出する。そして第3の二次巻線3
04,306は第1及び第2の結合コンデンサ3
08,310とそれぞれ直列に接続され、一次巻
線部分300,302及び第3の二次巻線30
4,306の誘導電圧の合計が第1及び第2の結
合コンデンサ308,310内に蓄積される。
一例として、第1の変圧器238は一次巻線2
40にNo.28のワイヤを172巻、センタータツプラ
イン236の両側にNo.26のワイヤを2.5巻したも
のを有している。変圧器238は
Ferroxcube2213LO3C8を表示される市販のコア
から構成される。また第1及び第2のインバータ
変圧器210,212はそれぞれNo.26のワイヤを
182巻したタツプ巻線288,290を有してい
る。タツプ巻線288,290は、それぞれ、
122巻のタツプ部分300,302と60巻のタツ
プ部分304,306を有している。巻線29
2,294,296,298はそれぞれNo.26のワ
イヤを2巻して構成される。インバータ変圧器2
10,212はFerroxcube2616PA1703C8と表
示される市販のコアに巻線を施したものより構成
されてよい。
安定器200は、更に第1の同調コンデンサ3
12と第2の同調コンデンサ314を有する第1
の容量同調回路、及び第1の同調コンデンサ31
6と第2の同調コンデンサ318を有する第2の
容量同調回路を含んでいる。第1の容量同調回路
を構成するコンデンサ312,314は、それぞ
れ第1のインバータ変圧器210の巻線292,
294及びタツプ巻線288に接続される。第2
の容量同調回路のコンデンサ316はインバータ
変圧器212の二次巻線298と296の間に接
続され、コンデンサ318はタツプ巻線290に
接続される。このような接続により、放電燈が外
されたときの共振周波数の変更及びインバータ変
圧器210,212内に発生する信号パルスのデ
ユーテイ係数(オン/オフ比)の変更が可能とな
る。またシステム200より放電管202,20
2′のうちの少なくとも1つを取除いた場合に第
1及び第2のトランジスタ256,258に印加
される破壊的電圧信号の発生を防止することがで
きる。
第1のインバータ変圧器210の二次巻線29
2,294はそれぞれ放電管202のフイラメン
ト206,208の加熱のために使用される。同
様に、第2のインバータ変圧器212の二次巻線
296,298はそれぞれ放電管202′のフイ
ラメント206′,208′の加熱のため使用され
る。
第1の容量同調回路において、第1の同調コン
デンサ312は放電管202の第1及び第2のフ
イラメント206,208の間に接続される。そ
して第2の同調コンデンサ314もインバータ変
圧器210のタツプ巻線288と並列に接続され
る。同様に、第2の容量同調回路において、第1
のコンデンサ316は放電管202′のフイラメ
ント206′,208′に並列に接続される。そし
て第2の同銚コンデンサ318は第2のインバー
タ変圧器212のタツプ巻線290と並列に接続
される。
第1の同調コンデンサ312,316は、放電
管202,202′のうちの一方をシステムから
電気的に切断したときにトランジスタ256,2
58のうちの少なくとも一方の導通状態の時間間
隔をその非導導通状態の時間間隔に比べて増加さ
せるような所定の容量値をそれぞれ有する。
トランジスタ258が非導通状態になつたと仮
定すると、第2の結合コンデンサ310には高電
圧の入力が現われ、コンデンサ310は約
600.0Vの電圧レベルにほぼ等しい電圧レベルま
で充電される。しかし、トランジスタ258が導
通モードになる前に、誘導電圧は減少し、電圧が
コンデンサ310が充電される前の電圧以下に降
下したとき、コンデンサ310はシステムに対し
て負の電圧源となる。トランジスタ258が非導
通状態から導通状態になつたとき、電流のサージ
が変圧器238の一次巻線240を流れ、二次巻
線242中に二次電圧を発生させる。変圧器23
8は飽和期間が短くなるように設計されており、
二次巻線242の電圧は制限され、トランジスタ
258を導通状態に保持するために電流がライン
250及び可変抵抗286を介してトランジスタ
258のベース262に供給される。しかし、一
度電流のサージが定常状態の値になると、第1の
変圧器238はもはや二次電圧を発生しなくな
り、ベース電流はほぼ0まで降下し、トランジス
タ258が非導通モードとなる。
一次巻線240の電流変化は二次電圧を発生さ
せ、この二次電圧によりトランジスタ256が導
通モードとなる。同様にトランジスタ256は電
流のサージをライン320上に形成し、このサー
ジが定常値になるまでトランジスタ256を導通
モードに保持する二次電圧を再び発生させ、そし
てトランジスタ256が非導通モードとなる。こ
のようなサイクルがトランジスタ256と258
の間で繰返される。サイクルが起こる周波数は、
変圧器238の一次巻線240のインダクタンス
及び抵抗246に依存する。
上記のサイクル周波数は変圧器238の一次巻
線240の巻数及び変圧器238のコアの断面積
の関数である。半周期がこのインダクタンス及び
一次巻線240の電圧の関数となる。一次巻線2
40の電圧は、“オフ”状態のトランジスタのコ
レクタ電圧から、抵抗246の両端間の電圧降下
及び“オン”状態のトランジスタのコレクタ・エ
ミツタ接合の電圧降下を差引いたものに等しい。
そして2つのトランジスタが“オン”状態にある
ときの各コレクタ・エミツタ接合の電圧降下は互
いに同じではないので、サイクル周波数をなす各
半周期も等しくない。
既に言及したように、安定器200には安全機
構が含まれている。従来の方式では、放電管20
2または202′の一方がシステムから取除かれ
たとき、単巻変圧器210,212は極端に高い
電圧を発生し、トランジスタ256または258
に損傷を与え、かつ、破壊する。そこで放電管2
02,202′を取除いたときの負荷を保持する
ために、0.005μFである第1の同調コンデンサ3
12を、フイラメント206,208及び二次巻
線292,294の間に接続する。このようにし
て第1の同調コンデンサ312は、放電管を除い
たとき、コンデンサ312がない場合に比べてデ
