JPH0441353B2 - - Google Patents
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- JPH0441353B2 JPH0441353B2 JP58109445A JP10944583A JPH0441353B2 JP H0441353 B2 JPH0441353 B2 JP H0441353B2 JP 58109445 A JP58109445 A JP 58109445A JP 10944583 A JP10944583 A JP 10944583A JP H0441353 B2 JPH0441353 B2 JP H0441353B2
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/28—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using luminous gas-discharge panels, e.g. plasma panels
- G09G3/288—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using luminous gas-discharge panels, e.g. plasma panels using AC panels
- G09G3/296—Driving circuits for producing the waveforms applied to the driving electrodes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はAC（交流）プラズマ・ガス・デイスプ
レイ・パネルのための選択及び保持機能を低電圧
のIC（集積回路）技術によつて一個のICに形成す
ることに関する。
レイ・パネルのための選択及び保持機能を低電圧
のIC（集積回路）技術によつて一個のICに形成す
ることに関する。
従来のACプラズマ・デイスプレイ・ガス・パ
ネル（以下単にパネルとも記す）の動作技術の一
つは書込／消去（以下Ｗ／Ｅと記す）信号を保持
信号の上で浮動させていた。この場合、Ｗ／Ｅ信
号は保持信号によつて電気的な基準を得ており、
これは高電圧高電流のバツクグラウンド回路から
なつていた。このバツクグラウンド回路の欠点と
して、保持回路で作りすべての駆動ラインに送ら
れる高電力で高ピーク電流であることがあげられ
る。このような高電圧回路のパツケージングは
ICパツケージ技術の先端に類しコスト高である。
更にこれら動作技術の大部分は選択と保持の両機
能を行なうのに別々の回路を用いている。これら
を一つのICにまとめた場合でも、機能上は別々
に分けていた。この分離は主として電力需要が原
因である。選択と保持に別々の部分にある別々の
回路を用いる従来の技術の主な欠点は、高コス
ト、高い保持電流、付加的なバツクグラウンド回
路、別々になつた回路とパネルとの間の寄生イン
ダクタンスによるガス・パネル動作の機能低下等
である。又、基本的欠点は、バツクグラウンド保
持回路を高電圧高電流パツケージで作る点で、こ
れはコスト高になる。
ネル（以下単にパネルとも記す）の動作技術の一
つは書込／消去（以下Ｗ／Ｅと記す）信号を保持
信号の上で浮動させていた。この場合、Ｗ／Ｅ信
号は保持信号によつて電気的な基準を得ており、
これは高電圧高電流のバツクグラウンド回路から
なつていた。このバツクグラウンド回路の欠点と
して、保持回路で作りすべての駆動ラインに送ら
れる高電力で高ピーク電流であることがあげられ
る。このような高電圧回路のパツケージングは
ICパツケージ技術の先端に類しコスト高である。
更にこれら動作技術の大部分は選択と保持の両機
能を行なうのに別々の回路を用いている。これら
を一つのICにまとめた場合でも、機能上は別々
に分けていた。この分離は主として電力需要が原
因である。選択と保持に別々の部分にある別々の
回路を用いる従来の技術の主な欠点は、高コス
ト、高い保持電流、付加的なバツクグラウンド回
路、別々になつた回路とパネルとの間の寄生イン
ダクタンスによるガス・パネル動作の機能低下等
である。又、基本的欠点は、バツクグラウンド保
持回路を高電圧高電流パツケージで作る点で、こ
れはコスト高になる。
本発明は、保持信号Ｗ／Ｅ信号上にて浮動さ
せ、又保持信号を選択スイツチの制御下に選択的
に加えるようにする技術を用いて先行技術におけ
