JPH0442818B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0442818B2 JPH0442818B2 JP59233127A JP23312784A JPH0442818B2 JP H0442818 B2 JPH0442818 B2 JP H0442818B2 JP 59233127 A JP59233127 A JP 59233127A JP 23312784 A JP23312784 A JP 23312784A JP H0442818 B2 JPH0442818 B2 JP H0442818B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- gas
- atmosphere
- substrate
- ray exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、マスクに設けられたパターンをＸ線
によりウエハ表面に形成されたレジスト膜に転写
する為の露光方法及びその装置に関するものであ
る。
によりウエハ表面に形成されたレジスト膜に転写
する為の露光方法及びその装置に関するものであ
る。
LIS等は、シリコン製のウエハ上にレジスト被
膜を形成し、このレジスト被膜に、マスクに形成
された所望のパターンを転写し、転写されたパタ
ーンに従つてエツチング、イオン注入等の処理を
繰り返し行なうことにより、所望の回路を持つよ
うに製造される。
膜を形成し、このレジスト被膜に、マスクに形成
された所望のパターンを転写し、転写されたパタ
ーンに従つてエツチング、イオン注入等の処理を
繰り返し行なうことにより、所望の回路を持つよ
うに製造される。
前記LSI等においては集積度をより向上させる
ために、回路を構成する線の幅が1μｍもしくは
それ以下のサブミクロンこの微細パターンを形成
することが要求されている。そして、このような
要求を満たす為前記パターンの転写に、従来の光
より波長が短かく転写制度の良いＸ線を用いるこ
とが提案されている。
ために、回路を構成する線の幅が1μｍもしくは
それ以下のサブミクロンこの微細パターンを形成
することが要求されている。そして、このような
要求を満たす為前記パターンの転写に、従来の光
より波長が短かく転写制度の良いＸ線を用いるこ
とが提案されている。
このＸ線露光方法において、ウエハ上に形成さ
れるレジストには種々あるが、NPR（M.J.
Bowden，Electraham，Soc.，Vol.128，1304
（1981）に記載されている。）を使用した場合、大
気雰囲気では、酸素と反応してしまい露光されな
いことがわかつた。
れるレジストには種々あるが、NPR（M.J.
Bowden，Electraham，Soc.，Vol.128，1304
（1981）に記載されている。）を使用した場合、大
気雰囲気では、酸素と反応してしまい露光されな
いことがわかつた。
又、一般にＸ線レジストはＸ線照射によりラジ
カルを発生し、これが中間体となつて反応が進行
するものが多く、このラジカルは大気中では非常
に不安定で、酸素分子と反応して消滅する性質が
ある。この原因によりＸ線レジストは大気露光で
は真空露光や不活性ガス中露光に比べて感度が低
下するものである。
カルを発生し、これが中間体となつて反応が進行
するものが多く、このラジカルは大気中では非常
に不安定で、酸素分子と反応して消滅する性質が
ある。この原因によりＸ線レジストは大気露光で
は真空露光や不活性ガス中露光に比べて感度が低
下するものである。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み
て感度を低下させることなく大気Ｘ線露光を可能
にしたＸ線露光方法及びその装置を提供するにあ
る。
て感度を低下させることなく大気Ｘ線露光を可能
にしたＸ線露光方法及びその装置を提供するにあ
る。
即ち、本発明は、上記目的を達成するために、
マスク側から基板に気体を吹き出させ、Ｘ線によ
りマスクに形成された回路パターンを大気中にあ
る基板上に露光することを特徴とするＸ線露光方
法である。また、本発明は、マスク側から基板に
気体を吹き出させる手段と、Ｘ線によりマスクに
形成された回路パターンを大気中にある基板上に
露光する露光手段とを備えたことを特徴とするＸ
線露光装置である。
マスク側から基板に気体を吹き出させ、Ｘ線によ
りマスクに形成された回路パターンを大気中にあ
る基板上に露光することを特徴とするＸ線露光方
法である。また、本発明は、マスク側から基板に
気体を吹き出させる手段と、Ｘ線によりマスクに
形成された回路パターンを大気中にある基板上に
露光する露光手段とを備えたことを特徴とするＸ
線露光装置である。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて説明
する。第１図は本発明のＸ線露光装置の一実施例
を示した図である。第２図ａは第１図に示す−
矢視断面、第２図ｂは第２図ａの−矢視断
面図である。即ちＸ線源１からＸ線２はマスク３
上に照射され、マスク３上の回路パターンがウエ
ハ５上のレジスト６に転写される。Ｘ線源１とマ
スク３間はＸ線２の大気による減衰を防ぐために
He等のガス７が満たされる室が形成されている。
一方マスク３とウエハ５間は大気中であり、ウエ
ハ５上のレジスト６が大気中でもつてＸ線（軟Ｘ
線）露光される。
する。第１図は本発明のＸ線露光装置の一実施例
を示した図である。第２図ａは第１図に示す−
矢視断面、第２図ｂは第２図ａの−矢視断
面図である。即ちＸ線源１からＸ線２はマスク３
上に照射され、マスク３上の回路パターンがウエ
ハ５上のレジスト６に転写される。Ｘ線源１とマ
スク３間はＸ線２の大気による減衰を防ぐために
He等のガス７が満たされる室が形成されている。
一方マスク３とウエハ５間は大気中であり、ウエ
ハ５上のレジスト６が大気中でもつてＸ線（軟Ｘ
線）露光される。
マスクチヤツク１０にマスク３が吸着されてお
り、マスク３上はHe７である。マスク３にHe供
給穴１１が開いており、マスク３とウエハ５間に
He等の不活性ガス７が供給される。マスク３と
ウエハ５間の間隙１２は５〜40μｍであり、露光
面30〓mm〜100〓mmに亘りHe等の不活性７を供給す
る時間を待つて、Ｘ線２で露光する。He等の不
活性ガス７の供給時間を早くする為に、間隙１２
を制御しても良い。例えば、初期に間隙１２を狭
くして、徐々に広くし、再び狭くすれば、大気と
He等のガス７の交換が早くなる。実際的には、
実験的に最適な方法を決めれば良く、この時は、
He等のガス７の供給圧、量、マスク３の膜面強
度、露光面大きさ、間隙１２を考慮する。
り、マスク３上はHe７である。マスク３にHe供
給穴１１が開いており、マスク３とウエハ５間に
He等の不活性ガス７が供給される。マスク３と
ウエハ５間の間隙１２は５〜40μｍであり、露光
面30〓mm〜100〓mmに亘りHe等の不活性７を供給す
る時間を待つて、Ｘ線２で露光する。He等の不
活性ガス７の供給時間を早くする為に、間隙１２
を制御しても良い。例えば、初期に間隙１２を狭
くして、徐々に広くし、再び狭くすれば、大気と
He等のガス７の交換が早くなる。実際的には、
実験的に最適な方法を決めれば良く、この時は、
He等のガス７の供給圧、量、マスク３の膜面強
度、露光面大きさ、間隙１２を考慮する。
第３図は別の実施例を示している。マスク３上
のHe等の不活性ガス７とは別に、マスクチヤツ
ク１０内に気体の供給口２０を設け、ここより不
活性ガス７をマスク３の供給穴１１を通して供給
する。本方式の方が第２図の例よりも供給方法に
自動度が高く供給時間が早く、安定な不活性ガス
雰囲気を待やすい。気体としては、Heである必
要もなく、不活性ガスなら何でも良い。
のHe等の不活性ガス７とは別に、マスクチヤツ
ク１０内に気体の供給口２０を設け、ここより不
活性ガス７をマスク３の供給穴１１を通して供給
する。本方式の方が第２図の例よりも供給方法に
自動度が高く供給時間が早く、安定な不活性ガス
雰囲気を待やすい。気体としては、Heである必
要もなく、不活性ガスなら何でも良い。
第４図は、第２図に併せ、マスクチヤツク１０
内に別の供給口２２を設け、チヤツク外部から不
活性ガス７の気体を供給するものである。ところ
で気体の供給の仕方として第２図乃至第４図に示
すものをどのように組合せても良く、使用する気
体、全体装置とのかね合い、気体供給時間等の仕
様から決めれば良い。
内に別の供給口２２を設け、チヤツク外部から不
活性ガス７の気体を供給するものである。ところ
で気体の供給の仕方として第２図乃至第４図に示
すものをどのように組合せても良く、使用する気
体、全体装置とのかね合い、気体供給時間等の仕
様から決めれば良い。
第５図は、本発明の更に別の一実施例を示す図
であり、マスク中央に供給穴２３を設けている。
本方式は、露光面積が減るが、不活性ガスの供給
は早くなる。
であり、マスク中央に供給穴２３を設けている。
本方式は、露光面積が減るが、不活性ガスの供給
は早くなる。
第６図は、第５図に第３図に示す実施例を組合
わせたもので、マスク３内の供給口２０はマスク
チヤツク１０の供給口２３と結合し、気体の供給
自由度が増している。又、マスク３の中央付近の
供給口２３を初めに負圧にして、周辺供給口１１
から気体を供給し、大気と、気体が置換された時
に中央付近供給口２１にも気体を供給するような
方法も考えられる。
わせたもので、マスク３内の供給口２０はマスク
チヤツク１０の供給口２３と結合し、気体の供給
自由度が増している。又、マスク３の中央付近の
供給口２３を初めに負圧にして、周辺供給口１１
から気体を供給し、大気と、気体が置換された時
に中央付近供給口２１にも気体を供給するような
方法も考えられる。
以上説明したように本発明によれば、安価に確
実にＸ線露光時のレジストと大気中酸素との反応
が阻止出来るので、例えばNPRのようなＸ線レ
ジストのＸ線露光が可能となる。
実にＸ線露光時のレジストと大気中酸素との反応
が阻止出来るので、例えばNPRのようなＸ線レ
ジストのＸ線露光が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す正面図、第２
図ａは第１図の−矢視断面図、第２図ｂは第
２図ａの−矢視断面図、第３図は本発明の別
の一実施例を示す断面図、第４図は本発明の更に
別の一実施例を示す断面図、第５図ａは本発明の
更に別の一実施例を示す平面図、第５図ｂ第５図
ａのＶ−Ｖ矢視断面図、第６図は本発明の更に別
の一実施例を示す断面図である。 １……Ｘ線源、２……Ｘ線、３……マスク、５
……ウエハ、６……レジスト、７……He、１０
……マスクチヤツク、１１，２０，２２，２３…
…気体供給口。
図ａは第１図の−矢視断面図、第２図ｂは第
２図ａの−矢視断面図、第３図は本発明の別
の一実施例を示す断面図、第４図は本発明の更に
別の一実施例を示す断面図、第５図ａは本発明の
更に別の一実施例を示す平面図、第５図ｂ第５図
ａのＶ−Ｖ矢視断面図、第６図は本発明の更に別
の一実施例を示す断面図である。 １……Ｘ線源、２……Ｘ線、３……マスク、５
……ウエハ、６……レジスト、７……He、１０
……マスクチヤツク、１１，２０，２２，２３…
…気体供給口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスク側から基板に気体を吹き出させ、Ｘ線
によりマスクに形成された回路パターンを大気中
にある基板上に露光することを特徴とするＸ線露
光方法。 ２ 上記基板上のレジストの反応を減少させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線
露光方法。 ３ 上記気体が不活性ガスであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光方法。 ４ 上記気体を上記マスクの周辺から囲むように
吹き出させることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のＸ線露光方法。 ５ マスク側から基板に気体を吹き出させる手段
と、Ｘ線によりマスクに形成された回路パターン
を大気中にある基板上に露光する露光手段とを備
えたことを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233127A JPS61112317A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | Ｘ線露光方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233127A JPS61112317A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | Ｘ線露光方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61112317A JPS61112317A (ja) | 1986-05-30 |
| JPH0442818B2 true JPH0442818B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=16950169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59233127A Granted JPS61112317A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | Ｘ線露光方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61112317A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013089082A1 (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-20 | シャープ株式会社 | 基板露光装置および基板露光方法 |
| JP6197641B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-09-20 | ウシオ電機株式会社 | 真空紫外光照射処理装置 |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP59233127A patent/JPS61112317A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61112317A (ja) | 1986-05-30 |
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