ユーテイ係数の大きさが増加するようにLC回路
網全体の時定数に対して十分な時間変化を与え
る。その結果、トランジスタ256に加わる電圧
をかなり低くする。同様の概念が第2のトランジ
スタ258に対する第2の同調回路の第1の同調
コンデンサ316に適用できることは明らかであ
る。第2の同調コンデンサ314は0.006μFのコ
ンデンサであり、インバータ変圧器210の巻線
288の一次巻線部分300と並列に接続され
る。同様の概念が第2の同調回路のコンデンサ3
18に適用される。第2の同調コンデンサは、放
電管202,202′のうちの1つがシステムか
ら取除かれたときに、全システム200のデユー
テイ係数の決定回路網の一部となる。
一次巻線300,302のインダクタンス値及
び第2の同調コンデンサの内量値は、それらの共
振周波数がほぼサイクル周波数(パルス波形の周
期の逆数)に等しくなるように選択される。点灯
された放電管202,202′のリアクタンスと
比較すると第1の同調コンデンサ312,316
の容量リアクタンスは大きいので、これらのコン
デンサ312,316は共振周波数に影響しな
い。放電管202,202′の小さい抵抗は一次
巻線300,302に反映し、一次巻線300,
302の誘起電圧を低下させる。
放電管202,202′を取除いたとき、素子
304,312または306,316の直列共振
は対応する同調素子300,314または30
2,318と並列関係にあり、放電管が回路中に
あるときに発生する共振周波数と反対の方向に回
路素子の共振周波数を増加させる、トランジスタ
がオフの時間を短くする。
第2図は定常状態における各部の動作波形を示
す。
第2図Aは第2の単巻変圧器212の一次巻線
302の中心タツプ274の誘起電圧(トランジ
スタ258のコレクタ270の電圧)を示し、3
50で示すごとく、時刻t0〜t3の間電圧が発生
し、この電圧は巻線306にフライバツク電圧を
発生させる。t3〜t4の間は、線352で示すごと
く、第2のトランジスタ258がオンとなりコレ
クターエミツタ間電圧と共にほぼ0となる。
同様に第2図Bは第1の単巻変圧器210の一
次巻線300の中心タツプ272の誘起電圧を示
す。時刻t2〜t5の間信号356で示すごとく電圧
が発生し、時刻t1〜t2の間の電圧354は、第1
のトランジスタ256がオンとなるのでほぼ0と
なる。
第2図Cは第1のトランジスタ256のベース
260の電圧(これは第1の変圧器238の巻線
242の電圧に等しい)で、トランジスタ256
がオンとなるt1〜t2の間は信号線358で示すご
とく、約+0.8Vであり、トランジスタ256が
オフとなるt2〜t5の間は信号線360で示すごと
く、約−0.8Vである。
第2図Dは巻線300と304の電圧の和を示
し、オートトランスの作用及びフライバツク作用
により線364に示すごとくピーク電圧は約
640Vであり、第1のトランジスタがオンである
t1〜t2の間の電圧は、線362で示すごとくほぼ
0である。
第2図Eは第1図のコンデンサ308とフイラ
メント206の結合点の電圧波形で、放電管20
2の管電圧である。時刻t2に、第1の単巻変圧器
210の電圧が上昇を始めるにつれて第2図Dの
波形と共に上昇し、線368で示すごとく、時刻
t3にはピークで約200Vに上昇し、コンデンサ3
08が充電される。放電燈が点燈すると、コンデ
ンサ308は放電し、電圧は時刻t3から減少に転
ずる。誘起電圧の降下及びコンデンサの放電によ
り電圧は減少し0となる。誘起電圧が更に降下す
ると、結合コンデンサ308は線370で示すご
とく放電管202に対する負の電圧源となる。コ
ンデンサは、トランジスタ256がオンとなつて
電圧が0となる時刻t5を越えて、放電管にエネル
ギーを供給する。コンデンサが完全に放電する
と、線366で示すごとく、管202の電圧は0
となり、次のサイクルが始めるまでの約25μSの
間そのレベルが保たれる。従つてこのコンデンサ
は放電燈の電流を制限するバラストの作用をす
る。
第2図Fは管202が除去されたときの第1の
単巻変圧器の一次巻線300の中心タツプ272
の電圧波形を示す。線372で示すごとく、第1
のトランジスタ256がオンである期間が第2図
Bの場合に比べて増加する。この様なパルスのデ
ユーテイフアクタの増加は第1及び第2の同調コ
ンデンサ312及び314の作用であつて、パル
ス波形の半周期の時間が変化するためである。パ
ルス波形の周期は第1の変圧器238と抵抗24
6の関数で放電管の有無にかかわらず一定である
ので、誘起電圧の存在する期間は約31μSから約
25μSに減少し、振幅は、線374で示すごとく、
440Vから625Vに増加する。仮に半周期の時間を
シフトさせる同調コンデンサ312,314,3
16,318が無ければ、誘起電圧はもつと高く
なり、トランジスタ256,258を破壊するこ
ととなる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の複数の放電管用安定器の回
路図、第2図は第1図の回路の各部動作波形を示
す。 200…安定器、202,202′…放電管、
204…電源、210,212…インバータ変圧
器、238…変圧器、252,254…トランジ
スタ回路、308,310,312,314,3
16,318…コンデンサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1及び第2のフイラメントを有する一対の
    放電管に対する、次の構成を有することを特徴と
    する安定器; (a) 振動信号を形成するための1次巻線と2次巻
    線を具備し、スイツチング手段を介して直流電
    源に接続される第1の変圧手段238、 (b) 前記振動信号に応じて所定の変化率で電流信
    号を切換えるために前記第1の変圧手段にフイ
    ードバツク接続され、前記スイツチング手段を
    構成する第1及び第2のトランジスタ回路25
    2,254、 (c) 前記電流信号の前記変化率に応じて、電流の
    急激な遮断により誘起されるフライバツク電圧
    を確立するタツプ付き巻線と、放電管の2つの
