JPH0443407B2 - - Google Patents
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- JPH0443407B2 JPH0443407B2 JP59015800A JP1580084A JPH0443407B2 JP H0443407 B2 JPH0443407 B2 JP H0443407B2 JP 59015800 A JP59015800 A JP 59015800A JP 1580084 A JP1580084 A JP 1580084A JP H0443407 B2 JPH0443407 B2 JP H0443407B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、複数枚の原画を順次被露光物上に転
写する投影露光方法に係り、特に半導体ウエハ上
に回路パターンを転写するのに好適な投影露光方
法に関する。
写する投影露光方法に係り、特に半導体ウエハ上
に回路パターンを転写するのに好適な投影露光方
法に関する。
高集積半導体は、被露光物である半導体ウエハ
（以下ウエハと称する）上に複数枚の原画の模様
を順次重ねて転写することにより得られる。第１
図は、高集積半導体を製造するために使用される
投影露光装置の概要を示したものである。
（以下ウエハと称する）上に複数枚の原画の模様
を順次重ねて転写することにより得られる。第１
図は、高集積半導体を製造するために使用される
投影露光装置の概要を示したものである。
第１図においてXYステージ１０には、駆動モ
ータ１２，１４が取り付けてあり、上面にウエハ
１６が固定できるようになつている。駆動モータ
１２，１４は、定められたピツチを持つてXYス
テージを図に示したＸ方向とＹ方向にいわゆるス
テツプアンドリピートして移動させる。そして、
XYステージ１０の位置は、複数のプリズム１８
を介してレーザ測長器２０により検出され、
0.05μm程度の精度をもつて位置決め制御される。
ータ１２，１４が取り付けてあり、上面にウエハ
１６が固定できるようになつている。駆動モータ
１２，１４は、定められたピツチを持つてXYス
テージを図に示したＸ方向とＹ方向にいわゆるス
テツプアンドリピートして移動させる。そして、
XYステージ１０の位置は、複数のプリズム１８
を介してレーザ測長器２０により検出され、
0.05μm程度の精度をもつて位置決め制御される。
ウエハ１６の上方には、縮小レンズ２２が配置
してあり、さらにその上方にパターン原版（レチ
クル）２４を固定する原版載置台２６が設けてあ
る。パターン原版２４には、詳細を後述する照射
孔２８，３０が所定の位置に形成されている。ま
た、パターン原版２４には、露光照明装置３２か
らの光がコンデンサレンズ３４を介して投射され
る。
してあり、さらにその上方にパターン原版（レチ
クル）２４を固定する原版載置台２６が設けてあ
る。パターン原版２４には、詳細を後述する照射
孔２８，３０が所定の位置に形成されている。ま
た、パターン原版２４には、露光照明装置３２か
らの光がコンデンサレンズ３４を介して投射され
る。
前記したウエハ１６上には、検出パターン３６
が転写されており、この転写パターン３６を一対
のパターン検出装置４０，５０により検出できる
ようになつている。各パターン検出装置４０，５
０は、それぞれパターン検出器４１，５１、コリ
メータ４２，５２、ハーフミラー４３，５３、ミ
ラー４４，５４及び照明装置４５，５５を有して
いる。
が転写されており、この転写パターン３６を一対
のパターン検出装置４０，５０により検出できる
ようになつている。各パターン検出装置４０，５
０は、それぞれパターン検出器４１，５１、コリ
メータ４２，５２、ハーフミラー４３，５３、ミ
ラー４４，５４及び照明装置４５，５５を有して
いる。
ウエハ１６は、第２図に示すように複数のチツ
プ６０からなつており、各チツプ６０には検出パ
ターン３６が転写されている。
プ６０からなつており、各チツプ６０には検出パ
ターン３６が転写されている。
上記のごとく構成した投影露光装置によるパタ
