JPH0443330B2 - - Google Patents
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- JPH0443330B2 JPH0443330B2 JP60267720A JP26772085A JPH0443330B2 JP H0443330 B2 JPH0443330 B2 JP H0443330B2 JP 60267720 A JP60267720 A JP 60267720A JP 26772085 A JP26772085 A JP 26772085A JP H0443330 B2 JPH0443330 B2 JP H0443330B2
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関し、さらに詳しくは
集光したレーザ光を基板を通して薄膜に照射し、
そこで発生する熱により薄膜にピツトを形成して
記録する光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関し、さらに詳しくは
集光したレーザ光を基板を通して薄膜に照射し、
そこで発生する熱により薄膜にピツトを形成して
記録する光記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する追記型光デイスクメモリは、記録密度が高
いことから大容量記録装置として優れた特徴を有
している。このような追記型光デイスクメモリの
記録材料としては、低融点金属であるビスマス、
テルルの薄膜がその高感度性のために使用されて
いる（特公昭46−40479、特公昭57−45676、特公
昭59−41875、特公昭54−15483、特公昭59−
35356）。
生する追記型光デイスクメモリは、記録密度が高
いことから大容量記録装置として優れた特徴を有
している。このような追記型光デイスクメモリの
記録材料としては、低融点金属であるビスマス、
テルルの薄膜がその高感度性のために使用されて
いる（特公昭46−40479、特公昭57−45676、特公
昭59−41875、特公昭54−15483、特公昭59−
35356）。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、これらの光記録媒体は記録直後
にサーボがはずれやすいという問題点を有してい
た。
にサーボがはずれやすいという問題点を有してい
た。
本発明の目的は記録直後でもサーボの安定な光
記録媒体を提供することにある。
記録媒体を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は基板の片側に記録層を設
け該基板を通してのレーザ光の照射によつて該記
録層を除去して情報を記録し、該基板を通しての
レーザ光の照射による反射光量の減少を情報とし
て読み取る光記録媒体であつて、前記基板と前記
記録層との間に前記読み取り光に対して実質的に
透明な反射層を設け、前記記録膜が除去されたと
きの基板入射反射率が15％以上かつ記録層がある
ときの入射反射率未満となるように前記反射膜の
厚さを設定したことを特徴とする。
け該基板を通してのレーザ光の照射によつて該記
録層を除去して情報を記録し、該基板を通しての
レーザ光の照射による反射光量の減少を情報とし
て読み取る光記録媒体であつて、前記基板と前記
記録層との間に前記読み取り光に対して実質的に
透明な反射層を設け、前記記録膜が除去されたと
きの基板入射反射率が15％以上かつ記録層がある
ときの入射反射率未満となるように前記反射膜の
厚さを設定したことを特徴とする。
（作用）
光記録媒体は従来第２図のような構成になつて
いた。即ち基板１の上に記録層２が設けられてい
る。記録用レーザ光３は基板１を通して記録層２
に集光照射され、ピツト４が形成される。記録の
読み取りは、このピツト４上をレーザ光で走査す
ることにより得られる反射光量の変化を検出して
行なわれる。したがつて、ピツトのないところで
は記録層２があるときの反射率に比例する反射光
量であり、ピツト部では記録層２がないときの反
射率に比例する反射光量となる。透明な基板１と
しては、ポリカーボネートやアクリル樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用される。これらの屈折率は
可視光から近赤外光域で1.5前後である。したが
つて記録層のないときの反射率は３〜５％であ
る。一方、ビスマスやテルルを主成分とする記録
材料を記録層として用いた場合の反射率（未記録
反射率）は25％以上と大きな値である。
いた。即ち基板１の上に記録層２が設けられてい
る。記録用レーザ光３は基板１を通して記録層２
に集光照射され、ピツト４が形成される。記録の
読み取りは、このピツト４上をレーザ光で走査す
ることにより得られる反射光量の変化を検出して
行なわれる。したがつて、ピツトのないところで
は記録層２があるときの反射率に比例する反射光
量であり、ピツト部では記録層２がないときの反
射率に比例する反射光量となる。透明な基板１と
しては、ポリカーボネートやアクリル樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用される。これらの屈折率は
可視光から近赤外光域で1.5前後である。したが
つて記録層のないときの反射率は３〜５％であ
る。一方、ビスマスやテルルを主成分とする記録
材料を記録層として用いた場合の反射率（未記録
反射率）は25％以上と大きな値である。
ピツトは同心円上又はスパイラル状の多数のト
ラツクに形成するように記録される。多数のトラ
ツクを一定間隔で精度よく記録するには、通常基
板上に案内溝が設けられる。ビーム径程度の溝に
光が入射すると光は回折される。ビーム中心が溝
からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異な
るので、これを検出してビームを溝の中心に入射
させるようにサーボ系を構成できる。通常溝の幅
は0.3〜1.2μｍ、その深さは使用する記録再生レ
ーザ波長の1/12〜1/4の範囲に設定される。この
ようなトラツキングサーボの他に、レーザ光が記
録層に集光されるようにフオーカスサーボも行な
われている。又、多数のトラツクをすばやく識別
するために、案内溝を不連続にしたり、案内溝の
中にさらに凹部を形成したりしてトラツク番地を
あらかじめ基板に記録しておくこともある。この
ように、トラツク番地の読み出しの精度を向上さ
せたり、トラツキング及びフオーカスサーボを安
定に動作させるためには未記録反射率の大きいこ
とが必要である。しかしながら、これらの光記録
媒体は、記録直後にサーボがはずれやすいという
問題点を有していた。本発明者らは、この原因を
詳細に検討した結果、ピツト形成によりサーボエ
ラー感度が低下するためにサーボが不安定になる
ことを見出した。即ち、サーボエラー感度の低下
は、ピツト形成後の反射率が大きく低下すること
の他に、基板入射で記録することに起因してピツ
ト形成で反射光の位相が180度近く変化すること
が主原因であることを見出し、本発明に到つたも
のである。本発明は第１図のように基板１と記録
層２の間に透明な反射膜５を設け記録層がないと
きの反射率を15％以上にすることにより、記録後
においてもサーボが不安定になることはない。こ
れは、透明反射膜５が挿入したことにより、ピツ
ト形成後の反射率を高めてサーボ信号量を増大し
たことと、反射の境界面を完全な自由端ではなく
したことによつている。反射膜５を透明にするこ
とにより、この膜での光吸収をなくし、記録感度
低下を防いでいる。記録層での光吸収は透明反射
膜５の挿入により逆に増大している。
ラツクに形成するように記録される。多数のトラ
ツクを一定間隔で精度よく記録するには、通常基
板上に案内溝が設けられる。ビーム径程度の溝に
光が入射すると光は回折される。ビーム中心が溝
からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異な
るので、これを検出してビームを溝の中心に入射
させるようにサーボ系を構成できる。通常溝の幅
は0.3〜1.2μｍ、その深さは使用する記録再生レ
ーザ波長の1/12〜1/4の範囲に設定される。この
ようなトラツキングサーボの他に、レーザ光が記
録層に集光されるようにフオーカスサーボも行な
われている。又、多数のトラツクをすばやく識別
するために、案内溝を不連続にしたり、案内溝の
中にさらに凹部を形成したりしてトラツク番地を
あらかじめ基板に記録しておくこともある。この
ように、トラツク番地の読み出しの精度を向上さ
せたり、トラツキング及びフオーカスサーボを安
定に動作させるためには未記録反射率の大きいこ
とが必要である。しかしながら、これらの光記録
媒体は、記録直後にサーボがはずれやすいという
問題点を有していた。本発明者らは、この原因を
詳細に検討した結果、ピツト形成によりサーボエ
ラー感度が低下するためにサーボが不安定になる
ことを見出した。即ち、サーボエラー感度の低下
は、ピツト形成後の反射率が大きく低下すること
の他に、基板入射で記録することに起因してピツ
ト形成で反射光の位相が180度近く変化すること
が主原因であることを見出し、本発明に到つたも
のである。本発明は第１図のように基板１と記録
層２の間に透明な反射膜５を設け記録層がないと
きの反射率を15％以上にすることにより、記録後
においてもサーボが不安定になることはない。こ
れは、透明反射膜５が挿入したことにより、ピツ
ト形成後の反射率を高めてサーボ信号量を増大し
たことと、反射の境界面を完全な自由端ではなく
したことによつている。反射膜５を透明にするこ
とにより、この膜での光吸収をなくし、記録感度
低下を防いでいる。記録層での光吸収は透明反射
膜５の挿入により逆に増大している。
透明な反射膜材料としては、基板の屈折率より
も大きな屈折率のものであればよい。例えば
Co3O4、Cr2O3、GeO2、H5O2、MoO3、NiO、
SiO、SnO2、Ta2O5、WO3、ZnO、ZrO2等の各
種酸化物、Si3N4、ZrN等の各種窒化物、GeS、
ZnS等の各種硫化物、コバルトフタロシアニン、
銅フタロシアニン、マグネシウムフタロシアニ
ン、ニツケルフタロシアニン、亜鉛フタロシアニ
ン、ｔ−ブチル置換バナジルフタロシアニン等の
各種有機色素、二無水３，４，９，10−ペリレン
テトラカルボン酸等の各種有機物を使用すること
ができる。これらの材料を基板上に成膜すること
により記録層がない状態での基板入射反射率が15
％以上になるような厚さで形成する。次に、その
上に記録層を形成する。このときの反射率は再生
信号品質を良好にするために、25％以上（すなわ
ち前記基板入射反射率との差が10％以上）にする
ことが望ましい。記録層としてはBiか或いはTe
か或いはSnを主成分とする材料が望ましい。そ
のうちでは、SnとCo3O4との混合物、SnとNiO
との混合物、TeとCo3O4との混合物、TeとNiO
との混合物、TeとSeとの合金、Te、Bi、In等を
含有したプラズマ重合有機膜、Te、Bi、In等が
アルキル基で囲まれている有機膜、Te、Bi、In
等がフルオロカーボンで囲まれている有機膜がと
くに望ましい。
も大きな屈折率のものであればよい。例えば
Co3O4、Cr2O3、GeO2、H5O2、MoO3、NiO、
SiO、SnO2、Ta2O5、WO3、ZnO、ZrO2等の各
種酸化物、Si3N4、ZrN等の各種窒化物、GeS、
ZnS等の各種硫化物、コバルトフタロシアニン、
銅フタロシアニン、マグネシウムフタロシアニ
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テトラカルボン酸等の各種有機物を使用すること
ができる。これらの材料を基板上に成膜すること
により記録層がない状態での基板入射反射率が15
％以上になるような厚さで形成する。次に、その
上に記録層を形成する。このときの反射率は再生
信号品質を良好にするために、25％以上（すなわ
ち前記基板入射反射率との差が10％以上）にする
ことが望ましい。記録層としてはBiか或いはTe
か或いはSnを主成分とする材料が望ましい。そ
のうちでは、SnとCo3O4との混合物、SnとNiO
との混合物、TeとCo3O4との混合物、TeとNiO
との混合物、TeとSeとの合金、Te、Bi、In等を
含有したプラズマ重合有機膜、Te、Bi、In等が
アルキル基で囲まれている有機膜、Te、Bi、In
等がフルオロカーボンで囲まれている有機膜がと
くに望ましい。
実施例 １
以下、本発明の実施例について説明する。内径
15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカ
ーボネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に
入れ、２×10-5Torr以下に排気した。蒸発源と
しては抵抗加熱用ボート（モリブデン製）にSn
を入れ、もう一つの抵抗加熱用ボートに二無水
３，４，９，10−ペリレンテトラルカルボン酸
（以下PTCDAと略称する）を入れ、電気ビーム
加熱用るつぼにCo3O4を入れた。まず、透明な反
射膜としてPTCDAを550Å蒸着し、次にSnの蒸
着速度を毎分45Å、Co3O4蒸着速度を毎分17Åと
して共蒸着してCo3O4の体積率が27％の組成の
350Å厚の記録層を形成した。波長8300Åにおけ
るこの光記録媒体の基板入射反射率は28％であ
り、記録層がないときの反射率は16％であつた。
波長8300ÅのAlGaAs半導体レーザを用いて、媒
体線速度5.65ｍ／sec、記録周波数1.25MHz（デユ
ーテイ50％）の条件で８ｍＷで記録したところ、
サーボがはずれるということはなく、0.7ｍＷの
レーザパワーで再生したとこ、サーボがはずれる
ということはなく、0.7ｍＷのレーザパワーで再
生したところバンド幅30kHzの信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）は48dB以上、第２高調波対信号比
（2ndH／Ｃ）は−26dB以下と良好な品質の信号
が得られた。比較のためのPTCDA層を設けない
デイスクは、前記の条件で記録するとサーボがは
ずれた。
15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカ
ーボネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に
入れ、２×10-5Torr以下に排気した。蒸発源と
しては抵抗加熱用ボート（モリブデン製）にSn
を入れ、もう一つの抵抗加熱用ボートに二無水
３，４，９，10−ペリレンテトラルカルボン酸
（以下PTCDAと略称する）を入れ、電気ビーム
加熱用るつぼにCo3O4を入れた。まず、透明な反
射膜としてPTCDAを550Å蒸着し、次にSnの蒸
着速度を毎分45Å、Co3O4蒸着速度を毎分17Åと
して共蒸着してCo3O4の体積率が27％の組成の
350Å厚の記録層を形成した。波長8300Åにおけ
るこの光記録媒体の基板入射反射率は28％であ
り、記録層がないときの反射率は16％であつた。
波長8300ÅのAlGaAs半導体レーザを用いて、媒
体線速度5.65ｍ／sec、記録周波数1.25MHz（デユ
ーテイ50％）の条件で８ｍＷで記録したところ、
サーボがはずれるということはなく、0.7ｍＷの
レーザパワーで再生したとこ、サーボがはずれる
ということはなく、0.7ｍＷのレーザパワーで再
生したところバンド幅30kHzの信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）は48dB以上、第２高調波対信号比
（2ndH／Ｃ）は−26dB以下と良好な品質の信号
が得られた。比較のためのPTCDA層を設けない
デイスクは、前記の条件で記録するとサーボがは
ずれた。
実施例 ２
透明な反射膜としてPTCDAのかわりに650Å
厚の銅フタロシアニンを用いて、実施例１と同様
の実験を行なつた。媒体反射率は28％、記録層が
ないときの反射率は15％であつた。このデイスク
を8mWで記録するとサーボがはずれることなく、
良好な品質の信号が得られた。
厚の銅フタロシアニンを用いて、実施例１と同様
の実験を行なつた。媒体反射率は28％、記録層が
ないときの反射率は15％であつた。このデイスク
を8mWで記録するとサーボがはずれることなく、
良好な品質の信号が得られた。
実施例 ３
内径15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
のポリカーボネート樹脂デイスク基板を真空蒸着
装置内に入れ、２×10-5Torr以下に排気した。
蒸発源としては抵抗加熱用ボートにPTCDAを入
れ、別の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、別の抵
抗加熱用ボートにSeを入れた。まず、透明な反
射膜としてPTCDAを550Å蒸着し、次に蒸着速
度を制御して原子％で80対20のTeとSeの合金膜
を350Å厚形成した。波長8300Åにおけるこの光
記録媒体の基板入射率は30％であり、記録層がな
いときの反射率は16％であつた。実施例１と同様
にして記録再生した結果、サーボがはずれるとい
うことはなく、良好な品質の信号が得られた。比
較のためのPTCDA層を設けないデイスクは、前
記の条件で記録するとサーボがはずれる問題であ
つた。
のポリカーボネート樹脂デイスク基板を真空蒸着
装置内に入れ、２×10-5Torr以下に排気した。
蒸発源としては抵抗加熱用ボートにPTCDAを入
れ、別の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、別の抵
抗加熱用ボートにSeを入れた。まず、透明な反
射膜としてPTCDAを550Å蒸着し、次に蒸着速
度を制御して原子％で80対20のTeとSeの合金膜
を350Å厚形成した。波長8300Åにおけるこの光
記録媒体の基板入射率は30％であり、記録層がな
いときの反射率は16％であつた。実施例１と同様
にして記録再生した結果、サーボがはずれるとい
うことはなく、良好な品質の信号が得られた。比
較のためのPTCDA層を設けないデイスクは、前
記の条件で記録するとサーボがはずれる問題であ
つた。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
サーボの安定性がよくかつ信号品質の良好な光記
録媒体が得られる。
サーボの安定性がよくかつ信号品質の良好な光記
録媒体が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２は記録層、３
はレーザ光、４はピツト、５は透明反射膜を示
す。
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２は記録層、３
はレーザ光、４はピツト、５は透明反射膜を示
す。
Claims (1)
- １ 基板の片側に記録層を設け該基板を通しての
レーザ光の照射によつて該記録層を除去して情報
を記録し、該基板を通してのレーザ光の照射によ
る反射光量の減少を情報として読み取る光記録媒
体において、前記基板と前記記録層との間に前記
読み取り光に対して実質的に透明な反射膜を設
け、前記記録層が除去されたときの基板入射反射
率を15％以上かつ記録層があるときの入射反射率
未満となるように前記反射膜の厚さを設定したこ
とを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267720A JPS62125552A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267720A JPS62125552A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62125552A JPS62125552A (ja) | 1987-06-06 |
| JPH0443330B2 true JPH0443330B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=17448622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267720A Granted JPS62125552A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62125552A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69219481T2 (de) * | 1991-10-03 | 1997-12-04 | Del Mar Avionics | Optische matrizenplatte |
| TW259865B (ja) * | 1993-12-15 | 1995-10-11 | Ibm | |
| FR2809856B1 (fr) * | 2000-05-30 | 2002-07-12 | Commissariat Energie Atomique | Supports d'enregistrement optique irreversible |
-
1985
- 1985-11-27 JP JP60267720A patent/JPS62125552A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62125552A (ja) | 1987-06-06 |
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