るこれらの欠点を克服する。保持、書込、選択の
機能は、低電圧のIC技術によるパツケージング
を許すセルステン（SELSTAIN）機能に集約さ
れている。
せ、又保持信号を選択スイツチの制御下に選択的
に加えるようにする技術を用いて先行技術におけ
るこれらの欠点を克服する。保持、書込、選択の
機能は、低電圧のIC技術によるパツケージング
を許すセルステン（SELSTAIN）機能に集約さ
れている。
本発明のこのセルステン回路は、Ｗ／Ｅ信号又
はこれと保持信号の合計を選択されたガス・パネ
ル水平方向ラインに加え、垂直ラインには保持又
は接地電圧を加えることにより、機能上では保持
と選択の両方を結合した回路である。Ｗ／Ｅスイ
ツチがＷ／Ｅ信号源を選択的に水平セルステン回
路につなぎ、保持スイツチが接地電位を水平セル
ステン回路に選択的に接続する。保持信号源、
Ｗ／Ｅスイツチ、保持スイツチ、水平セルステン
回路に接続されたキヤパシタが電圧貯蔵装置とし
て働らく。ガス・パネルは1000本ずつの駆動ライ
ンを有することがあるので、一つのICにこの回
路を一つ以上包含させることもできる。電圧レベ
ルをICが耐えられる程度に下げる本発明の回路
構成により、低電圧IC技術によりこの装置を形
成できる。更に本発明では、先行技術とは逆に
Ｗ／Ｅ信号の上に保持電圧を浮動させる。
はこれと保持信号の合計を選択されたガス・パネ
ル水平方向ラインに加え、垂直ラインには保持又
は接地電圧を加えることにより、機能上では保持
と選択の両方を結合した回路である。Ｗ／Ｅスイ
ツチがＷ／Ｅ信号源を選択的に水平セルステン回
路につなぎ、保持スイツチが接地電位を水平セル
ステン回路に選択的に接続する。保持信号源、
Ｗ／Ｅスイツチ、保持スイツチ、水平セルステン
回路に接続されたキヤパシタが電圧貯蔵装置とし
て働らく。ガス・パネルは1000本ずつの駆動ライ
ンを有することがあるので、一つのICにこの回
路を一つ以上包含させることもできる。電圧レベ
ルをICが耐えられる程度に下げる本発明の回路
構成により、低電圧IC技術によりこの装置を形
成できる。更に本発明では、先行技術とは逆に
Ｗ／Ｅ信号の上に保持電圧を浮動させる。
第１図は、現在のガス・パネルに用いられる技
術における配線形態の一つである。説明簡潔化の
ため、機械的スイツチを用いているが、実際には
低電圧IC回路パツケージに適するFET等の電子
的スイツチを使用できる。又、ここに示す電圧は
すべてゼロからピーク迄の電圧レベルをいう。水
平選択回路１は１対のスイツチ２，３を、パネル
２５に行く水平ライン１７のために備えている。
スイツチ２は水平上方スイツチ、スイツチ３は水
平下方クリーニングとする。又、スイツチ２は抵
抗体で、上方水平バス４から水平ライン１７に電
路を作りスイツチのような作用をするものであつ
てもよい。上方水平バス４から下方水平バス５に
接続する複数のスイツチ２，３が、各水平ライン
に１対ずつある。垂直選択回路６は回路１と殆ん
ど同じで、一対のスイツチ７，８を、パネル２５
に行く各垂直ラインに対して備えている。スイツ
チ７は上方垂直スイツチ、スイツチ８は下方垂直
スイツチとする。ここでも、上方垂直バス９を下
方垂直バス１０に接続するいくつかの垂直駆動ラ
インに対応する何対かのスイツチ７，８が、各垂
直ラインに１対ずつある。
術における配線形態の一つである。説明簡潔化の
ため、機械的スイツチを用いているが、実際には
低電圧IC回路パツケージに適するFET等の電子
的スイツチを使用できる。又、ここに示す電圧は
すべてゼロからピーク迄の電圧レベルをいう。水
平選択回路１は１対のスイツチ２，３を、パネル
２５に行く水平ライン１７のために備えている。
スイツチ２は水平上方スイツチ、スイツチ３は水
平下方クリーニングとする。又、スイツチ２は抵
抗体で、上方水平バス４から水平ライン１７に電
路を作りスイツチのような作用をするものであつ
てもよい。上方水平バス４から下方水平バス５に
接続する複数のスイツチ２，３が、各水平ライン
に１対ずつある。垂直選択回路６は回路１と殆ん
ど同じで、一対のスイツチ７，８を、パネル２５
に行く各垂直ラインに対して備えている。スイツ
チ７は上方垂直スイツチ、スイツチ８は下方垂直
スイツチとする。ここでも、上方垂直バス９を下
方垂直バス１０に接続するいくつかの垂直駆動ラ
インに対応する何対かのスイツチ７，８が、各垂
直ラインに１対ずつある。
第１図のシステムを動作させる際に３つのモー
ドがある。保持、書込、消去の各モードである保