ーンの転写は、従来次のごとくして行なわれてい
た。まず、ウエハ１６上を配置したXYステージ
１０を所定の位置に停止させ、原版載置台２６上
に最初のパターン原版２４を固定する。そして、
露光照明装置３２からコンデンサレンズ３４を介
してパターン原版２４に光を集束して投射する。
パターン原版２４を透過した光は、縮小レンズ２
２内に入り、ウエハ１６上にパターン原版２４に
描かれている模様を結像する。そして、ひとつの
チツプ６０に模様が転写されると、次のチツプに
模様を転写するため、図示しない制御装置により
駆動モータ１２，１４が駆動され、XYステージ
を１ステツプだけ移動させる。このXYステージ
の移動量は、レーザ測長器２０より検出され、
0.05μm程度の位置決め制度を持つて制御される。
このようにしてウエハ１６に形成したすべてのチ
ツプ６０に模様が転写されると、原版載置台２６
上に次のパターン原版２４が固定され、同様にし
てウエハ１６上に模様を重ねて転写していく。こ
の時、すでに転写してあるウエハ１６上の模様
と、次のパターン原版２４に描かれた模様とを、
制度良く整合して重ね合せる必要がある。この模
様の重ね合せは、従来次のごとくして行なつてい
た。
ーンの転写は、従来次のごとくして行なわれてい
た。まず、ウエハ１６上を配置したXYステージ
１０を所定の位置に停止させ、原版載置台２６上
に最初のパターン原版２４を固定する。そして、
露光照明装置３２からコンデンサレンズ３４を介
してパターン原版２４に光を集束して投射する。
パターン原版２４を透過した光は、縮小レンズ２
２内に入り、ウエハ１６上にパターン原版２４に
描かれている模様を結像する。そして、ひとつの
チツプ６０に模様が転写されると、次のチツプに
模様を転写するため、図示しない制御装置により
駆動モータ１２，１４が駆動され、XYステージ
を１ステツプだけ移動させる。このXYステージ
の移動量は、レーザ測長器２０より検出され、
0.05μm程度の位置決め制度を持つて制御される。
このようにしてウエハ１６に形成したすべてのチ
ツプ６０に模様が転写されると、原版載置台２６
上に次のパターン原版２４が固定され、同様にし
てウエハ１６上に模様を重ねて転写していく。こ
の時、すでに転写してあるウエハ１６上の模様
と、次のパターン原版２４に描かれた模様とを、
制度良く整合して重ね合せる必要がある。この模
様の重ね合せは、従来次のごとくして行なつてい
た。
まず、パターン検出装置４０，５０の照明装置
４５，５５からハーフミラー４３，５３に光を投
射する。光は、ハーフミラー４３，５３及びミラ
ー４４，５４により反射された後、パターン原版
２４に形成した照射孔２８，３０を通つて縮小レ
ンズ２２に導かれ、ウエハ１６上に照射される。
この光は、さらにウエハ１６により反射され、ウ
エハ１６上の検出パターン３６の像をパターン原
版２４上に拡大して結像させる。この拡大した検
出パターン３６の像は、ミラー４４，５４におい
て反射され、ハーフミラー４３，５３とコリメー
タ４２，５２を通つてパターン検出器４１，５１
に導かれる。そこで、ウエハ１６上の測定点とし
て、予め定めてある一対のチツプ６０ａ，６０ｂ
内の検出パターン３６ａ，３６ｂを同時にまたは
順次検出し、ウエハ１６に転写してある前段の模
様の配列状態を求めていた。そして、これら検出
パターン３６ａ，３６ｂのパターン原版２４上に
結像された位置と、パターン原版２４に描かれて
いる検出マークの位置との相対誤差を検知し、こ
の相対誤差を制御装置にフイードバツクさせて
XYステージ１０を相対誤差が無くなるように移
動させ、次の模様を転写していた。しかし、従来
のこの方法による時は、検出した検出パターン３
６ａ，３６ｂの内のひとつまたは両者が共に誤検
出であつた場合、この誤検出を検知する方法がな
く、ウエハ１６上の模様とパターン原版２４に描
かれた模様との整合が充分図かれないままパター
ン原版２４の模様が転写され、高集積半導体製造
工程における不良発生の大きな原因となつてい
た。
４５，５５からハーフミラー４３，５３に光を投
射する。光は、ハーフミラー４３，５３及びミラ
ー４４，５４により反射された後、パターン原版
