JPH0442813B2 - - Google Patents
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- JPH0442813B2 JPH0442813B2 JP7711287A JP7711287A JPH0442813B2 JP H0442813 B2 JPH0442813 B2 JP H0442813B2 JP 7711287 A JP7711287 A JP 7711287A JP 7711287 A JP7711287 A JP 7711287A JP H0442813 B2 JPH0442813 B2 JP H0442813B2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は複素環式化合物のポリマーを固体電解
質とする積層型固体電解コンデンサ及びその製造
方法に関し、特に高周波領域において低インピー
ダンス且つ小型の積層型固体電解コンデンサ及び
その製造方法に関するものである。
質とする積層型固体電解コンデンサ及びその製造
方法に関し、特に高周波領域において低インピー
ダンス且つ小型の積層型固体電解コンデンサ及び
その製造方法に関するものである。
スチツチング電源の小型化に伴いその出力平滑
回路部に用いられる出力平滑用コンデンサは、特
に10KHz以上の高周波数領域において、低インピ
ーダンスであることが要求され、且つその高さ寸
法20mm以下というように小さいことが要求されて
いる。
回路部に用いられる出力平滑用コンデンサは、特
に10KHz以上の高周波数領域において、低インピ
ーダンスであることが要求され、且つその高さ寸
法20mm以下というように小さいことが要求されて
いる。
しかしながら従来の1個の出力平滑用アルミニ
ウム電解コンデンサを用いる平滑回路では、高周
波領域でのインピーダンス値が高く、高周波領域
における低インピーダンスを得るため現状のスイ
ツチング電源においては、小型アルミニウム電解
コンデンサを5個〜10個並列に接続して使用し、
コンデンサ要領を大きくして低インピーダンスと
している。
ウム電解コンデンサを用いる平滑回路では、高周
波領域でのインピーダンス値が高く、高周波領域
における低インピーダンスを得るため現状のスイ
ツチング電源においては、小型アルミニウム電解
コンデンサを5個〜10個並列に接続して使用し、
コンデンサ要領を大きくして低インピーダンスと
している。
しかしながら、上記の如く低インピーダンスを
得るため、小型アルミニウム電解コンデンサを5
個〜10個並列に接続して使用すると、電源小型化
の障害となるばかりではなく、スイツチング電源
の組み立てに手間がかかり、低コスト化の障害と
なるという問題点があつた。
得るため、小型アルミニウム電解コンデンサを5
個〜10個並列に接続して使用すると、電源小型化
の障害となるばかりではなく、スイツチング電源
の組み立てに手間がかかり、低コスト化の障害と
なるという問題点があつた。
また、小型化した高周波スイツチング電源にお
いては、平滑回路部のコンデンサ容量を小さくす
ることが要望されるが、上記従来の如くアルミニ
ウム電解コンデンサを並列に接続してインピーダ
ンスを低くする方法ではこの要望に答えることが
できないという欠点もあつた。
いては、平滑回路部のコンデンサ容量を小さくす
ることが要望されるが、上記従来の如くアルミニ
ウム電解コンデンサを並列に接続してインピーダ
ンスを低くする方法ではこの要望に答えることが
できないという欠点もあつた。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、高
周波領域でインピーダンスが低く、小型化及び量
産化に適した積層型固体電解コンデンサ及びその
製造方法を提供することにある。
周波領域でインピーダンスが低く、小型化及び量
産化に適した積層型固体電解コンデンサ及びその
製造方法を提供することにある。
上記問題点を解決するため本発明は、積層型固
体電解コンデンサを下記のように構成する。
体電解コンデンサを下記のように構成する。
誘電体酸化皮膜の形成できる金属板の所定部
に絶縁物層を形成し、該絶縁物層により区分さ
れた該金属板の一方の部分に誘電体酸化皮膜
層、複素環式化合物のポリマー層、導電体層を
順次形成し、該金属板を絶縁物層により区分さ
れた一方の部分及び他方の部分をそれぞれ互い
に対応させると共に該一方の部分と一方の部分
の間に導電体板を介在させて積層して一体化
し、前記絶縁物層により区分された他方の部分
を互いに接合させると共に導電体板も互いに接
合させ、該両接合部にそれぞれ端子を取り付け
てコンデンサ素子とする。
に絶縁物層を形成し、該絶縁物層により区分さ
れた該金属板の一方の部分に誘電体酸化皮膜
層、複素環式化合物のポリマー層、導電体層を
順次形成し、該金属板を絶縁物層により区分さ
れた一方の部分及び他方の部分をそれぞれ互い
に対応させると共に該一方の部分と一方の部分
の間に導電体板を介在させて積層して一体化
し、前記絶縁物層により区分された他方の部分
を互いに接合させると共に導電体板も互いに接
合させ、該両接合部にそれぞれ端子を取り付け
てコンデンサ素子とする。
また、上記積層型固体電解コンデンサを下記の
手段を用いて製造する。
手段を用いて製造する。
少なくとも一側部に複数の所定形状の突起部
を所定の間隔をおいて形成した形状の誘電体酸
化皮膜を形成できる金属板の該突起部の所定部
分に絶縁物層を形成する手段と、該絶縁物層で
区分される一方の部分に誘電体酸化皮膜層、複
素環式化合物のポリマー層及び導電体層を順次
形成する手段と、該金属板をその突起部がそれ
ぞれ対応するようにすると共に前記絶縁物層で
区分された一方の部分の導電体層と導電体層と
の間に導電体板を介在させて複数板積層する手
段と、該積層体の突起部部分を加圧一体化する
手段と、該一体化された積層体の前記導電体板
部分及び金属板部分を互い接合する手段と、該
積層体を所定部で切断し個々の素子積層体とす
る手段と、該素子積層体の前記導電体板部分及
び金属板部分に端子を取り付ける手段とを少な
くとも具備してコンデンサ素子を製造する。
を所定の間隔をおいて形成した形状の誘電体酸
化皮膜を形成できる金属板の該突起部の所定部
分に絶縁物層を形成する手段と、該絶縁物層で
区分される一方の部分に誘電体酸化皮膜層、複
素環式化合物のポリマー層及び導電体層を順次
形成する手段と、該金属板をその突起部がそれ
ぞれ対応するようにすると共に前記絶縁物層で
区分された一方の部分の導電体層と導電体層と
の間に導電体板を介在させて複数板積層する手
段と、該積層体の突起部部分を加圧一体化する
手段と、該一体化された積層体の前記導電体板
部分及び金属板部分を互い接合する手段と、該
積層体を所定部で切断し個々の素子積層体とす
る手段と、該素子積層体の前記導電体板部分及
び金属板部分に端子を取り付ける手段とを少な
くとも具備してコンデンサ素子を製造する。
上記の如く構成することにより、複素環式化合
物からなるポリマー層を固体電解質とする固体電
解コンデンサは高周波領域においてそのインピー
ダンスが低く、しかも該固体電解コンデンサを積
層構造とするから、後記の実験結果に示すように
10KHz以上の高周波数領域で、従来の小型のアル
ミニウムコンデンサに比較し低インピーダンスの
固体電解コンデンサとなる。
物からなるポリマー層を固体電解質とする固体電
解コンデンサは高周波領域においてそのインピー
ダンスが低く、しかも該固体電解コンデンサを積
層構造とするから、後記の実験結果に示すように
10KHz以上の高周波数領域で、従来の小型のアル
ミニウムコンデンサに比較し低インピーダンスの
固体電解コンデンサとなる。
また、特に絶縁物層の一方の部分に形成した導
電体層と導電体層との間に導電体板を介在させる
ことにより引き出し端子固有のインダクタンスを
低減でき、低インダクタンスの固体電解コンデン
サとなる。また、耐電流性の向上、即ち高周波電
流を流した時温度上昇が小さい。
電体層と導電体層との間に導電体板を介在させる
ことにより引き出し端子固有のインダクタンスを
低減でき、低インダクタンスの固体電解コンデン
サとなる。また、耐電流性の向上、即ち高周波電
流を流した時温度上昇が小さい。
また、少なくとも一側部に複数の突起部を形成
した形状の金属板の突起部に陽極酸化皮膜層、複
素環式化合物のポリマー層、導電体層を順次形成
し、該金属板を複素数枚積層させてから切断して
製造するので、積層型固体電解コンデンサの量産
化が可能となると共に、製品の品質が均一とな
る。
した形状の金属板の突起部に陽極酸化皮膜層、複
素環式化合物のポリマー層、導電体層を順次形成
し、該金属板を複素数枚積層させてから切断して
製造するので、積層型固体電解コンデンサの量産
化が可能となると共に、製品の品質が均一とな
る。
以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説
明する。
明する。
第1図は本発明の積層型固体電解コンデンサを
構成するコンデンサ素子板の構成を示す図であ
り、第1図aはその一部拡大平面図、第1図bは
同図aのA−A線上断面矢視図である。また、第
2図はコンデンサの基本体となる誘電体酸化皮膜
を形成できる金属板の形状を示す一部切欠平面図
である。
構成するコンデンサ素子板の構成を示す図であ
り、第1図aはその一部拡大平面図、第1図bは
同図aのA−A線上断面矢視図である。また、第
2図はコンデンサの基本体となる誘電体酸化皮膜
を形成できる金属板の形状を示す一部切欠平面図
である。
前記コンデンサ素子の基体となる金属板はアル
ミニウム、タンタル、チタン、ニオブなどを誘電
体酸化皮膜の形成できる金属であればよく、本実
施例では、アルミニウムエツチド箔1を用いる。
該アルミニウムエツチド箔1は、帯上でその一側
部に複数の矩形状の突起部2……が所定の間隔を
おいて形成された形状である。該アルミニウムエ
ツチド箔1の突起部2の所定位置に絶縁物層3を
形成し、絶縁物層3より突起部2を一方の部分8
と他方の部分に区分している。一方の部分8の表
面には第1図bに示すように、陽極酸化皮膜層と
して酸化アルミニウム(Al2O3)皮膜層4、電解
質となる複素環式化合物のポリマー膜層としてピ
ロールのポリマー層5、陰極端子取り出しの導電
体層としてグラフアイト層6及び銀ペースト層7
を順次形成する。
ミニウム、タンタル、チタン、ニオブなどを誘電
体酸化皮膜の形成できる金属であればよく、本実
施例では、アルミニウムエツチド箔1を用いる。
該アルミニウムエツチド箔1は、帯上でその一側
部に複数の矩形状の突起部2……が所定の間隔を
おいて形成された形状である。該アルミニウムエ
ツチド箔1の突起部2の所定位置に絶縁物層3を
形成し、絶縁物層3より突起部2を一方の部分8
と他方の部分に区分している。一方の部分8の表
面には第1図bに示すように、陽極酸化皮膜層と
して酸化アルミニウム(Al2O3)皮膜層4、電解
質となる複素環式化合物のポリマー膜層としてピ
ロールのポリマー層5、陰極端子取り出しの導電
体層としてグラフアイト層6及び銀ペースト層7
を順次形成する。
上記酸化アルミニウム(Al2O3)皮膜層4、ピ
ロールのポリマー薄膜層5、グラフアイト層6及
び銀ペースト層7は下記のようにして形成され
る。