    フイラメントに接続される一対の2次巻線を有
    し、タツプ付き巻線が対応するトランジスタ回
    路252,254を介して前記直流電源に接続
    される、第1及び第2の単巻変圧器210,2
    12、 (d) 前記第1及び第2の単巻変圧器のタツプ付き
    巻線と、前記放電管の第1のフラメントとに接
    続され、前記誘起フライバツク電圧を第1のフ
    イラメントに放電するための、第1及び第2の
    結合コンデンサ308,320、 (e) 各単巻変圧器に発生する信号パルスのデユー
    テイ係数を調節する、前記一対の放電管のうち
    の少なくとも一方の前記第1及び第2のフイラ
    メントの間に接続される第1の同調コンデン
    サ、及び、前記単巻変圧器のうちの少なくとも
    一方の前記タツプが設けられた巻線に並列に接
    続される第2の同調コンデンサ。
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Families Citing this family (400)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4675577A (en) * 1985-04-15 1987-06-23 Intent Patents A.G. Electrodeless fluorescent lighting system
KR930004412B1 (ko) * 1988-05-13 1993-05-27 한림전자기업 주식회사 형광램프의 전자식 안정기
US4952847A (en) * 1989-06-05 1990-08-28 Lin Tieng Fu Stable ignition means for fluorescent lamp or the like
US5130611A (en) * 1991-01-16 1992-07-14 Intent Patents A.G. Universal electronic ballast system
DE4123187A1 (de) * 1991-07-12 1993-01-14 Tridonic Bauelemente Vorschaltgeraet zum pulsbetrieb von gasentladungslampen
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US8742668B2 (en) * 2012-09-05 2014-06-03 Asm Ip Holdings B.V. Method for stabilizing plasma ignition
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
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TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 薄膜沉積製程
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KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
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KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3247422A (en) * 1961-06-01 1966-04-19 Gen Electric Transistor inverter ballasting circuit
US3396307A (en) * 1967-04-17 1968-08-06 Gen Electric Transistor inverter lamp ballasting circuit
US3579026A (en) * 1969-01-02 1971-05-18 Sylvania Electric Prod Lamp ballast
US3766467A (en) * 1972-01-12 1973-10-16 Gen Electric Inverter - oscillator
US3769545A (en) * 1972-05-25 1973-10-30 Kodan Inc Circuit arrangement for operating electric arc discharge devices
US3882354A (en) * 1973-07-23 1975-05-06 Coleman Company Inverter ballast circuit for fluorescent lamp
JPS5324173U (ja) * 1976-08-09 1978-03-01
JPS55111674A (en) * 1979-02-17 1980-08-28 Toshiba Electric Equip Corp Transistor inverter
JPS5614569A (en) * 1979-07-12 1981-02-12 Pilot Ink Co Ltd Aqueous ink
JPS5911200B2 (ja) * 1980-01-31 1984-03-14 松下電工株式会社 逐次始動型インバ−タ式放電灯点灯装置

Also Published As

Publication number Publication date
AU4812185A (en) 1986-01-23
US4414492A (en) 1983-11-08
ZA83100B (en) 1984-02-29
AU562980B2 (en) 1987-06-25
PH23811A (en) 1989-11-23
GR72540B (ja) 1983-11-17
JPS58223297A (ja) 1983-12-24
GT198302390A (es) 1984-11-21

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