２４に形成した照射孔２８，３０を通つて縮小レ
ンズ２２に導かれ、ウエハ１６上に照射される。
この光は、さらにウエハ１６により反射され、ウ
エハ１６上の検出パターン３６の像をパターン原
版２４上に拡大して結像させる。この拡大した検
出パターン３６の像は、ミラー４４，５４におい
て反射され、ハーフミラー４３，５３とコリメー
タ４２，５２を通つてパターン検出器４１，５１
に導かれる。そこで、ウエハ１６上の測定点とし
て、予め定めてある一対のチツプ６０ａ，６０ｂ
内の検出パターン３６ａ，３６ｂを同時にまたは
順次検出し、ウエハ１６に転写してある前段の模
様の配列状態を求めていた。そして、これら検出
パターン３６ａ，３６ｂのパターン原版２４上に
結像された位置と、パターン原版２４に描かれて
いる検出マークの位置との相対誤差を検知し、こ
の相対誤差を制御装置にフイードバツクさせて
XYステージ１０を相対誤差が無くなるように移
動させ、次の模様を転写していた。しかし、従来
のこの方法による時は、検出した検出パターン３
６ａ，３６ｂの内のひとつまたは両者が共に誤検
出であつた場合、この誤検出を検知する方法がな
く、ウエハ１６上の模様とパターン原版２４に描
かれた模様との整合が充分図かれないままパター
ン原版２４の模様が転写され、高集積半導体製造
工程における不良発生の大きな原因となつてい
た。
本発明は、すでに転写してある被露光物上の模
様と、次に転写する原画との整合を図ることがで
きる投影露光方法を提供することを目的とする。
様と、次に転写する原画との整合を図ることがで
きる投影露光方法を提供することを目的とする。
本発明は複数枚の原画の模様が順次重ねられて
転写される被露光物上の３点の検出マークを検出
し、これら各検出マーク間の相対位置を求めて設
計値と比較し、相対位置の中に設計値一致しない
ものがあるときは順次検出マーク数の検出数を増
加させ、少なくとも２以上の検出マークが正しく
検出されていることを確認し、これら２以上の正
しく検知されている検出マークに基づいて被露光
物上にすでに転写してある前段の模様と、次に転
写すべき後段の原画の模様との整合を図ることに
より、前記目的を達成できるように構成したもの
である。
転写される被露光物上の３点の検出マークを検出
し、これら各検出マーク間の相対位置を求めて設
計値と比較し、相対位置の中に設計値一致しない
ものがあるときは順次検出マーク数の検出数を増
加させ、少なくとも２以上の検出マークが正しく
検出されていることを確認し、これら２以上の正
しく検知されている検出マークに基づいて被露光
物上にすでに転写してある前段の模様と、次に転
写すべき後段の原画の模様との整合を図ることに
より、前記目的を達成できるように構成したもの
である。
本発明に係る投影露光方法の好ましい実施例
を、添付図面に従つて詳説する。
を、添付図面に従つて詳説する。
第３図は、本発明に係る投影露光方法における
実施例の検出すべき検出マークの位置を示したも
ので、第４図にその位置関係の詳細を示した。第
３図及び第４図において、ウエハ１６に形成され
た多数のチツプ６０の各々には、同一の模様が転
写されており、同一位置に検出マークが形成され
ている。検出される検出マークはチツプ６０ａ，
６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ内の検出マークT1，T2，
T3，T4である。これら各検出マークの座標は、
T1（x1，y1），T2（x2，y2），T3（x3，y3），T4（x4，
y4）とする。そして、チツプ６０ａ，６０ｂは、
それぞれｎ個のチツプが１列に並んだ両端に位置
し、チツプ６０ｃはチツプ６０ａ，６０ｂ間の中
央に、チツプ６０ｄはチツプ６０ａ，６０ｃ間の
中央にそれぞれ位置している。そして、各チツプ
の大きさは、Ｘ×Ｙとする。
実施例の検出すべき検出マークの位置を示したも
ので、第４図にその位置関係の詳細を示した。第
３図及び第４図において、ウエハ１６に形成され
た多数のチツプ６０の各々には、同一の模様が転
写されており、同一位置に検出マークが形成され
ている。検出される検出マークはチツプ６０ａ，