ロールのポリマー薄膜層5、グラフアイト層6及
び銀ペースト層7は下記のようにして形成され
る。
先ず、アルミニウムエツチド箔1の突起部2の
所定部分に絶縁物層3を形成し、該アルミニウム
エツチド箔1に第2図B−B線から上の部分にマ
スキングを施し、突起部2の表面に公知の化成処
理工程を経て酸化アルミニウム(Al2O3)皮膜層
4を形成する。
所定部分に絶縁物層3を形成し、該アルミニウム
エツチド箔1に第2図B−B線から上の部分にマ
スキングを施し、突起部2の表面に公知の化成処
理工程を経て酸化アルミニウム(Al2O3)皮膜層
4を形成する。
ピロールのポリマー層5の形成は、アセトニト
リルを溶媒とし、ピロールとアンモニウムボロサ
リシレート(ABS)を含む電解液中に上記絶縁
物層3で区分された酸化アルミニウム(Al2O3)
皮膜層4が形成されたアルミニウムエツチド箔1
を浸漬し、該電解液を入れた容器(通常はステン
レス容器)を陰極、アルミニウムエツチド箔1を
陽極として所定の直流電圧を供給することにより
行なう。これにより、電解液中で電解合量が起こ
り、前記一方の部分8の酸化アルミニウム
(Al2O3)皮膜層4の上にピロールのポリマー層
5が形成される。
リルを溶媒とし、ピロールとアンモニウムボロサ
リシレート(ABS)を含む電解液中に上記絶縁
物層3で区分された酸化アルミニウム(Al2O3)
皮膜層4が形成されたアルミニウムエツチド箔1
を浸漬し、該電解液を入れた容器(通常はステン
レス容器)を陰極、アルミニウムエツチド箔1を
陽極として所定の直流電圧を供給することにより
行なう。これにより、電解液中で電解合量が起こ
り、前記一方の部分8の酸化アルミニウム
(Al2O3)皮膜層4の上にピロールのポリマー層
5が形成される。
なお、本実施例では、該ピロールのポリマー層
5の形成にABSを使用したが、これに限定され
るものではなく、例えば硼酸とサリチル酸とを溶
液に溶解して得られるポロジサリチル酸塩でも該
ポリピロール層の形成は可能である。要はピロー
ルとボロジサリチル基とを含む電解液中において
電解酸化重合をさせればよい。
5の形成にABSを使用したが、これに限定され
るものではなく、例えば硼酸とサリチル酸とを溶
液に溶解して得られるポロジサリチル酸塩でも該
ポリピロール層の形成は可能である。要はピロー
ルとボロジサリチル基とを含む電解液中において
電解酸化重合をさせればよい。
前記ピロールのポリマー層5の上にグラフアイ
ト層6及び銀ペースト層7を形成するには、グラ
フアイトの溶液中にアルミニウムエツチド箔1の
ピロールのポリマー層5を形成した部分を浸した
後硬化させグラフアイト層6を形成した後、更に
銀ペースト溶液中に浸漬して銀ペーストを塗布
し、その後硬化させることにより行なう。
ト層6及び銀ペースト層7を形成するには、グラ
フアイトの溶液中にアルミニウムエツチド箔1の
ピロールのポリマー層5を形成した部分を浸した
後硬化させグラフアイト層6を形成した後、更に
銀ペースト溶液中に浸漬して銀ペーストを塗布
し、その後硬化させることにより行なう。
上記酸化アルミニウム(Al2O3)皮膜層4、ピ
ロールのポリマー層5、グラフアイト層6及び銀
ペースト層7が形成された後、上記マスキングを
除去することにより、断面が第1図bに示す構造
のコンデンサ素子板9が完成する。
ロールのポリマー層5、グラフアイト層6及び銀
ペースト層7が形成された後、上記マスキングを
除去することにより、断面が第1図bに示す構造
のコンデンサ素子板9が完成する。
第3図及び第4図は上記コンデンサ素子板9を
積層する状態を示す図で、第3図は平面図、第4
図はその一部斜視図である。図示するように複数
枚(図では4枚)コンデンサ素子板9をそれぞれ
の突起部2か互いに反応するように積層する際、
コンデンサ素子板9の前記絶縁物層3で分された
一方の部分8に対応した形状寸法の突起部19を
一側に形成した銅薄板18を介在させて積層して
いる。即ち、前記絶縁物層3で区分された一方の
部分8の銀ペースト層7と銀ペースト層7との間
に銅薄板18の突起部19を介在させて高温下で
加圧することにより、銀ペースト層7と銅薄板1
8の突起部19とが接合され一体化する。
積層する状態を示す図で、第3図は平面図、第4
図はその一部斜視図である。図示するように複数
枚(図では4枚)コンデンサ素子板9をそれぞれ
の突起部2か互いに反応するように積層する際、
コンデンサ素子板9の前記絶縁物層3で分された
一方の部分8に対応した形状寸法の突起部19を
一側に形成した銅薄板18を介在させて積層して
いる。即ち、前記絶縁物層3で区分された一方の
部分8の銀ペースト層7と銀ペースト層7との間
に銅薄板18の突起部19を介在させて高温下で
加圧することにより、銀ペースト層7と銅薄板1
8の突起部19とが接合され一体化する。
上記のようにコンデンサ素子板9の一方の部分
8と一方の部分8とを銅薄板18の突起部19を
介在させて積層し一体化した後、コンデンサ素子
板9の陽極になるアルミニウム薄板1の先端部
と、銅薄板18の先端部とをスポツト溶接又は超
音波溶接或いはシーマー溶接等により接合し、次
に該積層体を突起部2と突起部2との間(第3図
及び第4図のD−D線上)で切断する。これによ
り、第5図に示すようなコンデンサ素子本体20
が完成する。
8と一方の部分8とを銅薄板18の突起部19を
介在させて積層し一体化した後、コンデンサ素子
板9の陽極になるアルミニウム薄板1の先端部
と、銅薄板18の先端部とをスポツト溶接又は超
音波溶接或いはシーマー溶接等により接合し、次
に該積層体を突起部2と突起部2との間(第3図
及び第4図のD−D線上)で切断する。これによ
り、第5図に示すようなコンデンサ素子本体20
が完成する。
上記実施例では、コンデンサの基体となる誘電
体酸化皮膜を形成できる金属板として、第2図に
示すように一側部に突起部2形成されたアルミニ
ウムエツチド箔1を用いたが、第6図に示す様に
帯状のアルミニウムエツチド箔1の両側に複数の
突起部2を所定間隔で形成したものをコンデンサ
の基体としてもよい。
体酸化皮膜を形成できる金属板として、第2図に
示すように一側部に突起部2形成されたアルミニ
ウムエツチド箔1を用いたが、第6図に示す様に
帯状のアルミニウムエツチド箔1の両側に複数の
突起部2を所定間隔で形成したものをコンデンサ
の基体としてもよい。
この場合は、突起部2の所定部分に絶縁物層3
を形成し、該絶縁物層3で区分された一方の部分
に前記と同様、酸化アルミニウム(Al2O3)皮膜
層4、ピロールのポリマー層5、グラフアイト層
6及び銀ペースト層7を順次形成した後、第7図
に示すように、アルミニウムエツチド箔1の両側
の突起部2と突起部2を互いに対応させると共
に、突起部2の絶縁物層3で区分された一方の部
分8の部分に形成された銀ペースト層7と銀ペー
スト層7の間に銅薄板18を介在させて高温下で
加圧することにより、該部分を一体化する。次に
両側の銅薄板18の先端部をスポツト溶接又は超
音波溶接或いはシーマー溶接等により接合すると
共に、前記絶縁物層3で区分された一方の部分8
の反対側のアルミニウムエツチド箔1(第7図の
×印で示す部分)も接合し、次に該積層体を突起
部2と突起部2との間及びアルミニウムエツチド
箔1の中央部(第6図及び第7図のE−E線上及
びF−F線上)を切断することにより、第5図に
示すようなコンデンサ素子本体20が完成する。
を形成し、該絶縁物層3で区分された一方の部分
に前記と同様、酸化アルミニウム(Al2O3)皮膜
層4、ピロールのポリマー層5、グラフアイト層
6及び銀ペースト層7を順次形成した後、第7図
に示すように、アルミニウムエツチド箔1の両側
の突起部2と突起部2を互いに対応させると共
に、突起部2の絶縁物層3で区分された一方の部
分8の部分に形成された銀ペースト層7と銀ペー
スト層7の間に銅薄板18を介在させて高温下で
加圧することにより、該部分を一体化する。次に
両側の銅薄板18の先端部をスポツト溶接又は超
音波溶接或いはシーマー溶接等により接合すると
共に、前記絶縁物層3で区分された一方の部分8
の反対側のアルミニウムエツチド箔1(第7図の
×印で示す部分)も接合し、次に該積層体を突起
部2と突起部2との間及びアルミニウムエツチド
箔1の中央部(第6図及び第7図のE−E線上及
びF−F線上)を切断することにより、第5図に
示すようなコンデンサ素子本体20が完成する。
次に、上記コンデンサ素子本体20を四端子型
のコンデンサとする方法を説明する。先ず第8図
に示すように、平行に配列された枠体13,13
とコンデンサのリードフレーム14が一体的に形
成されたモールド用枠体11の該リードフレーム
14と14の間に上記コンデンサ素子本体20を
配置する。
のコンデンサとする方法を説明する。先ず第8図
に示すように、平行に配列された枠体13,13
とコンデンサのリードフレーム14が一体的に形
成されたモールド用枠体11の該リードフレーム
14と14の間に上記コンデンサ素子本体20を
配置する。
次に、該コンデンサ素子本体20の銅薄板18
とリードフレーム14とを半田付け等で接続する
と共に、アルミニウムエツチド箔1とリードフレ
ーム14とをスポツト溶接谷又は超音波溶接或い
はシーマー溶接等により接合する。次にリードフ
レーム14の先端部分を残してコンデンサ素子本
体20の全体に樹脂剤をモールドする。最後にリ
ードフレーム14の先端を枠体13,13から切
り話し、下方に折り曲げることにより、第9図に
示す四端子構造の小型の積層型固体電解コンデン
サが完了する。
とリードフレーム14とを半田付け等で接続する
と共に、アルミニウムエツチド箔1とリードフレ
ーム14とをスポツト溶接谷又は超音波溶接或い
はシーマー溶接等により接合する。次にリードフ
レーム14の先端部分を残してコンデンサ素子本
体20の全体に樹脂剤をモールドする。最後にリ
ードフレーム14の先端を枠体13,13から切
り話し、下方に折り曲げることにより、第9図に
示す四端子構造の小型の積層型固体電解コンデン
サが完了する。
上記例ではコンデンサ素子本体20を四端子構
造とした例を示したが、第10図に示すようにコ
ンデンサ素子本体20の銅薄板18の部分及びア
ルミニウムエツチド箔1の部分にそれぞれリード
端子21,21を取り付けコンデンサをリード端
子型構造としてもよい。この場合必要に大じて樹
脂モールド等の外装23を施す。
造とした例を示したが、第10図に示すようにコ
ンデンサ素子本体20の銅薄板18の部分及びア
ルミニウムエツチド箔1の部分にそれぞれリード
端子21,21を取り付けコンデンサをリード端
子型構造としてもよい。この場合必要に大じて樹
脂モールド等の外装23を施す。
なお、コンデンサをチツプ型構造とするには、
第11図に示すようにコンデンサ素子本体20の
銅薄板18の部分及びアルミニウムエツチド箔1
の部分に板状の端子片22,22を取り付け、コ
ンデンサ素子本体20部分に樹脂モールド等の外
装24を施し、端子片22,22を該外装24の
外側面から底面に沿つて折り曲げて行なう。
第11図に示すようにコンデンサ素子本体20の
銅薄板18の部分及びアルミニウムエツチド箔1
の部分に板状の端子片22,22を取り付け、コ
ンデンサ素子本体20部分に樹脂モールド等の外
装24を施し、端子片22,22を該外装24の
外側面から底面に沿つて折り曲げて行なう。
