JPH0442066Y2 - - Google Patents

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JPH0442066Y2
JPH0442066Y2 JP1986161456U JP16145686U JPH0442066Y2 JP H0442066 Y2 JPH0442066 Y2 JP H0442066Y2 JP 1986161456 U JP1986161456 U JP 1986161456U JP 16145686 U JP16145686 U JP 16145686U JP H0442066 Y2 JPH0442066 Y2 JP H0442066Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は溶接ワイヤを用いて溶接するアーク溶
接用コンタクトチツプ、特に高融点金属被覆のア
ーク溶接用コンタクトチツプに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a contact tip for arc welding which is welded using a welding wire, and particularly to a contact tip for arc welding coated with a high melting point metal.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

消耗電極である溶接ワイヤを連続的に溶融する
ガスシールドアーク溶接、又はノンガスアーク溶
接方法では、溶接トーチの先端部に取付けられた
コンタクトチツプによつて溶接ワイヤに通電さ
れ、そのワイヤの先端と被溶接物との間にアーク
が発生して、そのアーク熱により溶接ワイヤが溶
けて、溶融金属となり、被溶接物に移行して溶着
する。その際、アークと溶融金属のまわりはシー
ルドガスによつて空気と遮断され、ポロシテイの
発生や溶融金属の酸化等が防止される。
In gas-shielded arc welding or non-gas arc welding methods in which welding wire, which is a consumable electrode, is continuously melted, the welding wire is energized by a contact tip attached to the tip of the welding torch, and the welding wire is energized by a contact tip attached to the tip of the welding torch. An arc is generated between the wire and the workpiece, and the welding wire is melted by the heat of the arc, turning into molten metal, which transfers to the workpiece and welds it. At this time, the area around the arc and molten metal is isolated from the air by a shielding gas, thereby preventing the generation of porosity and oxidation of the molten metal.

上記アーク溶接方法の中で、ガスシールドアー
ク溶接方法は、被覆アーク溶接に比べ、能率が高
いため、自動又は、半自動溶接装置や溶接ロボツ
トに多く用いられている。
Among the above-mentioned arc welding methods, gas shielded arc welding is more efficient than shielded arc welding, and is therefore often used in automatic or semi-automatic welding equipment and welding robots.

上記ガスシールドアーク溶接方法の中で、炭酸
ガス溶接はよく用いられる溶接方法であるが、溶
接中スパツターの発生が多く、これが溶接トーチ
先端部の、銅あるいは銅合金製コンタクトチツプ
の先端部や、シールドガスを供給するガスノズル
の先端部に付着し易い。
Among the gas-shielded arc welding methods mentioned above, carbon dioxide welding is a commonly used welding method, but spatter often occurs during welding, and this can occur at the tip of the copper or copper alloy contact tip at the tip of the welding torch, or at the tip of the copper or copper alloy contact tip. It tends to adhere to the tip of the gas nozzle that supplies shielding gas.

スパツターがコンタクトチツプやガスノズルに
付着すると、シールドガスのスムーズな流れが妨
げられて、空気を巻き込み易くなり、ポロシテイ
発生の原因となる。
If spatter adheres to the contact tip or gas nozzle, the smooth flow of shielding gas will be obstructed, making it easier for air to be drawn in, causing porosity.

また、多量に付着したスパツターで、コンタク
トチツプとガスノズルがつながると、ガスノズル
が被溶接物に溶接した時にスパークを生じ、トー
チを焼損する恐れがある。
Furthermore, if a large amount of spatter adheres to the contact tip and the gas nozzle is connected, sparks may be generated when the gas nozzle welds the workpiece, which may burn out the torch.

更に、スパツターが、コンタクトチツプの先端
部から、孔内へあるいはガスノズル内のガス流路
を逆行し、コンタクトチツプ内に侵入してコンタ
クトチツプの孔内に付着すると、 ワイヤ詰りを
起こし、溶接中断となることがある。
Furthermore, if the spatter travels from the tip of the contact tip into the hole or through the gas flow path in the gas nozzle, enters the contact tip, and adheres to the hole in the contact tip, it will clog the wire and cause welding to be interrupted. It may happen.

スパツターは溶接中に飛散する高温粒子で、溶
融スラグと溶融金属からなる。この溶融金属の温
度は1800〜2300℃の高温で、これがコンタクトチ
ツプとガスノズルに付着し易い。
Spatter is hot particles that fly during welding and consists of molten slag and molten metal. The temperature of this molten metal is high, 1800-2300°C, and it tends to adhere to the contact tip and gas nozzle.

一方、スパツターが付着する要因には、冶金的
要因と物理的要因の2つがあつて、前者はスパツ
ターがコンタクトチツプに衝突して、その表面を
溶融し、合金層を形成して溶着するもので、スパ
ツターの温度が高い程、またコンタクトチツプの
温度が高い程、付着力が強く、除去しにくくな
る。後者は、コンタクトチツプの表面粗さに起因
する機械的付着で、コンタクトチツプの傷など、
表面が粗くなると付着し易くなる。
On the other hand, there are two factors that cause spatter to adhere: metallurgical and physical factors.The former is when the sputter collides with the contact chip, melts its surface, forms an alloy layer, and welds. The higher the temperature of the sputter and the higher the temperature of the contact tip, the stronger the adhesion and the more difficult it is to remove. The latter is mechanical adhesion caused by the surface roughness of the contact tip, and may cause scratches on the contact tip, etc.
The rougher the surface, the easier it will be to adhere.

スパツターの付着を防止するため、従来、いろ
いろな改善策が提示された。
In order to prevent spatter adhesion, various improvement measures have been proposed in the past.

実開昭52−26630号公報に記載の如く、コンタ
クトチツプ基体先端部に、セラミツクス製チツプ
ガイドを固定する方式のコンタクトチツプが提案
され、また、実開昭57−82484号公報に記載の如
く、コンタクトチツプ基体の先端部分に、セラミ
ツクス製の先端チツプを結合したコンタクトチツ
プも提案されている。
As described in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 52-26630, a contact chip in which a ceramic tip guide is fixed to the tip of the contact chip base was proposed, and as described in Japanese Utility Model Application Publication No. 57-82484, A contact chip in which a ceramic tip is bonded to the tip of a tip base has also been proposed.

これらセラミツクス製チツプは、銅合金製コン
タクトチツプ基体に比べ、熱膨張率が非常に小さ
いので、割れの問題が避けられなかつた。
Since these ceramic chips have a much smaller coefficient of thermal expansion than the copper alloy contact chip base, the problem of cracking was unavoidable.

次いで、実開昭61−77175号公報に記載の如く、
コンタクトチツプの内外、全表面に硬質セラミツ
クスの薄い層をコーデイングしたコンタクトチツ
プも提案されている。これには、セラミツクス被
覆が剥離し易いという問題があつた。
Next, as described in Japanese Utility Model Application No. 61-77175,
Contact chips have also been proposed in which a thin layer of hard ceramic is coated on the entire surface, both inside and outside the contact chip. This had the problem that the ceramic coating was easily peeled off.

〔考案が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention attempts to solve]

従来の、セラミツクスを被覆したコンタクトチ
ツプでは、被覆が剥離し易く、寿命が短くなると
いう問題があつた。
Conventional contact chips coated with ceramics have a problem in that the coating tends to peel off, resulting in a shortened lifespan.

本考案の目的は、この問題点を消除した、被覆
の剥離しにくい、寿命の長いコンタクトチツプを
提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a contact chip which eliminates this problem, has a coating that is difficult to peel off, and has a long life.

〔問題点を解決するための手段〕 本考案の目的は、溶接ワイヤを通す孔を有し、
その孔内で溶接ワイヤに溶接電流を供給する銅な
いし銅合金製のアーク溶接用コンタクトチツプに
おいて、コンタクトチツプ基体の表面に融点2500
℃以上の高融点金属の被覆を有することを特徴と
する高融点金属被覆のアーク溶接用コンタクトチ
ツプを提供することにより達成される。
[Means for solving the problem] The object of the present invention is to provide a welding wire having a hole through which a welding wire is passed;
In arc welding contact chips made of copper or copper alloy that supply welding current to the welding wire within the hole, the surface of the contact chip base has a melting point of 2500
This is achieved by providing a contact tip for arc welding coated with a high melting point metal, which is characterized by having a coating of a metal with a high melting point of 0.degree. C. or higher.

〔作用〕[Effect]

銅ないし銅合金製コンタクトチツプ基体の表面
全体に、融点2500℃以上の高融点金属の被覆を
CVD法、即ち化学蒸着法により蒸着させると、
蒸着した前記高融点金属がコンタクトチツプ基体
の表面層に拡散して、銅との合金層を形成し、そ
の結果、高融点金属の被覆の密着性が大巾に向上
するために、コンタクトチツプにスパツターが衝
突して、局部的な熱衝撃が繰返し与えられても、
高融点金属の被覆の剥離が生じにくい。
The entire surface of the copper or copper alloy contact chip base is coated with a high melting point metal with a melting point of 2500℃ or higher.
When deposited by CVD method, that is, chemical vapor deposition method,
The vapor-deposited high melting point metal diffuses into the surface layer of the contact chip substrate to form an alloy layer with copper, and as a result, the adhesion of the high melting point metal coating is greatly improved. Even if sputters collide and local thermal shock is repeatedly applied,
Peeling of the high melting point metal coating is less likely to occur.

〔実施例〕〔Example〕

実施例について、第1,2図により説明する。 Examples will be explained with reference to FIGS. 1 and 2.

アーク溶接用の1%クロム含有の銅合金製コン
タクトチツプ基体1aの表面に、CVD法により、
高融点金属の被覆3、即ち、タングステン被覆を
14μmの厚さに被覆する。
The surface of the contact chip base 1a made of copper alloy containing 1% chromium for arc welding is coated by CVD method.
Refractory metal coating 3, i.e. tungsten coating
Coat to a thickness of 14 μm.

このCVD法では、反応室内にコンタクトチツ
プ基体1aを入れて、室内を430℃に昇温し、原
料ガスWF6とキヤリアガスH2を送り込んで、コ
ンタクトチツプ基体1aの全表面に、タングステ
ン金属層を析出させる。その反応式は次式、即
ち、WF6+3H2→W+6HFで示される。
In this CVD method, a contact chip substrate 1a is placed in a reaction chamber, the temperature of the chamber is raised to 430°C, a raw material gas WF 6 and a carrier gas H 2 are fed, and a tungsten metal layer is formed on the entire surface of the contact chip substrate 1a. Let it precipitate. The reaction formula is shown by the following formula: WF 6 +3H 2 →W+6HF.

このようにして、製作したコンタクトチツプ1
をA試料とする。
Contact chip 1 manufactured in this way
Let this be sample A.

次に比較試験片製作のため、上記と同じコンタ
クトチツプ基体の別体の全表面に、予め電気メツ
キ方法により厚さ1μmのニツケル層を付与した
後、上記A試料と同じ方法で、タングステン金属
層を14μmの厚さに被覆したものをB試料とする。
また、全く被覆していない、上記と同じコンタク
トチツプ基体をC試料とする。
Next, to prepare a comparative test piece, a nickel layer with a thickness of 1 μm was applied in advance to the entire surface of a separate piece of the same contact chip base as above by electroplating method, and then a tungsten metal layer was applied in the same way as sample A above. Sample B is a sample coated with 14 μm thick.
Further, the same contact chip substrate as above without any coating was designated as sample C.

上記のA、B、C試料について、比較試験を行
つた結果を下記に説明する。
The results of a comparative test conducted on the above samples A, B, and C will be explained below.

まず、被覆の剥離については、A、B試料とも
に、被覆の剥離はほとんど生じなかつた。
First, regarding peeling of the coating, almost no peeling of the coating occurred in both samples A and B.

その理由は、A試料の場合、タングステン金属
がCVD法によりコンタクトチツプ表面に蒸着さ
れると、タングステン金属がコンタクトチツプ基
体表面に拡散して、銅との合金層を形成し、密着
性が大巾に増大したためである。
The reason for this is that in the case of sample A, when tungsten metal is deposited on the surface of the contact chip by CVD, the tungsten metal diffuses to the surface of the contact chip substrate, forming an alloy layer with copper, and the adhesion is greatly improved. This is because it has increased.

試料Bの場合は、電気メツキにより付与された
中間層のニツケルが、銅とタングステンの双方に
対し、良好な密着性を有するためである。
In the case of sample B, this is because the intermediate layer of nickel applied by electroplating has good adhesion to both copper and tungsten.

次に、スパツターの付着については、A、B試
料とのにC試料に比してスパツターの付着は大巾
に減少した。
Next, regarding the adhesion of sputters, the adhesion of spatters was greatly reduced in samples A and B compared to sample C.

その理由は、1800℃〜2300℃の高温のスパツタ
ーがコンタクトチツプ1に衝突しても、融点3370
℃のタングステン被覆3は溶融しないので、スパ
ツターがほとんど付着せず、また、剥離もほとん
ど生じないため、剥離個所のスパツター付着も起
きなかつたためである。
The reason for this is that even if a high temperature sputter of 1800°C to 2300°C collides with contact chip 1, the melting point is 3370°C.
This is because the tungsten coating 3 at 0.degree. C. does not melt, so almost no spatters adhere to it, and since peeling hardly occurs, no spatters adhere to the peeled portions.

なお、コンタクトチツプ基体1aの孔2の内部
にも、CVD法によりタングステンが被覆されて
いるため、コンタクトチツプ1の先端部から小粒
のスパツターが飛び込んでも付着しないため、ワ
イヤ詰りは半減した。
Furthermore, since the inside of the hole 2 of the contact chip base 1a is also coated with tungsten by the CVD method, even if small particles of spatter fly in from the tip of the contact chip 1, they do not stick to it, so that wire clogging is reduced by half.

次に、上記のA、B、C各試料について、寿命
テストを行つた結果を下記に説明する。
Next, the results of a life test performed on each of the above samples A, B, and C will be explained below.

寿命テストの試験方法は、炭酸ガス溶接のよ
り、溶接電流150Aで、10分間アークを出し、5
分間停止するサイクルを繰返し、途中、スパツタ
ーを除去しない方法とした。
The test method for the life test is carbon dioxide gas welding, a welding current of 150A, an arc for 10 minutes, and 5
The cycle of stopping for a minute was repeated, and the spatter was not removed during the process.

また、本実施例でいう寿命とは、スパツター付
着、あるいは摩擦により、コンタクトチツプ内で
溶接ワイヤに給電する位置が変動して不安定とな
り、溶接電流が急激に低下し始める、全溶接時間
を指している。
In addition, the life span in this example refers to the total welding time during which the welding current begins to drop rapidly due to spatter adhesion or friction, which causes the position where power is supplied to the welding wire to fluctuate and become unstable within the contact tip. ing.

試験結果については、第2図に示すように、試
料Cの寿命が約100分であるのに対し、試料Aは
約500分、試料Bは約800分と大巾に寿命が延長し
た。また、試料A、Bの寿命は、実開昭61−
77175号公報に記載されている、セラミツクス
TiN被覆のコンタクトチツプの、同一条件によ
る寿命テスト結果が約230分であることと比較し
ても、大巾な寿命向上となつている。
As for the test results, as shown in Figure 2, the lifespan of sample C was approximately 100 minutes, while that of sample A was approximately 500 minutes, and that of sample B was approximately 800 minutes, significantly extending the lifespan. In addition, the lifespan of samples A and B is
Ceramics described in Publication No. 77175
This is a significant improvement in life compared to the TiN-coated contact chip, which was tested under the same conditions and had a lifespan of approximately 230 minutes.

試料A、Bの寿命が、試料Cに比らべ大巾に向
上した主な理由は、夫々、前述のタングステン被
覆3が剥離を生じにくくなつたことによる。
The main reason why the lives of Samples A and B were greatly improved compared to Sample C is that the aforementioned tungsten coating 3 was less likely to peel off.

また、試料A、Bのタングステン被覆の場合の
方が、前記セラミツクスTiN被覆の場合に比べ、
寿命が大巾に向上した主な理由は、CVD法によ
り蒸着したセラミツクスが、コンタクトチツプ基
体の表面層に拡散しないのに対し、タングステン
被覆の場合はタングステン金属が蒸着すると、コ
ンタクトチツプ基体、あるいは、ニツケル中間層
内を拡散して、合金層を形成し、良好な密着性を
有するためである。
In addition, the tungsten coatings of samples A and B are better than the ceramic TiN coatings.
The main reason for the significant improvement in service life is that ceramics deposited by CVD do not diffuse into the surface layer of the contact chip substrate, whereas in the case of tungsten coating, when tungsten metal is deposited, it diffuses into the contact chip substrate or This is because it diffuses within the nickel intermediate layer to form an alloy layer and has good adhesion.

なお、密着性を表す一方法として、接着面に垂
直な方向の引張り強さが用いられる。CVD法に
よる被覆は非常に薄いため、引張り試験を行う適
当な方法がなく、引張強さは明らかでないが、厚
い被覆を付けられるプラズマ溶射での比較試験結
果では、引張り強さが、合金層を形成しないセラ
ミツクス被覆の場合に100〜200Kg/cm2であるのに
対し、合金層を形成する金属被覆の場合は400〜
500Kg/cm2と高いことが知られているので、CVD
法においても、合金層を形成しないセラミツクス
被覆の場合に比べ、合金層を形成する高融点金属
被覆の場合の方が、引張り強さが大巾に優れてい
ると考えられる。
Note that as one method of expressing adhesion, tensile strength in the direction perpendicular to the adhesive surface is used. Since CVD coatings are very thin, there is no suitable way to perform a tensile test, and the tensile strength is not clear. However, comparative test results using plasma spraying, which can apply thick coatings, show that the tensile strength is higher than that of the alloy layer. While it is 100-200Kg/ cm2 for a ceramic coating that does not form an alloy layer, it is 400-200Kg/cm2 for a metal coating that forms an alloy layer.
CVD is known to be as high as 500Kg/ cm2 .
Even in the case of a ceramic coating without an alloy layer, it is thought that the tensile strength of a high melting point metal coating with an alloy layer is significantly superior to that of a ceramic coating without an alloy layer.

上記結果を基にして、溶接機の稼働率を比較す
ると、自動溶接機20台を擁するロボツト自動マシ
ン工程について、ロボツト作業効率を50%、即ち
1直8時間中4時間溶接するとした場合の比較結
果は、コンタクトチツプの寿命が、1本当り、従
来方法では被溶接物100台であつたものが、本考
案により200台と、約2倍に増加し、ワイヤ詰り
の発生については、ロボツト20台全体で1直当
り、従来方法では4本であつたが、本考案により
2本へと半減して、溶接機の稼働率が大巾に向上
した。
Based on the above results, a comparison of the operating rates of welding machines shows that for a robot automatic machine process with 20 automatic welding machines, the robot work efficiency is 50%, that is, welding is performed for 4 hours out of 8 hours per shift. As a result, the lifespan of each contact tip was approximately doubled, from 100 objects to be welded using the conventional method, to 200 objects using the present invention, and the occurrence of wire jamming was reduced to 200 objects per contact tip. The conventional method required four welders per shift for the entire machine, but this was halved to two with the present invention, greatly improving the operating rate of the welding machine.

なお、本実施例では、高融点金属としてタング
ステンの場合を説明したが、融点3000℃のタンタ
ル、2620℃のモリブデンの場合も、また、夫々の
上記高融点金属間の合金の場合も、同様な効果が
得られる。
In this example, the case of tungsten as the high melting point metal was explained, but the same applies to tantalum with a melting point of 3000°C, molybdenum with a melting point of 2620°C, and alloys between the above high melting point metals. Effects can be obtained.

〔考案の効果〕[Effect of idea]

銅ないし銅合金製コンタクトチツプ基体の表面
に、融点2500℃以上の高融点金属の被覆を設ける
ことにより、高温のスパツターが衝突して、局部
的熱衝撃が繰返し与えられても、被覆が剥離しに
くく、従つて剥離個所にスパツターがほとんど付
着せず、かつ、高融点金属の被覆が溶融しないた
めにスパツターの付着が更に少なくなるので、全
体としてコンタクトチツプの寿命が大巾に向上す
る。
By providing a coating of a high-melting point metal with a melting point of 2,500°C or higher on the surface of the copper or copper alloy contact chip substrate, the coating will not peel off even if a high-temperature sputter collides with it and repeatedly applies localized thermal shock. Therefore, since the high-melting point metal coating is not melted, spatters are less likely to adhere to the peeled area, and the life of the contact tip is greatly improved as a whole.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案による、高融点金属被覆のコン
タクトチツプの断面図、第2図はコンタクトチツ
プの寿命のテストの結果比較図を示す。 1……コンタクトチツプ、1a……コンタクト
チツプ基体、2……孔、3……高融点金属の被
覆。
FIG. 1 is a sectional view of a contact chip coated with a high melting point metal according to the present invention, and FIG. 2 is a comparison diagram of the results of a life test of the contact chip. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Contact chip, 1a... Contact chip base, 2... Hole, 3... Refractory metal coating.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 1 溶接ワイヤを通す孔を有し、その孔内で溶接
ワイヤに溶接電流を供給する銅ないし銅合金製
のアーク溶接用コンタクトチツプにおいて、コ
ンタクトチツプ基体の表面に融点2500℃以上の
高融点金属の被覆を有することを特徴とする高
融点金属被覆のアーク溶接用コンタクトチツ
プ。 2 コンタクトチツプ基体と高融点金属の被覆と
の中間に、基体及び被覆の金属それぞれと密着
のよい他の金属層を有することを特徴とする実
用新案登録請求の範囲第1項に記載の高融点金
属被覆のアーク溶接用コンタクトチツプ。
[Claims for Utility Model Registration] 1. A contact tip for arc welding made of copper or copper alloy that has a hole through which a welding wire passes and supplies welding current to the welding wire within the hole, the surface of the contact tip base having a melting point. A contact chip for arc welding coated with a high melting point metal, characterized by having a coating of a high melting point metal of 2500°C or higher. 2. The high melting point contact chip according to claim 1 of the utility model registration claim, which has another metal layer between the contact chip base and the high melting point metal coating that has good adhesion to the base and coating metals respectively. Metal coated contact tip for arc welding.
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