JPH0442920A - イオン注入法 - Google Patents
イオン注入法Info
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- JPH0442920A JPH0442920A JP14806690A JP14806690A JPH0442920A JP H0442920 A JPH0442920 A JP H0442920A JP 14806690 A JP14806690 A JP 14806690A JP 14806690 A JP14806690 A JP 14806690A JP H0442920 A JPH0442920 A JP H0442920A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はウェーハーへのイオン注入法に関し、特にマス
ク材であるフ４トレジストの改良に関するものである。
ク材であるフ４トレジストの改良に関するものである。
［発明の概要１
ウェーハー上にイオン注入する方法において、通常のポ
ジ型フォトレジストの上に導電性）λ−トレジストを形
成することにより、イオン注入時にウェーハーがチャー
ジアップすることを防止するものである、 ［従来の技術ル レジストをマスキング材としてイオン注入する場合、注
入イオンのビーム電流密度を下げる、或いはウェーハー
のチャージ量に応じた電子を供給してやるエレクトロン
シャワー・エレクトロンフラットガンな使用してウェー
ハーのチャージアップを防いでいる。
ジ型フォトレジストの上に導電性）λ−トレジストを形
成することにより、イオン注入時にウェーハーがチャー
ジアップすることを防止するものである、 ［従来の技術ル レジストをマスキング材としてイオン注入する場合、注
入イオンのビーム電流密度を下げる、或いはウェーハー
のチャージ量に応じた電子を供給してやるエレクトロン
シャワー・エレクトロンフラットガンな使用してウェー
ハーのチャージアップを防いでいる。
〔発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、イオン注入時間が長くな
り装置処理能力がダウンする、また新たな設備投資が必
要になると共にその管理もたいへんになる、更に半導体
デバイスが微細化されるとエレクトロンシャワー・エレ
クトロンフラットガンの効果も少なくなる。という課題
を有する。
り装置処理能力がダウンする、また新たな設備投資が必
要になると共にその管理もたいへんになる、更に半導体
デバイスが微細化されるとエレクトロンシャワー・エレ
クトロンフラットガンの効果も少なくなる。という課題
を有する。
本発明はこのような課題を解決するもので、その目的と
するところは、イオン注入時のウェーハーチャージアッ
プによる静電破壊現象を防止するためのマスキング材を
提供することにある。
するところは、イオン注入時のウェーハーチャージアッ
プによる静電破壊現象を防止するためのマスキング材を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明のイオン注入法は、ウェーハー上にノボラック樹
脂をベースとして構成される光感光性樹脂（ポジ型フォ
トレジスト）を形成した後、該樹脂にカーボン・シリコ
ン等の導電性物質を添加した導電性ポジレジストを連続
形成し、前記樹脂層をパターニングした後、該レジスト
層をマスクにして前記ウェーハーにイオン注入すること
を特徴とする。
脂をベースとして構成される光感光性樹脂（ポジ型フォ
トレジスト）を形成した後、該樹脂にカーボン・シリコ
ン等の導電性物質を添加した導電性ポジレジストを連続
形成し、前記樹脂層をパターニングした後、該レジスト
層をマスクにして前記ウェーハーにイオン注入すること
を特徴とする。
本発明によるマスキング材を用いることにより、イオン
注入時にレジスト表面の帯電電位が上がることによる静
電破壊現象は防止できる。
注入時にレジスト表面の帯電電位が上がることによる静
電破壊現象は防止できる。
［実 施 例］
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第１図はウェーハー１上に１通常のポジレジストを下層
に、カーボンを添加したポジレジストを上層に連続塗布
した積層レジスト２を形成し、フォトリソグラフィでパ
ターニングしたものである。これを第２図の如く、大電
流イオン注入機のディスク３にセットする。この時、ウ
ェーハー１はＳＵＳ或いはアルミニウム等の金属で構成
されるクランブリング４で全周が固定される。
に、カーボンを添加したポジレジストを上層に連続塗布
した積層レジスト２を形成し、フォトリソグラフィでパ
ターニングしたものである。これを第２図の如く、大電
流イオン注入機のディスク３にセットする。この時、ウ
ェーハー１はＳＵＳ或いはアルミニウム等の金属で構成
されるクランブリング４で全周が固定される。
次に、第３図の如くボロン、リン、或いはヒ素等のイオ
ンビーム５を照射し、ウェーハー１にイオン注入を行な
う、この際、積層型ポジレジスト２に帯電したイオン６
は、積層型ポジレジスト２の表面が導電性を有するため
、クランブリング４を介してディスク３から接地ライン
に流れ込み、結果的にチャージアップによる絶縁膜破壊
は発生しない。
ンビーム５を照射し、ウェーハー１にイオン注入を行な
う、この際、積層型ポジレジスト２に帯電したイオン６
は、積層型ポジレジスト２の表面が導電性を有するため
、クランブリング４を介してディスク３から接地ライン
に流れ込み、結果的にチャージアップによる絶縁膜破壊
は発生しない。
ポジ型フォトレジストにカーボンを添加しても、レジス
トの耐熱性及び解像性が劣化することはない。また、レ
ジストばくりに際しては、イオン注入によって形成され
た変質層のみ０．プラズマで灰化し、その後硫酸十過酸
化水素等の溶液で除去しても良いし、積層レジスト２を
０２プラズマで全面除去しても良い、カーボンを含んで
いる導電性レジストは、表面層にのみ形成しているため
、０２プラズマによるウェーハー内部への汚染は全く問
題ない。
トの耐熱性及び解像性が劣化することはない。また、レ
ジストばくりに際しては、イオン注入によって形成され
た変質層のみ０．プラズマで灰化し、その後硫酸十過酸
化水素等の溶液で除去しても良いし、積層レジスト２を
０２プラズマで全面除去しても良い、カーボンを含んで
いる導電性レジストは、表面層にのみ形成しているため
、０２プラズマによるウェーハー内部への汚染は全く問
題ない。
前記レジストは、導電性物質であればカーボン以外でも
同様の効果を有するし、通常レジストと導電性レジスト
の膜厚比も特に規定していない。
同様の効果を有するし、通常レジストと導電性レジスト
の膜厚比も特に規定していない。
積層型レジストであり、表面層に導電性レジストがある
限り、ウェーハーの静電破壊防止に寄与することは明確
である。
限り、ウェーハーの静電破壊防止に寄与することは明確
である。
〔発明の効果１
以上述べたように、通常のポジ型レジストと、カーボン
等の導電性物質を含む導電性レジストの積層構造を有す
るレジストをマスキング材としてイオン注入することに
より、ウェーハーのチャージアップによる絶縁膜破壊を
防止する効果を有する。
等の導電性物質を含む導電性レジストの積層構造を有す
るレジストをマスキング材としてイオン注入することに
より、ウェーハーのチャージアップによる絶縁膜破壊を
防止する効果を有する。
第１図、第２図及び第３図は本発明によるイオン注入法
の実施例を示す主要断面図でるあ。
の実施例を示す主要断面図でるあ。
ウェーハー
積層型ポジレジスト
イオン注入機ディスク
クランブリング
イオンビーム
帯電イオン
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）
Claims (1)
- ウェーハー上にノボラック樹脂をベースとして構成さ
れる光感光性樹脂（ポジ型フォトレジスト）を形成した
後、該樹脂にカーボン・シリコン等の導電性物質を添加
した導電性ポジレジストを連続形成し、前記樹脂層をパ
ターニングした後、該レジスト層をマスクにして前記ウ
ェーハーにイオン注入することを特徴とするイオン注入
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14806690A JPH0442920A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | イオン注入法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14806690A JPH0442920A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | イオン注入法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442920A true JPH0442920A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15444441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14806690A Pending JPH0442920A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | イオン注入法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442920A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5491746A (en) * | 1993-03-09 | 1996-02-13 | Mitel Corporation | Unique ringing on a prime telephone |
| US8269931B2 (en) | 2009-09-14 | 2012-09-18 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US8946864B2 (en) | 2011-03-16 | 2015-02-03 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films comprising metal using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US9324579B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-26 | The Aerospace Corporation | Metal structures and methods of using same for transporting or gettering materials disposed within semiconductor substrates |
| US10067493B2 (en) | 2013-04-12 | 2018-09-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Frequency control method and frequency control system |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14806690A patent/JPH0442920A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5491746A (en) * | 1993-03-09 | 1996-02-13 | Mitel Corporation | Unique ringing on a prime telephone |
| US8269931B2 (en) | 2009-09-14 | 2012-09-18 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US9048179B2 (en) | 2009-09-14 | 2015-06-02 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US8946864B2 (en) | 2011-03-16 | 2015-02-03 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films comprising metal using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US9324579B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-26 | The Aerospace Corporation | Metal structures and methods of using same for transporting or gettering materials disposed within semiconductor substrates |
| US10067493B2 (en) | 2013-04-12 | 2018-09-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Frequency control method and frequency control system |
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