なお、上記実施例ではコンデンサ素子を造るの
に、コンデンサ素子板9を銅薄板18を介在させ
て積層し、加圧一体化して銅薄板18部分とアル
ミニウムエツチド箔1部分を互いに接合してか
ら、該積層体を所定の部分で切断し、個々の素子
積層体としてコンデンサ素子本体20を製造し、
該コンデンサ素子本体20の銅薄板18の部分及
びアルミニウムエツチド箔1の部分に端子を取り
付けているが、製造順序はこれに限定されるもの
ではなく、例えばコンデンサ素子板9を銅薄板1
8を介在させて積層し、加圧一体化してから、該
積層体を所定の部分で切断し、個々の素子積層体
とし、該素子積層体の銅薄板18を互いに接合す
ると共にアルミニウムエツチド箔1も互いに接合
してコンデンサ素子本体20を製造してもよい。
に、コンデンサ素子板9を銅薄板18を介在させ
て積層し、加圧一体化して銅薄板18部分とアル
ミニウムエツチド箔1部分を互いに接合してか
ら、該積層体を所定の部分で切断し、個々の素子
積層体としてコンデンサ素子本体20を製造し、
該コンデンサ素子本体20の銅薄板18の部分及
びアルミニウムエツチド箔1の部分に端子を取り
付けているが、製造順序はこれに限定されるもの
ではなく、例えばコンデンサ素子板9を銅薄板1
8を介在させて積層し、加圧一体化してから、該
積層体を所定の部分で切断し、個々の素子積層体
とし、該素子積層体の銅薄板18を互いに接合す
ると共にアルミニウムエツチド箔1も互いに接合
してコンデンサ素子本体20を製造してもよい。
要は、誘電体酸化被膜を形成できる金属板であ
るアルミニウムエツチド箔1の突起部2の所定部
分に絶縁物層3を形成する手段と、絶縁物層3で
区分される一方の部分8に誘電体酸化皮膜層とし
て酸化アルミニウム(Al2O3)皮膜層4、複素環
式化合物のポリマー層としてピロールのポリマー
層5、電極取り出し要の導電体層としてグラフア
イト層6及び銀ペースト層7を順次形成する手段
と、該金属板をその突起部2がそれぞれ対応する
と共に絶縁物層3で区分された一方の部分8の銀
ペースト層7と銀ペースト層7の間に銅薄板18
を介在さてて複数板積層する手段と、該積層体の
突起部2の部分を加圧一体化する手段と、該一体
化された積層体の銅薄板18の部分を互いに接合
すると共にアルミニウムエツチド箔1の部分を互
いに切合する手段と、層積層体を所定部で判断し
個々の素子積層体とする手段と、該素子積層体の
前記銅薄板18の部分及びアルミニウムエツチド
箔1の部分に端子を取り付ける手段とを少なくと
も具備してコンデンサ素子を製造する方法であれ
ば、その手段を用いる順序に多少の変更があつて
もよい。
るアルミニウムエツチド箔1の突起部2の所定部
分に絶縁物層3を形成する手段と、絶縁物層3で
区分される一方の部分8に誘電体酸化皮膜層とし
て酸化アルミニウム(Al2O3)皮膜層4、複素環
式化合物のポリマー層としてピロールのポリマー
層5、電極取り出し要の導電体層としてグラフア
イト層6及び銀ペースト層7を順次形成する手段
と、該金属板をその突起部2がそれぞれ対応する
と共に絶縁物層3で区分された一方の部分8の銀
ペースト層7と銀ペースト層7の間に銅薄板18
を介在さてて複数板積層する手段と、該積層体の
突起部2の部分を加圧一体化する手段と、該一体
化された積層体の銅薄板18の部分を互いに接合
すると共にアルミニウムエツチド箔1の部分を互
いに切合する手段と、層積層体を所定部で判断し
個々の素子積層体とする手段と、該素子積層体の
前記銅薄板18の部分及びアルミニウムエツチド
箔1の部分に端子を取り付ける手段とを少なくと
も具備してコンデンサ素子を製造する方法であれ
ば、その手段を用いる順序に多少の変更があつて
もよい。
なお、上記実施例ではコンデンサ基体となる金
属板にアルミニウム箔表面をエツチング処理によ
り粗面化したアルミニウムエツチド箔1を用いた
が、エツチング処理をしないアルミニウム箔を第
2図又は第6図に示すように形成し、突起部2の
所定部分に絶縁物層3を形成した後、レジスト層
3で区分された一方の部分8の部分を残してマス
キングを施し、該部分8の表面をエツチング処理
にて粗面化してもよいことは当然である。
属板にアルミニウム箔表面をエツチング処理によ
り粗面化したアルミニウムエツチド箔1を用いた
が、エツチング処理をしないアルミニウム箔を第
2図又は第6図に示すように形成し、突起部2の
所定部分に絶縁物層3を形成した後、レジスト層
3で区分された一方の部分8の部分を残してマス
キングを施し、該部分8の表面をエツチング処理
にて粗面化してもよいことは当然である。
第12図は、本発明に係る固体電解コンデンサ
と従来のアルミニウム電解コンデンサのインピー
ダンスの周波数特性を示す図である。同図におい
て、縦軸はインピーダンス値〔mΩ〕を示し、横
軸は周波数〔Hz〕を示す。曲線は従来のアルミ
ニウム電解コンデンサのインピーダンスの周波数
特性を示す、曲線は上記本発明の四端子型の積
層型固体電解コンデンサ(第9図に示す構造)の
インピーダンスの周波数特性を示し、曲線はコ
ンデンサ素子本体20にリード端子を取り付けた
構造(第10図に示す)の積層型固体電解コンデ
ンサのインピーダンスの周波数特性を示す。曲線
,に示すように、本発明に係る積層型固体電
解コンデンサは10KHz以上の高周波領域におい
て、インピーダンスが極めて小さいことが確認で
きる。なお、第12図の実験結果は、定格10V、
容量100μFの積層型固体電解コンデンサ及びアル
ミニウム電解コンデンサでの実験結果である。
と従来のアルミニウム電解コンデンサのインピー
ダンスの周波数特性を示す図である。同図におい
て、縦軸はインピーダンス値〔mΩ〕を示し、横