６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ内の検出マークT1，T2，
T3，T4である。これら各検出マークの座標は、
T1（x1，y1），T2（x2，y2），T3（x3，y3），T4（x4，
y4）とする。そして、チツプ６０ａ，６０ｂは、
それぞれｎ個のチツプが１列に並んだ両端に位置
し、チツプ６０ｃはチツプ６０ａ，６０ｂ間の中
央に、チツプ６０ｄはチツプ６０ａ，６０ｃ間の
中央にそれぞれ位置している。そして、各チツプ
の大きさは、Ｘ×Ｙとする。
このような条件においてチツプ６０ａ，６０ｂ
間の中心間距離は、検出パターンT1，T2間の距
離に相当し、XYステージによる露光点の位置決
め、誤差が０であれば、 1 2＝｜y1−y2｜＝Ｌ＝（ｎ−１）Ｙ が成立する。そして、検出パターンT1〜T3にお
いて、もしXYステージの位置決め誤差が０であ
り、正しい検出パターンを検出しているのであれ
ばｘ方向、ｙ方向座標について各々次式か成り立
つ。
間の中心間距離は、検出パターンT1，T2間の距
離に相当し、XYステージによる露光点の位置決
め、誤差が０であれば、 1 2＝｜y1−y2｜＝Ｌ＝（ｎ−１）Ｙ が成立する。そして、検出パターンT1〜T3にお
いて、もしXYステージの位置決め誤差が０であ
り、正しい検出パターンを検出しているのであれ
ばｘ方向、ｙ方向座標について各々次式か成り立
つ。
｜｜y1−y2｜／Ｌ＝｜y1−y3｜／Ｌ／２｜＝０ …(1)
｜｜x1−x2｜／Ｌ＝｜x1−x3｜／Ｌ／２｜＝０ …(2)
しかし実際にはステージ位置決め誤差が約
0.05μm程度はあるため、３つの検出マークT1〜
T3が共に正検出である条件は下記の通りになる。
0.05μm程度はあるため、３つの検出マークT1〜
T3が共に正検出である条件は下記の通りになる。
｜｜y1−y2｜／Ｌ＝｜y1−y3｜／Ｌ／２｜≦Ｃ …(3)
｜｜x1−x2｜／Ｌ＝｜x1−x3｜／Ｌ／２｜≦Ｃ …(4)
ここに、Ｃは、上記の検出誤差とウエハ１６の
伸縮を考慮した0.1μm程度の値となる。
伸縮を考慮した0.1μm程度の値となる。
次に、正しい検出マークを検出しているか否か
の判断方法を、第５図に従つて詳説する。
の判断方法を、第５図に従つて詳説する。
図示しない露光機の制御装置は、ステツプ101
において３つのチツプ６０ａ，６０ｂ，６０ｃの
各検出マークT1，T2，T3を検出する。そして、
ステツプ102において(3)式の計算を行ない、(3)式
が満たされている時はステツプ103に進む。そし
て、検出マークT1，T2のデータを基に各チツプ
の重ね合わせのための露光点のｙ座標を算出し、
ステツプ104に進み(4)式が成立するか否かを判断
する。(4)式が満足されている時は、ステツプ105
に進みｙ座標と同様にｘ座標を算出し、露光機は
重ね合せのための露光動作に移行する。
において３つのチツプ６０ａ，６０ｂ，６０ｃの
各検出マークT1，T2，T3を検出する。そして、
ステツプ102において(3)式の計算を行ない、(3)式
が満たされている時はステツプ103に進む。そし
て、検出マークT1，T2のデータを基に各チツプ
の重ね合わせのための露光点のｙ座標を算出し、
ステツプ104に進み(4)式が成立するか否かを判断
する。(4)式が満足されている時は、ステツプ105
に進みｙ座標と同様にｘ座標を算出し、露光機は
重ね合せのための露光動作に移行する。
制御装置は、ステツプ102において(3)式が成立
しないことを発見した時は、ステツプ106に進み、
４チツプ目の６０ｄ中の検出パターンT4を検出
し、ステツプ107に進み、次の(5)〜(10)式の計算を
行なう。
しないことを発見した時は、ステツプ106に進み、
４チツプ目の６０ｄ中の検出パターンT4を検出
し、ステツプ107に進み、次の(5)〜(10)式の計算を
行なう。
｜｜y1−y2｜／Ｌ−｜y1−y4｜／（Ｌ／２）−2Y｜≦
Ｃ…(5) ｜｜y1−y2｜／Ｌ−｜y4−y2｜／（Ｌ／２）＋2Y｜≦
Ｃ…(6) ｜｜y1−y3｜／Ｌ／２−｜y1−y4｜／（Ｌ／２）−2Y
