JPH0441937B2 - - Google Patents
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- JPH0441937B2 JPH0441937B2 JP61066619A JP6661986A JPH0441937B2 JP H0441937 B2 JPH0441937 B2 JP H0441937B2 JP 61066619 A JP61066619 A JP 61066619A JP 6661986 A JP6661986 A JP 6661986A JP H0441937 B2 JPH0441937 B2 JP H0441937B2
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- circuit
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Landscapes
- Optical Transform (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 産業上の利用分野
この発明は、投光器と受光器とを光結合路空隙
を隔てて配置し、該光結合路空隙にもたらされる
被検物の有無、位置、あるいは位相等を検知し、
これを電気信号で出力するいわゆる光電変換シス
テムにおいて、投光器をパルス駆動させ、該投光
器からのパルス変調光を光結合路（被検物検知
部）を介して受光し、高い精度の被検物検知信号
を出力する三端子タイプの変調光受光型ホトセン
サに関するものである。
を隔てて配置し、該光結合路空隙にもたらされる
被検物の有無、位置、あるいは位相等を検知し、
これを電気信号で出力するいわゆる光電変換シス
テムにおいて、投光器をパルス駆動させ、該投光
器からのパルス変調光を光結合路（被検物検知
部）を介して受光し、高い精度の被検物検知信号
を出力する三端子タイプの変調光受光型ホトセン
サに関するものである。
(b) 従来の技術およびその問題点
周知のように、光電変換検出器は、第９図Ｂお
よび第１０図Ｂに示すように、発光素子２１と受
光素子２２とを光結合路空隙（L.G）を隔てて一
体的に組み合せ、光結合路空隙（L.G）内にもた
らされる被検物の有無、位置、あるいは位相等を
光学的に検出する装置として多用されている。こ
の光電変換検出器は、発光素子２１と受光素子２
２間の光結合路（L.G）の態様によつて、第９図
Ｂに示すような発光素子２１からの光を光結合路
（L.G）を介してダイレクトに受光素子２２にも
たらす透過光型のものと、第１０図Ｂに示すよう
な発光素子２１からの光を被検物Ｈに反射させて
ホトダイオード２２にもたらす反射光型のものと
がある。この透過光型あるいは反射光型いずれの
タイプのものも、発光素子とホトダイオードとの
間を光結合路空隙によつて構成するものであるた
め、特に、発光素子からの光が定常光である場合
には、外乱光によるノイズの影響を除去すること
が困難であつた。この問題を解決し、検出精度を
高める目的において、発光素子における出力を一
定周期のパルス変調光とし、このパルス変調光を
受光して電気信号を出力する変調光受光型のホト
センサが知られている。このパルス変調光を検出
するための従来の変調光受光型ホトセンサに対し
ては、部品数低減による小型化、高信頼性、およ
び低価格化が要求されていた。これらの要求に対
して、従来、パルス駆動回路およびパルス光検出
回路（ホトダイオード部を含む）等を、集積回路
技術により半導体装置として作成した光電変換検
出器が提供されている。それらは、具体的には、 （） 発光器側を、発光ダイオード２１にパル
ス駆動回路２３を集積化した素子によつて１つ
のデバイスとし、受光器側を、ホトダイオード
２２にパルス検出回路２４を集積化した素子に
よつて１つのデバイスとした構成のものと（第
５図参照）、 （） 受光器側を、発光ダイオード用パルス駆
動回路２３とホトダイオード２２を含むパルス
検出回路２４を一体的に集積回路化して成る変
調光受光型ホトセンサとする構成のもの（第６
図および第７図参照）とである。
よび第１０図Ｂに示すように、発光素子２１と受
光素子２２とを光結合路空隙（L.G）を隔てて一
体的に組み合せ、光結合路空隙（L.G）内にもた
らされる被検物の有無、位置、あるいは位相等を
光学的に検出する装置として多用されている。こ
の光電変換検出器は、発光素子２１と受光素子２
２間の光結合路（L.G）の態様によつて、第９図
Ｂに示すような発光素子２１からの光を光結合路
（L.G）を介してダイレクトに受光素子２２にも
たらす透過光型のものと、第１０図Ｂに示すよう
な発光素子２１からの光を被検物Ｈに反射させて
ホトダイオード２２にもたらす反射光型のものと
がある。この透過光型あるいは反射光型いずれの
タイプのものも、発光素子とホトダイオードとの
間を光結合路空隙によつて構成するものであるた
め、特に、発光素子からの光が定常光である場合
には、外乱光によるノイズの影響を除去すること
が困難であつた。この問題を解決し、検出精度を
高める目的において、発光素子における出力を一
定周期のパルス変調光とし、このパルス変調光を
受光して電気信号を出力する変調光受光型のホト
センサが知られている。このパルス変調光を検出
するための従来の変調光受光型ホトセンサに対し
ては、部品数低減による小型化、高信頼性、およ
び低価格化が要求されていた。これらの要求に対
して、従来、パルス駆動回路およびパルス光検出
回路（ホトダイオード部を含む）等を、集積回路
技術により半導体装置として作成した光電変換検
出器が提供されている。それらは、具体的には、 （） 発光器側を、発光ダイオード２１にパル
ス駆動回路２３を集積化した素子によつて１つ
のデバイスとし、受光器側を、ホトダイオード
２２にパルス検出回路２４を集積化した素子に
よつて１つのデバイスとした構成のものと（第
５図参照）、 （） 受光器側を、発光ダイオード用パルス駆
動回路２３とホトダイオード２２を含むパルス
検出回路２４を一体的に集積回路化して成る変
調光受光型ホトセンサとする構成のもの（第６
図および第７図参照）とである。
これらの従来の構成例において、上記構成例
（）のものは、発光ダイオード２１のデバイス
側と、変調光受光型ホトセンサ２２のデバイス側
との両方に集積回路を必要とし、これはデバイス
組立てに要する工数の増大と、部品点数の増加に
ともなう製品コストの増大という問題点を有する
ものであつた。一方、上記構成例（）のもの
は、発光ダイオード用パルス駆動回路およびパル
ス光検出回路用として、電源端子VCC、出力端子
VOUT、グランド端子GNDの三端子と、発光ダイ
オード駆動端子（LED.T）との四端子を必要と
し、変調光受光型ホトセンサとして、さらに小型
化するのに障害となつていた。
（）のものは、発光ダイオード２１のデバイス
側と、変調光受光型ホトセンサ２２のデバイス側
との両方に集積回路を必要とし、これはデバイス
組立てに要する工数の増大と、部品点数の増加に
ともなう製品コストの増大という問題点を有する
ものであつた。一方、上記構成例（）のもの
は、発光ダイオード用パルス駆動回路およびパル
ス光検出回路用として、電源端子VCC、出力端子
VOUT、グランド端子GNDの三端子と、発光ダイ
オード駆動端子（LED.T）との四端子を必要と
し、変調光受光型ホトセンサとして、さらに小型
化するのに障害となつていた。
(c) 本発明の技術的課題
そこで、この発明は、従来のパルス変調投光−
受光タイプの光電変換検出システムにみられる欠
点ならびに問題点の解消を図るものであり、光電
変換検出システムとして組み合される発光ダイオ
ードをパルス駆動させるべく回路構成されてい
て、かつ電源端子VCCあるいはグランド端子GND
のいずれかの一方を発光ダイオード駆動端子の兼
用端子となるように回路構成して、端子数を削減
し、小型化を図るとともに、製造コストの低減化
を図つた変調光受光型ホトサンセを提供すること
にある。
受光タイプの光電変換検出システムにみられる欠
点ならびに問題点の解消を図るものであり、光電
変換検出システムとして組み合される発光ダイオ
ードをパルス駆動させるべく回路構成されてい
て、かつ電源端子VCCあるいはグランド端子GND
のいずれかの一方を発光ダイオード駆動端子の兼
用端子となるように回路構成して、端子数を削減
し、小型化を図るとともに、製造コストの低減化
を図つた変調光受光型ホトサンセを提供すること
にある。
(d) 本発明の技術的手段
この発明は、上記する目的を達成するにあたつ
て、具体的には、投光器と受光器とを光結合路空
隙を隔てて配置し、該光結合路空隙にもたされる
被検物の有無、位置あるいは位相等を検知し、こ
れを電気信号で出力する光電変換システムであつ
て、投光器をパルス駆動させ、該投光器からのパ
ルス変換光を光結合路を介して受光して検知電気
信号を出力する変調光受光型ホトセンサにおい
て、 電源端子VCC、グランド端子GNDおよび出力端
子VOUTの三つの端子を備え、 前記電源端子とグランド端子との間に、トラン
ジスタ回路部とパルス発振回路部とを含むパルス
型電流消費回路、およびホトダイオードを備えた
パルス光検出回路とを並列接続して成り、 前記電源端子あるいはグランド端子のいずれか
一方に発光ダイオード素子を直列接続可能になし
た変調光受光型ホトセンサである。
て、具体的には、投光器と受光器とを光結合路空
隙を隔てて配置し、該光結合路空隙にもたされる
被検物の有無、位置あるいは位相等を検知し、こ
れを電気信号で出力する光電変換システムであつ
て、投光器をパルス駆動させ、該投光器からのパ
ルス変換光を光結合路を介して受光して検知電気
信号を出力する変調光受光型ホトセンサにおい
て、 電源端子VCC、グランド端子GNDおよび出力端
子VOUTの三つの端子を備え、 前記電源端子とグランド端子との間に、トラン
ジスタ回路部とパルス発振回路部とを含むパルス
型電流消費回路、およびホトダイオードを備えた
パルス光検出回路とを並列接続して成り、 前記電源端子あるいはグランド端子のいずれか
一方に発光ダイオード素子を直列接続可能になし
た変調光受光型ホトセンサである。
(e) 本発明の実施例
以下、この発明になる変調光受光型ホトセンサ
について、図面に示す具体的な実施例にもとづい
て詳細に説明する。第１図Ａおよび第１図Ｂは、
この発明になる変調光受光型ホトセンサの基本的
な回路構成を示すブロツク線図であり、特に第１
図Ａは、発光ダイオード素子LEDを電源端子VCC
に直列に接続した結線態様を示し、第１図Ｂは、
発光ダイオード素子（LED）をグランド端子
GNDに直列に接続した結線態様を示す。第１図
に示されるように、この発明に成る変調光受光型
ホトセンサ１は、基本的には、パルス型電流消費
回路用トランジスタ回路部２、パルス発振回路部
３、およびホトダイオード５を備えたパルス光検
出回路部４の回路群と、電源端子VCC、グランド
端子GNDおよび出力端子VOUTの端子群とを有し
ている。この発明において、前記トランジスタ回
路部２と、パルス発振回路部３およびパルス光検
出回路部４は、前記電源端子VCCとグランド端子
GNDとの間に並列に接続されている。この発明
に成る変調光受光部ホトセンサのさらに詳細な回
路構成について、第２図にもとづいて説明する。
前記トランジスタ回路部２は、トランジスタ６と
抵抗素子（Ｒ）を有している。前記トランジスタ
６のコレクタは、電源端子VCC側に、エミツタ
は、抵抗素子（Ｒ）を介してグランド素子GND
側に接続されていて、ベースは、前記パルス発振
回路部３に接続されている。前記パルス発振回路
部３は、発光ダイオード（LED）をパルス発光
させるためのパルス発振回路７と、前記パルス発
振回路７に直列に接続して成る定電圧回路８を有
している。前記パルス発振回路７は、前記パルス
型電流消費回路用トランジスタ６のベースに直接
接続されている。一方、前記パルス光検出回路部
４は、発光ダイオード（LED）からのパルス光
の有無を検出し、復調して出力するものであり、
パルス光検出回路９と、該パルス光検出回路９に
直列に接続した定電圧回路１０を有している。次
いで、前記パルス光検出回路９の詳細な回路構成
と、前記パルス光検出回路部４の動作について、
第２図および第３図にもとづいて説明する。発光
ダイオード（LED）は、第２図に示すように接
続された際、第３図に示す定常出力パルスe1を出
力する。前記発光ダイオード（LED）から出力
されるパルス光e1は、被検物の検知によつてホト
ダイオード側に検知信号e2を出力する。検知信号
e2は、ホトダイオード５で電圧パルスに変換さ
れ、直流成分を含んだまま増幅器A1で線形増幅
される。増幅器A1の出力は、抵抗素子R1および
コンデンサ素子C1から成る積分回路を経由して、
信号e3として差動増幅器A2の非反転入力端子に
入力され、かつ差動増幅器A2の反転入力端子に
は、抵抗R2で電圧効果されて入力される。差動
増幅器A2は、第３図に示す如くパルス成分のみ
が増幅されて信号e4として出力される。差動増幅
器A2の出力e4は、抵抗R4およびコンデンサC2と
から成る積分回路と、抵抗R5とを経由して、コ
ンパレータA3に入力される。前記コンパレータ
A3は、パルスが入力される毎に、その出力e5に
より、トランジスタQ1，Q2から成るカレントミ
ラー回路（C.M）を駆動して、コンデンサC3を充
電する。前記コンデンサC3は、また定電流源
（Ｉ）により放電されている。この結果、パルス
列が入力されると、コンデンサC3の＋側電位e6
は、第３図に示す如く階段状に上昇し、パルス列
が前記差動増幅器A3に入力されている間、高電
位を保つ。また、差動増幅器A3にパルス列が入
力されなくなると、コンデンサC3は放電される
のみとなり、電位は下降する。コンデンサC3の
＋側電位e6は、コンパレータA4にて、定電圧回
路の設定値を抵抗R6，R7で分圧した電位と比較
される。この電位が、信号（すなわちパルス列）
の有無を判定するスレツシユホールド電位とな
る。コンデンサC3の＋側電位がスレツシユホー
ルド電位を上まわつた場合には、コンパレータ
A4は、信号有りと判定し、その出力e7により出
力トランジスタQ3を導通する。一方、コンデン
サC3の＋側電位がスレツシユホールド電位を下
まわつた場合には、コンパレータA4は、信号無
しと判定し、出力トランジスタQ3を非導通とす
る。コンパレータA4の出力を、コンパレータA4
の反転入力に帰還することにより、コンデンサ
C3の＋側電位とコンパレータA4の出力との間に
ヒステレシスを付けることができる。これは、出
力端子VOUTのチヤタリング防止に有効なもので
ある。
について、図面に示す具体的な実施例にもとづい
て詳細に説明する。第１図Ａおよび第１図Ｂは、
この発明になる変調光受光型ホトセンサの基本的
な回路構成を示すブロツク線図であり、特に第１
図Ａは、発光ダイオード素子LEDを電源端子VCC
に直列に接続した結線態様を示し、第１図Ｂは、
発光ダイオード素子（LED）をグランド端子
GNDに直列に接続した結線態様を示す。第１図
に示されるように、この発明に成る変調光受光型
ホトセンサ１は、基本的には、パルス型電流消費
回路用トランジスタ回路部２、パルス発振回路部
３、およびホトダイオード５を備えたパルス光検
出回路部４の回路群と、電源端子VCC、グランド
端子GNDおよび出力端子VOUTの端子群とを有し
ている。この発明において、前記トランジスタ回
路部２と、パルス発振回路部３およびパルス光検
出回路部４は、前記電源端子VCCとグランド端子
GNDとの間に並列に接続されている。この発明
に成る変調光受光部ホトセンサのさらに詳細な回
路構成について、第２図にもとづいて説明する。
前記トランジスタ回路部２は、トランジスタ６と
抵抗素子（Ｒ）を有している。前記トランジスタ
６のコレクタは、電源端子VCC側に、エミツタ
は、抵抗素子（Ｒ）を介してグランド素子GND
側に接続されていて、ベースは、前記パルス発振
回路部３に接続されている。前記パルス発振回路
部３は、発光ダイオード（LED）をパルス発光
させるためのパルス発振回路７と、前記パルス発
振回路７に直列に接続して成る定電圧回路８を有
している。前記パルス発振回路７は、前記パルス
型電流消費回路用トランジスタ６のベースに直接
接続されている。一方、前記パルス光検出回路部
４は、発光ダイオード（LED）からのパルス光
の有無を検出し、復調して出力するものであり、
パルス光検出回路９と、該パルス光検出回路９に
直列に接続した定電圧回路１０を有している。次
いで、前記パルス光検出回路９の詳細な回路構成
と、前記パルス光検出回路部４の動作について、
第２図および第３図にもとづいて説明する。発光
ダイオード（LED）は、第２図に示すように接
続された際、第３図に示す定常出力パルスe1を出
力する。前記発光ダイオード（LED）から出力
されるパルス光e1は、被検物の検知によつてホト
ダイオード側に検知信号e2を出力する。検知信号
e2は、ホトダイオード５で電圧パルスに変換さ
れ、直流成分を含んだまま増幅器A1で線形増幅
される。増幅器A1の出力は、抵抗素子R1および
コンデンサ素子C1から成る積分回路を経由して、
信号e3として差動増幅器A2の非反転入力端子に
入力され、かつ差動増幅器A2の反転入力端子に
は、抵抗R2で電圧効果されて入力される。差動
増幅器A2は、第３図に示す如くパルス成分のみ
が増幅されて信号e4として出力される。差動増幅
器A2の出力e4は、抵抗R4およびコンデンサC2と
から成る積分回路と、抵抗R5とを経由して、コ
ンパレータA3に入力される。前記コンパレータ
A3は、パルスが入力される毎に、その出力e5に
より、トランジスタQ1，Q2から成るカレントミ
ラー回路（C.M）を駆動して、コンデンサC3を充
電する。前記コンデンサC3は、また定電流源
（Ｉ）により放電されている。この結果、パルス
列が入力されると、コンデンサC3の＋側電位e6
は、第３図に示す如く階段状に上昇し、パルス列
が前記差動増幅器A3に入力されている間、高電
位を保つ。また、差動増幅器A3にパルス列が入
力されなくなると、コンデンサC3は放電される
のみとなり、電位は下降する。コンデンサC3の
＋側電位e6は、コンパレータA4にて、定電圧回
路の設定値を抵抗R6，R7で分圧した電位と比較
される。この電位が、信号（すなわちパルス列）
の有無を判定するスレツシユホールド電位とな
る。コンデンサC3の＋側電位がスレツシユホー
ルド電位を上まわつた場合には、コンパレータ
A4は、信号有りと判定し、その出力e7により出
力トランジスタQ3を導通する。一方、コンデン
サC3の＋側電位がスレツシユホールド電位を下
まわつた場合には、コンパレータA4は、信号無
しと判定し、出力トランジスタQ3を非導通とす
る。コンパレータA4の出力を、コンパレータA4
の反転入力に帰還することにより、コンデンサ
C3の＋側電位とコンパレータA4の出力との間に
ヒステレシスを付けることができる。これは、出
力端子VOUTのチヤタリング防止に有効なもので
ある。
要するに、この発明になる変調光受光型ホトセ
ンサは、電源端子VCCとグランド端子GNDとの間
に並列に接続された回路の消費電流により、発光
ダイオード素子（LED）は常時発光する。しか
しながら、電源端子VCCとグランド端子GNDとの
間に並列に接続された回路の消費電流は、トラン
ジスタ６を流れるパルス成分と、パルス発振回路
７及びパルス光検出回路９を流れるDC成分を合
成したものであつて、かつパルス光検出回路部４
について、第２図に示すように、交流アンプA2
及びA2を組み合わせることによりDC成分がカツ
トされ、第３図においてA2出力及びA3出力で示
すように、パルス成分のみが検出される。したが
つて、上記するように発光ダイオードが常時に発
光するものであつたとしても、上記する理由から
明らかなように、その為に当該装置が変調光受光
型ホトセンサとして機能しないことはない。
ンサは、電源端子VCCとグランド端子GNDとの間
に並列に接続された回路の消費電流により、発光
ダイオード素子（LED）は常時発光する。しか
しながら、電源端子VCCとグランド端子GNDとの
間に並列に接続された回路の消費電流は、トラン
ジスタ６を流れるパルス成分と、パルス発振回路
７及びパルス光検出回路９を流れるDC成分を合
成したものであつて、かつパルス光検出回路部４
について、第２図に示すように、交流アンプA2
及びA2を組み合わせることによりDC成分がカツ
トされ、第３図においてA2出力及びA3出力で示
すように、パルス成分のみが検出される。したが
つて、上記するように発光ダイオードが常時に発
光するものであつたとしても、上記する理由から
明らかなように、その為に当該装置が変調光受光
型ホトセンサとして機能しないことはない。
この発明に成る変調光受光型ホトセンサは、第
２図の回路構成からも明らかなように、全べての
コンデンサC1，C2およびC3を、その片側極にお
いてグランド端子GND側に接地接続されるもの
であり、有極性である接合容量を適用することが
できる。この接合容量は、MOS容量に比べて単
位容量当りの面積が約1/20程度であるので、集積
回路下した際のチツプ面積を小さくすることがで
きる。
２図の回路構成からも明らかなように、全べての
コンデンサC1，C2およびC3を、その片側極にお
いてグランド端子GND側に接地接続されるもの
であり、有極性である接合容量を適用することが
できる。この接合容量は、MOS容量に比べて単
位容量当りの面積が約1/20程度であるので、集積
回路下した際のチツプ面積を小さくすることがで
きる。
第４図に、三端子タイプの樹脂モールドパツケ
ージ１１に実装された、この発明に成る変調光受
光型ホトセンサの実施例を示す。この実施例によ
れば、ホトダイオード５は、ホトセンサにおける
受光レンズ１２の集点に位置するように集積回路
用チツプ１３の中央部分に配置される。パルス発
振回路７とパルス検出回路９は、互いの干渉を防
止する目的において、それぞれ個別に設けられる
定電圧回路８および１０によつて分離された位置
に配置される。また、グランドラインも、チツプ
上では、互いに交わらず、それぞれ別のグランド
電極パツドG1，G2をもつていてリードフレーム
に接続されるようになつている。このように設計
することによつて共通インピーダンスを防止す
る。
ージ１１に実装された、この発明に成る変調光受
光型ホトセンサの実施例を示す。この実施例によ
れば、ホトダイオード５は、ホトセンサにおける
受光レンズ１２の集点に位置するように集積回路
用チツプ１３の中央部分に配置される。パルス発
振回路７とパルス検出回路９は、互いの干渉を防
止する目的において、それぞれ個別に設けられる
定電圧回路８および１０によつて分離された位置
に配置される。また、グランドラインも、チツプ
上では、互いに交わらず、それぞれ別のグランド
電極パツドG1，G2をもつていてリードフレーム
に接続されるようになつている。このように設計
することによつて共通インピーダンスを防止す
る。
(f) 本発明の効果
以上の構成に成るこの発明の変調光受光型ホト
センサは、電源端子VCCあるいはグランド端子
GNDのいずれかが、発光ダイオード用パルス駆
動端子として兼用されるように回路構成されてい
るため、当該変調光受光型ホトセンサ装置として
の端子数を、電源端子VCC、出力端子VOUT、およ
びグランド端子GNDの３端子とすることができ
る。さらに、この装置において、回路中に適用さ
れるコンデンサの全てが片側接地となるように回
路構成してあるので、有極性の接合容量を用いる
ことができ、チツプ面積を小さくできる。このよ
うな構成によれば、装置の小型化を図ることがで
き、しかも、発光ダイオードとの結線を少なくと
も１つは削減でき、作動性の向上、多量生産の適
合化による低コスト化においてきわめて実効のあ
るものといえる。
センサは、電源端子VCCあるいはグランド端子
GNDのいずれかが、発光ダイオード用パルス駆
動端子として兼用されるように回路構成されてい
るため、当該変調光受光型ホトセンサ装置として
の端子数を、電源端子VCC、出力端子VOUT、およ
びグランド端子GNDの３端子とすることができ
る。さらに、この装置において、回路中に適用さ
れるコンデンサの全てが片側接地となるように回
路構成してあるので、有極性の接合容量を用いる
ことができ、チツプ面積を小さくできる。このよ
うな構成によれば、装置の小型化を図ることがで
き、しかも、発光ダイオードとの結線を少なくと
も１つは削減でき、作動性の向上、多量生産の適
合化による低コスト化においてきわめて実効のあ
るものといえる。
さらに、この発明に成る変調光受光型ホトセン
サは、発光ダイオードをパルス駆動させるもので
あり、被検物の検出精度を高くし、光結合路を長
く設定することができる点等において、適用範囲
の広いホトセンサとしてきわめて有利なものであ
るといえる。
サは、発光ダイオードをパルス駆動させるもので
あり、被検物の検出精度を高くし、光結合路を長
く設定することができる点等において、適用範囲
の広いホトセンサとしてきわめて有利なものであ
るといえる。
第１図Ａおよび第１図Ｂは、この発明に成る変
調光受光型ホトセンサの基本構成を示すものであ
り、第１図Ａは、発光ダイオードを電源端子VCC
に接続した例を示す回路図、第１図Ｂは、発光ダ
イオードをグランド端子GNDに接続した例を示
す回路図、第２図は、この発明に成る変調光受光
型ホトセンサの回路の詳細を示す回路図、第３図
は、第２図に示す回路構成例における各部分の信
号を示す波形図、第４図は、チツプ体に成形され
る集積回路の配列例を示す概略的正面図、第５図
は、従来の光電変換検出システムの構成例の概
略的ブロツク線図、第６図は、従来の光電変換検
出システムの構成例における透過型装置の概略
的ブロツク線図、第７図は、従来の光電変換検出
システムの構成例における反射型装置の概略的
ブロツク線図、第８図Ａおよび第８図Ｂは、本発
明の変調光受光型ホトセンサと従来の変調光受光
型ホトセンサの外観を比較して示す概略的斜視
図、第９図Ａおよび第９図Ｂは、本発明の変調光
受光型ホトセンサと従来の変調光受光型ホトセン
サの透過型結線例を比較して示す概略的斜視図、
第１０図Ａおよび第１０図Ｂは、本発明の変調受
光型ホトセンサと従来の変調光受光型ホトセンサ
の反射型結線例を比較して示す概略的斜視図であ
る。 １……変調光受光型ホトセンサ、２……トラン
ジスタ回路部、３……パルス発振回路部、４……
パルス光検出回路部、５……ホトダイオード、６
……トランジスタ、７……パルス発振回路、８，
１０……定電圧回路、９……パルス光検出回路、
VCC……電源端子、VOUT……出力端子、GND……
グランド端子。
調光受光型ホトセンサの基本構成を示すものであ
り、第１図Ａは、発光ダイオードを電源端子VCC
に接続した例を示す回路図、第１図Ｂは、発光ダ
イオードをグランド端子GNDに接続した例を示
す回路図、第２図は、この発明に成る変調光受光
型ホトセンサの回路の詳細を示す回路図、第３図
は、第２図に示す回路構成例における各部分の信
号を示す波形図、第４図は、チツプ体に成形され
る集積回路の配列例を示す概略的正面図、第５図
は、従来の光電変換検出システムの構成例の概
略的ブロツク線図、第６図は、従来の光電変換検
出システムの構成例における透過型装置の概略
的ブロツク線図、第７図は、従来の光電変換検出
システムの構成例における反射型装置の概略的
ブロツク線図、第８図Ａおよび第８図Ｂは、本発
明の変調光受光型ホトセンサと従来の変調光受光
型ホトセンサの外観を比較して示す概略的斜視
図、第９図Ａおよび第９図Ｂは、本発明の変調光
受光型ホトセンサと従来の変調光受光型ホトセン
サの透過型結線例を比較して示す概略的斜視図、
第１０図Ａおよび第１０図Ｂは、本発明の変調受
光型ホトセンサと従来の変調光受光型ホトセンサ
の反射型結線例を比較して示す概略的斜視図であ
る。 １……変調光受光型ホトセンサ、２……トラン
ジスタ回路部、３……パルス発振回路部、４……
パルス光検出回路部、５……ホトダイオード、６
……トランジスタ、７……パルス発振回路、８，
１０……定電圧回路、９……パルス光検出回路、
VCC……電源端子、VOUT……出力端子、GND……