軸は周波数〔Hz〕を示す。曲線は従来のアルミ
ニウム電解コンデンサのインピーダンスの周波数
特性を示す、曲線は上記本発明の四端子型の積
層型固体電解コンデンサ(第9図に示す構造)の
インピーダンスの周波数特性を示し、曲線はコ
ンデンサ素子本体20にリード端子を取り付けた
構造(第10図に示す)の積層型固体電解コンデ
ンサのインピーダンスの周波数特性を示す。曲線
,に示すように、本発明に係る積層型固体電
解コンデンサは10KHz以上の高周波領域におい
て、インピーダンスが極めて小さいことが確認で
きる。なお、第12図の実験結果は、定格10V、
容量100μFの積層型固体電解コンデンサ及びアル
ミニウム電解コンデンサでの実験結果である。
上記のように本発明に係る積層型固体電解コン
デンサは、従来のアルミニウム電解コンデンサに
比較し、高周波領域でインピーダンス値を小さ
く、しかもその固体電解コンデンサを積層構造に
しているから、小型化が可能で、特に四端子構造
にすることにより高さ寸法を小さくできる。
デンサは、従来のアルミニウム電解コンデンサに
比較し、高周波領域でインピーダンス値を小さ
く、しかもその固体電解コンデンサを積層構造に
しているから、小型化が可能で、特に四端子構造
にすることにより高さ寸法を小さくできる。
また、複数枚のコンデンサ素子板9を積層する
際に、絶縁物層3で区分された一方の部分8と一
方の部分8との間に銅薄板18を介在させること
により、耐電流特性が向上する。即ち高周波電流
を流した場合温度上昇を小さく抑えることができ
る。
際に、絶縁物層3で区分された一方の部分8と一
方の部分8との間に銅薄板18を介在させること
により、耐電流特性が向上する。即ち高周波電流
を流した場合温度上昇を小さく抑えることができ
る。
また、帯状で少なくとも一側部に複数の所定形
状の突起部2を所定の間隔をおいて形成した形状
のアルミニウムエツチド箔1の突起部2の所定部
分に絶縁物層3を形成し、該絶縁物層3で区分さ
れた一方の部分8に酸化アルミニウム(Al2O3)
皮膜層4、ピロールのポリマー層5、グラフアイ
ト層6及び銀ペースト層7を順次形成してコンデ
ンサ素子板9とし、該コンデンサ素子板9を銅薄
板18を介任させて複数枚積層してから所定部分
を切断して製造するので、積層型固体電解コンデ
ンサの量産化に適すると同時に品質が均一となる
という利点もある。
状の突起部2を所定の間隔をおいて形成した形状
のアルミニウムエツチド箔1の突起部2の所定部
分に絶縁物層3を形成し、該絶縁物層3で区分さ
れた一方の部分8に酸化アルミニウム(Al2O3)
皮膜層4、ピロールのポリマー層5、グラフアイ
ト層6及び銀ペースト層7を順次形成してコンデ
ンサ素子板9とし、該コンデンサ素子板9を銅薄
板18を介任させて複数枚積層してから所定部分
を切断して製造するので、積層型固体電解コンデ
ンサの量産化に適すると同時に品質が均一となる
という利点もある。
また、積層型固体電解コンデンサの容量もコン
デンサ素子板9の積層板数を変えることにより任
意に決定できるという利点もある。
デンサ素子板9の積層板数を変えることにより任
意に決定できるという利点もある。
なお、上記実施例では電解質となる複素環式化
合物としてピロールを用いた例を示したが、複素
環式化合物としてはピロールに限定されるもので
はなく、フラン、チオフエンでもよい。
合物としてピロールを用いた例を示したが、複素
環式化合物としてはピロールに限定されるもので
はなく、フラン、チオフエンでもよい。
また、上記固体電解コンデンサは無極性である
という特徴を有する。即ち、一定の電圧範囲であ
れば、極性を有しない。第10図に示すリード端
子型の積層型固体電解コンデンサを例に説明すれ
ば、端子21,21のいずれを陽極としても、又
反対にいづれを陰極としても所謂漏洩電流−電圧
特性は殆ど同じ結果が得られる。
という特徴を有する。即ち、一定の電圧範囲であ
れば、極性を有しない。第10図に示すリード端
子型の積層型固体電解コンデンサを例に説明すれ
ば、端子21,21のいずれを陽極としても、又
反対にいづれを陰極としても所謂漏洩電流−電圧
特性は殆ど同じ結果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、下記のよ
うな優れた効果が得られる。
うな優れた効果が得られる。
高周波領域においてそのインピーダンスが低
い複素環式化合物を電解質とする固体電解コン
デンサを積層する構造とするから、高周波数領
域でのインピーダンスが従来の小型のアルミニ
ウムコンデンサに比較して小さくなると同時に
その寸法を極めて小さくできる。
い複素環式化合物を電解質とする固体電解コン
デンサを積層する構造とするから、高周波数領
域でのインピーダンスが従来の小型のアルミニ
ウムコンデンサに比較して小さくなると同時に
その寸法を極めて小さくできる。
陰極部と陰極部との間に導電体板を介在させ
て積層させるから、該導電体板により引出端子
固有のインダクタンスを低減でき、低インダク
タンスの積層型固体電解コンデンサとなる。ま
た、耐電流性、即ち高周波電流を流した時の温
度上昇が小さい。
て積層させるから、該導電体板により引出端子
固有のインダクタンスを低減でき、低インダク
タンスの積層型固体電解コンデンサとなる。ま
た、耐電流性、即ち高周波電流を流した時の温
度上昇が小さい。
帯状でその一側部に複数の突起部を形成した
形状の金属薄板の突起部に陽極酸化皮膜層、複
素環式化合物のポリマー層、導電体層を順次形
成し、該金属板と銅薄板を複数枚積層させてか
ら切断して製造するので、品質の均一な積層型
固体電解コンデンサの量産化が可能となる。
形状の金属薄板の突起部に陽極酸化皮膜層、複