｜≦Ｃ…(7) ｜｜y1−y3｜／Ｌ／２−｜y4−y3｜／2Y｜≦Ｃ …(8) ｜ ｜y3−y2｜／Ｌ／２−｜y4−y2｜／（Ｌ／２）−2Y
｜≦Ｃ…(9) ｜｜y3−y2｜／Ｌ／２−｜y4−y3｜／2Y｜≦Ｃ…(10) そして、４つの検出パターンT1〜T4の内、３
つが正しいものである時の条件は、上記(5)〜(10)式
を満足するものが２以上存在する必要がある。そ
こで、制御装置は、ステツプ107の計算結果によ
りステツプ108において(5)〜(10)式を満足するもの
が２以上あるか否かを判断し、満足するものが２
以上ある時には、ステツプ109において正しい３
つの検出マークのｙ座標に基づき自動的に各露光
点の座標を算出し、露光機が重ね合せのための露
光動作に移項する。もしステツプ108において(5)
〜(10)式を満足するものが２以上無いことが判明し
たときには、ステツプ110に進み、露光機は自動
検出動作を停止し、オペレータの目視検出に移項
する。
Ｃ…(5) ｜｜y1−y2｜／Ｌ−｜y4−y2｜／（Ｌ／２）＋2Y｜≦
Ｃ…(6) ｜｜y1−y3｜／Ｌ／２−｜y1−y4｜／（Ｌ／２）−2Y
｜≦Ｃ…(7) ｜｜y1−y3｜／Ｌ／２−｜y4−y3｜／2Y｜≦Ｃ …(8) ｜ ｜y3−y2｜／Ｌ／２−｜y4−y2｜／（Ｌ／２）−2Y
｜≦Ｃ…(9) ｜｜y3−y2｜／Ｌ／２−｜y4−y3｜／2Y｜≦Ｃ…(10) そして、４つの検出パターンT1〜T4の内、３
つが正しいものである時の条件は、上記(5)〜(10)式
を満足するものが２以上存在する必要がある。そ
こで、制御装置は、ステツプ107の計算結果によ
りステツプ108において(5)〜(10)式を満足するもの
が２以上あるか否かを判断し、満足するものが２
以上ある時には、ステツプ109において正しい３
つの検出マークのｙ座標に基づき自動的に各露光
点の座標を算出し、露光機が重ね合せのための露
光動作に移項する。もしステツプ108において(5)
〜(10)式を満足するものが２以上無いことが判明し
たときには、ステツプ110に進み、露光機は自動
検出動作を停止し、オペレータの目視検出に移項
する。
ステツプ109においてｙ座標の算出をした自動
制御装置は、前記したステツプ104に進み(4)式の
計算を行ない、(4)式が満足されない時はステツプ
111に進み、４チツプ目を検出した後、ステツプ
112に進み、ステツプ112においては次の（11）〜
（16）式の計算を行なう。
制御装置は、前記したステツプ104に進み(4)式の
計算を行ない、(4)式が満足されない時はステツプ
111に進み、４チツプ目を検出した後、ステツプ
112に進み、ステツプ112においては次の（11）〜
（16）式の計算を行なう。
｜x1−x2｜／Ｌ−｜x1−x4｜／（Ｌ／２）−2Y≦Ｃ…
（11） ｜x1−x2｜／Ｌ−｜x4−x2｜／（Ｌ／２）＋2Y≦Ｃ…
（12） ｜x1−x3｜／Ｌ／２−｜x1−x4｜／（Ｌ／２）−2Y≦
Ｃ…（13） ｜x1−x3｜／Ｌ／２−｜x4−x3｜／2Y≦Ｃ …（14） ｜x3−x2｜／Ｌ／２−｜x4−x2｜／（Ｌ／２）−2Y≦
Ｃ…（15） ｜x3−x2｜／Ｌ／２−｜x4−x3｜／2Y｜≦Ｃ…（16） その後、自動制御装置は、ステツプ113におい
て（11）〜16）式の内の２以上が満足されている
か否かを判断する。制御装置は、ステツプ113に
おいて（11）〜（16）式の内の２以上が満足され
ていると判断した時には、ステツプ114に進み、
ｙ座標と同様に自動的にｘ座標の算出を行ない、
露光機が重ね合せのための露光動作に移項する。
反対に、ステツプ113において（11）〜（16）式
を満足するものが２以上無い時は、ステツプ115
に進み、露光機は自動検出動作を停止し、オペー
レータの目視検出に移項する。
（11） ｜x1−x2｜／Ｌ−｜x4−x2｜／（Ｌ／２）＋2Y≦Ｃ…
（12） ｜x1−x3｜／Ｌ／２−｜x1−x4｜／（Ｌ／２）−2Y≦
Ｃ…（13） ｜x1−x3｜／Ｌ／２−｜x4−x3｜／2Y≦Ｃ …（14） ｜x3−x2｜／Ｌ／２−｜x4−x2｜／（Ｌ／２）−2Y≦