グランド端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光器と受光器とを光結合路空隙を隔てて配
置し、該光結合路空隙にもたらされる被検物の有
無、位置あるいは位相等を検知し、これを電気信
号で出力する光電変換システムであつて、前記発
光器をパルス駆動させ、該発光器からのパルス変
調光を光結合路を介して受光して検知電気信号を
出力する変調光受光型ホトセンサにおいて、 電源端子VCC、グランド端子GNDおよび出力端
子VOUTの三つの端子を備え、前記電源端子VCCと
グランド端子GNDとの間に、トランジスタ回路
部とパルス発振回路部とを含むパルス型電流消費
回路およびホトダイオードを備えたパルス光検出
回路とを並列接続してなり、 前記電源端子VCCあるいはグランド端子GNDの
いずれか一方に発光ダイオード素子を直列接続可
能になしたことを特徴とする変調光受光型ホトセ
ンサ。 ２ 前記パルス型電流消費回路および前記パルス
光検出回路に対して、それぞれ個別に定電圧回路
を直列接続してなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の変調光受光型ホトセンサ。 ３ 前記パルス型電流消費回路用トランジスタ、
パルス発振回路、パルス光検出回路、定電圧回
路、およびホトダイオードを１チツプ化した集積
回路素子と、前記集積回路素子の電源端子VCC、
出力端子VOUTおよびグランド端子GNDにそれぞ
れリード接続した三つの外部電極とを備えている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項に記載の変調光受光型ホトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61066619A JPS62222130A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 変調光受光型ホトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61066619A JPS62222130A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 変調光受光型ホトセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222130A JPS62222130A (ja) | 1987-09-30 |
| JPH0441937B2 true JPH0441937B2 (ja) | 1992-07-09 |
Family
ID=13321085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61066619A Granted JPS62222130A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 変調光受光型ホトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222130A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5721160B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2015-05-20 | Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 | 機器検査装置及び機器検査方法 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61066619A patent/JPS62222130A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62222130A (ja) | 1987-09-30 |
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