素環式化合物のポリマー層、導電体層を順次形
成し、該金属板と銅薄板を複数枚積層させてか
ら切断して製造するので、品質の均一な積層型
固体電解コンデンサの量産化が可能となる。
第1図は本発明の積層型固体電解コンデンサを
構成するコンデンサ素子板を示す図で、同図aは
その一部拡大平面図、同図bは同図aのA−A線
上断面矢視図、第2図はコンデンサの基体となる
アルミニウムエツチド箔1の一部切欠平面図、第
3図及び第4図はそれぞれ本発明の積層型固体電
解コンデンサの製造過程を示す図、第5図は本発
明の積層型固体電解コンデンサ素子本体を示す
図、第6図及び第7図はそれぞれ本発明の積層型
固体電解コンデンサの他の製造過程を示す図、第
8図はモールド用枠体にコンデンサ素子を取付け
た状態を示す図、第9図は本発明に係る四端子構
造の積層型固体電解コンデンサの外観を示す図、
第10図は本発明のリード端子型の積層型固体電
解コンデンサを示す図、第11図は本発明のチツ
プ型固体電解コンデンサを示す図、第12図は本
発明の積層型固体電解コンデンサ及び従来のアル
ミニウム電解コンデンサのインピーダンスの周波
数特性を示す図である。 図中、1……アルミニウムエツチド箔、2……
突起部、3……絶縁物層、4……酸化アルミニウ
ム(Al2O3)皮膜層、5……ピロールのポリマー
層、6……グラフアイト層、7……銀ペースト
層、8……絶縁物層で区分された一方の部分、9
……コンデンサ素子板、20……コンデンサ素子
本体、11……モールド用枠体、18……銅薄
板。
構成するコンデンサ素子板を示す図で、同図aは
その一部拡大平面図、同図bは同図aのA−A線
上断面矢視図、第2図はコンデンサの基体となる
アルミニウムエツチド箔1の一部切欠平面図、第
3図及び第4図はそれぞれ本発明の積層型固体電
解コンデンサの製造過程を示す図、第5図は本発
明の積層型固体電解コンデンサ素子本体を示す
図、第6図及び第7図はそれぞれ本発明の積層型
固体電解コンデンサの他の製造過程を示す図、第
8図はモールド用枠体にコンデンサ素子を取付け
た状態を示す図、第9図は本発明に係る四端子構
造の積層型固体電解コンデンサの外観を示す図、
第10図は本発明のリード端子型の積層型固体電
解コンデンサを示す図、第11図は本発明のチツ
プ型固体電解コンデンサを示す図、第12図は本
発明の積層型固体電解コンデンサ及び従来のアル
ミニウム電解コンデンサのインピーダンスの周波
数特性を示す図である。 図中、1……アルミニウムエツチド箔、2……
突起部、3……絶縁物層、4……酸化アルミニウ
ム(Al2O3)皮膜層、5……ピロールのポリマー
層、6……グラフアイト層、7……銀ペースト
層、8……絶縁物層で区分された一方の部分、9
……コンデンサ素子板、20……コンデンサ素子
本体、11……モールド用枠体、18……銅薄
板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 誘電体酸化皮膜の形成できる金属板の所定部
分に絶縁物層を形成し、該絶縁物層により区分さ
れた該金属板の一方の部分に誘電体酸化皮膜層、
複素環式化合物のポリマー層、導電体層を順次形
成し、該金属板を絶縁物層により区分された一方
の部分及び他方の部分をそれぞれ互いに対応させ
ると共に該一方の部分と一方の部分の間に導電体
板を介在させて積層して一体化し、前記絶縁物層
により区分された他方の部分を互いに接合させる
と共に導電体板も互いに接合させ、該両接合部に
それぞれ端子を取り付けたコンデンサ素子を具備
することを特徴とする積層型固体電解コンデン
サ。 2 前記誘電体酸化皮膜を形成できる金属板がア
ルミニウム又はタンタル又はチタン或いはニオブ
薄板であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の積層型固体電解コンデンサ。 3 前記複素環式化合物がピロール又はフラン或
いはチオフエンであることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の積層型固体電解コンデンサ。 4 前記導電体層がグラフアイト層及び銀ペース
ト層からなり、該銀ペースト層と銀ペースト層と
の間に前記導電体板を介在させて積層し、加圧硬
化させることにより一体化したことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の積層型固体電解コン
デンサ。 5 前記絶縁物層により区分された一方の部分と
一方の部分との間に介在する導電体板が銅の薄板
からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の積層型固体電解コンデンサ。 6 前記端子の先端を外装体底部まで延伸させて
コンデンサをチツプ型にしたことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の積層型固体電解コンデ
ンサ。 7 前記端子を外装体の外部に延伸させてコンデ
ンサをリード端子型としたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の積層型固体電解コンデン
サ。 8 前記端子を外装体の両側より外部に延伸させ
てコンデンサを四端子型としたことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の積層型固体電解コン
デンサ。 9 少なくとも一側部に複数の所定形状の突起部
を所定の間隔をおいて形成した形状の誘電体酸化
皮膜を形成できる金属板の該突起部の所定部分に
絶縁物層を形成する手段と、該絶縁物層で区分さ