Ｃ…（15） ｜x3−x2｜／Ｌ／２−｜x4−x3｜／2Y｜≦Ｃ…（16） その後、自動制御装置は、ステツプ113におい
て（11）〜16）式の内の２以上が満足されている
か否かを判断する。制御装置は、ステツプ113に
おいて（11）〜（16）式の内の２以上が満足され
ていると判断した時には、ステツプ114に進み、
ｙ座標と同様に自動的にｘ座標の算出を行ない、
露光機が重ね合せのための露光動作に移項する。
反対に、ステツプ113において（11）〜（16）式
を満足するものが２以上無い時は、ステツプ115
に進み、露光機は自動検出動作を停止し、オペー
レータの目視検出に移項する。
なお、前記したごとく検出される各チツプ６０
ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄは、一直線上に配置
されている。従つて、ｘ座標に関する条件式は、
ｙ座標における条件式と同様に表現したが、実際
には各検出パターン間を結ぶ直線の基準線に対す
る傾きを求めている。
ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄは、一直線上に配置
されている。従つて、ｘ座標に関する条件式は、
ｙ座標における条件式と同様に表現したが、実際
には各検出パターン間を結ぶ直線の基準線に対す
る傾きを求めている。
以上のようにウエハ１６上の３個以上の検出マ
ークを検出し、各検出マーク間の相互位置を算出
して設計値と比較することにより、正しい位置の
検出マークに基づいて模様の重ね合せを行なうた
め、模様の整合がとれ、不良品の発生を防止する
ことができる。
ークを検出し、各検出マーク間の相互位置を算出
して設計値と比較することにより、正しい位置の
検出マークに基づいて模様の重ね合せを行なうた
め、模様の整合がとれ、不良品の発生を防止する
ことができる。
前記実施例においては検出すべき各チツプが直
線上に配置されている場合について説明したが、
検出すべき各チツプは、直線上に配置されている
必要はない。また、前記実施例においては高集積
半導体のパターン転写について説明したが、高集
積半導体に限定されないことはもちろんである。
線上に配置されている場合について説明したが、
検出すべき各チツプは、直線上に配置されている
必要はない。また、前記実施例においては高集積
半導体のパターン転写について説明したが、高集
積半導体に限定されないことはもちろんである。
以上説明したように本発明によれば、すでに転
写してある被露光物上の模様と、その模様の上に
転写する原画の模様との整合を図ることができ
る。
写してある被露光物上の模様と、その模様の上に
転写する原画の模様との整合を図ることができ
る。
第１図は投影露光装置の概略説明図、第２図は
従来のウエハ上に形成された模様の重ね合せのた
めに検出される検出パターンの位置を示す図、第
３図は本発明に係る投影露光方法における検出す
べき検出パターンの位置を示す図、第４図は第３
図の検出すべき検出パターンの位置関係を示す詳
細図、第５図は検出した検出パターンが正しいも
のであるか否かを判断する流れ図である。 １０……XYステージ、１２，１４……駆動モ
ータ、１６……ウエハ、２０……レーザ測長器、
２２……縮小レンズ、２４……パターン原版、３
２……露光照明装置、３４……コンデンサレン
ズ、３６，３６ａ，３６ｂ，T1〜T4……検出パ
ターン、４０，５０……パターン検出装置、４
１，５１……パターン検出器、６０，６０ａ〜６
０ｄ……チツプ。
従来のウエハ上に形成された模様の重ね合せのた
めに検出される検出パターンの位置を示す図、第
３図は本発明に係る投影露光方法における検出す
べき検出パターンの位置を示す図、第４図は第３
図の検出すべき検出パターンの位置関係を示す詳
細図、第５図は検出した検出パターンが正しいも
のであるか否かを判断する流れ図である。 １０……XYステージ、１２，１４……駆動モ
ータ、１６……ウエハ、２０……レーザ測長器、
２２……縮小レンズ、２４……パターン原版、３
２……露光照明装置、３４……コンデンサレン
ズ、３６，３６ａ，３６ｂ，T1〜T4……検出パ
ターン、４０，５０……パターン検出装置、４