持モードでは、選択回路１，６は静止している。
下方スイツチ３，８は閉、上方スイツチ２，７は
開にされる。この方法で、全水平ライン１７がバ
ス５に、又全垂直ライン１８がバス１０に接続さ
れる。単に交互に開閉をくりかえすスイツチ１
２，１３により保持信号（VS）が供給される。
垂直サステナ２４は水平サステナ２３と同様に動
作するが、垂直保持信号は水平保持信号とは180°
位相が異なりそのためバス１０は接地に保たれ、
バス５が保持信号源１１のレベルに保たれるか、
又はこの逆となる。選択回路１，６の基準はバス
５，１０であることは明らかである。この基準は
保持信号上で上下する。
ドがある。保持、書込、消去の各モードである保
持モードでは、選択回路１，６は静止している。
下方スイツチ３，８は閉、上方スイツチ２，７は
開にされる。この方法で、全水平ライン１７がバ
ス５に、又全垂直ライン１８がバス１０に接続さ
れる。単に交互に開閉をくりかえすスイツチ１
２，１３により保持信号（VS）が供給される。
垂直サステナ２４は水平サステナ２３と同様に動
作するが、垂直保持信号は水平保持信号とは180°
位相が異なりそのためバス１０は接地に保たれ、
バス５が保持信号源１１のレベルに保たれるか、
又はこの逆となる。選択回路１，６の基準はバス
５，１０であることは明らかである。この基準は
保持信号上で上下する。
書込又は消去モードで動作させるには、そのど
ちらかに応じて特定の状態に、サステナ２３，２
４を停止させる。書込及び消去順序は保持の順序
との間に特定の条件を要する。書込では書込信号
の極性が最後の保持信号の極性と対応しなければ
ならない。消去では消去信号の極性が最後の保持
信号の極性と反対にならなければならない。順序
とは信号の１つ又はいくつかのレベルをいう。例
えば、サステナ２３，２４が、スイツチ１２閉、
スイツチ１３開、スイツチ１４開、スイツチ１５
閉の状態で停止すると、バス５は保持信号源１１
（例えば100V）のレベルに、又バス１０は接地に
保たれる。この時回路１，６のスイツチ２，３，
７，８は、各パネル・ラインを他のラインと無関
係に上方又下方バスに希望に応じて選択的に接続
できる。Ｗ／Ｅスイツチ１６がここで短時間閉ざ
されＷ／Ｅ信号を１次巻線２２、２次巻線２０，
２１のトランス１９に送る。これは、Ｗ／Ｅ信号
源（VW/E）26のレベル（例えば80V）を回路１、
と回路６からの上方バス、下方バスの間にかけ
る。Ｗ／Ｅ信号は保持信号上で浮動する、即ちト
ランス１９からの信号は下方バスに基準を持ち、
これはサステナの出力電位上で浮動していること
に注意。この形式では、回路１，６は上方バス
４，９と下方バス５，１０との間の電位差のみを
受けるので、Ｗ／Ｅ信号源２６のレベル（例えば
80V）に耐えるものであればよい。80V程度の選
択回路はIC技術では通常の範囲内にある。
ちらかに応じて特定の状態に、サステナ２３，２
４を停止させる。書込及び消去順序は保持の順序
との間に特定の条件を要する。書込では書込信号
の極性が最後の保持信号の極性と対応しなければ
ならない。消去では消去信号の極性が最後の保持
信号の極性と反対にならなければならない。順序
とは信号の１つ又はいくつかのレベルをいう。例
えば、サステナ２３，２４が、スイツチ１２閉、
スイツチ１３開、スイツチ１４開、スイツチ１５
閉の状態で停止すると、バス５は保持信号源１１
（例えば100V）のレベルに、又バス１０は接地に
保たれる。この時回路１，６のスイツチ２，３，
７，８は、各パネル・ラインを他のラインと無関
係に上方又下方バスに希望に応じて選択的に接続
できる。Ｗ／Ｅスイツチ１６がここで短時間閉ざ
されＷ／Ｅ信号を１次巻線２２、２次巻線２０，
２１のトランス１９に送る。これは、Ｗ／Ｅ信号
源（VW/E）26のレベル（例えば80V）を回路１、
と回路６からの上方バス、下方バスの間にかけ
る。Ｗ／Ｅ信号は保持信号上で浮動する、即ちト
ランス１９からの信号は下方バスに基準を持ち、
これはサステナの出力電位上で浮動していること
に注意。この形式では、回路１，６は上方バス
４，９と下方バス５，１０との間の電位差のみを
受けるので、Ｗ／Ｅ信号源２６のレベル（例えば
80V）に耐えるものであればよい。80V程度の選
択回路はIC技術では通常の範囲内にある。
上記第１図の技術は、先行技術においても用い
られたものであるが、その場合サステナと選択回
路を共用のICパツケージに１体化していた。こ
の１体化のため、高い電圧の装置を必要とした。
例えば、書込動作の際、スイツチ２３の片側が接
地に保たれ、バス５はスイツチ１２により保持信
号源レベル（例えば100V）に保たれ、バス４は
信号源１１のレベル（例えば100V）とＷ／Ｅ信
号源２６のレベル（例えば80V）の和のレベルに
保たれる。スイツチ１３と回路１の両方を含む装
置は接地とバス４のレベル（例えば180V）の差
に耐えなければならないのは明らかである。これ
はスイツチ１３の片側が接地に保たれ、書込信号
が保持信号の上で浮動している結果である。
られたものであるが、その場合サステナと選択回
路を共用のICパツケージに１体化していた。こ
の１体化のため、高い電圧の装置を必要とした。
例えば、書込動作の際、スイツチ２３の片側が接
地に保たれ、バス５はスイツチ１２により保持信
号源レベル（例えば100V）に保たれ、バス４は
信号源１１のレベル（例えば100V）とＷ／Ｅ信
号源２６のレベル（例えば80V）の和のレベルに
保たれる。スイツチ１３と回路１の両方を含む装
置は接地とバス４のレベル（例えば180V）の差
に耐えなければならないのは明らかである。これ
はスイツチ１３の片側が接地に保たれ、書込信号
が保持信号の上で浮動している結果である。
第２図はアナログ形式にて本発明を示すが、そ
の水平セルステン回路３０、垂直セルステン回路
３１は各々、第１図の水平選択回路１、垂直選択
回路６と形態上では類似である。しかし、機能上
ではこれらは相違している。第１図の先行技術の
場合と同様に、本発明のシステムも、保持、書
込、消去の３モードで動作する。保持モードで
は、保持スイツチ４４が常時閉にされ、先行技術
におけるように継続的に開兵する必要ない。必要
な水平保持信号を発生させるため、水平上方スイ
ツチ３２と水平下方スイツチ３３が適当な周波数
で互いに同期して交互に開閉する。この方法で、
各水平ライン３９への保持信号は、先行技術にお
けるような共通のサステナによるのではなく、固
有のセルステン回路によつて発生される。これら
の各独立したセルステン回路は、ライン３９のす
べてが同じ電圧をうけるように同期されている。
垂直保持電圧が、垂直上方スイツチ３７と垂直下
方スイツチ３８が同様形式で交互に同期して開閉
されるのに伴つて発生される。
の水平セルステン回路３０、垂直セルステン回路
３１は各々、第１図の水平選択回路１、垂直選択
回路６と形態上では類似である。しかし、機能上
ではこれらは相違している。第１図の先行技術の
場合と同様に、本発明のシステムも、保持、書
込、消去の３モードで動作する。保持モードで
は、保持スイツチ４４が常時閉にされ、先行技術
におけるように継続的に開兵する必要ない。必要
な水平保持信号を発生させるため、水平上方スイ
ツチ３２と水平下方スイツチ３３が適当な周波数
で互いに同期して交互に開閉する。この方法で、
各水平ライン３９への保持信号は、先行技術にお
けるような共通のサステナによるのではなく、固
有のセルステン回路によつて発生される。これら
の各独立したセルステン回路は、ライン３９のす
べてが同じ電圧をうけるように同期されている。
垂直保持電圧が、垂直上方スイツチ３７と垂直下
方スイツチ３８が同様形式で交互に同期して開閉
されるのに伴つて発生される。
書込又は消去モードにおいては、保持スイツチ
４４が開かれＷ／Ｅスイツチ４３は水平下方スイ
ツチ３３が閉じられた時に閉じられて下方水平バ
ス３５をＷ／Ｅ信号源（VW/E）４２のレベル（例
えば80V）に駆動する。ダイオードの働きにより
キヤパシタ３６に保持モード中に貯蔵される電圧
により、上部水平バス３４は保持信号源（VS）
４１とＷ／Ｅ信号源４２のレベルの合計のレベル
に上る。セルステン回路３０の諸スイツチはここ
で、各水平パネル・ライン３９をセルへの書込又
は消去の必要に応じて選択又は非選択にセツトで
きる。信号源４１と信号源４２のレベルの和に等
しいレベルの電位差が、パネル・ライン３９と４
０の間にあるセルにおいて放電させ書込むため、
これらライン間に必要である。第２図の構成か
ら、下方水平バス３５のセルステン回路基準レベ
ルは、スイツチ４３により発生されるＷ／Ｅ消去
信号上で上下に浮動することが判る。この点、第
１図の先行技術のようにＷ／Ｅ信号が保持信号上
にて浮動する場合とは異なる。セルステン回路３
０，３１が耐えるべき最大電圧は、保持信号源の
レベル（例えば100V）のみであることも明らか
である。このレベルは大体80−110Vの範囲内に
ある。この電圧は、第１図の選択回路が、サステ
ナ２３とＷ／Ｅ信号源４２とのレベルが合計され
た時に耐えねばならない電圧より低い。この電圧
差の値は、セルステン回路３０，３１を低電圧の
IC技術で集積化することを可能にする。
４４が開かれＷ／Ｅスイツチ４３は水平下方スイ
ツチ３３が閉じられた時に閉じられて下方水平バ
ス３５をＷ／Ｅ信号源（VW/E）４２のレベル（例
えば80V）に駆動する。ダイオードの働きにより
キヤパシタ３６に保持モード中に貯蔵される電圧
により、上部水平バス３４は保持信号源（VS）
４１とＷ／Ｅ信号源４２のレベルの合計のレベル
に上る。セルステン回路３０の諸スイツチはここ
で、各水平パネル・ライン３９をセルへの書込又
は消去の必要に応じて選択又は非選択にセツトで
きる。信号源４１と信号源４２のレベルの和に等
しいレベルの電位差が、パネル・ライン３９と４
０の間にあるセルにおいて放電させ書込むため、
これらライン間に必要である。第２図の構成か
ら、下方水平バス３５のセルステン回路基準レベ
ルは、スイツチ４３により発生されるＷ／Ｅ消去
信号上で上下に浮動することが判る。この点、第
１図の先行技術のようにＷ／Ｅ信号が保持信号上
にて浮動する場合とは異なる。セルステン回路３
０，３１が耐えるべき最大電圧は、保持信号源の
レベル（例えば100V）のみであることも明らか
である。このレベルは大体80−110Vの範囲内に
ある。この電圧は、第１図の選択回路が、サステ
ナ２３とＷ／Ｅ信号源４２とのレベルが合計され
た時に耐えねばならない電圧より低い。この電圧
差の値は、セルステン回路３０，３１を低電圧の
IC技術で集積化することを可能にする。
また、スイツチ４４に関しては、これには、＋
Vsまたは＋VW/Eのどちらかが印加されるだけな
ので、スイツチ４４は、＋Vsまたは＋VW/Eに耐え
る程度のものでよい。その他のスイツチに対して
も、＋Vs以上の電圧が加わることはないことが容
易に見て取れる。このことの有利さは、従来技術
である第１図のスイツチ１３と比較するとよりよ
く理解される。すなわち、従来技術では、書込電
圧がトランス１９によつてもたらされ、このトラ
ンスは、開状態にあるスイツチ１３のVs電位に
ある浮遊端子に付加的な電圧を与えるので、スイ
ツチ１３は、＋Vsと＋VW/Eという高い合計電圧に
耐えなくてはならないのである。
Vsまたは＋VW/Eのどちらかが印加されるだけな
ので、スイツチ４４は、＋Vsまたは＋VW/Eに耐え
る程度のものでよい。その他のスイツチに対して
も、＋Vs以上の電圧が加わることはないことが容
易に見て取れる。このことの有利さは、従来技術
である第１図のスイツチ１３と比較するとよりよ
く理解される。すなわち、従来技術では、書込電
圧がトランス１９によつてもたらされ、このトラ
ンスは、開状態にあるスイツチ１３のVs電位に
ある浮遊端子に付加的な電圧を与えるので、スイ
ツチ１３は、＋Vsと＋VW/Eという高い合計電圧に
耐えなくてはならないのである。
ガス・パネルに書込又は消去するということ
は、比較的に小さいとはいえＷ／Ｅスイツチ４３
に電流が流れることを必要とし、このためＷ／Ｅ
スイツチ４３もセルステン回路３０と共にセルス
テンICに入れてもよい。更に、常に最適ではな
いかもしれないが、当業者にとつて、キヤパシタ
３６もセルステンICに含めることは自明のこと
である。
は、比較的に小さいとはいえＷ／Ｅスイツチ４３
に電流が流れることを必要とし、このためＷ／Ｅ
スイツチ４３もセルステン回路３０と共にセルス
テンICに入れてもよい。更に、常に最適ではな
いかもしれないが、当業者にとつて、キヤパシタ
３６もセルステンICに含めることは自明のこと
である。
第１図は先行技術におけるACプラズマ・パネ
ルの保持、書込、消去の諸信号を発生する回路
図、第２図は本発明における同様な信号を発生す
る回路図である。 １……水平選択回路、２，３……スイツチ、４
……上方水平バス、２５……ガス・パネル、５，
１０……バス、１９……トランス、３６……キヤ
パシタ。
ルの保持、書込、消去の諸信号を発生する回路
図、第２図は本発明における同様な信号を発生す
る回路図である。 １……水平選択回路、２，３……スイツチ、４
……上方水平バス、２５……ガス・パネル、５，
１０……バス、１９……トランス、３６……キヤ
パシタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 交叉して配置され、各複数本の水平及び垂直
ライン群の交点においてガス放電を行わせるAC
プラズマ・ガス・パネルに駆動用電力を供給する
駆動回路において、 (a) 保持電圧を供給する保持電圧源と、 (b) 書込／消去信号を供給する書込／消去信号源
と、 (c) 上記保持電圧源に接続された上方水平バス
と、 (d) 第１の端子と第２の端子をもち、該第１の端
子が上記書込／消去信号源に接続された書込／
消去スイツチと、 (e) 第１の端子と第２の端子をもち、該第１の端
子がアースに接続され、該第２の端子が上記書
込／消去スイツチの上記第２の端子に接続され
た保持スイツチと、 (f) 上記書込／消去スイツチの上記第２の端子と
上記保持スイツチの上記第２の端子に接続され
た下方水平バスと、 (g) 上記上方水平バスと上記下方水平バスの間に
接続されたキヤパシタと、 (h) 複数の水平ガス・パネル線と、 (i) 上記上方水平バスと上記下方水平バスの間に
接続された複数の水平スイツチ対であつて、そ
のおのおのが、 (i‐1) 第１の端子と第２の端子をもち、該第１の
端子が上記上方水平バスに接続され、該第２
の端子が上記複数の水平ガス・パネル線の１
つに接続された水平上方スイツチと、 (i‐2) 第１の端子と第２の端子をもち、該第１の
端子が上記下方水平バスに接続され、該第２
の端子が上記複数の水平ガス・パネル線の１
つに接続された水平下方スイツチとを有する
複数の水平スイツチ対と、 (j) 上記保持電圧源に接続された上方垂直バス
と、 (k) アースに接続された下方垂直バスと、 (l) 複数の垂直ガス・パネル線と、 (m) 上記上方垂直バスと上記下方垂直バスの間
に接続された複数の垂直スイツチ対であつて、
そのおのおのが、 (m‐1) 第１の端子と第２の端子をもち、該第１
の端子が上記上方垂直バスに接続され、該第
２の端子が上記複数の垂直ガス・パネル線の
１つに接続された垂直上方スイツチと、 (m‐2) 第１の端子と第２の端子をもち、該第１
の端子が上記下方垂直バスに接続され、該第
２の端子が上記複数の垂直ガス・パネル線の
１つに接続された垂直下方スイツチとを有す
る複数の垂直スイツチ対と、 (n) 上記保持スイツチを閉じた状態で、上記水
平ガス・パネル線が同じ電圧を受けるように、
所定の周波数で上記水平上方スイツチとそれに
対応する上記水平下方スイツチを交互に開閉す
るとともに、それに対応して、上記垂直上方ス
イツチとそれに対応する上記垂直下方スイツチ
を交互に開閉させるスイツチ保持制御手段と、 (o) 上記保持スイツチを開いた状態で、上記下
方水平バスを上記書込／消去信号源の電圧レベ
ルに駆動するように上記書込／消去スイツチを
閉じ、以て上記書込／消去信号源の電圧レベル
と上記キヤパシタに貯蔵された電圧の合計電圧
レベルを上記水平ガス・パネル線に印加するよ
うに制御するスイツチ書込／消去制御手段とを
具備する、 ACプラズマ・ガス・パネルに駆動用電力を供
給するための駆動回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US406401 | 1982-08-09 | ||
| US06/406,401 US4570159A (en) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | "Selstain" integrated circuitry |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5934591A JPS5934591A (ja) | 1984-02-24 |
| JPH0441353B2 true JPH0441353B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=23607828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58109445A Granted JPS5934591A (ja) | 1982-08-09 | 1983-06-20 | 駆動回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4570159A (ja) |
| EP (1) | EP0102462B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5934591A (ja) |
| DE (1) | DE3378935D1 (ja) |
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