れる一方の部分に誘電体酸化皮膜層、複素環式化
合物のポリマー層及び導電体層を順次形成する手
段と、該金属板をその突起部をそれぞれ対応させ
ると共に前記絶縁物層で区分された一方の部分の
導電体層と導電体層との間に導電体板を介在させ
て複数板積層する手段と、該積層体の突起部部分
を加圧一体化する手段と、該一体化された積層体
の前記導電体板部分及び金属板部分を接合する手
段と、該積層体を所定部で切断し個々の素子積層
体とする手段と、該素子積層体の前記導電体板部
分及び金属板部分に端子を取り付ける手段とを少
なくとも具備してコンデンサ素子を製造すること
を特徴とする積層型固体電解コンデンサの製造方
法。 10 前記誘電体酸化皮膜を形成できる金属板が
帯状であり、その一側又は両側に前記突起部を形
成した形状であることを特徴とする特許請求の範
囲第9項記載の積層型固体電解コンデンサの製造
方法。 11 前記複素環式化合物のポリマー層を形成す
る手段がピロールとボロジサリチル基とを含む電
解液中において電解酸化重合によりポリピロール
層を形成する手段であることを特徴とする特許請
求の範囲第9項記載の積層型固体電解コンデンサ
の製造方法。 12 前記導電体層形成手段がグラフアイト溶液
中に浸漬した後硬化させてグラフアイト層を形成
する手段と銀ペースト溶液中に浸漬した後硬化さ
せて銀ペースト層を形成する手段とからなること
特徴とする特許請求の範囲第9項記載の積層型固
体電解コンデンサの製造方法。 13 前記導電体層形成手段がグラフアイト層及
び銀ペースト層を順次形成する手段からなり、前
記積層体の突起部部分を加圧一体化する手段が高
温下で加圧し、銀ペースト層を硬化させ該銀ペー
スト層と導電体板を接合一体化する手段であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第9項又は第12
項記載の積層型固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62077112A JPS63244610A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 積層型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US07/101,692 US4805074A (en) | 1987-03-20 | 1987-09-28 | Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same |
| DE88302236T DE3881920T2 (de) | 1987-03-20 | 1988-03-15 | Elektrolytische Kondensatoren mit einer Festelektrolytschicht und ihre Herstellung. |
| EP88302236A EP0283239B1 (en) | 1987-03-20 | 1988-03-15 | Electrolytic capacitors including a solid electrolyte layer, and their production |
| KR1019880002855A KR910001717B1 (ko) | 1987-03-20 | 1988-03-18 | 고체 전해 캐패시터 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62077112A JPS63244610A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 積層型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244610A JPS63244610A (ja) | 1988-10-12 |
| JPH0442813B2 true JPH0442813B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=13624705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62077112A Granted JPS63244610A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-30 | 積層型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244610A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3663952B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2005-06-22 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP4811178B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2011-11-09 | Tdk株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62077112A patent/JPS63244610A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63244610A (ja) | 1988-10-12 |
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