１，５１……パターン検出器、６０，６０ａ〜６
０ｄ……チツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面上に複数枚の原画の模様が順次重ねられ
て転写される被露光物を、２次元的に移動可能な
ステージ上に配置し、前記被露光物上に転写した
前段の模様中の検出マークを検出し、前記ステー
ジを介して前記検出マークを基準位置に移動させ
て前記被露光物上の前段の模様と後段の前記原画
の模様とを重ね、投影装置により前記原画の模様
を前記被露光物に転写する投影露光方法におい
て、前記被露光物上に転写した前段の模様中の少
なくとも３点以上の検出マークを検出し、これら
検出した各検出マーク間の相対位置を求めて設計
値と比較し、両者の差が予め定めた誤差範囲内に
あるか否かを判定して前記検出した各検出マーク
の検出が誤検出か否かをチエツクした後、前記被
露光物上の前段の模様上に前記後段の原画の模様
を重ねて転写することを特徴とする投影露光方
法。 ２ 前記少なくとも３点以上の検出マークの検出
は、最初に検出した３点の検出マークのうちに誤
検出が含まれていると判断したときに新たな検出
マークを検出し、これら４点間の相対位置を求め
て前記設計値と比較することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015800A JPS60160613A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015800A JPS60160613A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160613A JPS60160613A (ja) | 1985-08-22 |
| JPH0443407B2 true JPH0443407B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=11898912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59015800A Granted JPS60160613A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160613A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2610815B2 (ja) * | 1985-09-19 | 1997-05-14 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| JP2661015B2 (ja) * | 1986-06-11 | 1997-10-08 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法 |
| JPS63250120A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント補正装置 |
| JP2711107B2 (ja) * | 1988-06-27 | 1998-02-10 | 三菱電機株式会社 | 露光方法 |
| JP2638528B2 (ja) * | 1994-12-19 | 1997-08-06 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法 |
| JP2629659B2 (ja) * | 1996-04-22 | 1997-07-09 | 株式会社ニコン | 回路パターン形成方法 |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP59015800A patent/JPS60160613A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60160613A (ja) | 1985-08-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |