JPH0441460B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0441460B2 JPH0441460B2 JP59093485A JP9348584A JPH0441460B2 JP H0441460 B2 JPH0441460 B2 JP H0441460B2 JP 59093485 A JP59093485 A JP 59093485A JP 9348584 A JP9348584 A JP 9348584A JP H0441460 B2 JPH0441460 B2 JP H0441460B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- synchrotron radiation
- ion beam
- substance
- radiation light
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32321—Discharge generated by other radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/24—Ion sources; Ion guns using photo-ionisation, e.g. using laser beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体加工装置をはじめ材料改質、
材料合成等に使われるイオンビーム発生装置に関
するものである。
材料合成等に使われるイオンビーム発生装置に関
するものである。
従来、イオンビーム発生装置によるイオン発生
方法としては、種々の手法が考えられ実用化され
て来た。その大部分は放電を利用したものであつ
たが、近年レーザ光を使つたイオン源が考え出さ
れて来ている。このレーザ光等の光を使つた方式
には２つあり、１つは光を金属等の固体に照射し
てそのプラズマをイオン源として使つたり、レー
ザ光を集光して気体、液体に照射してプラズマを
作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の１つは波長の可変な光源を使い、光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネ
ルギ準位に共鳴させて該物質をイオン化させるも
のであり、本発明は後者に関するものであり、光
源としてレーザ光でなくシンクロトロン放射光を
使うものである。
方法としては、種々の手法が考えられ実用化され
て来た。その大部分は放電を利用したものであつ
たが、近年レーザ光を使つたイオン源が考え出さ
れて来ている。このレーザ光等の光を使つた方式
には２つあり、１つは光を金属等の固体に照射し
てそのプラズマをイオン源として使つたり、レー
ザ光を集光して気体、液体に照射してプラズマを
作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の１つは波長の可変な光源を使い、光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネ
ルギ準位に共鳴させて該物質をイオン化させるも
のであり、本発明は後者に関するものであり、光
源としてレーザ光でなくシンクロトロン放射光を
使うものである。
本発明は、上記共鳴光励起、イオン化方式のイ
オンビーム発生装置において、イオン化させる物
質の共鳴光励起にてイオン化させる直前の状態と
して、該物質の自動電離状態
（Autoionizationlevel）を使うことにより、従来
の共鳴光励起、イオン化方式に比べ入力光エネル
ギに対するイオン化効率を２桁以上向上でき、か
つ選択イオン化における選択性に優れたイオンビ
ーム発生装置を提供することを目的としている。
オンビーム発生装置において、イオン化させる物
質の共鳴光励起にてイオン化させる直前の状態と
して、該物質の自動電離状態
（Autoionizationlevel）を使うことにより、従来
の共鳴光励起、イオン化方式に比べ入力光エネル
ギに対するイオン化効率を２桁以上向上でき、か
つ選択イオン化における選択性に優れたイオンビ
ーム発生装置を提供することを目的としている。
まず本発明装置におけるイオン化方法をアルミ
ニウムイオンビームを発生する場合を例にとつて
従来の方法と比較しつつ説明する。第１図はアル
ミニウム中性原子のエネルギ準位図である。
ニウムイオンビームを発生する場合を例にとつて
従来の方法と比較しつつ説明する。第１図はアル
ミニウム中性原子のエネルギ準位図である。
従来のイオン化方法は、例えば波長が3082Å、
6200Åの２本のレーザビームＢ１，Ｂ２をイオン
化させたいアルミニウム蒸気に照射する方法であ
り、即ち基底状態3p（2P0）にあるアルミニウム原
子をまず3082ÅのレーザビームＢ１により第１励
起状態3d（2D）に共鳴励起し、その後6200Åのレ
ーザビームＢ２によりイオン化させるものであ
る。
6200Åの２本のレーザビームＢ１，Ｂ２をイオン
化させたいアルミニウム蒸気に照射する方法であ
り、即ち基底状態3p（2P0）にあるアルミニウム原
子をまず3082ÅのレーザビームＢ１により第１励
起状態3d（2D）に共鳴励起し、その後6200Åのレ
ーザビームＢ２によりイオン化させるものであ
る。
本発明装置におけるイオン化方法が上記従来の
イオン化方法と異なる点は、最終励起状態を自動
電離状態とする点、励起用の光源としてシンクロ
トロン放射光、特に相対論的シンクロトロン放射
光を使用する点にある。シンクロトロン放射光は
レーザ光と同様に方向性を有し、かつレーザ光よ
りはるかに大強度、高エネルギ光子であり、その
ため第１図に示すように１本の光子によりアルミ
ニウム蒸気を基底状態から自動電離状態に励起で
き、該励起蒸気は自動電離により所定の遷移確率
でイオン化する。
イオン化方法と異なる点は、最終励起状態を自動
電離状態とする点、励起用の光源としてシンクロ
トロン放射光、特に相対論的シンクロトロン放射
光を使用する点にある。シンクロトロン放射光は
レーザ光と同様に方向性を有し、かつレーザ光よ
りはるかに大強度、高エネルギ光子であり、その
ため第１図に示すように１本の光子によりアルミ
ニウム蒸気を基底状態から自動電離状態に励起で
き、該励起蒸気は自動電離により所定の遷移確率
でイオン化する。
この発明装置におけるイオン化方法の場合、波
長3050Åのシンクロトロン放射光による２電子励
起状態3s3p2から自動電離状態3s3p4sへの光励起
断面積はσi＝0.8×10-15cm2であり、従つてその励
起速度はシンクロトロン放射光強度をＩとすると
Ｗ＝1.22×103I（Ｗ／cm2）sec-1となる。このよう
な自動電離状態は、1012sec-1以上の速い速度で
自発的にイオンと電子とに分離するため、この励
起速度Ｗを２電子励起状態3s3p2の波長3050Åの
シンクロトロン放射光による自動電離状態3s3p4s
を経由しての電離速度とすることができる。一
方、従来のイオン化方法に従う一例である該２電
子励起状態3s3p2から直接に光イオン化する場合、
その光電離断面積は、σi＝1.35×10-28［λ2（Å）］3
cm2であり、従つてその電離速度はＷ＝6.82×
10-14［λ2（Å）］4I（Ｗ／cm2）sec-1となる。ここで
、
シンクロトロン放射光波長λ2は、電離限界を越え
るためλ2＜5205Åである必要がある。第５図はこ
の電離速度Ｗをシンクロトロン放射光波長λ2の関
数として色々なシンクロトロン放射光強度Ｉに対
して示す。図示のようにある一定のシンクロトロ
ン放射光強度において波長λ2を変化させると電離
速度Ｗは連続的に変化するが、λ2が２電子励起状
態3s3p2と自動電離状態3s3p4sとの間の共鳴波長
3050Åの個所では不連続的に２桁以上高くなる。
従つて、この発明におけるイオン化方法の場合、
従来の共鳴光励起、イオン化方式に比べ、入力光
エネルギーに対するイオン化効率が２桁以上高く
なり、しかも完全に共鳴のみを使うためシンクロ
トロン放射光のエネルギ準位、波長を不純物原子
のそれらと一致しないように選択すればイオン化
させたい物質のみをイオン化でき、しかも純度の
高いものができる。
長3050Åのシンクロトロン放射光による２電子励
起状態3s3p2から自動電離状態3s3p4sへの光励起
断面積はσi＝0.8×10-15cm2であり、従つてその励
起速度はシンクロトロン放射光強度をＩとすると
Ｗ＝1.22×103I（Ｗ／cm2）sec-1となる。このよう
な自動電離状態は、1012sec-1以上の速い速度で
自発的にイオンと電子とに分離するため、この励
起速度Ｗを２電子励起状態3s3p2の波長3050Åの
シンクロトロン放射光による自動電離状態3s3p4s
を経由しての電離速度とすることができる。一
方、従来のイオン化方法に従う一例である該２電
子励起状態3s3p2から直接に光イオン化する場合、
その光電離断面積は、σi＝1.35×10-28［λ2（Å）］3
cm2であり、従つてその電離速度はＷ＝6.82×
10-14［λ2（Å）］4I（Ｗ／cm2）sec-1となる。ここで
、
シンクロトロン放射光波長λ2は、電離限界を越え
るためλ2＜5205Åである必要がある。第５図はこ
の電離速度Ｗをシンクロトロン放射光波長λ2の関
数として色々なシンクロトロン放射光強度Ｉに対
して示す。図示のようにある一定のシンクロトロ
ン放射光強度において波長λ2を変化させると電離
速度Ｗは連続的に変化するが、λ2が２電子励起状
態3s3p2と自動電離状態3s3p4sとの間の共鳴波長
3050Åの個所では不連続的に２桁以上高くなる。
従つて、この発明におけるイオン化方法の場合、
従来の共鳴光励起、イオン化方式に比べ、入力光
エネルギーに対するイオン化効率が２桁以上高く
なり、しかも完全に共鳴のみを使うためシンクロ
トロン放射光のエネルギ準位、波長を不純物原子
のそれらと一致しないように選択すればイオン化
させたい物質のみをイオン化でき、しかも純度の
高いものができる。
また上記シンクロトロン放射光の波長を変える
ことにより、容易に多種の物質のイオンビームを
発生することができ、この場合イオン化される多
種の物質を前もつてイオンビーム発生容器内に導
入しておいても良い。このように発生するイオン
ビームの種類を容易に変えることができる本発明
の手法は、従来の方法にないものであり、イオン
ビームで処理する２つ以上の行程を連続して行な
うことができる利点がある。
ことにより、容易に多種の物質のイオンビームを
発生することができ、この場合イオン化される多
種の物質を前もつてイオンビーム発生容器内に導
入しておいても良い。このように発生するイオン
ビームの種類を容易に変えることができる本発明
の手法は、従来の方法にないものであり、イオン
ビームで処理する２つ以上の行程を連続して行な
うことができる利点がある。
次にこの発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の第１の実施例を示す。図にお
いて、１はイオン化されるべき物質が導入される
容器、１ａは上記物質を該容器１内に導入するた
めのガス導入孔、１ｂは上記容器１を真空にする
ための真空排気装置（図示せず）に接続された排
気通路、３は加速器にウイグラー又はアンデユレ
ータを設けてなり、1762Åの波長幅の狭いシンク
ロトロン放射光Ｂ３を発生するシンクルツロン放
射光発生部、１１は該発生部３と上記容器１との
間に設けられたスリツト、６は電極、６ａ該電極
６に電圧を印加する端子である。８は試料、８ａ
は該試料８を保持する試料台であり、該試料台８
ａと上記電極６との間には直流電圧が印加され、
これによりイオン化された物質をイオンビームと
して引き出すための引き出し電界が発生される。
そしてこの引き出し電界は上記シンクロトロン放
射光Ｂ３と時間的に同期する位相を有する。
いて、１はイオン化されるべき物質が導入される
容器、１ａは上記物質を該容器１内に導入するた
めのガス導入孔、１ｂは上記容器１を真空にする
ための真空排気装置（図示せず）に接続された排
気通路、３は加速器にウイグラー又はアンデユレ
ータを設けてなり、1762Åの波長幅の狭いシンク
ロトロン放射光Ｂ３を発生するシンクルツロン放
射光発生部、１１は該発生部３と上記容器１との
間に設けられたスリツト、６は電極、６ａ該電極
６に電圧を印加する端子である。８は試料、８ａ
は該試料８を保持する試料台であり、該試料台８
ａと上記電極６との間には直流電圧が印加され、
これによりイオン化された物質をイオンビームと
して引き出すための引き出し電界が発生される。
そしてこの引き出し電界は上記シンクロトロン放
射光Ｂ３と時間的に同期する位相を有する。
次に動作について説明する。
本実施例装置により、アルミニウムのイオンビ
ームを発生する場合を考える。まず容器１にガス
導入孔１ａよりアルミニウム蒸気１０を導入す
る。そして上記シンクトロン放射光発生部３を発
振させ。すると波長1762Åのシンクトロン放射光
Ｂ３がスリツ１１を介して上記容器１に導入さ
れ、これにより上記アルミニウム蒸気１０は、基
底状態3P（2P0）から自動電離状態3s3p2（2P0）に
共鳴励起され、その結果該励起蒸気は所定の遷移
確率でもつてイオン状態となる。
ームを発生する場合を考える。まず容器１にガス
導入孔１ａよりアルミニウム蒸気１０を導入す
る。そして上記シンクトロン放射光発生部３を発
振させ。すると波長1762Åのシンクトロン放射光
Ｂ３がスリツ１１を介して上記容器１に導入さ
れ、これにより上記アルミニウム蒸気１０は、基
底状態3P（2P0）から自動電離状態3s3p2（2P0）に
共鳴励起され、その結果該励起蒸気は所定の遷移
確率でもつてイオン状態となる。
また上記電極６と試料台８ａとの間には直流電
圧が印加されとり、これにより上記イオン化され
たアルミニウム蒸気１０はアルミニウムのイオン
のみからなるイオンビーム９として引き出され、
該イオンビーム９は上記試料８に照射される。
圧が印加されとり、これにより上記イオン化され
たアルミニウム蒸気１０はアルミニウムのイオン
のみからなるイオンビーム９として引き出され、
該イオンビーム９は上記試料８に照射される。
以上の動作説明における本実施例の特徴を示す
と、まず第１に本実施例は完全に共鳴のみを用い
て選択イオン化を行なうものであるので、上記容
器１内にイオン化されるべき物質、この場合アル
ミニウム、以外の不純物、酸素、窒素、炭素、水
素等が含まれていて、しかもその量がアルミニウ
ムより多くても、シンクロトロン放射光のエネル
ギ準位、波長を上記不純物等のそれらと一致させ
ないようにして希望の元素、この場合はアルミニ
ウム、のみがイオン化された純粋なアルミニウム
イオンビームが得られる。
と、まず第１に本実施例は完全に共鳴のみを用い
て選択イオン化を行なうものであるので、上記容
器１内にイオン化されるべき物質、この場合アル
ミニウム、以外の不純物、酸素、窒素、炭素、水
素等が含まれていて、しかもその量がアルミニウ
ムより多くても、シンクロトロン放射光のエネル
ギ準位、波長を上記不純物等のそれらと一致させ
ないようにして希望の元素、この場合はアルミニ
ウム、のみがイオン化された純粋なアルミニウム
イオンビームが得られる。
第２に本実施例は上述のとおり、選択イオン化
を行なうものであり、かつ共鳴光励起によるイオ
ン化を行なうものであるので、電子や他の元素が
励起されたり、エネルギ吸収により温度上昇した
りすることはなく、その結果イオンビームを照射
する対象試料８、例えば半導体の場合は基板、の
温度を上昇させることはなく、低温処理ができ
る。
を行なうものであり、かつ共鳴光励起によるイオ
ン化を行なうものであるので、電子や他の元素が
励起されたり、エネルギ吸収により温度上昇した
りすることはなく、その結果イオンビームを照射
する対象試料８、例えば半導体の場合は基板、の
温度を上昇させることはなく、低温処理ができ
る。
第３にイオンビームの種類や特性を変える場合
はシンクロトロン放射光の波長を変えれば良く、
従来のような試料を取り出したり、イオン源部を
交換するために容器を開閉したりする必要はな
く、従つてイオン注入とアニーリング等の連続動
作が容易にできる。
はシンクロトロン放射光の波長を変えれば良く、
従来のような試料を取り出したり、イオン源部を
交換するために容器を開閉したりする必要はな
く、従つてイオン注入とアニーリング等の連続動
作が容易にできる。
第３図は本発明の第２実施例を示す。図におい
て、第２図と同一符号は同一又は相当部分を示
し、１３はイオン化されるべき物質１２を収容す
る、１３ａは該容器１３の外周に設けられたヒー
タであり、これにより上記容器１３は上記物質１
２を蒸発せしめるオーブンとなつている。１５は
イオン化されたアルミニウム蒸気１０を容器１の
軸心に集束せしめるマグネツト、１４は上記集束
されたアルミニウム蒸気１０をイオンビーム９と
して引き出す引き出し電極である。
て、第２図と同一符号は同一又は相当部分を示
し、１３はイオン化されるべき物質１２を収容す
る、１３ａは該容器１３の外周に設けられたヒー
タであり、これにより上記容器１３は上記物質１
２を蒸発せしめるオーブンとなつている。１５は
イオン化されたアルミニウム蒸気１０を容器１の
軸心に集束せしめるマグネツト、１４は上記集束
されたアルミニウム蒸気１０をイオンビーム９と
して引き出す引き出し電極である。
次に動作について説明する。
容器１３内にイオン化される物質であるアルミ
ニウム１２を入れ、ヒータ１３ａによりオーブン
１３を加熱すると上記アルミニウム１２が溶融、
気化してアルミニウム蒸気１０が発生する。そし
てシンクロトロン放射光Ｂ３がスリツト１１を介
して上記容器１３内に導入されて上記蒸気１０に
照射される。するとこれにより蒸気１０基底状態
から自動電離状態3s3p2（2P0）に励起され、その
結果該励起蒸気が所定の遷移確率で自動電動され
てアルミニウムイオンが生成され、該アルミニウ
ムはマグネツト１５により軸心に集束された後、
引き出し電極１４によつてイオンビーム９として
放出される。
ニウム１２を入れ、ヒータ１３ａによりオーブン
１３を加熱すると上記アルミニウム１２が溶融、
気化してアルミニウム蒸気１０が発生する。そし
てシンクロトロン放射光Ｂ３がスリツト１１を介
して上記容器１３内に導入されて上記蒸気１０に
照射される。するとこれにより蒸気１０基底状態
から自動電離状態3s3p2（2P0）に励起され、その
結果該励起蒸気が所定の遷移確率で自動電動され
てアルミニウムイオンが生成され、該アルミニウ
ムはマグネツト１５により軸心に集束された後、
引き出し電極１４によつてイオンビーム９として
放出される。
第４図は本発明に用いるシンクロトロン放射光
発生装置の構成例である。図において、２１は線
形加速器、２２は電子蓄積リング、２４は分光系
であり、これらによりシンクトロン放射光発生装
置２０が構成されている。３３は該発生装置２０
からのシンクロトロン放射光が照射される容器で
ある。
発生装置の構成例である。図において、２１は線
形加速器、２２は電子蓄積リング、２４は分光系
であり、これらによりシンクトロン放射光発生装
置２０が構成されている。３３は該発生装置２０
からのシンクロトロン放射光が照射される容器で
ある。
上記容器３３に導入されるシンクロトロン放射
光は、まず線形加速器２１で電子が加速されて電
子蓄積リング２２に打ち込まれ、該リング２２に
おいて相対論的速度になつた電子からシンクロト
ロン放射光が放出され、さらに該放射光が分光形
２４に導入され、該分光系２４により単一波長に
された光である。
光は、まず線形加速器２１で電子が加速されて電
子蓄積リング２２に打ち込まれ、該リング２２に
おいて相対論的速度になつた電子からシンクロト
ロン放射光が放出され、さらに該放射光が分光形
２４に導入され、該分光系２４により単一波長に
された光である。
このように、本発明に係るイオンビーム発生装
置によれば、イオン化されるべき物質をシンクロ
トロン放射光の照射によりその基底状態から自動
電離状態に共鳴光励起し、該励起蒸気が所定の遷
移確率で自動電離してイオン状態になるようにし
たので、イオンの選択性に優れ、かつ従来の共鳴
光励起、イオン化方式に比べ、入力エネルギーに
対するイオン化効率を２桁以上向上できる効果が
ある。
置によれば、イオン化されるべき物質をシンクロ
トロン放射光の照射によりその基底状態から自動
電離状態に共鳴光励起し、該励起蒸気が所定の遷
移確率で自動電離してイオン状態になるようにし
たので、イオンの選択性に優れ、かつ従来の共鳴
光励起、イオン化方式に比べ、入力エネルギーに
対するイオン化効率を２桁以上向上できる効果が
ある。
第１図はアルミニウム中性原子のシングレツト
系のエネルギ状態図、第２図は本発明の第１の実
施例によるシヤワー型イオンビーム発生装置の概
略構成図、第３図は本発明の第２の実施例による
集束型イオンビーム発生装置の概略構成図、第４
図は本発明に使用するシンクロトロン放射光発生
装置の概略構成図、第５図はアルミニウム中性原
子の励起状態3s3p2における光電離速度の波長依
存性を示す状態図である。 １，１３，３３……容器、９……イオンビー
ム、１０……イオン化されるべき物質、２０……
シンクロトロン放射光発生部、２１……加速器、
２２……電子蓄積リング、２４……分光系、Ｂ３
……シンクロトロン放射光。なお図中同一符号は
同一又は相当部分を示す。
系のエネルギ状態図、第２図は本発明の第１の実
施例によるシヤワー型イオンビーム発生装置の概
略構成図、第３図は本発明の第２の実施例による
集束型イオンビーム発生装置の概略構成図、第４
図は本発明に使用するシンクロトロン放射光発生
装置の概略構成図、第５図はアルミニウム中性原
子の励起状態3s3p2における光電離速度の波長依
存性を示す状態図である。 １，１３，３３……容器、９……イオンビー
ム、１０……イオン化されるべき物質、２０……
シンクロトロン放射光発生部、２１……加速器、
２２……電子蓄積リング、２４……分光系、Ｂ３
……シンクロトロン放射光。なお図中同一符号は
同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ イオン化されるべき物質を収容する容器と、
該容器内の上記物質にシンクロトロン放射光を照
射するシンクロトロン放射光発生部とを備え、上
記物質のイオンビームを発生する装置において、
上記シンクロトロン放射光発生部は上記物質をエ
ネルギ準位の基底状態から自動電離状態に共鳴光
励起するような波長を有するシンクロトロン放射
光を発生するものであることを特徴とするイオン
ビーム発生装置。 ２ 上記シンクロトロン放射光発生部は、上記物
質を基底状態から中間状態を経て上記自動電離状
態に段階状に共鳴光励起するような波長の異なる
複数の線スペクトルのシンクロトロン放射光を発
生するものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のイオンビーム発生装置。 ３ 上記シンクロトロン放射光発生部は、加速器
及び分光器又は分光系を有し、加速器からの出力
を分光器又は分光系を通過させた線幅の狭い線ス
ペクトルにした光を発生するものであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
イオンビーム発生装置。 ４ 上記加速器として、電子蓄積リング又は電子
サイクロトロンのいずれか一方又は両方を用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のイ
オンビーム発生装置。 ５ 上記シンクロトロン放射光発生部は、イオン
ビーム引き出し電界の位相と時間的に同期する位
相を有するシンクロトロン放射光を発生するもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第４項のいずれかに記載のイオンビーム発生
装置。 ６ 上記物質は、固体又は液体の物質を加熱気化
して生成された蒸気として上記容器内に導入され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第５項のいずれかに記載のイオンビーム発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093485A JPS60235337A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | イオンビ−ム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093485A JPS60235337A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | イオンビ−ム発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235337A JPS60235337A (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0441460B2 true JPH0441460B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=14083646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59093485A Granted JPS60235337A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | イオンビ−ム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235337A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711072B2 (ja) * | 1986-04-04 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | イオン源装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3914655A (en) * | 1973-06-28 | 1975-10-21 | Ibm | High brightness ion source |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59093485A patent/JPS60235337A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60235337A (ja) | 1985-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fayet et al. | Production and study of metal cluster ions | |
| Alkhazov et al. | Application of a high efficiency selective laser ion source at the IRIS facility | |
| US4692627A (en) | Ion beam generator | |
| US4584072A (en) | Process for separating an isotope from a mixture of different isotopes by using a single laser beam | |
| JPH0441460B2 (ja) | ||
| US4716295A (en) | Ion beam generator | |
| JPS60235346A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPH0441461B2 (ja) | ||
| JPH0760654B2 (ja) | イオンビ−ム発生方法および装置 | |
| JPH0518220B2 (ja) | ||
| JPS6127037A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235344A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS6127036A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235343A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS6127042A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPH0527213B2 (ja) | ||
| JPH0517653B2 (ja) | ||
| JPH0527211B2 (ja) | ||
| JPS6127041A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPH0441458B2 (ja) | ||
| JPS60211751A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPH0512813B2 (ja) | ||
| JPS6127038A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235339A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235347A (ja) | イオンビ−ム発生装置 |